JP5981389B2 - Wiring board - Google Patents
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Description
本発明は、絶縁基板と、絶縁基板の表面に設けられた電極パッドとを有する配線基板に関するものである。 The present invention relates to a wiring board having an insulating substrate and electrode pads provided on the surface of the insulating substrate.
半導体素子、容量素子または圧電振動子等の電子部品が搭載される配線基板として、酸化アルミニウム質焼結体またはガラスセラミック質焼結体等からなる四角形状等の絶縁基板と、絶縁基板の主面に設けられた電極パッドとを備えたものが多用されている。 As a wiring board on which electronic components such as a semiconductor element, a capacitive element or a piezoelectric vibrator are mounted, a rectangular insulating substrate made of an aluminum oxide sintered body or a glass ceramic sintered body, and the main surface of the insulating substrate A device provided with an electrode pad provided on the substrate is often used.
電極パッドは、銅等の金属層の表面にニッケルめっき、金めっきを順次被着させることで、電極パッド表面の酸化を防止し、はんだの濡れ性を向上させる場合がある。 In some cases, the electrode pad is formed by sequentially depositing nickel plating and gold plating on the surface of a metal layer such as copper, thereby preventing oxidation of the electrode pad surface and improving the wettability of the solder.
このような従来のニッケルめっき、金めっきを順次銅からなる電極パッド表面に施した、絶縁基体がセラミック焼結体からなる配線基板においては、電極パッドにスズ―銀―銅等の組成からなるはんだ部材を介して半導体素子等の素子電極を接合して、素子電極から電極パッドに電子が流れるように通電したときに、素子電極とはんだ部材との接合面に空隙が発生する可能性があった。 In a wiring board in which the conventional nickel plating and gold plating are sequentially applied to the surface of the electrode pad made of copper and the insulating base is made of a ceramic sintered body, the electrode pad is made of a solder made of a composition such as tin-silver-copper. When an element electrode such as a semiconductor element is bonded via a member and energization is performed so that electrons flow from the element electrode to the electrode pad, a gap may be generated on the bonding surface between the element electrode and the solder member. .
これは、電極および電極パッドの小型化に伴い電流密度が高くなるため、素子電極に使用されるニッケルがエレクトロマイグレーションによってはんだ部材内に拡散して空隙が形成されるためであると推測される。このようなエレクトロマイグレーションによる空隙が生じると、素子電極とはんだ部材の間で局部的な電気抵抗の増加や断線等の不具合を生じる。 This is presumed to be because the current density increases with the miniaturization of the electrodes and electrode pads, so that the nickel used for the device electrodes diffuses into the solder member by electromigration to form voids. When such a gap due to electromigration occurs, problems such as a local increase in electrical resistance and disconnection occur between the element electrode and the solder member.
そこで、銅からなる電極パッド表面にニッケルめっき、金メッキを施さず、直接はんだ部材を接合させることで、電極パッドの銅をはんだ部材内に供給し、素子電極とはんだ部材近傍においてスズと銅の合金を形成することで素子電極のニッケル等の拡散を抑制し、空隙の発生を防止する方法が考えられる。 Therefore, the copper of the electrode pad is supplied to the solder member by directly joining the solder member without performing nickel plating or gold plating on the surface of the electrode pad made of copper, and an alloy of tin and copper in the vicinity of the element electrode and the solder member A method of suppressing the diffusion of nickel or the like in the element electrode by forming the gap and preventing the generation of voids is conceivable.
しかしながら、電極パッドを銅からなるものとした場合、電極パッドと絶縁基板との接続強度が低くなる可能性がある。これに対しては、電極パッドについて、銅およびガラスを含有する層と、この層の上に設けられた銅からなる層との２層構造とする手段が考えられる。 However, when the electrode pad is made of copper, the connection strength between the electrode pad and the insulating substrate may be lowered. On the other hand, the electrode pad may have a two-layer structure of a layer containing copper and glass and a layer made of copper provided on this layer.
しかしながら、電極パッドを２層で形成すると、例えば下側の層が上側の層よりも大きい場合には、下側の層が露出した部分において電極パッドのはんだ濡れ性が低くなる可能性がある。また、上側の層の方が大きい場合には、上側の層の外周部分における絶縁基板と電極パッドとの接続強度が低くなる可能性がある。 However, when the electrode pad is formed of two layers, for example, when the lower layer is larger than the upper layer, the solder wettability of the electrode pad may be lowered in the portion where the lower layer is exposed. Further, when the upper layer is larger, the connection strength between the insulating substrate and the electrode pad in the outer peripheral portion of the upper layer may be lowered.
本発明の一つの態様による配線基板は、電子部品の搭載部を含む主面を有する絶縁基板と、前記主面に設けられた少なくとも一つの電極パッドと、前記絶縁基板の前記主面から前記電極パッドの一部にかけて被覆している絶縁コート層とを備えており、前記電極パッドは、銅およびガラスを含有する第１金属層と、該第１金属層上に設けられた銅からなる第２金属層とを含んでおり、前記第１金属層の外周は、少なくとも一部において前記第２金属層の外周よりも外側に位置しており、前記絶縁コート層は、前記第２金属層のみが露出するように設けられている。 A wiring board according to an aspect of the present invention includes an insulating substrate having a main surface including a mounting portion for an electronic component, at least one electrode pad provided on the main surface, and the electrode from the main surface of the insulating substrate. An insulating coating layer covering a part of the pad, and the electrode pad includes a first metal layer containing copper and glass, and a second metal made of copper provided on the first metal layer. A metal layer, and an outer periphery of the first metal layer is located at least partially outside an outer periphery of the second metal layer, and the insulating coat layer includes only the second metal layer. It is provided to be exposed.
本発明の一つの態様による配線基板によれば、電極パッドのうち銅からなる第２金属層のみが露出していることから、めっきを施すことなくはんだ濡れ性の良好な電極パッドを形成することができる。また、第１金属層の外周は、少なくとも一部において第２金属層の外周よりも外側に位置していることから、電極パッドのうちガラスを含む第１金属層によって電極パッドと絶縁基板との接続強度が向上している。また、絶縁コート層によって、第１金属層の露出が抑制されているとともに、絶縁コート層の外周部の絶縁基板に対する接続が補強されている。以上のことから、はんだ濡れ性および接続強度が良好な電極パッドを有する配線基板を提供することができる。 According to the wiring board according to one aspect of the present invention, since only the second metal layer made of copper is exposed among the electrode pads, an electrode pad with good solder wettability can be formed without plating. Can do. Moreover, since the outer periphery of the first metal layer is located at least partially outside the outer periphery of the second metal layer, the electrode pad and the insulating substrate are separated by the first metal layer including glass among the electrode pads. Connection strength is improved. Moreover, the exposure of the first metal layer is suppressed by the insulating coat layer, and the connection of the outer peripheral portion of the insulating coat layer to the insulating substrate is reinforced. From the above, it is possible to provide a wiring board having an electrode pad with good solder wettability and connection strength.
（第１の実施形態）
本発明の配線基板を添付の図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態の配線基板を示す平面図である。図２（ａ）は、図１の要部（後述する受動素子としての電子部品の搭載部）を拡大して示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ線における断面図である。
(First embodiment)
A wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a wiring board according to an embodiment of the present invention. 2A is an enlarged plan view showing a main part (a mounting part of an electronic component as a passive element described later) in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. It is sectional drawing in a line, and FIG.2 (c) is sectional drawing in the DD line | wire of Fig.2 (a).
図１および図２に示す例において、配線基板９は、絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に設けられた電極パッド２と、電極パッド２から絶縁基板１の内部に向かって形成された貫通導体３等を含む配線導体とによって基本的に形成されている。電極パッド２および配線導体を介して、配線基板９が外部の電気回路の所定部位と電気的に接続される。外部の電気回路は、例えば外部回路基板に設けられた電気回路、または配線基板９に搭載される電子部品の電子回路等である。 In the example shown in FIGS. 1 and 2, the wiring substrate 9 includes an insulating substrate 1, an electrode pad 2 provided on the surface of the insulating substrate 1, and a penetration formed from the electrode pad 2 toward the inside of the insulating substrate 1. It is basically formed by a wiring conductor including the conductor 3 and the like. The wiring board 9 is electrically connected to a predetermined part of an external electric circuit via the electrode pad 2 and the wiring conductor. The external electric circuit is, for example, an electric circuit provided on an external circuit board, an electronic circuit of an electronic component mounted on the wiring board 9, or the like.
絶縁基板１は、例えばガラスセラミック質焼結体または酸化アルミニウム質焼結体等からなる複数の絶縁層（個々の絶縁層は図示せず）が積層されて形成されている。絶縁基板１を形成するガラスセラミック質焼結体は、例えば、次のようにして製作することができる。まず、セラミックフィラー粉末を用意する。セラミックフィラー粉末としては、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ジルコニウム、スピネルおよびクォーツ等が挙げられる。また、ガラス粉末を用意する。ガラス粉末は、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−
Ａｌ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＣａＯ−ＢａＯ−ＳｒＯ系等のガラスが挙げられる。これらのセラミックフィラー粉末およびガラス粉末を含む原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法やリップコーター法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工および打ち抜き加工等から選択した加工方法によって適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層したセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成することによって製作することができる。
The insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of insulating layers (individual insulating layers are not shown) made of, for example, a glass ceramic sintered body or an aluminum oxide sintered body. The glass-ceramic sintered body that forms the insulating substrate 1 can be manufactured, for example, as follows. First, ceramic filler powder is prepared. Examples of the ceramic filler powder include aluminum oxide, chromium oxide, copper oxide, zirconium oxide, spinel and quartz. Moreover, a glass powder is prepared. The glass powder is, for example, SiO 2 —B 2 O 3 —
Examples of the glass include Al 2 O 3 —Al 2 O 3 —MgO—CaO—BaO—SrO. An appropriate organic binder and organic solvent are added to and mixed with the raw material powder containing these ceramic filler powder and glass powder to prepare a slurry. Next, a plurality of ceramic green sheets are produced by forming this slurry into a sheet by employing a sheet forming technique such as a doctor blade method or a lip coater method. Thereafter, the ceramic green sheet is made into an appropriate shape by a processing method selected from cutting and punching and the like, and a plurality of them are laminated. Finally, the laminated ceramic green sheets are about 900 to 1000 ° C. in a reducing atmosphere. It can be manufactured by firing at a temperature.
絶縁基板１は、例えば平面視において四角形状（四角板状等）であり、上面に電子部品（図示せず）が搭載され、下面が外部回路基板（図示せず）と対向して実装される。電子部品としては、ＩＣおよびＬＳＩ等の半導体集積回路素子、ならびにＬＥＤ（発光ダイオード）、ＰＤ（フォトダイオード）およびＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子および水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。 The insulating substrate 1 has, for example, a quadrangular shape (square plate shape or the like) in a plan view, an electronic component (not shown) is mounted on the upper surface, and the lower surface is mounted to face an external circuit substrate (not shown). . Electronic components include semiconductor integrated circuit elements such as IC and LSI, semiconductor elements including optical semiconductor elements such as LED (light emitting diode), PD (photodiode), and CCD (charge coupled device), surface acoustic wave elements, and crystals. Various electronic components such as a piezoelectric element such as a vibrator, a capacitive element, a resistor, and a micromachine (so-called MEMS element) in which a minute electromechanical mechanism is formed on the surface of a semiconductor substrate can be given.
絶縁基板１の主面（上面）には、上記の各種電子部品が搭載される搭載部４が含まれている。図１の例においては上面に搭載部４が複数配置されているが、下面に搭載部４が複数配置されている場合もある。搭載部４は、絶縁基板１の主面のうち平面視において搭載される電子部品の搭載面と同様の形状および寸法を有する領域である。図１に示す例においては、絶縁基板１の上面の中央部に半導体集積回路素子用の搭載部４が設けられ、外周部に容量素子等の受動素子用の複数の搭載部４が設けられている。 The main surface (upper surface) of the insulating substrate 1 includes a mounting portion 4 on which the various electronic components described above are mounted. In the example of FIG. 1, a plurality of mounting portions 4 are arranged on the upper surface, but a plurality of mounting portions 4 may be arranged on the lower surface. The mounting portion 4 is a region having the same shape and size as the mounting surface of the electronic component mounted in a plan view among the main surface of the insulating substrate 1. In the example shown in FIG. 1, a mounting portion 4 for a semiconductor integrated circuit element is provided at the center of the upper surface of the insulating substrate 1, and a plurality of mounting portions 4 for passive elements such as capacitive elements are provided at the outer peripheral portion. Yes.
搭載部４に設けられた電極パッド２は、搭載部４に搭載される電子部品が電気的に接続される部位である。この電気的な接続は、例えばスズ−銀系はんだ、スズ−銀−銅系はんだ等のはんだ（図示せず）によって行なわれる。電極パッド２に接続される電子部品の電極（素子電極）は、電極パッド２および貫通導体３（配線導体）を介して外部回路基板と電気的に接続される。 The electrode pad 2 provided on the mounting portion 4 is a portion to which an electronic component mounted on the mounting portion 4 is electrically connected. This electrical connection is made by solder (not shown) such as tin-silver solder, tin-silver-copper solder. The electrode (element electrode) of the electronic component connected to the electrode pad 2 is electrically connected to the external circuit board via the electrode pad 2 and the through conductor 3 (wiring conductor).
貫通導体３以外の配線導体（図示せず）としては、例えば絶縁基板１の内部において絶縁層同士の層間に設けられた内部配線、絶縁基板１の下面に設けられた外部接続用の配線部（外部接続用パッド等）および絶縁基板の側面および下面等の外表面に設けられた表面配線等が挙げられる。 As wiring conductors (not shown) other than the through conductors 3, for example, internal wiring provided between the insulating layers in the insulating substrate 1, and external connection wiring portions provided on the lower surface of the insulating substrate 1 ( External connection pads and the like) and surface wiring provided on the outer surface such as the side surface and the lower surface of the insulating substrate.
電極パッド２は、銅およびガラスを含有する第１金属層５と、第１金属層５上に設けられた銅からなる第２金属層６とを含んでいる。第１金属層５は、ガラスを含有しているため、同じくガラスを含有している絶縁基板１に対する接続の強度が比較的高い。なお、第１金属層５に含まれるガラスと絶縁基板１に含まれるガラスが同じ種類のガラスである場合、配線基板９を焼結させる際に、絶縁基板１と第１金属層５の焼結タイミングが近づくため、より接続の強度が向上する。 The electrode pad 2 includes a first metal layer 5 containing copper and glass, and a second metal layer 6 made of copper provided on the first metal layer 5. Since the first metal layer 5 contains glass, the strength of connection to the insulating substrate 1 that also contains glass is relatively high. When the glass contained in the first metal layer 5 and the glass contained in the insulating substrate 1 are the same type of glass, when the wiring substrate 9 is sintered, the insulating substrate 1 and the first metal layer 5 are sintered. Since the timing approaches, the connection strength is further improved.
また、第１金属層は、その外周の少なくとも一部が第２金属層６の外周よりも外側に位置している。言い換えれば、平面視において第１金属層５の少なくとも一部が第２金属層６よりも大きい。そのため、この第１金属層５を介して第２金属層６が絶縁基板１に強固に接続され、電極パッド２全体の絶縁基板１に対する接続の強度が高められている。 Further, at least a part of the outer periphery of the first metal layer is located outside the outer periphery of the second metal layer 6. In other words, at least a part of the first metal layer 5 is larger than the second metal layer 6 in plan view. Therefore, the second metal layer 6 is firmly connected to the insulating substrate 1 through the first metal layer 5, and the strength of connection of the entire electrode pad 2 to the insulating substrate 1 is increased.
また、実施形態の配線基板９において、絶縁コート層７が、絶縁基板１の上面から電極パッド２の上面の外周部にかけて被覆している。絶縁コート層７により、特に電極パッド２の外周部分において、電極パッド２の絶縁基板１に対する接続が補強されている。なお
、図１においては、見やすくするために絶縁コート層７を省略している。
In the wiring substrate 9 of the embodiment, the insulating coat layer 7 covers the outer peripheral portion of the upper surface of the electrode pad 2 from the upper surface of the insulating substrate 1. The insulating coat layer 7 reinforces the connection of the electrode pad 2 to the insulating substrate 1, particularly in the outer peripheral portion of the electrode pad 2. In FIG. 1, the insulating coat layer 7 is omitted for easy viewing.
この絶縁コート層７は、電極パッド２のうち第２金属層６のみが露出するように設けられている。つまり、絶縁コート層７は、絶縁基板１の上面から、第１金属層５の外周部のうち第２金属層６の外周部よりも外側に位置している部分、および第２金属層６の外周部の一部にかけて被覆している。絶縁コート層７によって、電極パッド２（第１および第２金属層５、６）の外周部分の絶縁基板１に対する接続の強度がさらに高められている。絶縁コート層７を第２金属層６の外周部のすべてに被覆してしまうと、絶縁コート層７を形成する際のニジミ等により、電極パッド２の露出面積が所望の面積よりも小さくなってしまうことが懸念されるためである。電極パッドの面積が小さくなってしまうと、電流密度が向上してしまい、エレクトロマイグレーションが起こる可能性が高くなる可能性がある。 The insulating coat layer 7 is provided so that only the second metal layer 6 of the electrode pad 2 is exposed. That is, the insulating coat layer 7 is a portion of the outer peripheral portion of the first metal layer 5 located outside the outer peripheral portion of the second metal layer 6 and the second metal layer 6 from the upper surface of the insulating substrate 1. Covering part of the outer periphery. The insulating coat layer 7 further increases the strength of the connection of the outer peripheral portion of the electrode pad 2 (first and second metal layers 5 and 6) to the insulating substrate 1. If the insulating coat layer 7 is covered on the entire outer periphery of the second metal layer 6, the exposed area of the electrode pad 2 becomes smaller than the desired area due to blurring when the insulating coat layer 7 is formed. This is because there is a concern that If the area of the electrode pad is reduced, the current density is improved and there is a possibility that electromigration is likely to occur.
絶縁コート層７は、例えば絶縁基板１と同様のセラミック焼結体からなる。絶縁コート層７は、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートと同様の組成のセラミックペーストを作製し、このセラミックペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの主面から、第１および第２金属層５、６となる第１および第２金属ペーストの外周部にかけて塗布し、焼成することによって形成することができる。 The insulating coat layer 7 is made of, for example, a ceramic sintered body similar to the insulating substrate 1. The insulating coat layer 7 is made of a ceramic paste having the same composition as that of the ceramic green sheet used as the insulating substrate 1, and this ceramic paste is applied to the first and second metal layers from the main surface of the ceramic green sheet used as the insulating substrate 1. It can form by apply | coating over the outer peripheral part of the 1st and 2nd metal paste used as 5 and 6, and baking.
図２は、上記のように受動素子である電子部品の搭載部を拡大して示す例であり、例えば一対の電極パッド２が互いに隣り合っている。この一対の電極パッド２には、例えば容量素子の一対の電極がはんだを介して接続される。この例において、それぞれの電極パッド２は、長方形状の第１金属層５の上に長方形状の第２金属層が積層されて形成されている。また、第１および第２金属層５、６は、互いの長（短）辺同士が同じ方向になるように配置されている。一対の電極パッド２を形成しているそれぞれの第１および第２金属層５、６のうち短辺において、第１金属層５の外周が第２金属層６の外周よりも外側に位置している。この第１金属層５の露出している部分の上部から、第２金属層６の外周部の一部（特に角部がある場合は角部）が絶縁コート層７によって被覆されている。電極パッド２の外周部分の絶縁基板１に対する接続の強度を考慮した場合には、このような形態とすることが好ましい。 FIG. 2 is an example in which the mounting portion of the electronic component which is a passive element is enlarged as described above. For example, a pair of electrode pads 2 are adjacent to each other. For example, a pair of electrodes of a capacitive element is connected to the pair of electrode pads 2 via solder. In this example, each electrode pad 2 is formed by laminating a rectangular second metal layer on a rectangular first metal layer 5. Moreover, the 1st and 2nd metal layers 5 and 6 are arrange | positioned so that a mutual long (short) side may become the same direction. The outer periphery of the first metal layer 5 is located outside the outer periphery of the second metal layer 6 on the short side of the first and second metal layers 5 and 6 forming the pair of electrode pads 2. Yes. From the upper part of the exposed part of the first metal layer 5, a part of the outer peripheral part of the second metal layer 6 (particularly, the corner part when there is a corner part) is covered with the insulating coat layer 7. In consideration of the strength of connection of the outer peripheral portion of the electrode pad 2 to the insulating substrate 1, such a form is preferable.
電極パッド２について、上記のように銅からなる第２金属層６のみが露出し、この露出部分が、電子部品の電極が実際に接続される部位として機能する。この場合、ガラスを含有しているためにはんだの濡れ性が比較的低い第１金属層５が露出していない。そのため、めっきを施すことなく、はんだ等の濡れ性および接続強度等の特性が良好な電極パッド２を搭載部４に設けることができる。 About the electrode pad 2, only the 2nd metal layer 6 which consists of copper as mentioned above is exposed, This exposed part functions as a site | part to which the electrode of an electronic component is actually connected. In this case, since the glass is contained, the first metal layer 5 with relatively low solder wettability is not exposed. Therefore, it is possible to provide the mounting portion 4 with the electrode pad 2 having good characteristics such as wettability such as solder and connection strength without plating.
また、電極パッド２（第２金属層６）に直接はんだが接続されるため、電極パッド２の銅がはんだ内に供給され、電子部品の電極とはんだとの界面近傍においてスズと銅との合金層が形成される。そのため、電子部品の電極のニッケルのはんだ内への拡散が抑制され、接続界面における空隙の発生が抑制され得る。 Further, since the solder is directly connected to the electrode pad 2 (second metal layer 6), the copper of the electrode pad 2 is supplied into the solder, and an alloy of tin and copper in the vicinity of the interface between the electrode of the electronic component and the solder A layer is formed. Therefore, the diffusion of the nickel of the electrode of the electronic component into the solder can be suppressed, and the generation of voids at the connection interface can be suppressed.
接続パッド２は、例えば図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程により形成することができる。なお、図３（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図１および図２に示す配線基板の製造方法における要部を工程順に示す平面図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。 The connection pad 2 can be formed, for example, by the steps shown in FIGS. FIGS. 3A to 3C are plan views showing the main part in the manufacturing method of the wiring board shown in FIGS. 1 and 2 in the order of steps. In FIG. 3, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
すなわち、まず、銅の粉末とガラス粉末とを有機溶剤および有機バインダとともに混練して作製した第１金属ペーストと、銅の粉末を有機溶剤および有機バインダとともに混練して作製した第２金属ペーストとを準備する。次に、図３（ａ）に示すように、絶縁基板
１となるセラミックグリーンシート11の主面に、第１金属ペースト55を所定のパターンで塗布印刷する。次に、図３（ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート11の主面から、印刷した第１金属ペースト55の上面にかけて第２金属ペーストを塗布する。この際、第１金属ペースト55の外周の一部が第２金属ペースト66の外周よりも外側に位置するようなパターンとしておく。
That is, first, a first metal paste prepared by kneading copper powder and glass powder together with an organic solvent and an organic binder, and a second metal paste prepared by kneading copper powder together with an organic solvent and an organic binder. prepare. Next, as shown in FIG. 3A, the first metal paste 55 is applied and printed in a predetermined pattern on the main surface of the ceramic green sheet 11 to be the insulating substrate 1. Next, as shown in FIG. 3B, the second metal paste is applied from the main surface of the ceramic green sheet 11 to the upper surface of the printed first metal paste 55. At this time, a pattern is set such that a part of the outer periphery of the first metal paste 55 is positioned outside the outer periphery of the second metal paste 66.
図３（ｃ）に示す例にでは、互いに長方形状である第１および第２金属ペースト55、66のうち短辺側において第１金属ペースト55の外周が第２金属ペースト66の外周よりも外側に位置している。次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁コート層７となるセラミックペースト77を塗布する。セラミックペースト77は、第２金属ペースト66のみが露出するようなパターンで塗布する。この場合、セラミックペースト77は、互いに長方形状である第１および第２金属ペースト55、66の短辺側の外周部分を被覆するパターンとされている。第１金属ペースト55のうち第２金属ペースト66よりも外側に位置している部分と、これに隣接する第２金属ペースト66（短辺側）とが、セラミックグリーンシート11の主面とともにセラミックペースト77によって被覆されている。 In the example shown in FIG. 3C, the outer periphery of the first metal paste 55 is outside the outer periphery of the second metal paste 66 on the short side of the first and second metal pastes 55, 66 that are rectangular. Is located. Next, as shown in FIG. 3C, a ceramic paste 77 to be the insulating coating layer 7 is applied. The ceramic paste 77 is applied in a pattern in which only the second metal paste 66 is exposed. In this case, the ceramic paste 77 has a pattern that covers the outer peripheral portions on the short sides of the first and second metal pastes 55 and 66 that are rectangular in shape. The portion of the first metal paste 55 located outside the second metal paste 66 and the second metal paste 66 (short side) adjacent thereto are ceramic paste together with the main surface of the ceramic green sheet 11. 77.
その後、これらの第１および第２金属ペースト55、66、ならびにセラミックペースト77をセラミックグリーンシート11と同時焼成すれば、セラミックグリーンシート11が焼成されてなる絶縁基板１の表面に、第１および第２金属層５、６からなる電極パッド２を形成することができる。 Thereafter, if the first and second metal pastes 55 and 66 and the ceramic paste 77 are simultaneously fired with the ceramic green sheet 11, the first and second metal pastes 55 are formed on the surface of the insulating substrate 1 formed by firing the ceramic green sheet 11. An electrode pad 2 composed of two metal layers 5 and 6 can be formed.
電極パッド２の露出部の酸化防止等を考慮すると、焼成後に、電極パッド２の露出部に半田ペーストを塗布し、リフローを行うことで、はんだ層を形成しておくことが望ましい。また、配線基板９の主面のうち、エレクトロマイグレーションが生じる可能性の高い電極パッド２を含む主面のみに、はんだ層を形成し、反対の主面に配置される電極パッド２には、従来のニッケル、金めっき被膜等を形成しても構わない。 In consideration of preventing oxidation of the exposed portion of the electrode pad 2, it is desirable to form a solder layer by applying solder paste to the exposed portion of the electrode pad 2 and performing reflow after firing. In addition, a solder layer is formed only on the main surface of the wiring substrate 9 including the electrode pad 2 that is highly likely to cause electromigration, and the electrode pad 2 disposed on the opposite main surface has a conventional structure. Nickel, gold plating film or the like may be formed.
なお、各金属ペースト55、66およびセラミックペースト77等の塗布は、例えばスクリーン印刷法等の印刷法によって行なわれる。貫通導体３以外の配線導体のうち絶縁基板１の外表面に露出している部分（電極パッド２の露出部以外）は、ニッケルおよび金等のめっき層で被覆されていてもよい。 The metal pastes 55 and 66 and the ceramic paste 77 are applied by a printing method such as a screen printing method. Of the wiring conductors other than the through conductors 3, the portions exposed on the outer surface of the insulating substrate 1 (other than the exposed portions of the electrode pads 2) may be covered with a plating layer such as nickel and gold.
なお、焼成時に、セラミックグリーンシートと、第１金属層５および第２金属層６との界面部分において第１および第２金属層５，６内にガラス成分が拡散するが、電極パッド２の露出部において、はんだ濡れ性が低下してしまうようなガラス成分の拡散を生じさせないことが望ましい。 During firing, the glass component diffuses into the first and second metal layers 5 and 6 at the interface between the ceramic green sheet and the first metal layer 5 and the second metal layer 6, but the electrode pad 2 is exposed. It is desirable not to cause the glass component to diffuse so as to reduce solder wettability.
貫通導体３は、例えば、銅、銀、パラジウム、金、白金、タングステン、モリブデン、マンガン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、または、これらの金属材料の合金からなる。貫通導体３は、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートに機械的な孔あけ加工またはレーザ加工等の加工を施して貫通孔を設け、この貫通孔内に銅等の金属材料のペーストを充填することによって形成することができる。 The through conductor 3 is made of, for example, a metal material such as copper, silver, palladium, gold, platinum, tungsten, molybdenum, manganese, nickel, or cobalt, or an alloy of these metal materials. The through conductor 3 is formed by subjecting a ceramic green sheet serving as the insulating substrate 1 to mechanical drilling or laser processing to provide a through hole, and filling the through hole with a paste of a metal material such as copper. Can be formed.
図２で示した例においては電極パッド２の露出部の直下に貫通導体３を配置しているが、実装において電極パッド２の平坦度が必要になる場合は、電極パッド２の露出部の直下を避けて配置することが好ましい。すなわち、貫通導体３は焼成時の収縮により、電極パッド２の主面よりも凸状に突出したり凹状に窪んだ形状になる場合があるからである。 In the example shown in FIG. 2, the through conductor 3 is disposed immediately below the exposed portion of the electrode pad 2, but when the flatness of the electrode pad 2 is required for mounting, the directly below the exposed portion of the electrode pad 2. It is preferable to arrange them while avoiding the above. In other words, the through conductor 3 may protrude from the main surface of the electrode pad 2 in a convex shape or become a concave shape due to shrinkage during firing.
貫通導体３以外の配線導体は、例えば貫通導体３を形成するのと同様の金属ペーストを、絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの主面等の表面に塗布し、焼成することに
よって形成することができる。
The wiring conductors other than the through conductors 3 can be formed, for example, by applying a metal paste similar to that for forming the through conductors 3 to the surface such as the main surface of the ceramic green sheet to be the insulating substrate 1 and firing. it can.
なお、絶縁基板１に含まれるガラスと第１金属層５に含まれるガラスとが互いに同じ組成である場合には、焼成時に、第１金属層（第１金属ペースト55）と絶縁基板１（セラミックグリーンシート11）との間で焼結タイミングが近くなるため、第１金属層５と絶縁基板１との接続の強度が向上する。 When the glass contained in the insulating substrate 1 and the glass contained in the first metal layer 5 have the same composition, the first metal layer (first metal paste 55) and the insulating substrate 1 (ceramic) are fired during firing. Since the sintering timing is close to the green sheet 11), the strength of the connection between the first metal layer 5 and the insulating substrate 1 is improved.
また、絶縁コート層７と絶縁基板１が同じ組成のセラミック材料で同じ種類のガラスを含み、さらに第１金属層５のガラスの種類も同じ組成の場合、配線基板９を焼結させる際に、絶縁コート層７と絶縁基板１と第１金属層５の焼結タイミングが近づくため、これらの間の接続の強度がより向上する。 In addition, when the insulating coating layer 7 and the insulating substrate 1 include the same type of glass with the same ceramic material, and the glass type of the first metal layer 5 has the same composition, when the wiring substrate 9 is sintered, Since the sintering timing of the insulating coat layer 7, the insulating substrate 1, and the first metal layer 5 approaches, the strength of the connection among them is further improved.
また、本実施形態のように、第２金属層６が長方形状であり、第２金属層６の短辺側の端部において第１金属層５の外周が第２金属層６の外周よりも外側に位置している場合には、長方形状の電極パッド２の形成がより容易である。長方形状の電極パッド２は、例えば容量素子等のチップ状の電子部品の電極に対応した配置が容易であり、このような電子部品の接続が容易である。この場合、第２金属層６と絶縁基板１との熱膨張率の差に起因した熱応力等の応力がより大きく作用する第２金属層６の長手方向の端部、つまり短辺側の外周部において、第１金属層５による電極パッド２と絶縁基板１との接続の強度の向上効果がより大きい。 Further, as in the present embodiment, the second metal layer 6 has a rectangular shape, and the outer periphery of the first metal layer 5 is more than the outer periphery of the second metal layer 6 at the end portion on the short side of the second metal layer 6. When it is located outside, it is easier to form the rectangular electrode pad 2. The rectangular electrode pad 2 can be easily arranged, for example, corresponding to the electrode of a chip-shaped electronic component such as a capacitive element, and such an electronic component can be easily connected. In this case, the end in the longitudinal direction of the second metal layer 6 on which the stress such as the thermal stress caused by the difference in the coefficient of thermal expansion between the second metal layer 6 and the insulating substrate 1 acts more, that is, the outer periphery on the short side. In this part, the effect of improving the strength of connection between the electrode pad 2 and the insulating substrate 1 by the first metal layer 5 is greater.
上記の例において、第１金属層５も長方形状とされている。また、長方形状の第１金属層５は、長方形状の第２金属層６よりも短辺が短く、長辺が長い。これらの第１金属層５および第２金属層６は、第１金属層５の短辺側の端部における外周が、第２金属層６の短辺側の端部における外周よりも外側に位置するように配置されている。 In the above example, the first metal layer 5 is also rectangular. The rectangular first metal layer 5 has a shorter short side and a longer side than the rectangular second metal layer 6. The first metal layer 5 and the second metal layer 6 are such that the outer periphery at the end portion on the short side of the first metal layer 5 is located outside the outer periphery at the end portion on the short side of the second metal layer 6. Are arranged to be.
この場合には、長方形状の第２金属層６の長辺部の中央部分は絶縁コート層７で被覆されず、第２金属層６の外周が、そのまま電極パッド２の外周になっている。つまり、長方形状の第２金属層６のうち寸法が比較的小さい短辺方向においては、例えば絶縁コート層７のにじみ等の影響を受けにくい。そのため、長方形状の第２金属層６の露出部分（実際に電極が接続される電極パッド２として機能する部分）の短辺方向の寸法精度をより高くすることができ、電極パッド２としての機能（電極との接続面積の確保等）をより高める上で有利である。 In this case, the central portion of the long side portion of the rectangular second metal layer 6 is not covered with the insulating coating layer 7, and the outer periphery of the second metal layer 6 is the outer periphery of the electrode pad 2 as it is. That is, in the short side direction in which the dimension is relatively small in the rectangular second metal layer 6, for example, it is not easily affected by bleeding of the insulating coat layer 7. Therefore, the dimensional accuracy in the short side direction of the exposed portion of the rectangular second metal layer 6 (the portion that actually functions as the electrode pad 2 to which the electrode is connected) can be increased, and the function as the electrode pad 2 can be increased. This is advantageous in improving (eg, securing the connection area with the electrode).
すなわち、第２金属層６が長方形状である場合において、第２金属層６の長辺側の露出部分には絶縁コート層７が設けられていないことが好ましい。 That is, when the second metal layer 6 is rectangular, it is preferable that the insulating coat layer 7 is not provided on the exposed portion of the second metal layer 6 on the long side.
なお、例えば図４に示すように、第１金属層５が長方形状以外の形状であるときに、第２金属層６が長方形状であり、第２金属層６の短辺側の端部において第１金属層５の外周が第２金属層６の外周よりも外側に位置していてもよい。図４は、図１および図２に示す配線基板の第１の変形例における要部を拡大して示す平面図である。図４において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。図４の例は、基本的には図２（ａ）で示された例と同様であるが、第１金属層５および絶縁コート層７のパターンが異なっている。 For example, as shown in FIG. 4, when the first metal layer 5 has a shape other than a rectangular shape, the second metal layer 6 has a rectangular shape, and at the end portion on the short side of the second metal layer 6. The outer periphery of the first metal layer 5 may be located outside the outer periphery of the second metal layer 6. FIG. 4 is an enlarged plan view showing a main part in the first modification of the wiring board shown in FIGS. 1 and 2. 4, parts similar to those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. The example of FIG. 4 is basically the same as the example shown in FIG. 2A, but the patterns of the first metal layer 5 and the insulating coat layer 7 are different.
図４の例では、第１金属層５は、その長手方向の両端部における幅が、中央部における幅よりも広いパターンで設けられている。この場合にも、第１金属層５による電極パッド２と絶縁基板１との接続の強度を高める効果を得ることができる。 In the example of FIG. 4, the first metal layer 5 is provided in a pattern in which the width at both ends in the longitudinal direction is wider than the width at the center. Also in this case, the effect of increasing the strength of connection between the electrode pad 2 and the insulating substrate 1 by the first metal layer 5 can be obtained.
また、図４に示す例において、絶縁コート層７は、二つの電極パッド２のそれぞれに対
して個別に設けられている。すなわち、四つの絶縁コート層７が、二つの電極パッド２のそれぞれの長手方向の両端部分（合計四カ所）を個々に覆っている。この場合には、絶縁コート層７の面積を極力小さく抑えて、焼成時の絶縁コート層７（セラミックペースト）の収縮の影響を低減する上では有利である。
In the example shown in FIG. 4, the insulating coat layer 7 is provided individually for each of the two electrode pads 2. That is, the four insulating coat layers 7 individually cover the longitudinal end portions of the two electrode pads 2 (a total of four locations). In this case, it is advantageous to reduce the influence of shrinkage of the insulating coat layer 7 (ceramic paste) during firing by keeping the area of the insulating coat layer 7 as small as possible.
また、図４の二つの電極パッド２のうち左側の電極パッド２（２Ａ）は、絶縁コート層７で被覆された部分において段状に第１金属層５の幅が広くなり、また、第２金属層６の幅よりも第１金属層の幅の方が大きくなっている。この場合には、第２金属層６の絶縁基板１に対する接続の強度をさらに高めることができる。 Further, in the left electrode pad 2 (2A) of the two electrode pads 2 in FIG. 4, the width of the first metal layer 5 is increased stepwise in the portion covered with the insulating coating layer 7, and the second electrode pad 2 (2A) The width of the first metal layer is larger than the width of the metal layer 6. In this case, the strength of connection of the second metal layer 6 to the insulating substrate 1 can be further increased.
また、図４の二つの電極パッド２のうち右側の電極パッド２（２Ｂ）は、第２金属層６のうち絶縁コート層７で被覆されていない部分から被覆されている部分にかけて、第１金属層５の幅が次第に広くなっている。この場合にも、第２金属層６の絶縁基板１に対する接続の強度をさらに高めることができる。上記いずれの場合においても、第２金属層６のみが露出しているため、めっきが施されていなくても電極パッドに対するはんだの濡れ性が良好であり、また、電極が接続されたときの電極のニッケル等の拡散を抑制することもできる。 Further, the right electrode pad 2 (2B) of the two electrode pads 2 in FIG. 4 extends from the portion of the second metal layer 6 not covered with the insulating coating layer 7 to the portion covered with the first metal. The width of the layer 5 is gradually increased. Also in this case, the strength of connection of the second metal layer 6 to the insulating substrate 1 can be further increased. In any of the above cases, since only the second metal layer 6 is exposed, the wettability of the solder with respect to the electrode pad is good even without plating, and the electrode when the electrode is connected The diffusion of nickel or the like can also be suppressed.
なお、複数の電極パッド２が絶縁基板１の主面に配列されているときには、絶縁基板１の主面（上面等）から複数の電極パッド２にかけて一つの絶縁コート層７がまとめて被覆していてもよい。この場合には、配線基板９の生産性の向上等の点では有利となる可能性が高い。 When the plurality of electrode pads 2 are arranged on the main surface of the insulating substrate 1, one insulating coat layer 7 covers the plurality of electrode pads 2 from the main surface (upper surface, etc.) of the insulating substrate 1. May be. In this case, there is a high possibility that it is advantageous in terms of improving the productivity of the wiring board 9.
例えば図２の例のように、第１および第２金属層５、６がともに長方形状であり、第１金属層５の短辺が第２金属層６の短辺よりも短く、第１金属層６の長辺が第２金属層６の長辺よりも長く、複数の電極パッド２が絶縁基板１の主面に配列されている場合がこれに該当する。この場合には、一つの絶縁コート層７が、複数の電極パッド２のそれぞれの第１金属層５および第２金属層６の短辺側の端部をまとめて被覆することが容易である。そのため、配線基板９の生産性の向上において有利である。また、一つの絶縁コート層７が、複数の電極パッド２のそれぞれの第１金属層５および第２金属層６の互いに反対側に位置する二つの端部をまとめて被覆するようにすれば、生産性をさらに高めることもできる。 For example, as in the example of FIG. 2, the first and second metal layers 5 and 6 are both rectangular, the short side of the first metal layer 5 is shorter than the short side of the second metal layer 6, and the first metal This is the case when the long side of the layer 6 is longer than the long side of the second metal layer 6 and the plurality of electrode pads 2 are arranged on the main surface of the insulating substrate 1. In this case, it is easy for one insulating coat layer 7 to cover the ends on the short side of each of the first metal layer 5 and the second metal layer 6 of the plurality of electrode pads 2 together. Therefore, it is advantageous in improving the productivity of the wiring board 9. In addition, if one insulating coat layer 7 covers two ends of the plurality of electrode pads 2 on the opposite sides of the first metal layer 5 and the second metal layer 6 together, Productivity can be further increased.
図５は、図１および図２に示す配線基板の第２の変形例における要部を示す平面図である。図５において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。図５の例は、基本的には図２（ａ）で示された例と同様であるが、絶縁コート層７のパターンが異なっている。図５の例において、長方形の電極パッド２のうち３辺（二つの短辺と一つの長辺）が絶縁コート層７で被覆されている。また、二つの電極パッド２の互いに隣り合う二つの長辺の中央部分は絶縁コート層７で被覆されていない。言い換えれば、二つの電極パッド２の互いに隣り合う二つの長辺の中央部分が露出して、電極パッド２としての外辺になっている。 FIG. 5 is a plan view showing a main part in a second modification of the wiring board shown in FIGS. 1 and 2. 5, parts similar to those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. The example of FIG. 5 is basically the same as the example shown in FIG. 2A, but the pattern of the insulating coat layer 7 is different. In the example of FIG. 5, three sides (two short sides and one long side) of the rectangular electrode pad 2 are covered with the insulating coating layer 7. Further, the central portions of two adjacent long sides of the two electrode pads 2 are not covered with the insulating coating layer 7. In other words, the central portions of the two long sides adjacent to each other of the two electrode pads 2 are exposed to form the outer side as the electrode pad 2.
この場合には、互いに長辺同士が隣り合うように配列された二つの電極パッド２について、互いに隣り合う二つの長辺同士の隣接間隔の精度を高く確保する上で有利であり、また、他の３辺部分における絶縁基板１に対する接続の強度をより効果的に高めることができる。 In this case, for the two electrode pads 2 arranged so that the long sides are adjacent to each other, it is advantageous to ensure high accuracy of the adjacent interval between the two long sides adjacent to each other. The strength of the connection with respect to the insulating substrate 1 at the three sides can be increased more effectively.
図６は、図１および図２に示す配線基板の第３の変形例における要部を示す断面図である。図６の例は、基本的には図２（ｃ）で示された例と同様であるが、第１および第２金属層５、６の外周部における形状が異なっている。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a main part in a third modification of the wiring board shown in FIGS. 1 and 2. The example of FIG. 6 is basically the same as the example shown in FIG. 2C, but the shapes of the outer peripheral portions of the first and second metal layers 5 and 6 are different.
この例においては、断面視において、絶縁コート層６の直下に位置する電極パッド２の一部（長手方向の外周部）が絶縁基板１内に埋まっている。これにより、電極パッド２（少なくとも第１金属層５）の絶縁基板１に対する接合面積がより大きくなる。そのため、第１金属層５を含む電極パッド２の絶縁基板１に対する接続の強度がより大きくなる。 In this example, part (the outer peripheral portion in the longitudinal direction) of the electrode pad 2 located immediately below the insulating coat layer 6 is embedded in the insulating substrate 1 in a cross-sectional view. Thereby, the bonding area of the electrode pad 2 (at least the first metal layer 5) to the insulating substrate 1 becomes larger. Therefore, the strength of connection of the electrode pad 2 including the first metal layer 5 to the insulating substrate 1 is further increased.
また、電極パッド２の一部が絶縁基板１内に埋まっている場合に、第２金属層６の例えば外周部の少なくとも一部が第１金属層５内に埋まっていることが、より好ましい。この場合には、第２金属層６と第１金属層５との接続面積もより大きくなる。そのため、第１金属層５の絶縁基板１に対する接続の強度に加えて、第２金属層６の第１金属層５に対する接続の強度も大きくなる。したがって、電極パッド２の絶縁基板１に対する接続の強度がさらに大きい配線基板９が提供され得る。図６には示されていないが、絶縁コート層７を絶縁基板１に埋まるように形成しても良い。 Further, when a part of the electrode pad 2 is embedded in the insulating substrate 1, it is more preferable that at least a part of the outer peripheral portion of the second metal layer 6 is embedded in the first metal layer 5. In this case, the connection area between the second metal layer 6 and the first metal layer 5 is also increased. Therefore, in addition to the strength of the connection of the first metal layer 5 to the insulating substrate 1, the strength of the connection of the second metal layer 6 to the first metal layer 5 is also increased. Therefore, the wiring substrate 9 having a higher connection strength of the electrode pad 2 to the insulating substrate 1 can be provided. Although not shown in FIG. 6, the insulating coating layer 7 may be formed so as to be embedded in the insulating substrate 1.
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態の配線基板における要部を拡大して示す平面図である。図７において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
(Second Embodiment)
FIG. 7 is an enlarged plan view showing a main part of the wiring board according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
図７に示す例において、電極パッド２のうち実際に電極がはんだを介して接続される第２金属層６の露出部分（実際に接続用の電極パッド２として機能する部分）が円形状である。第２金属層６の露出部分が円形状である電極パッド２は、例えば図１に示す配線基板において絶縁基板１の上面の中央部に位置する、半導体集積回路素子用の搭載部４に設けられた電極パッド２である。電極パッド２の円形状の露出部分に電子部品である半導体集積回路素子の下面に配列された円形状の電極（図示せず）が対向し、はんだを介して互いに接続される。 In the example shown in FIG. 7, the exposed portion of the second metal layer 6 (the portion that actually functions as the electrode pad 2 for connection) of the electrode pad 2 where the electrode is actually connected via solder is circular. . The electrode pad 2 in which the exposed portion of the second metal layer 6 has a circular shape is provided, for example, in the mounting portion 4 for the semiconductor integrated circuit element located at the center of the upper surface of the insulating substrate 1 in the wiring substrate shown in FIG. Electrode pad 2. Circular electrodes (not shown) arranged on the lower surface of the semiconductor integrated circuit element, which is an electronic component, are opposed to the circular exposed portions of the electrode pads 2 and are connected to each other via solder.
図７に示す例において、電極パッド２のうち第１金属層５は楕円形状である。第２金属層６は基本的に円形状であってその外周部のうち互いに反対側に位置する２カ所が外側に膨れた形状である。第１金属層５と第２金属層６とは、平面透視において中心同士が互いに重なり合うように設けられている。また、平面透視において、第１金属層５の長軸上に第２金属層６の外側に膨れた二つの部分（凸部）（符号なし）が位置している。凸部の先端において、第２金属層６の外周よりも第１金属層５の外周が外側に位置している。 In the example shown in FIG. 7, the first metal layer 5 of the electrode pad 2 has an elliptical shape. The second metal layer 6 is basically circular and has a shape in which two locations located on opposite sides of the outer peripheral portion swell outward. The first metal layer 5 and the second metal layer 6 are provided so that their centers overlap each other in plan perspective. Further, in plan perspective, two portions (convex portions) (not indicated) that swell outside the second metal layer 6 are positioned on the long axis of the first metal layer 5. At the tip of the convex portion, the outer periphery of the first metal layer 5 is located outside the outer periphery of the second metal layer 6.
絶縁コート層７は、第２金属層６が円形状に露出するようなパターンで設けられている。つまり、絶縁コート層７は、絶縁基板１の主面（上面）から第２金属層の凸部、およびその凸部から外側に出ている第１金属層５の一部にかけて一体的に被覆している。この例においては、一つの第２金属層６の凸部７は、それぞれ別々の絶縁コート層７によって被覆されている。これにより、配線基板９としての生産性を高められている。 The insulating coat layer 7 is provided in a pattern such that the second metal layer 6 is exposed in a circular shape. That is, the insulating coat layer 7 is integrally covered from the main surface (upper surface) of the insulating substrate 1 to the convex portion of the second metal layer and the portion of the first metal layer 5 protruding outward from the convex portion. ing. In this example, the convex portions 7 of one second metal layer 6 are covered with separate insulating coating layers 7. Thereby, the productivity as the wiring board 9 is improved.
この例においても、複数の電極パッド２にまとめて一つの絶縁コート層７で被覆されていれば、配線基板９としての生産性の点では有利である。また、個々の電極パッド２毎に絶縁コート層７が設けられていれば、絶縁コート層７の平面視における面積を極力小さく抑えて、絶縁コート層７となるセラミックペーストの焼成時の影響を低減する上では有利である。 Also in this example, if the plurality of electrode pads 2 are collectively covered with one insulating coating layer 7, it is advantageous in terms of productivity as the wiring board 9. Further, if the insulating coating layer 7 is provided for each individual electrode pad 2, the area of the insulating coating layer 7 in a plan view is suppressed as much as possible, and the influence during firing of the ceramic paste that becomes the insulating coating layer 7 is reduced. This is advantageous.
また、電極パッド２において第２金属層６の露出部分を円形状とする場合にも、例えば第２金属層６の外周部の一部が、絶縁コート層７で覆われていないようにしてもよい。この場合には、第１の実施形態の場合と同様に、第２金属層６のうち絶縁コート層７で覆われていない部分が電極パッド２の外周位置になり、電極パッド２の外周の位置精度、および電極パッド２のうち第２金属層６が露出している部分の寸法精度が高くなる。すなわち
、第２金属層６の外周部が絶縁コート層７で被覆されていれば、その絶縁コート層７となるセラミックペーストのにじみ等の影響により電極パッド２としての外周の位置精度等が低下する可能性がある。これに対して、第２金属層６の外周部に絶縁コート層７で被覆されていない部分があれば、その部分において電極パッド２の外周の位置精度等を高くすることがより容易である。
In addition, when the exposed portion of the second metal layer 6 is circular in the electrode pad 2, for example, a part of the outer peripheral portion of the second metal layer 6 may not be covered with the insulating coat layer 7. Good. In this case, as in the case of the first embodiment, the portion of the second metal layer 6 that is not covered with the insulating coating layer 7 is the outer peripheral position of the electrode pad 2, and the outer peripheral position of the electrode pad 2. The accuracy and the dimensional accuracy of the portion of the electrode pad 2 where the second metal layer 6 is exposed are increased. That is, if the outer peripheral portion of the second metal layer 6 is covered with the insulating coat layer 7, the positional accuracy of the outer periphery as the electrode pad 2 decreases due to the influence of bleeding of the ceramic paste that becomes the insulating coat layer 7. there is a possibility. On the other hand, if there is a portion that is not covered with the insulating coat layer 7 on the outer peripheral portion of the second metal layer 6, it is easier to increase the positional accuracy of the outer periphery of the electrode pad 2 in that portion.
１・・・絶縁基板
２・・・電極パッド
３・・・貫通導体
４・・・搭載部
５・・・第１金属層
６・・・第２金属層
７・・・絶縁コート層
９・・・配線基板
55・・・第１金属ペースト
66・・・第２金属ペースト
77・・・セラミックペースト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2 ... Electrode pad 3 ... Through-conductor 4 ... Mounting part 5 ... 1st metal layer 6 ... 2nd metal layer 7 ... Insulation coat layer 9 ...・ Wiring board
55 ・ ・ ・ First metal paste
66 ・ ・ ・ Second metal paste
77 ・ ・ ・ Ceramic paste
Claims (9)
前記絶縁基板の前記主面から前記電極パッドの一部にかけて被覆している絶縁コート層とを備えており、
前記電極パッドは、銅およびガラスを含有する第１金属層と、該第１金属層上に設けられた銅からなる第２金属層とを含んでおり、
前記第１金属層の外周は、少なくとも一部において前記第２金属層の外周よりも外側に位置しており、
前記絶縁コート層は、前記電極パッドのうち前記第２金属層のみが露出するように設けられていることを特徴とする配線基板。 An insulating substrate having a main surface including a mounting portion for an electronic component, made of a material containing glass, and at least one electrode pad provided on the main surface of the insulating substrate;
An insulating coating layer covering from the main surface of the insulating substrate to a part of the electrode pad,
The electrode pad includes a first metal layer containing copper and glass, and a second metal layer made of copper provided on the first metal layer,
The outer periphery of the first metal layer is located at least partially outside the outer periphery of the second metal layer,
The wiring substrate, wherein the insulating coating layer is provided so that only the second metal layer of the electrode pad is exposed.
該第２金属層の短辺側の端部において、前記第１金属層の外周が前記第２金属層の外周よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 The second metal layer is rectangular;
2. The wiring board according to claim 1, wherein an outer periphery of the first metal layer is located outside an outer periphery of the second metal layer at an end portion on a short side of the second metal layer. .
前記第１金属層の短辺側の外周が、前記第２金属層の短辺側の外周よりも外側に位置していることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。 The first metal layer has a rectangular shape with shorter short sides and longer long sides than the second metal layer,
5. The wiring board according to claim 4, wherein an outer periphery on a short side of the first metal layer is positioned outside an outer periphery on a short side of the second metal layer.
前記絶縁コート層は、複数の前記電極パッドのそれぞれの前記第１金属層および前記第２金属層の前記短辺側の端部をまとめて被覆していることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。 A plurality of the electrode pads are arranged on the main surface,
The said insulating coating layer is covering the said 1st metal layer of each of the said electrode pad, and the edge part by the side of the said short side of the 2nd metal layer collectively, It is characterized by the above-mentioned. Wiring board.
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