JP5986682B2 - 破損防止機能を備えた基板処理システム - Google Patents
破損防止機能を備えた基板処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5986682B2 JP5986682B2 JP2015517158A JP2015517158A JP5986682B2 JP 5986682 B2 JP5986682 B2 JP 5986682B2 JP 2015517158 A JP2015517158 A JP 2015517158A JP 2015517158 A JP2015517158 A JP 2015517158A JP 5986682 B2 JP5986682 B2 JP 5986682B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid tank
- fluid
- pipe
- chamber
- support member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 29
- 230000002265 prevention Effects 0.000 title claims description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 68
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/002—Component parts of these vessels not mentioned in B01J3/004, B01J3/006, B01J3/02 - B01J3/08; Measures taken in conjunction with the process to be carried out, e.g. safety measures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
最近、半導体産業や太陽電池産業の飛躍的な発展によって半導体や太陽電池の需要が増えるに伴い、半導体や太陽電池の薄膜製造のために使用する、流体を貯蔵することができるタンクの使用が増えている。
しかし、薄膜形成物質が気化してパイプ内を流動する過程で、パイプには流動する気体から多くの熱が供給され、パイプは膨張することになる。
その結果、流体タンクとチャンバーとの間を相互に連結するパイプの熱膨張による体積変化によって、流体タンクとチャンバーに破損をもたらされる可能性があるという問題点がある。
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態に係る破損防止機能を備えた基板処理システムについて詳細に説明する。
図1を参照すると、本実施形態に係る破損防止機能を備えた基板処理システムは、流体タンク100と、チャンバー110と、パイプ120と、破損防止部130とを含む。
チャンバー110は、基板にソースを噴射する所定の空間を提供し、地面に対して揺れることなく固定されている。
図2を参照すると、前記破損防止部130は、流体が気化してパイプ120内を流動することにともなってパイプ120が流体から熱の供給を受けて生じるパイプ120の熱膨脹に対応して、タンクの位置変更ができるようにし、タンクの破損を防止するものであり、レッグ部131と支持部材132を含む。
前記フレーム133は、流体タンク100に装着されて流体タンク100の荷重を支持する。前記フレーム133は、前記回動部材134と流体タンク100とを連結して回動部材134が移動および回動の時、流体タンク100が共に移動可能なようにする部材である。
図3を参照すると、前記回動部材134は、前記フレーム133の下端に球状に設けられる。前記回動部材134は、前記流体タンク100がパイプ120の熱膨張に対応して移動が容易になるように回動または移動が可能に設置される。
従って、前記パイプ120の熱膨張に応じ、流体タンク100とフレーム133で連結されている回動部材134が前記陥没部内で移動を制限されることなく移動または回動することにより、前記流体タンク100の破損を防止することができる。
真空状態のチャンバー110内で基板移送装置(図示せず)によって基板が移送されると、外部の所定の貯蔵所からパイプ120を介して前記流体タンク100に基板処理に必要な薄膜製造流体であるセレンが供給される。
この際、気化したセレンがパイプ120を介してチャンバー110に流動する。前記パイプ120には、気化したセレンから熱の供給を受けて熱膨張が発生する。熱膨張により前記パイプ120の体積が増えることにより、相互パイプ120で連結されているチャンバー110と流体タンク100との間隔が広くなる。
図4を参照すると、チャンバー110と流体タンク100との間隔が広くなることにより、破損防止部130に備えられた回動部材134がパイプ120の体積変化に対応することができる。すなわち、前記支持部材132の上面に備えられた空間で前記回動部材134が熱膨張により伸びた長さだけ移動および回動し、前記流体タンク100の位置を変更させて、流体タンク100の破損を防止する。
これに対して前記流体タンク100は、前記流体タンク100の移動および回動を可能にする回動部材134を備えており、パイプ120の熱膨張に起因するチャンバー110と流体タンク100との破損を防止することができる。
Claims (1)
- 流体を貯蔵することができる流体タンクと、
前記流体タンクから流体の供給を受けて、基板が処理される空間を提供するチャンバーと、
前記流体が流動できるように、前記流体タンクと前記チャンバーを相互連結するパイプと、
前記パイプ内を前記流体が流動することにより当該パイプが前記流体から熱の供給を受けて発生する前記パイプの熱膨張に対応して前記流体タンクの位置変更ができるようにする破損防止部とを含み、
前記破損防止部は、
一端は前記流体タンクと連結され、他端は前記流体タンクの荷重を支持するレッグ部と、
下端は地面に固定され、他端は前記レッグ部と接触して前記レッグ部の移動半径を制限する支持部材とを含み、
前記レッグ部は、前記流体タンクを支持するフレームと、前記フレームの下端に球状に設けられ、前記支持部材の上面と接触して移動または回動が可能な回動部材とを含み、
前記支持部材の上面には、前記支持部材から前記回動部材の離脱が防止されるような曲率を有する内側に陥没する陥没部が形成されており、
前記陥没部は、前記パイプの熱膨張により伸びた長さだけ前記回動部材が前記支持部材の上面の前記陥没部内で移動可能に形成されている
ことを特徴とする破損防止機能を備えた基板処理システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120063954A KR101301001B1 (ko) | 2012-06-14 | 2012-06-14 | 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 |
KR10-2012-0063954 | 2012-06-14 | ||
PCT/KR2012/004933 WO2013187547A1 (ko) | 2012-06-14 | 2012-06-22 | 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015523288A JP2015523288A (ja) | 2015-08-13 |
JP5986682B2 true JP5986682B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=49221370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015517158A Expired - Fee Related JP5986682B2 (ja) | 2012-06-14 | 2012-06-22 | 破損防止機能を備えた基板処理システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150129420A1 (ja) |
EP (1) | EP2696374A4 (ja) |
JP (1) | JP5986682B2 (ja) |
KR (1) | KR101301001B1 (ja) |
CN (1) | CN104380485A (ja) |
WO (2) | WO2013187547A1 (ja) |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO146351C (no) * | 1978-11-24 | 1982-09-15 | East West Marine | Anordning ved opplagring. |
US4712940A (en) * | 1985-04-23 | 1987-12-15 | Trw Inc. | Joint assembly |
JP3235176B2 (ja) * | 1992-05-06 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 有機金属化合物の気化供給装置 |
JPH0726731U (ja) * | 1993-10-16 | 1995-05-19 | 岳南光機株式会社 | 車載用ホッパ−の計量装置 |
JPH0891111A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Showa Aircraft Ind Co Ltd | タンクの架装構造 |
JP3098982B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2000-10-16 | 中外炉工業株式会社 | ベル型焼鈍炉のベース構造 |
US6700089B1 (en) * | 1999-03-30 | 2004-03-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing device, its maintenance method, and its installation method |
AU2001259745A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-26 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for pneumatic diaphragm cmp head having separate retaining ring and multi-region wafer pressure control |
FR2810097B1 (fr) * | 2000-06-09 | 2005-04-08 | Bosch Gmbh Robert | Support pour connecteur rapide, reservoir et systeme d'alimentation en liquide de frein comportant un tel support |
KR20070000184A (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장비용 온도 조절 장치 |
KR100688280B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2007-03-02 | 김도열 | 폐가스 연소용 가스버너 |
KR101007190B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2011-01-12 | 에스엠메탈(주) | 소둔로용 디퓨저 세그먼트 지지장치 |
KR101037182B1 (ko) * | 2008-11-14 | 2011-05-26 | 세메스 주식회사 | 기판 제조장치의 약액 처리장치 및 그 방법 |
JP5394722B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-01-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US9062369B2 (en) * | 2009-03-25 | 2015-06-23 | Veeco Instruments, Inc. | Deposition of high vapor pressure materials |
KR101671489B1 (ko) * | 2010-07-29 | 2016-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기물 증발원 및 그를 포함하는 증착 장치 |
-
2012
- 2012-06-14 KR KR1020120063954A patent/KR101301001B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-06-22 EP EP12753371.9A patent/EP2696374A4/en not_active Withdrawn
- 2012-06-22 WO PCT/KR2012/004933 patent/WO2013187547A1/ko active Application Filing
- 2012-06-22 US US13/582,474 patent/US20150129420A1/en not_active Abandoned
- 2012-06-22 CN CN201280073999.1A patent/CN104380485A/zh active Pending
- 2012-06-22 JP JP2015517158A patent/JP5986682B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-03 WO PCT/KR2013/004877 patent/WO2013187624A1/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104380485A (zh) | 2015-02-25 |
WO2013187547A1 (ko) | 2013-12-19 |
US20150129420A1 (en) | 2015-05-14 |
EP2696374A1 (en) | 2014-02-12 |
KR101301001B1 (ko) | 2013-08-28 |
JP2015523288A (ja) | 2015-08-13 |
WO2013187624A1 (ko) | 2013-12-19 |
EP2696374A4 (en) | 2016-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104882363A (zh) | 处理气体产生装置、处理气体产生方法、基板处理方法 | |
CN101430044B (zh) | 一种液化气气化方法、气化装置和一种使用该气化方法和装置的液化气供应装置 | |
Semenov et al. | Computer simulations of evaporation of pinned sessile droplets: influence of kinetic effects | |
JP5298189B2 (ja) | 真空蒸着方法及び装置 | |
CN101488449A (zh) | 包括汽化器的半导体处理系统及其使用方法 | |
TW201425611A (zh) | 蒸發器、沉積裝置、沉積設備、及其操作方法 | |
US20180163307A1 (en) | Precursor control system and process | |
CN106868457B (zh) | 一种蒸镀组件及蒸镀设备 | |
JP2013519787A (ja) | 気相蒸着供給源のための加熱システム | |
CN104603321A (zh) | 蒸发源 | |
TWI825129B (zh) | 成膜裝置、原料供應裝置及成膜方法 | |
JP5986682B2 (ja) | 破損防止機能を備えた基板処理システム | |
TW201829808A (zh) | 用以測量一沈積率之測量組件、蒸發源、沈積設備、及用於其之方法 | |
JP2011521431A5 (ja) | ||
CN101270847B (zh) | 液化气体供给设备和方法 | |
CN103367223B (zh) | 基板处理装置以及基板处理方法 | |
KR102224441B1 (ko) | 기판처리장치 | |
KR101019947B1 (ko) | 유기 반도체 제조장치 | |
CN105296928B (zh) | 线光源及具备此线光源的薄膜蒸镀装置 | |
WO2012073743A1 (ja) | 液体供給装置およびレジスト現像装置 | |
JP2015071194A (ja) | 排気流量制御装置及びこれを備えた基板処理装置 | |
CN112111707A (zh) | 一种蒸发源及卷对卷蒸镀装置 | |
KR101474363B1 (ko) | Oled 증착기 소스 | |
KR100646502B1 (ko) | 유기물 증착 장치 | |
KR20150101564A (ko) | Oled 증착기 소스 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160720 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5986682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |