JP5987843B2 - 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 - Google Patents
透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5987843B2 JP5987843B2 JP2013557464A JP2013557464A JP5987843B2 JP 5987843 B2 JP5987843 B2 JP 5987843B2 JP 2013557464 A JP2013557464 A JP 2013557464A JP 2013557464 A JP2013557464 A JP 2013557464A JP 5987843 B2 JP5987843 B2 JP 5987843B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- polymer
- composition
- forming
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- -1 ethylene glycol monoalkyl ether Chemical class 0.000 claims description 33
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 23
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims description 22
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 18
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 33
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 26
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 17
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 9
- 150000001450 anions Chemical group 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 8
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical class OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004815 dispersion polymer Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 2
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid Chemical compound CCS(O)(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 2
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 2
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 1-dodecanesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCS(O)(=O)=O LDMOEFOXLIZJOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 2-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O ZMCHBSMFKQYNKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWEYATZFSPHATJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutoxythiophene Chemical compound CCCCOC1=CSC=C1OCCCC XWEYATZFSPHATJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGPVKMIWERPYIJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCC1=CNC=C1CCCC LGPVKMIWERPYIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKXCQUBXKMXXBG-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibutylthiophene Chemical compound CCCCC1=CSC=C1CCCC FKXCQUBXKMXXBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFCYZQALCKXBOZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-didecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCCCC CFCYZQALCKXBOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVQISPCTVFFREP-UHFFFAOYSA-N 3,4-didodecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCCCCCC GVQISPCTVFFREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZZAMRHHXZQNN-UHFFFAOYSA-N 3,4-diheptoxythiophene Chemical compound CCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCC BUZZAMRHHXZQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMANTHZRUHGCNC-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihexoxythiophene Chemical compound CCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCC OMANTHZRUHGCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-thieno[3,4-b][1,4]dioxepine Chemical compound O1CCCOC2=CSC=C21 WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethoxythiophene Chemical compound COC1=CSC=C1OC ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC=C1C OJFOWGWQOFZNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C GPSFYJDZKSRMKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTUYNPNPIIFVGN-UHFFFAOYSA-N 3,4-dioctoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CSC=C1OCCCCCCCC OTUYNPNPIIFVGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKYDJXOAZWBJIM-UHFFFAOYSA-N 3,4-dipropoxythiophene Chemical compound CCCOC1=CSC=C1OCCC LKYDJXOAZWBJIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSOMPMRZESLPSM-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylpropyl)aniline Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC(N)=C1 JSOMPMRZESLPSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYMPIGRRSUORAR-UHFFFAOYSA-N 3-(4-methyl-1h-pyrrol-3-yl)propanoic acid Chemical compound CC1=CNC=C1CCC(O)=O FYMPIGRRSUORAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCOLSHCVCITSFG-UHFFFAOYSA-N 3-(4-methylthiophen-3-yl)propanoic acid Chemical compound CC1=CSC=C1CCC(O)=O JCOLSHCVCITSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 3-bromothiophene Chemical compound BrC=1C=CSC=1 XCMISAPCWHTVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCVHZARBOWEONP-UHFFFAOYSA-N 3-butoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCCCOC=1C=CNC=1 FCVHZARBOWEONP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZSSXTMHSXMZBL-UHFFFAOYSA-N 3-butoxythiophene Chemical compound CCCCOC=1C=CSC=1 NZSSXTMHSXMZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 3-butyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCC=1C=CNC=1 ATWNFFKGYPYZPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 3-butylthiophene Chemical compound CCCCC=1C=CSC=1 KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUBJDMPBDURTJT-UHFFFAOYSA-N 3-chlorothiophene Chemical compound ClC=1C=CSC=1 QUBJDMPBDURTJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTIXUMPBYXTWQA-UHFFFAOYSA-N 3-decoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 YTIXUMPBYXTWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 3-decyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CNC=1 FFRZVVFLHHGORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 3-decylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 JAYBIBLZTQMCAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQKVUWMATDWFJI-UHFFFAOYSA-N 3-dodecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 HQKVUWMATDWFJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGICMYITGGLHHY-UHFFFAOYSA-N 3-dodecyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CNC=1 HGICMYITGGLHHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 3-dodecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYXGHOGPUYPB-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCOC=1C=CNC=1 KEAYXGHOGPUYPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFQVXRBCYGOGAA-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-4-methylthiophene Chemical compound CCOC1=CSC=C1C ZFQVXRBCYGOGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDEGOEYUQCUBPE-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxythiophene Chemical compound CCOC=1C=CSC=1 RDEGOEYUQCUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-1h-pyrrole Chemical compound CCC=1C=CNC=1 RLLBWIDEGAIFPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCLMZMISZCYBBG-UHFFFAOYSA-N 3-ethylheptanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)CC(O)=O MCLMZMISZCYBBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 3-ethylthiophene Chemical compound CCC=1C=CSC=1 SLDBAXYJAIRQMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFRPBGLJDHIQGT-UHFFFAOYSA-N 3-heptoxythiophene Chemical compound CCCCCCCOC=1C=CSC=1 JFRPBGLJDHIQGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 3-heptylthiophene Chemical compound CCCCCCCC=1C=CSC=1 IUUMHORDQCAXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOKBHBPVRURKRQ-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxy-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCOC=1C=CNC=1 IOKBHBPVRURKRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INZDUCBKJIQWBX-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxy-4-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCOC1=CNC=C1C INZDUCBKJIQWBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFJHLDVJFOQWLT-UHFFFAOYSA-N 3-hexoxythiophene Chemical compound CCCCCCOC=1C=CSC=1 GFJHLDVJFOQWLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 3-iodothiophene Chemical compound IC=1C=CSC=1 WGKRMQIQXMJVFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGDGACBSGVRCSM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-4-methylthiophene Chemical compound COC1=CSC=C1C HGDGACBSGVRCSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 3-methoxythiophene Chemical compound COC=1C=CSC=1 RFSKGCVUDQRZSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CC=1C=CNC=1 FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIXVNYHVHGWVEN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-5-(1h-pyrrol-2-yl)pentanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(C)CCC1=CC=CN1 OIXVNYHVHGWVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRTWOPGOPPTXOA-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-5-thiophen-2-ylpentanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(C)CCC1=CC=CS1 GRTWOPGOPPTXOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPORMHZYIJPHAV-UHFFFAOYSA-N 3-octadecoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=1C=CSC=1 KPORMHZYIJPHAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARFJPHXJBIEWSZ-UHFFFAOYSA-N 3-octadecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 ARFJPHXJBIEWSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVZKIJQGLYISA-UHFFFAOYSA-N 3-octoxythiophene Chemical compound CCCCCCCCOC=1C=CSC=1 AUVZKIJQGLYISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 3-octyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CNC=1 WFHVTZRAIPYMMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 3-octylthiophene Chemical compound CCCCCCCCC=1C=CSC=1 WQYWXQCOYRZFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 3-phenylthiophene Chemical compound S1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZDQZVKVIYAPRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 3-propyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCC=1C=CNC=1 FAOPZUAEZGKQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 3-propylthiophene Chemical compound CCCC=1C=CSC=1 QZNFRMXKQCIPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-phenylphenyl)-n,n-bis[4-(4-phenylphenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WEELZNKFYGCZKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXPOCCDGHHTZAO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1h-pyrrole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CNC=C1C(O)=O FXPOCCDGHHTZAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRFIHWGUGBXFEC-UHFFFAOYSA-N 4-methylthiophene-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CSC=C1C(O)=O LRFIHWGUGBXFEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PBTJPWDPWUYFIT-UHFFFAOYSA-N COC1=CNC=C1.OC1=CNC=C1 Chemical compound COC1=CNC=C1.OC1=CNC=C1 PBTJPWDPWUYFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920003935 Flemion® Polymers 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N Osalmid Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1O LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzoquinoline Natural products C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043264 dodecyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical group OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002859 polyalkenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000323 polyazulene Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DOYOPBSXEIZLRE-UHFFFAOYSA-N pyrrole-3-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=CNC=1 DOYOPBSXEIZLRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])[O-] QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- HERSKCAGZCXYMC-UHFFFAOYSA-N thiophen-3-ol Chemical compound OC=1C=CSC=1 HERSKCAGZCXYMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPKQTNAUFAZSIJ-UHFFFAOYSA-N thiophene-3,4-diol Chemical compound OC1=CSC=C1O MPKQTNAUFAZSIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N thiophene-3-carbonitrile Chemical compound N#CC=1C=CSC=1 GSXCEVHRIVLFJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNVOMSDITJMNET-UHFFFAOYSA-N thiophene-3-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C=1C=CSC=1 YNVOMSDITJMNET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001456 vanadium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/02—Printing inks
- C09D11/10—Printing inks based on artificial resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/30—Inkjet printing inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/52—Electrically conductive inks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
従来透明電極は、ガラスや透明なプラスチックフィルム等の透明基材上に、インジウム−スズの複合酸化物(ITO)膜を真空蒸着法やスパッタリング法で製膜したITO透明電極が主に使用されてきた。しかし、ITOに用いられているインジウムはレアメタルであり、かつ価格の高騰により、脱インジウムが望まれている。また、ディスプレイの大画面化、生産性向上に伴い、樹脂基板などのフレキシブル基板(可撓性の透明基板)を用いたロールトゥロール(roll to roll)の生産技術が所望されている。
これに対し、特許文献1〜5の技術では、ヘッド目詰まり、基板に対するインクの濡れ性不足、インクの経時分散安定性不足といったインクジェット方式による課題は考慮されていないし、たとえば、特許文献4の技術では、ポリマー導電層がスピンコートにより形成されている。特許文献5の技術では、ポリマーの架橋反応を十分に進行させるため、高温、長時間の乾燥が必要となるが、これは工程負荷が大きくなるばかりか、透明基板やポリマー導電層を構成する材料として、ガラス転移温度の低い樹脂基板、ポリマーを使用する事ができないといった課題を有しており、ロールトゥロールといった方式での透明電極の大量生産にも適さない。
この問題を解決するために、バインダーの主骨格と水との相互作用を低減し、さらにバインダー樹脂中の水酸基数を低減、あるいは排除する必要がある。界面活性剤を使用し疎水性のポリマーを水系溶剤に均一に分散させた分散液を使用すると、透明電極及び透明電極を用いた有機電子素子の電極または素子自体の性能を低下させる可能性があった。
即ち、導電性ポリマーと混合するバインダー樹脂として、かかる解離性基含有自己分散型ポリマーを含有させることにより、課題を解決できることが判明し、本発明に至った。
また、前記水分散性導電性ポリマーとバインダー樹脂とを含む塗布液を用いて透明電極を形成する方法として、凸版、凹版、孔版印刷やインクジェット印刷があげられるが、透明電極の透明性、導電性、さらに導電層のパターニング適性、生産性の観点から、インクジェット方式が最も好ましい。しかし、インクジェット方式は多数の細孔ノズルからなるヘッドから液滴を吐出する方式であり、分散系液体の場合、その分散粒子の目詰まりにより吐出不良を引き起こすことがある。さらに、安定した吐出を行うためには、経時で凝集、増粘しない安定した液体組成物を使用することが必須となる。
これらの課題に対して、本発明者らは、水分散性導電性ポリマーと、解離性基含有自己分散型ポリマーと、水と、水以外の極性溶媒と、グリコールエーテルとからなる組成物を用いることで、吐出物の経時安定性とインクジェットの吐出安定性との向上を達成した。
本発明はバインダー樹脂として、水系溶剤に分散可能な自己分散型ポリマーであって解離性基を有しかつガラス転移温度が25℃以上80℃以下のポリマーを用いることにより、透明性と導電性を両立し、かつ高温高湿度下において透明性、導電性の劣化が少ない透明電極を提供できる。さらに、バインダー樹脂由来の水の発生を抑制した該透明電極を用いることで、高い発光均一性と、高温高湿度下での高い性能安定性、寿命を有する有機EL素子が得られることを見出した。
また、ポリマー導電層を形成する該導電性ポリマーと該解離性基含有自己分散型ポリマーとを有する組成物として、極性溶媒とグリコールエーテルとを含有することで、組成物自体の高い経時安定性とインクジェット印刷における高い吐出安定性が得られることを見出した。
透明基板上にポリマー導電層を形成するための透明電極形成用組成物において、
導電性ポリマーと、
水系溶媒に分散可能な自己分散型ポリマーと、
水と、
水以外の極性溶媒と、
グリコールエーテルとを含有し、
前記自己分散型ポリマーは、解離性基を含有する自己分散型ポリマーであり、かつ、ガラス転移温度が25℃以上80℃以下であり、
前記極性溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドのいずれかであり、
前記極性溶媒の添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上40%以下であり、
前記グリコールエーテルの添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上30%以下であることを特徴とする透明電極形成用組成物が提供される。
図1に示すとおり、透明電極1は主に透明基板2、金属導電層4およびポリマー導電層6から構成されている。
透明基板2上には、金属材料の細線パターンからなる金属導電層4が形成されている。金属導電層4では、金属粒子の細線が、図2A〜図2Cに示すとおりにストライプ状に形成されてもよいし、図2Dに示すとおりにメッシュ状(網目状)に形成されてもよい。
金属導電層4上には、導電性ポリマーからなるポリマー導電層6が形成されている。ポリマー導電層6は面一的に形成され、金属導電層4の表面および金属導電層4間から露出する透明基板2の表面を被覆している。
透明基板は、導電層を担持しうる板状体であり、透明電極を得るためには、JIS K 7361−1:1997(プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法)に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が80%以上のものが好ましく用いられる。
透明基板としては、透明なガラス基板を用いることができる他、フレキシブル性に優れており、誘電損失係数が十分小さくて、マイクロ波の吸収が導電層よりも小さい材質であるものが好ましく用いられる。
透明基板としては、例えば、樹脂基板、樹脂フィルム等が好適に挙げられ、生産性の観点や軽量性と柔軟性といった性能の観点から透明樹脂フィルムを用いることが好ましい。透明樹脂フィルムとは、JIS K 7361−1:1997(プラスチック−透明材料の全光線透過率の試験方法)に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率が50%以上のものをいう。
好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることができる。
上記全光線透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に用いられるフィルム基板として好ましく用いられる。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムがより好ましい。
例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。
また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。
また、フィルム基板の表面または裏面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定した水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定した酸素透過度が、1×10−3ml/m2・24h・atm以下、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
高バリア性フィルムとするためにフィルム基板の表面または裏面に形成されるバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
金属導電層は上記のとおり金属材料から構成される層であり、一定のパターン状を呈している。
金属材料としては、導電性を有するものであれば、特に制限はなく、例えば、金、銀、銅、鉄、コバルト、ニッケル、クロム等の金属の他に合金でもよい。
特に、後述のようにパターンの形成のしやすさの観点から金属材料の形状は、金属微粒子または金属ナノワイヤであることが好ましく、金属材料は導電性の観点から銀、銅が好ましく、より好ましくは銀である。
金属導電層は、透明電極を形成するために、透明基板上に開口部を有するパターン状に形成される。開口部は、透明基板上に金属材料を有さない部分であり透光性窓部である。
パターン形状には特に制限はないが、例えば、導電部がストライプ状(図2A〜図2C)、格子状(図2D)、あるいはランダムな網目状であってもよいが、開口率は透明性の観点から80%以上であることが好ましい。
開口率とは、光不透過の導電部が全体に占める割合である。例えば、導電部がストライプ状あるいはメッシュ状であるとき、線幅100μm、線間隔1mmのストライプ状パターンの開口率は、およそ90%である。
パターンの線幅は10〜200μmが好ましい。細線の線幅が10μm未満では、所望の導電性が得られず、また200μmを超えると透明性が低下する。細線の高さは、0.1〜10μmが好ましい。細線の高さが0.1μm以上では、所望の導電性が得られやすく、また10μm以下では有機電子デバイスの形成において、電流リークや機能層の膜厚分布が良好となり好ましい。
例えば、透明基板全面に金属層を形成し、公知のフォトリソ法によって形成できる。具体的には、透明基板上の全面に、印刷、蒸着、スパッタ、めっき等の1あるいは2以上の物理的または化学的形成手法を用いて導電体層を形成するか、あるいは、金属箔を接着剤で透明基板に積層した後、公知のフォトリソ法を用いて、エッチングすることにより、所望のストライプ状あるいはメッシュ状に加工できる。
別な方法としては、金属微粒子を含有するインクを用いて、凸版、凹版、孔版印刷、あるいはインクジェット方式により所望の形状に印刷する方法や、メッキ可能な触媒インクを用いて、凸版、凹版、孔版印刷、あるいはインクジェット方式で所望の形状に塗布した後、メッキ処理する方法、さらに別な方法としては、銀塩写真技術を応用した方法も利用できる。銀塩写真技術を応用した方法については、例えば、特開2009−140750号公報の[0076]−[0112]、及び実施例を参考にして実施できる。触媒インクをグラビア印刷してメッキ処理する方法については、例えば、特開2007−281290号公報を参考にして実施できる。
金属ナノワイヤとは、金属元素を主要な構成要素とする繊維状構造体のことをいう。特に、本発明における金属ナノワイヤとは、原子スケールからnmサイズの短径を有する多数の繊維状構造体を意味する。
金属ナノワイヤとしては、1つの金属ナノワイヤで長い導電パスを形成するために、平均長さが3μm以上であることが好ましく、さらには3〜500μmが好ましく、特に3〜300μmであることが好ましい。併せて、長さの相対標準偏差は40%以下であることが好ましい。また、平均短径には特に制限はないが、透明性の観点からは小さいことが好ましく、一方で、導電性の観点からは大きい方が好ましい。金属ナノワイヤの平均短径として10〜300nmが好ましく、30〜200nmであることがより好ましい。併せて、短径の相対標準偏差は20%以下であることが好ましい。金属ナノワイヤの目付け量は0.005〜0.5g/m2が好ましく、0.01〜0.2g/m2がより好ましい。
金属ナノワイヤに用いられる金属としては、銅、鉄、コバルト、金、銀等を用いることができるが、導電性の観点から銀が好ましい。また、金属は単一で用いてもよいが、導電性と安定性(金属ナノワイヤの硫化や酸化耐性、及びマイグレーション耐性)を両立するために、主成分となる金属と1種類以上の他の金属を任意の割合で含んでもよい。
金属ナノワイヤの製造方法には特に制限はなく、例えば、液相法や気相法等の公知の手段を用いることができる。また、具体的な製造方法にも特に制限はなく、公知の製造方法を用いることができる。
例えば、銀ナノワイヤの製造方法としては、Adv.Mater.,2002,14,833〜837、Chem.Mater.,2002,14,4736〜4745、金ナノワイヤの製造方法としては特開2006−233252号公報等、銅ナノワイヤの製造方法としては特開2002−266007号公報等、コバルトナノワイヤの製造方法としては特開2004−149871号公報等を参考にすることができる。特に、上述した銀ナノワイヤの製造方法は、水溶液中で簡便に銀ナノワイヤを製造することができ、また銀の導電率は金属中で最大であることから、好ましく適用することができる。
また、金属材料からなる細線部はフィルム基板にダメージを与えない範囲で加熱処理を施すことが好ましい。これにより、金属微粒子や金属ナノワイヤ同士の融着が進み、金属材料からなる細線部の高導電化するため、特に好ましい。
ポリマー導電層は、導電性ポリマーと、水系溶剤に分散可能なポリマーであって解離性基を含有しかつガラス転移温度が25℃以上で80℃以下の自己分散型ポリマーとを、含む組成物から構成されている。
これにより、透明電極において高い透明性と高い導電性とを両立し、さらに高温高湿度下での性能変動の少ない透明電極が得られる。
また、ポリマー導電層は、金属細線からなる金属導電層上に積層され、金属導電層と併用して透明電極を形成することができる。これにより、透明電極の高い透明性と高い導電性が両立でき、さらに電極面内の均一性を得ることができる。
また、ポリマー導電層は、具体的に、前述の導電性ポリマーおよび自己分散型ポリマーに加え、水、極性溶媒およびグリコールエーテルを含む組成物から構成され、当該組成物を吐出液としてインクジェット方式で印刷することにより形成される。これにより、高い透明性と高い導電性とを得るために必要十分な量の該組成物を基板上に印刷することができる。特に、金属導電層上へポリマー導電層を積層する場合、高いパターニング精度で印刷することができる。
本発明において、「導電性」とは、電気が流れる状態を指し、JIS K 7194の「導電電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に準拠した方法で測定したシート抵抗が10×8Ω/□より低いことをいう。
本発明に係る導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子とポリ陰イオンとを有してなる導電性ポリマーである。こうした導電性ポリマーは、後述するπ共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリ陰イオンの存在下で化学酸化重合することによって容易に製造できる。
本発明に用いるπ共役系導電性高分子としては、特に限定されず、ポリチオフェン(基本のポリチオフェンを含む、以下同様)類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類、の鎖状導電性ポリマーを利用することができる。中でも、導電性、透明性、安定性等の観点からポリチオフェン類やポリアニリン類が好ましく、ポリエチレンジオキシチオフェンが最も好ましい。
π共役系導電性高分子の形成に用いられる前駆体モノマーは、分子内にπ共役系を有し、適切な酸化剤の作用によって高分子化した際にもその主鎖にπ共役系が形成されるものである。例えば、ピロール類及びその誘導体、チオフェン類及びその誘導体、アニリン類及びその誘導体等が挙げられる。
前駆体モノマーの具体例としては、ピロール、3−メチルピロール、3−エチルピロール、3−n−プロピルピロール、3−ブチルピロール、3−オクチルピロール、3−デシルピロール、3−ドデシルピロール、3,4−ジメチルピロール、3,4−ジブチルピロール、3−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシルピロール、3−メチル−4−カルボキシエチルピロール、3−メチル−4−カルボキシブチルピロール、3−ヒドロキシピロール、3−メトキシピロール、3−エトキシピロール、3−ブトキシピロール、3−ヘキシルオキシピロール、3−メチル−4−ヘキシルオキシピロール、チオフェン、3−メチルチオフェン、3−エチルチオフェン、3−プロピルチオフェン、3−ブチルチオフェン、3−ヘキシルチオフェン、3−ヘプチルチオフェン、3−オクチルチオフェン、3−デシルチオフェン、3−ドデシルチオフェン、3−オクタデシルチオフェン、3−ブロモチオフェン、3−クロロチオフェン、3−ヨードチオフェン、3−シアノチオフェン、3−フェニルチオフェン、3,4−ジメチルチオフェン、3,4−ジブチルチオフェン、3−ヒドロキシチオフェン、3−メトキシチオフェン、3−エトキシチオフェン、3−ブトキシチオフェン、3−ヘキシルオキシチオフェン、3−ヘプチルオキシチオフェン、3−オクチルオキシチオフェン、3−デシルオキシチオフェン、3−ドデシルオキシチオフェン、3−オクタデシルオキシチオフェン、3,4−ジヒドロキシチオフェン、3,4−ジメトキシチオフェン、3,4−ジエトキシチオフェン、3,4−ジプロポキシチオフェン、3,4−ジブトキシチオフェン、3,4−ジヘキシルオキシチオフェン、3,4−ジヘプチルオキシチオフェン、3,4−ジオクチルオキシチオフェン、3,4−ジデシルオキシチオフェン、3,4−ジドデシルオキシチオフェン、3,4−エチレンジオキシチオフェン、3,4−プロピレンジオキシチオフェン、3,4−ブテンジオキシチオフェン、3−メチル−4−メトキシチオフェン、3−メチル−4−エトキシチオフェン、3−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシチオフェン、3−メチル−4−カルボキシエチルチオフェン、3−メチル−4−カルボキシブチルチオフェン、アニリン、2−メチルアニリン、3−イソブチルアニリン、2−アニリンスルホン酸、3−アニリンスルホン酸等が挙げられる。
本発明に係る導電性ポリマーに用いられるポリ陰イオンは、置換もしくは未置換のポリアルキレン、置換もしくは未置換のポリアルケニレン、置換もしくは未置換のポリイミド、置換もしくは未置換のポリアミド、置換もしくは未置換のポリエステル及びこれらの共重合体であって、アニオン基を有する構成単位とアニオン基を有さない構成単位とからなるものである。
このポリ陰イオンは、π共役系導電性高分子を溶媒に可溶化させる可溶化高分子である。また、ポリ陰イオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性と耐熱性を向上させる。
ポリ陰イオンのアニオン基としては、π共役系導電性高分子への化学酸化ドープが起こりうる官能基であればよいが、中でも、製造の容易さ及び安定性の観点からは、一置換硫酸エステル基、一置換リン酸エステル基、リン酸基、カルボキシ基、スルホ基等が好ましい。さらに、官能基のπ共役系導電性高分子へのドープ効果の観点より、スルホ基、一置換硫酸エステル基、カルボキシ基がより好ましい。
ポリ陰イオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。
さらに、これらの中でも、ポリスチレンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸が好ましい。これらのポリ陰イオンは、ヒドロキシ基含有非導電性ポリマーとの相溶性が高く、また、得られる導電性ポリマーの導電性をより高くできる。
ポリ陰イオンの製造方法としては、例えば、酸を用いてアニオン基を有しないポリマーにアニオン基を直接導入する方法、アニオン基を有しないポリマーをスルホ化剤によりスルホン酸化する方法、アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法が挙げられる。
アニオン基含有重合性モノマーの重合により製造する方法は、溶媒中、アニオン基含有重合性モノマーを、酸化剤及び/または重合触媒の存在下で、酸化重合またはラジカル重合によって製造する方法が挙げられる。具体的には、所定量のアニオン基含有重合性モノマーを溶媒に溶解させ、これを一定温度に保ち、それに予め溶媒に所定量の酸化剤及び/または重合触媒を溶解した溶液を添加し、所定時間で反応させる。その反応により得られたポリマーは溶媒によって一定の濃度に調整される。この製造方法において、アニオン基含有重合性モノマーにアニオン基を有さない重合性モノマーを共重合させてもよい。
アニオン基含有重合性モノマーの重合に際して使用する酸化剤及び酸化触媒、溶媒は、π共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを重合する際に使用するものと同様である。
得られたポリマーがポリ陰イオン塩である場合には、ポリ陰イオン酸に変質させることが好ましい。ポリ陰イオン酸に変質させる方法としては、イオン交換樹脂を用いたイオン交換法、透析法、限外ろ過法等が挙げられ、これらの中でも、作業が容易な点から限外ろ過法が好ましい。
導電性ポリマーに含まれるπ共役系導電性高分子とポリ陰イオンの比率、「π共役系導電性高分子」:「ポリ陰イオン」は質量比で1:1〜1:20が好ましい。導電性、分散性の観点からより好ましくは1:2〜1:10の範囲である。
有機残基を含む無機酸の鉄(III)塩の例としては、炭素数1〜20のアルカノールの硫酸半エステルの鉄(III)塩、例えばラウリル硫酸;炭素数1〜20のアルキルスルホン酸、例えばメタンまたはドデカンスルホン酸;脂肪族炭素数1〜20のカルボン酸、例えば2−エチルヘキシルカルボン酸;脂肪族パーフルオロカルボン酸、例えばトリフルオロ酢酸及びパーフルオロオクタノン酸;脂肪族ジカルボン酸、例えばシュウ酸並びに殊に芳香族の、随時炭素数1〜20のアルキル置換されたスルホン酸、例えばベンゼセンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸及びドデシルベンゼンスルホン酸のFe(III)塩が挙げられる。
例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー(PEDOT−PSSと略す)が、H.C.Starck社からCleviosシリーズとして、Aldrich社からPEDOT−PSSの483095、560596として、Nagase Chemtex社からDenatronシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からORMECONシリーズとして市販されている。本発明において、こうした剤も好ましく用いることができる。
ポリマー導電層の構成材料として上記導電性ポリマーに加えてバインダー樹脂が使用される。当該バインダー樹脂として、水系溶剤に分散可能なポリマーであって、解離性基を含有しかつガラス転移温度が25℃以上で80℃以下の自己分散型ポリマーが使用される。
水系溶媒に分散可能な解離性基含有自己分散型ポリマーとは、ミセル形成を補助する界面活性剤や乳化剤等を含まず、ポリマー単体で水系溶媒に分散可能なものである。「水系溶媒に分散可能」とは、水系溶剤中に凝集せずにバインダー樹脂からなるコロイド粒子が分散している状況であることをいう。
コロイド粒子の大きさは一般的に0.001〜1μm(1〜1000nm)程度である。粒子の大きさとしては3〜500nmが好ましく、より好ましくは5〜300nmで、さらに好ましくは10〜100nmである。上記のコロイド粒子については、光散乱光度計により測定することができる。
また、上記水系溶剤としては、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)のみならず、酸、アルカリ、塩等を含む水溶液、含水の有機溶媒、さらには親水性の有機溶媒であることを意味し、純水(蒸留水、脱イオン水を含む)、メタノール、エタノール等のアルコール系溶媒、水とアルコールの混合溶媒等が挙げられる。
解離性基含有自己分散型ポリマーとしては、フィルムを形成する媒体であれば、特に限定はない。また、透明電極表面へのブリードアウト、有機EL素子を積層した場合の素子性能に問題がなければ特に限定はないが、ポリマー分散液中に界面活性剤(乳化剤)や造膜温度をコントロールする可塑剤等は含まないことが好ましい。
透明電極の製造に用いる解離性基含有自己分散型ポリマーの分散液のpHは、別途相溶させる導電性ポリマー溶液と分離しない範囲であることが望ましく、0.1〜11.0が好ましく、より好ましくは3.0〜9.0で、さらに好ましくは4.0〜7.0である。
ガラス転移温度が25℃未満では、塗膜の造膜性が悪く透明電極の表面平滑性が得られないばかりか、高温下で行われる透明電極、有機EL素子の環境試験において、塗膜が変形し、素子性能を悪化させる。また、ガラス転移温度が80℃を超えると、導電性ポリマーと自己分散型ポリマーからなるポリマー導電層の均質性、表面平滑性が低下し、素子性能を低下させる。
ガラス転移温度は、示差走査熱量測定器(Perkin Elmer社製DSC−7型)を用いて、昇温速度10℃/分で測定し、JIS K7121(1987)に従い求めることができる。
解離性基の量は、自己分散型ポリマーが水系溶媒に分散可能であれば良く、可能な限り少ない方が工程適性的に乾燥負荷が低減されるため好ましい。また、アニオン性基、カチオン性基に使用されるカウンター種に特に限定はないが、透明電極、有機EL素子を積層した場合の性能の観点から、疎水性で少量が好ましい。
ポリマー導電層を形成するための組成物では、解離性基含有自己分散型ポリマーを含有するが、極性溶媒を含有することにより、解離性基含有自己分散型ポリマーの分散安定性を損なうことなく、当該組成物を安定に保ち、インクジェット方式により安定性に吐出できる。
極性溶媒としては、誘電率が25以上のものを、好ましくは30以上、より好ましくは40以上のものを用いることができ、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシドなどをあげることができる。組成物の安定性及びインクジェット印刷における吐出性、さらにポリマー導電層の導電性の観点から、プロピレングリコール、エチレングリコール、ジメチルスルホキシドが特に好ましい。
極性溶媒の添加量は、組成物の安定性の観点から決めることができ、組成物の総重量に対し、5%以上40%以下が好ましい。5%以上では組成物の安定化効果が向上し、40%以下では組成物の表面張力が低く、基板に対する濡れ性が向上する点で好ましい。
溶媒の誘電率は、例えば、液体用誘電率計Model−871(日本ルフト社製)を用いて測定することができる。
ポリマー導電層を形成するための組成物には、グリコールエーテルが含有される。これにより、前記極性溶媒を含有する組成物の表面張力を、解離性基含有自己分散型ポリマーの分散安定性を損なうことなく、効果的に低下させることができ、インクジェットの安定した吐出性と、基板上での必要十分な濡れ性を得ることができる。
グリコールエーテルとしては、上記観点から、水可溶性であり、かつ表面張力が40mN/m以下が好ましく、35mN/m以下がさらに好ましく、30mN/m以下が特に好ましい。グリコールエーテルの添加量は、組成物の表面張力から決めることができ、組成物の総質量に対して5%以上30%以下が好ましい。5%以上では、表面張力の低下効果が高く、基板に対する組成物の濡れ性が向上し、30%以下では組成物の分散安定性及びインクジェット印刷の塗布均一性が向上する。
エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどがあげられ、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテルが、特に好ましい。
本発明の透明電極において、ポリマー導電層の表面の平滑性を表すRyとRaは、Ry=最大高さ(表面の山頂部と谷底部との高低差)とRa=算術平均粗さを意味し、JIS B601(1994)に規定される表面粗さに準ずる値である。
本発明の透明電極は、ポリマー導電層の表面の平滑性がRy≦50nm、また、併せてポリマー導電層の表面の平滑性はRa≦10nmであることが好ましい。
AFMとして、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニットを使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位で捉える。ピエゾスキャナーは、XY20μm、Z2μmが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーSI−DF20で、共振周波数120〜150kHz、バネ定数12〜20N/mのものを用い、DFMモード(Dynamic Force Mode)で測定する。測定領域80×80μmを、走査周波数1Hzで測定する。
本発明において、Ryの値は50nm以下であることがより好ましく、40nm以下であることがさらに好ましい。同様に、Raの値は10nm以下であることがより好ましく、5nm以下であることがさらに好ましい。
また、本発明の透明電極におけるポリマー導電層の電気抵抗値としては、表面抵抗率として1000Ω/□以下であることが好ましく、100Ω/□以下であることがより好ましい。さらには、電流駆動型オプトエレクトロニクスデバイスに適用するためには、50Ω/□以下であることが好ましく、10Ω/□以下であることが特に好ましい。103Ω/□以下であると各種オプトエレクトロニクスデバイスにおいて、透明電極として機能することができて好ましい。
前記表面抵抗率は、例えば、JIS K 7194:1994(導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法)等に準拠して測定することができ、また市販の表面抵抗率計を用いて簡便に測定することができる。
本発明の透明電極の厚みには特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、一般的に10μm以下であることが好ましく、厚みが薄くなるほど透明性や柔軟性が向上するためより好ましい。
透明電極の製造方法は、主に、
(i)少なくとも、導電性ポリマーと、自己分散型ポリマーと、水と、水以外の極性溶媒と、グリコールエーテルとを混合し、透明電極形成用組成物を調製する工程と、
(ii)透明基板上に金属導電層を形成する工程と、
(iii)透明電極形成用組成物を、インクジェット方式により透明基板に吐出してポリマー導電層を形成する工程と、
を備えている。
また、金属細線部の一部を、導電性ポリマーと水系溶媒に分散可能な解離性基含有自己分散型ポリマーとを含有するポリマー導電層が被覆または接触している透明電極を作製する手段としては、転写フィルムに金属導電層を上述の方法で形成し、さらに導電性ポリマーと水系溶媒に分散可能な解離性基含有自己分散型ポリマーとを含有するポリマー導電層を、下述の方法で積層したものを、上述のフィルム基板に転写する方法が挙げられる。
導電性ポリマーと水系溶媒に分散可能な解離性基含有自己分散型ポリマーとを含有するポリマー導電層を印刷した後、適宜乾燥処理を施すことができる。
乾燥処理の条件として特に制限はないが、透明基板やポリマー導電層が損傷しない範囲の温度で乾燥処理することが好ましい。例えば、80〜150℃で10秒から30分の乾燥処理をすることができる。これにより電極の洗浄耐性、溶媒耐性が著しく向上し、さらに素子性能が向上する。特に、有機EL素子においては、駆動電圧の低減、寿命の向上といった効果が得られる。
当該添加剤としては、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤等の安定剤、界面活性剤、溶解促進剤、重合禁止剤、染料や顔料等の着色剤等が挙げられる。さらに、インクジェットの吐出性等の作業性を高める観点から、溶媒(例えば、水や、アルコール類、グリコール類、セロソルブ類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、炭化水素類等の有機溶媒)を含んでいてもよい。
有機電子素子は基本的に、第1の電極、第2の電極および有機機能層を備え、第2の電極が第1の電極に対向配置され、有機機能層が第1の電極と第2の電極との間に設けられた構成を有するものである。
かかる有機電子素子の一例として有機EL素子や有機薄膜太陽電池素子などが使用され、特に第1の電極として上述した透明電極が使用される。
有機EL素子の素子構成としては、陽極/有機発光層/陰極、陽極/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/ホール輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、陽極/ホール注入層/有機発光層/電子注入層/陰極、等の各種の構成のものを挙げることができる。
有機発光層に使用できる発光材料またはドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチルベンゼン誘導体、ジスチルアリーレン誘導体、及び各種蛍光色素及び希土類金属錯体、燐光発光材料等があるが、これらに限定されるものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を90〜99.5質量部、ドーピング材料を0.5〜10質量部含むようにすることも好ましい。
有機発光層は上記の材料等を用いて公知の方法によって作製されるものであり、蒸着、塗布、転写等の方法が挙げられる。この有機発光層の厚みは0.5〜500nmが好ましく、特に、0.5〜200nmが好ましい。
本発明の有機EL素子は、自発光型ディスプレイ、液晶用バックライト、照明等に用いることができる。本発明の有機EL素子は、均一にムラなく発光させることができるため、照明用途で用いることが好ましい。
図3に示すとおり、有機EL素子10は、透明基板2、金属導電層4およびポリマー導電層6からなる透明電極1を有している。
透明電極1の透明基板2の側縁部には取出電極12が形成されている。取出電極12は金属導電層4およびポリマー導電層6と接触しており、これら部材と電気的に導通している。透明電極1のポリマー導電層6上には有機発光層14が形成されている。有機発光層14は正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層等から構成されている。有機発光層14上には対電極16が形成されている。対電極16は透明電極1と対向する電極であって透明電極1とは反対の極性を有している。
有機EL素子1では、取出電極12の一部が露出した状態で封止部材18により封止され、封止部材18が透明電極1や有機発光層14を被覆・保護している。
その後、取出電極12と一部が重なるように、金属導電層4をパターニング形成する(図4B)。
その後、導電性ポリマーや自己分散型ポリマーなどから構成される一定の組成物を調製し、当該組成物を、金属導電層4の上にインクジェット印刷して乾燥させポリマー導電層6を形成し、金属導電層4をポリマー導電層6で被覆する(図4C)。
その後、ポリマー導電層6(透明電極1)上に、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層等からなる有機発光層14を形成する(図4D)。
その後、有機発光層14を被覆するように対電極16を形成し(図4E)、透明電極1および有機発光層14を完全に被覆するように封止部材18にてこれら部材を封止する(図4F)。
以上の工程により有機EL素子10が製造される。
(1.1)平滑層の形成
厚み100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(コスモシャインA4100、東洋紡績株式会社製)の下引き加工していない面に、JSR株式会社製UV硬化型有機/無機ハイブリッドハードコート材:OPSTAR Z7501を、塗布、乾燥後の平均膜厚が4μmになるようにワイヤーバーで塗布した後、80℃で3分間乾燥させ、その後空気雰囲気下において高圧水銀ランプ使用して硬化条件1.0J/cm2で硬化を行い、平滑層を形成した。
次に、上記平滑層を設けた試料基板上にガスバリア層を以下に示す条件で、形成した。
パーヒドロポリシラザン(PHPS、AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製アクアミカ NN320)の20質量%ジブチルエーテル溶液をワイヤーバーにて、乾燥後の(平均)膜厚が、0.30μmとなるように塗布し、塗布試料を得た。
(第一工程;乾燥処理)
得られた塗布試料を温度85℃、湿度55%RHの雰囲気下で1分処理し、乾燥試料を得た。
(第二工程;除湿処理)
乾燥試料をさらに温度25℃、湿度10%RH(露点温度−8℃)の雰囲気下に10分間保持し、除湿処理を行った。
除湿処理を行った試料を、下記の装置を用いて下記の条件で改質処理を行い、ガスバリア層を形成した。改質処理時の露点温度は−8℃で実施した。
(改質処理装置)
株式会社エム・ディ・コム製エキシマ照射装置MODEL:MECL−M−1−200、波長172nm、ランプ封入ガス Xe
(改質処理条件)
エキシマ光強度 60mW/cm2(172nm)
試料と光源の距離 1mm
ステージ加熱温度 70℃
照射装置内の酸素濃度 1%
エキシマ照射時間 3秒
上記のようにしてガスバリア性を有する透明電極用のフィルム基板を作製した。
上記で得られたガスバリア性を有する透明電極用フィルム基板上のバリアのない面に、以下の方法で金属導電層を形成した。
前記フィルム基板上に、グラビア印刷試験機K303MULTICOATER(RK Print Coat Instruments Ltd製)を用い、銀ナノインク(TEC−PR−030:Inktec社製)を、50μm幅、1mmピッチのメッシュパターンにて、図4B(4)の領域に金属細線パターンからなる金属導電層を形成した。これを、120℃、30分の熱処理を行った。
金属導電層のパターンを、高輝度非接触3次元表面形状粗さ計WYKO NT9100(日本ビーコ社製)で測定したところ、パターンの幅は60μm、平均高さ500nmであった。
(1)透明電極形成用組成物(サンプル)の調製
表1記載のインク濃度(ポリマー濃度)となるように、導電性ポリマーP−1:Clevios PH750(Heraeus社製 1.08%液)と、解離性基を含有する表1記載の自己分散型ポリマーとを、それぞれ固形分比15:85で混合し、これら混合物と表1記載の溶媒とを混合し、最後に水を加えて100重量部として、透明電極形成用組成物(ポリマー導電層を形成するためのインクジェット吐出用組成物)の「サンプル1−1〜1−26」を調製した。
バイロナール:東洋紡績(株)
EG:エチレングリコール
PG:プロピレングリコール
dEG:ジエチレングリコール
tEG:トリエチレングリコール
DMSO:ジメチルスルホキシド
NMP:N−メチルピロリドン
PrOH:2−プロパノール
EGEt:エチレングリコールモノエチルエーテル
EGPr:エチレングリコールモノプロピルエーテル
EGBu:エチレングリコールモノブチルエーテル
PGEt:プロピレングリコールモノエチルエーテル
PGPr:プロピレングリコールモノプロピルエーテル
サンプル1−1〜1−26の評価として、組成物の経時分散安定性、インクジェット印刷時の吐出安定性及びポリマー導電層パターンの形成性を評価した。
組成物の経時安定性として、各サンプルを室温で3日間放置し、その前後の粘度変化率を下記基準で評価した。粘度は、振動式粘度計 ビスコメイト VM−1G(山一電気工業社製)にて、室温下で測定した。測定結果を表2に示す。
◎:90%以上110%未満
○:110%以上120%未満
△:120%以上150%未満
×:150%以上200%未満
××:200%以上
インクジェット印刷における吐出安定性として、各サンプルによる矩形のベタパターンをインクジェット専用紙に印刷し、画像の目視評価を行い下記基準で評価した。評価結果を表2に示す。
なお、インクジェット印刷は、インクジェットヘッド(コニカミノルタIJ社製)を取り付けた卓上型ロボット Shotmaster−300(武蔵エンジニアリング社製)を用い、インクジェット評価装置EB150(コニカミノルタIJ社製)にて制御し、行った。ベタパターン濃度は、インク濃度に応じて印字解像度(500〜1000dpi)で調整し、駆動電圧12Vにて印刷した。
○:スジ、欠点なく印刷できている
△:スジが5本以下、又は欠点が5個以下
×:スジが6本以上、又は欠点が6個以上
ポリマー導電層パターンの形成性として、透明ガラス基板に対して各サンプルによる矩形ベタパターンを印刷して耐久試験に供し、その試験前後の画像の目視評価を行い、下記基準で画像の再現性を評価した。評価結果を表2に示す。
当該耐久試験として、透明ガラス基板を、2−プロパノールに浸漬し、超音波洗浄器ブランソニック3510J−MT(日本エマソン社製)により10分間の超音波洗浄処理を行った後、100℃で2分乾燥した。
ベタ印刷目視評価
○:元パターンサイズと縦横方向のズレが0.5mm未満である
△:元パターンサイズと縦横方向のズレが0.5mm以上1mm未満である
×:元パターンサイズと縦横方向のズレが1mm以上5mm未満である
××:元パターンサイズと縦横方向のズレが5mm以上である
−:出射不良により未評価
表2に示すとおり、サンプル1−1〜1−13とサンプル1−14〜1−26とを比較すると、前者のサンプルは経時安定性、吐出安定性およびパターン形成性のいずれにおいても優れていた。
以上から、一定の自己分散型ポリマーや極性溶媒、グリコールエーテルなどを含む組成物が、インクジェット方式の吐出に最適であることがわかる。
また、ガラス転移温度が低い樹脂基板(PETフィルム)や自己分散型ポリマーが使用されても、経時安定性、吐出安定性およびパターン形成性のいずれにおいても結果は優れており、かかる組成物は透明電極の大量生産にも適していることがわかる。
(1)透明電極(サンプル)の作製
(1.1)透明電極形成用組成物の調製
表3記載のインク濃度(ポリマー濃度)となるように、導電性ポリマーP−1と、解離性基を含有する表3記載の自己分散型ポリマーとを、それぞれ固形分比15:85で混合し、これら混合物と表3記載の溶媒とを混合し、最後に水を加えて100重量部として、透明電極形成用組成物2−1〜2−14(ポリマー導電層を形成するためのインクジェット吐出用組成物)を調製した。
また、固形分として、導電性ポリマーP−1と、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ナフィオン(登録商標)P−2と、表3記載の自己分散型ポリマーとを、それぞれ固形分比15:10:75とした以外は、上記と同様の調製を行い、透明電極形成用組成物2−15〜2−30を調製した。
なお、P−2の調製は、特許4509787号の実施例16記載の方法により行い、2.6%の分散液を調製した。
ポリゾール:昭和電工(株)
バイロナール:東洋紡績(株)
プラスコート:互応化学工業(株)
ヨドゾール:ヘンケルジャパン(株)
モビニール:日本合成化学工業(株)
エリーテル:ユニチカ(株)
EG:エチレングリコール
PG:プロピレングリコール
dEG:ジエチレングリコール
tEG:トリエチレングリコール
DMSO:ジメチルスルホキシド
NMP:N−メチルピロリドン
PrOH:2−プロパノール
EGEt:エチレングリコールモノエチルエーテル
EGPr:エチレングリコールモノプロピルエーテル
EGBu:エチレングリコールモノブチルエーテル
PGEt:プロピレングリコールモノエチルエーテル
PGPr:プロピレングリコールモノプロピルエーテル
ガスバリア性を有する透明電極用のフィルム基板上にグラビア印刷機にて金属導電層を形成した透明基板上に、前述の透明電極形成用組成物2−1〜2−30を用いて、インクジェット印刷を行った。次いで、80℃で2分乾燥させ、さらに110℃で30分加熱処理し、透明電極の「サンプル2−1〜2−30」を作製した。
得られた透明電極の透明性、導電性(表面抵抗)、平滑性(表面粗さ)について、下記のように評価した。また、透明電極の安定性評価として、80℃90%RHの環境下で5日間放置した強制劣化試験後、前記評価を行なった。
JIS K 7361−1:1997に準拠して、東京電色社製 HAZE METER NDH5000を用いて、全光線透過率を測定し、下記基準で評価した。評価結果を表4に示す。有機電子デバイスに用いるため、透過率は75%以上であることが好ましい。
◎:80%以上
○:75%〜80%未満
△:70%〜75%未満
×:70%未満
JIS K 7194:1994に準拠して、抵抗率計(ロレスタGP(MCP−T610型):(株)ダイヤインスツルメンツ社製)を用いて表面抵抗を測定し、下記基準で評価とした。評価結果を表4に示す。表面抵抗は100Ω/□以下であることが好ましく、有機電子デバイスを大面積にするには、30Ω/□以下であることが好ましい。
◎:30Ω/□未満
○:30以上50未満
△:50以上100未満
×:100以上500未満
××:500以上
AFM(セイコーインスツルメンツ社製SPI3800Nプローブステーション及びSPA400多機能型ユニット)を使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を用いて、前記の方法(JIS B601(1994)に規定される表面粗さに準ずる。)で測定した。Raの値により以下の基準で評価した。評価結果を表4に示す。
◎:5nm未満
○:5以上10未満
△:10以上20未満
×:20以上50未満
××:50以上
表4に示すとおり、一定の自己分散型ポリマーや極性溶媒、グリコールエーテルを含む組成物で作製した透明電極のサンプル2−1〜2−14,2−29〜2−30は、比較例のサンプル2−15〜2−28に対して、透明性、導電性および平滑性のいずれにも優れ、さらに高温高湿度の劣化試験後においてもその特性を維持していた。
以上から、かかる組成物が透明電極の製造に使用されても、透明電極自体の性能が低下するのを防止しうることがわかる。
(1)有機EL素子(サンプル)の作製
実施例2で作製した劣化試験前の透明電極を用いて、以下の方法で、それぞれ対応する有機EL素子の「サンプル3−1〜3−30」を作製した。
透明電極上に、下記のようにして、有機機能層(正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層)を形成した。
なお、有機機能層は蒸着により形成した。
市販の真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
真空度1×10−4Paまで減圧した後、化合物1の入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明電極上の図4D(14)の領域に蒸着し、厚さ30nmの正孔輸送層を設けた。
(1.1.2)発光層の形成
次に、以下の手順で発光層を設けた。
形成した正孔輸送層上に、化合物2が13質量%、化合物3が3.7質量%、化合物5が83.3質量%の濃度になるように、化合物2、化合物3及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で図4D(14)の領域に共蒸着し、発光極大波長が622nm、厚さ10nmの緑赤色燐光発光層を形成した。
次いで、化合物4が10.0質量%、化合物5が90.0質量%の濃度になるように、化合物4及び化合物5を蒸着速度0.1nm/秒で図4D(14)の領域に共蒸着し、発光極大波長が471nm、厚さ15nmの青色燐光発光層を形成した。
(1.1.3)正孔ブロック層の形成
さらに、形成した発光層上に、図4D(14)の領域に、化合物6を蒸着し厚さ5nmの正孔阻止層を形成した。
(1.1.4)電子輸送層の形成
引き続き、形成した正孔阻止層上に、図4D(14)の領域に、CsFを膜厚比で10%になるように化合物6と共蒸着し、厚さ45nmの電子輸送層を形成した。
形成した電子輸送層の上に、Alを5×10−4Paの真空下にて図4E(16)の領域に蒸着し、厚さ100nmのカソード電極を形成した。
形成した電子輸送層の上に、ポリエチレンテレフタレートを基材とし、Al2O3を厚さ300nmで蒸着した可撓性封止部材を使用した。接着剤を塗り、可撓性封止部材を図4F(18)の領域に貼合した後、熱処理で接着剤を硬化させて封止した。封止部材の外に出たITO及びAlをそれぞれ透明電極(アノード)及び第2電極(カソード)の外部取り出し端子とし、有機EL素子を作製した。
得られた有機EL素子について発光均一性(発光ムラ)及び発光寿命を下記のように評価した。
KEITHLEY製ソースメジャーユニット2400型を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加し発光させた。1000cd/m2で発光させた有機EL素子3−1〜3−30について、50倍の顕微鏡で各々の発光輝度ムラを観察し、下記の基準で評価した。
さらに、有機EL素子3−1〜3−30をオーブンにて60%RH、80℃5時間加熱したのち、再び前記23±3℃、55±3%RHの環境下で1時間以上調湿した後、同様に発光均一性を観察した。
当該劣化試験前後の観察結果を表5に示す。
◎:完全に均一発光しており、申し分ない
○:ほとんど均一発光しており、問題ない
△:部分的に若干発光ムラが見られるが、許容できる
×:全面にわたって発光ムラが見られ、許容できない
得られた有機EL素子の、初期の輝度を5000cd/m2で連続発光させて、電圧を固定して、輝度が半減するまでの時間を求めた。アノード電極をITOとした有機EL素子を上記と同様の方法で作製し、これに対する比率を求め、以下の基準で評価した。評価結果を表5に示す。100%以上が好ましく、150%以上であることがより好ましい。
◎:150%以上
○:100〜150%未満
△:80〜100%未満
×:80%未満
表5に示すとおり、一定の自己分散型ポリマーや極性溶媒、グリコールエーテルを含む組成物で作製した透明電極による有機EL素子のサンプル3−1〜3−14,3−29〜3−30は、比較例のサンプル3−15〜3−28に対して、劣化試験の前後で特性が維持され、さらに発光寿命(耐久性)も優れていた。
以上から、かかる組成物が有機EL素子の製造に使用されても、有機EL素子自体の性能が低下するのを防止しうることがわかる。
2 透明基板
4 金属導電層
6 ポリマー導電層
10 有機EL素子
12 取出電極
14 有機発光層
16 対電極
18 封止部材
Claims (3)
- 透明基板上にポリマー導電層を形成するための透明電極形成用組成物において、
導電性ポリマーと、
水系溶媒に分散可能な自己分散型ポリマーと、
水と、
水以外の極性溶媒と、
グリコールエーテルとを含有し、
前記自己分散型ポリマーは、解離性基を含有する自己分散型ポリマーであり、かつ、ガラス転移温度が25℃以上80℃以下であり、
前記極性溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドのいずれかであり、
前記極性溶媒の添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上40%以下であり、
前記グリコールエーテルの添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上30%以下であることを特徴とする透明電極形成用組成物。 - 請求項1に記載の透明電極形成用組成物において、
前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルのいずれかであることを特徴とする透明電極形成用組成物。 - 透明基板とポリマー導電層とを有し、前記ポリマー導電層が前記透明基板上に形成された透明電極の製造方法において、
導電性ポリマーと、水系溶媒に分散可能な自己分散型ポリマーであって解離性基を含有しかつガラス転移温度が25℃以上80℃以下の前記自己分散型ポリマーと、水と、水以外の極性溶媒と、グリコールエーテルとを混合し、透明電極形成用組成物を調製する工程と、
前記透明電極形成用組成物を、インクジェット方式により前記透明基板に吐出して前記ポリマー導電層を形成する工程と、
を備え、
前記極性溶媒が、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジメチルスルホキシドのいずれかであり、
前記極性溶媒の添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上40%以下であり、
前記グリコールエーテルの添加量が、前記透明電極形成用組成物の総質量に対し、5%以上30%以下であることを特徴とする透明電極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013557464A JP5987843B2 (ja) | 2012-02-10 | 2013-01-28 | 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026766 | 2012-02-10 | ||
JP2012026766 | 2012-02-10 | ||
PCT/JP2013/051725 WO2013118599A1 (ja) | 2012-02-10 | 2013-01-28 | 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 |
JP2013557464A JP5987843B2 (ja) | 2012-02-10 | 2013-01-28 | 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013118599A1 JPWO2013118599A1 (ja) | 2015-05-11 |
JP5987843B2 true JP5987843B2 (ja) | 2016-09-07 |
Family
ID=48947365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013557464A Expired - Fee Related JP5987843B2 (ja) | 2012-02-10 | 2013-01-28 | 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9601711B2 (ja) |
JP (1) | JP5987843B2 (ja) |
WO (1) | WO2013118599A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5421493B1 (ja) * | 2013-07-17 | 2014-02-19 | 富士フイルム株式会社 | タッチパネル用積層体、タッチパネル |
US9854670B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-12-26 | Showa Denko K.K. | Transparent electrode and method for producing same |
EP3087619A1 (en) * | 2013-12-23 | 2016-11-02 | Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. | Display devices |
FR3017996A1 (fr) * | 2014-02-25 | 2015-08-28 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a composant electronique |
US10047949B2 (en) * | 2014-04-17 | 2018-08-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for controlling humidity |
JP6638186B2 (ja) | 2014-12-02 | 2020-01-29 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜用インクおよび成膜方法 |
JP2016162723A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム |
JP7151065B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2022-10-12 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液及びその用途 |
JP7174402B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2022-11-17 | ユニチカ株式会社 | 金属ナノワイヤー分散液 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6280799B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-08-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Viscous substance discharging method using a viscous substance dispenser and pattern forming method using a viscous substance dispenser |
JP5055653B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2012-10-24 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | インクジェット用インク組成物を用いた記録方法 |
JP2005082613A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 水性インク |
JP2005302508A (ja) | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 |
KR100777662B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-11-29 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯용 전도성 잉크 조성물 |
EP2068328B1 (en) | 2006-09-28 | 2014-10-22 | FUJIFILM Corporation | Spontaneous emission display and transparent conductive film |
JP5009686B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-08-22 | 帝人デュポンフィルム株式会社 | 導電性フィルムおよび当該フィルムを用いたタッチパネル |
JP5298491B2 (ja) | 2007-10-02 | 2013-09-25 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電フィルム |
JP5212032B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-06-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP5594455B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-09-24 | ナガセケムテックス株式会社 | 低温熱硬化型導電性コーティング用組成物 |
WO2010113931A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Dic株式会社 | 有機半導体インキ組成物及びこれを用いた有機半導体パターン形成方法 |
JP5625256B2 (ja) | 2009-04-02 | 2014-11-19 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5927752B2 (ja) | 2009-06-24 | 2016-06-01 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットインク及びインクジェット記録方法 |
JP2011096437A (ja) | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明電極、有機el素子及び有機電子デバイス |
TWI381303B (zh) * | 2010-02-09 | 2013-01-01 | Oji Paper Co | 導電性積層體及使用其之觸控面板 |
-
2013
- 2013-01-28 JP JP2013557464A patent/JP5987843B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-28 WO PCT/JP2013/051725 patent/WO2013118599A1/ja active Application Filing
- 2013-01-28 US US14/377,785 patent/US9601711B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9601711B2 (en) | 2017-03-21 |
WO2013118599A1 (ja) | 2013-08-15 |
JPWO2013118599A1 (ja) | 2015-05-11 |
US20150364713A1 (en) | 2015-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5987843B2 (ja) | 透明電極形成用組成物、透明電極、有機電子素子および透明電極の製造方法 | |
JP5741581B2 (ja) | 透明導電膜、および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5888084B2 (ja) | 有機電子素子用透明電極、有機電子素子用透明電極の製造方法、及び有機電子素子 | |
JP6020554B2 (ja) | 導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6024351B2 (ja) | 導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに導電膜の製造方法 | |
JP6319090B2 (ja) | 透明電極の製造方法 | |
JP5655745B2 (ja) | 透明電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5761058B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5782855B2 (ja) | 透明電極及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2013061967A1 (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US10103347B2 (en) | Transparent electrode, method for manufacturing same, and organic electroluminescent element | |
JP2014229397A (ja) | 導電膜の製造方法、導電膜、有機電子素子及びタッチパネル | |
JP6003582B2 (ja) | 透明電極の製造方法 | |
JP6015764B2 (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5834954B2 (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5691472B2 (ja) | 透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP5831303B2 (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5884671B2 (ja) | 透明導電膜、有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明導電膜の製造方法 | |
JP2012243401A (ja) | 透明導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2012138311A (ja) | 透明導電膜基板および有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2015093342A1 (ja) | 導電性フィルムの製造方法、導電性フィルム、有機電子素子及びタッチパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160620 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5987843 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |