JP6181455B2 - Wiring board - Google Patents

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    • H01L2924/15174Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、外部との電気的な接続用の接続パッドを有する配線基板に関するものである。   The present invention relates to a wiring board having a connection pad for electrical connection with the outside.

半導体素子や容量素子,圧電振動子等の電子部品が搭載される配線基板として、酸化アルミニウム質またはガラスセラミック質焼結体からなる複数の絶縁層が積層されてなる四角板状等の絶縁基板と、絶縁基板の主面に銅または銀等の金属材料を用いて設けられた接続パッドとを備えたものが多用されている。   As a wiring board on which electronic components such as a semiconductor element, a capacitive element, and a piezoelectric vibrator are mounted, an insulating board such as a square plate formed by laminating a plurality of insulating layers made of aluminum oxide or glass ceramic sintered body; In many cases, an insulating substrate is provided with a connection pad provided on the main surface of the insulating substrate using a metal material such as copper or silver.

接続パッドは、例えば電子部品の電極または外部電気回路とはんだ等を介して電気的に接続される部分である。接続パッドは、通常、絶縁基板の内部に設けられた電気信号を伝送する信号(シグナル)用の導体層、電子回路を動作させる電流を供給する電源(パワー)用の導体層または電子回路の基準電位となる接地(グラウンド)用の導体層と電気的に接続されている。   The connection pad is a portion that is electrically connected to, for example, an electrode of an electronic component or an external electric circuit via solder or the like. The connection pad is usually a conductor layer for a signal (signal) that transmits an electrical signal provided inside the insulating substrate, a conductor layer for a power source (power) that supplies current to operate the electronic circuit, or a reference for the electronic circuit It is electrically connected to a grounding conductor layer that becomes a potential.

特開平11−260957号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-260957 特開2000−349192号公報JP 2000-349192 A 特開2009−182238号公報JP 2009-182238 A

近年、例えば、上記の電子機器に使用されるデジタル信号等の高速化に伴い、例えば、数十GHz帯の高周波信号を伝送する必要が生じてきている。   In recent years, for example, with the increase in the speed of digital signals and the like used in the above-described electronic devices, it has become necessary to transmit high-frequency signals in the tens of GHz band, for example.

信号の高速化に伴い、信号間のクロストークノイズや、電磁ノイズ等のノイズ対策が必要となっている。これに対しては、電源、接地等の導体層の面積を広くしたり、導体層の厚みを厚くし、低インピーダンス化することで、電磁界分布を安定させ電源、接地用の導体層からのノイズの混入を防ぐことが有効である。   As the signal speed increases, countermeasures against noise such as crosstalk noise between signals and electromagnetic noise are required. In response to this, by increasing the area of the conductor layer for power supply, grounding, etc., or by increasing the thickness of the conductor layer and lowering the impedance, the electromagnetic field distribution is stabilized and the power supply, grounding conductor layer It is effective to prevent mixing of noise.

しかしながら、接続パッドが設けられる絶縁基板の主面に設ける導体層を広くしたり、厚くしたりすると、絶縁基板と導体層の熱膨張係数の差により、例えば温度サイクルが付加されるような状況下において、配線基板に反りが生じてしまう可能性があった。また、絶縁基板がセラミックからなる場合、焼成を行う際に、絶縁基板となるセラミックグリーンシートと、導体層となる金属ペーストとの収縮率の違いにより、配線基板に反りが生じてしまう可能性があった。   However, if the conductor layer provided on the main surface of the insulating substrate on which the connection pad is provided is widened or thickened, for example, a temperature cycle is added due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the conductor layer. However, the wiring board may be warped. In addition, when the insulating substrate is made of ceramic, the wiring substrate may be warped due to a difference in shrinkage between the ceramic green sheet that becomes the insulating substrate and the metal paste that becomes the conductor layer when firing. there were.

このような問題を解決するために、絶縁基板の主面に設けた導体層の厚みを、例えば従来の接続パッドの厚みよりも薄くすることが考えられる。しかし、この導体層の一部は接続パッドとして機能するため、接続パッドにおける接続信頼性の低下という新たな課題が誘発される可能性がある。例えば絶縁基板と外部回路基板との熱膨張係数の差により生じる熱応力を、比較的薄い接続パッドでは緩和することが難しい。特に、絶縁基板が大型化する場合には、接続パッドにかかる熱応力は大きくなる。また、接続パッドの面積が小さくなる場合には接続パッドと絶縁基板との接合面積が小さくなる。そのため、特にこのような場合には、接続パッドまたは絶縁基板にクラックが生じる可能性が高くなる。   In order to solve such a problem, it can be considered that the thickness of the conductor layer provided on the main surface of the insulating substrate is made thinner than the thickness of the conventional connection pad, for example. However, since a part of this conductor layer functions as a connection pad, there is a possibility that a new problem of lowering connection reliability in the connection pad is induced. For example, it is difficult to reduce the thermal stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the external circuit substrate with a relatively thin connection pad. In particular, when the insulating substrate is enlarged, the thermal stress applied to the connection pad is increased. Further, when the area of the connection pad is reduced, the bonding area between the connection pad and the insulating substrate is reduced. Therefore, especially in such a case, there is a high possibility that a crack occurs in the connection pad or the insulating substrate.

本発明の一つの態様による配線基板は、主面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記主面に設けられた導体層と、前記絶縁基板の前記主面および前記導体層の全体を被覆しているとともに、前記導体層の一部が露出した複数の開口部を有し、該複数の開口部において露出した前記導体層の前記一部が複数の接続パッドを形成している絶縁層とを備えており、前記絶縁層の前記複数の開口部のそれぞれと重なる前記導体層の前記一部は、その周囲の前記絶縁層と重なる部分よりも厚く、前記導体層は、前記絶縁層の前記開口部で露出している前記一部において、前記絶縁基板の前記主面に順次設けられた第1金属層および第2金属層からなり、厚み方向の一部の外周部分において外側に延びた部分が、前記第1金属層および前記第2金属層の間に挟まれている補助絶縁層を有しており、前記絶縁基板および前記導体層および前記絶縁層にガラスが含有されており、前記導体層のうち前記接続パッドを形成している前記一部における前記ガラスの含有量が、前記絶縁基板側において、該絶縁基板側と反対側よりも大きいA wiring board according to an aspect of the present invention covers an insulating substrate having a main surface, a conductor layer provided on the main surface of the insulating substrate, the main surface of the insulating substrate, and the entire conductor layer. And an insulating layer having a plurality of openings in which a part of the conductor layer is exposed, wherein the part of the conductor layer exposed in the plurality of openings forms a plurality of connection pads. The part of the conductor layer that overlaps each of the plurality of openings of the insulating layer is thicker than the part that overlaps the surrounding insulating layer, and the conductor layer is the opening of the insulating layer. In the part exposed at the portion, a portion formed of a first metal layer and a second metal layer sequentially provided on the main surface of the insulating substrate, and a portion extending outward in a part of the outer peripheral portion in the thickness direction is , Between the first metal layer and the second metal layer Has an auxiliary insulating layer sandwiched, the insulating substrate and the conductive layer and the glass in the insulating layer are contained, the in the part forming the connecting pads of said conductor layer The glass content is larger on the insulating substrate side than on the side opposite to the insulating substrate side .

本発明の一つの態様による配線基板によれば、上記構成を有し、絶縁基板の主面に設けられた導体層の厚みが、絶縁層の複数の開口部のそれぞれで露出した部分において、絶縁層で被覆された部分よりも大きいことから、接続パッドの接続強度の向上が容易な配線基板を提供することができる。すなわち、接続パッドとなる、絶縁層の開口部で露出した導体層の厚みが比較的厚いため、上記熱応力が効果的に緩和される。   According to the wiring board according to one aspect of the present invention, the conductor layer having the above-described configuration is insulated at the portion where the thickness of the conductor layer provided on the main surface of the insulating substrate is exposed at each of the plurality of openings of the insulating layer. Since it is larger than the portion covered with the layer, it is possible to provide a wiring board that can easily improve the connection strength of the connection pads. That is, the thickness of the conductor layer exposed at the opening of the insulating layer serving as the connection pad is relatively thick, so that the thermal stress is effectively relieved.

また、導体層のうち絶縁層で被覆された部分の導体層の厚みが比較的薄いことで、導体層と絶縁基板の熱膨張係数の違い、および収縮率の違いのいずれか一方または両方に起因して生じる熱応力自体が低減され、この熱応力による配線基板の反りを低減させることもできる。   In addition, the thickness of the conductor layer of the conductor layer that is covered with the insulating layer is relatively thin, which is caused by either or both of the difference in thermal expansion coefficient and the shrinkage rate between the conductor layer and the insulating substrate. Thus, the thermal stress itself generated is reduced, and the warping of the wiring board due to the thermal stress can be reduced.

(a)は本発明の第1の実施形態の配線基板を示す下面図であり、(b)は(a)のA−A線における断面図である。(A) is a bottom view which shows the wiring board of the 1st Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing in the AA of (a). 本発明の第1の実施形態の配線基板における要部を示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the principal part in the wiring board of the 1st Embodiment of this invention. (a)は図1に示す配線基板の下面の絶縁層を示す下面図であり、(b)は図1に示す配線基板の下面の導体層を示す下面透視図である。(A) is a bottom view showing an insulating layer on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. 1, and (b) is a bottom perspective view showing a conductor layer on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. (a)は図3(a)および(b)を重ね合わせた下面透視図であり、(b)は(a)に貫通導体を重ね合わせた下面透視図である。3A is a bottom perspective view in which FIGS. 3A and 3B are superimposed, and FIG. 3B is a bottom perspective view in which a through conductor is superimposed on FIG. (a)は本発明の第2の実施形態の配線基板を示す下面図であり、(b)は(a)のB−B線における要部拡大断面図である。(A) is a bottom view which shows the wiring board of the 2nd Embodiment of this invention, (b) is a principal part expanded sectional view in the BB line of (a). (a)は図5に示す配線基板の下面の絶縁層を示す下面図であり、(b)は図5に示す配線基板の下面の導体層を示す下面透視図である。(A) is a bottom view showing the insulating layer on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. 5, and (b) is a bottom perspective view showing the conductor layer on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. 図6(a)および(b)を重ね合わせた下面透視図である。FIG. 7 is a bottom perspective view in which FIGS. 6 (a) and (b) are superimposed. 図1に示す配線基板の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the wiring board shown in FIG. (a)は図2の変形例を示す要部拡大断面図であり、(b)は図2の他の変形例を示す要部拡大断面図である。(A) is a principal part expanded sectional view which shows the modification of FIG. 2, (b) is a principal part expanded sectional view which shows the other modification of FIG.

(第1の実施形態)
本発明の配線基板を添付の図面を参照して説明する。図1(a)は本発明の第1の実施形態の配線基板を示す下面図であり、図1(b)は、図1(a)の断面図である。また、図2は、本発明の第1の実施形態の配線基板における要部を拡大して示す断面図である。
(First embodiment)
A wiring board of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a bottom view showing a wiring board according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view of FIG. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the wiring board according to the first embodiment of the present invention.

図1および図2に示す例において、配線基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の主面に設けられた導体層2と、導体層2を被覆している絶縁層3とによって基本的に形成されている。また、絶縁層3は複数の開口部4を有している。これらの開口部4においてそれぞれ導体層2の一部が露出している。開口部4において露出した導体層2が、配線基板の外部接続用の接続パッド5を形成している。   In the example shown in FIGS. 1 and 2, the wiring substrate 10 is basically composed of an insulating substrate 1, a conductor layer 2 provided on the main surface of the insulating substrate 1, and an insulating layer 3 covering the conductor layer 2. Is formed. The insulating layer 3 has a plurality of openings 4. A part of the conductor layer 2 is exposed in each of the openings 4. The conductor layer 2 exposed in the opening 4 forms a connection pad 5 for external connection of the wiring board.

なお、これらの導体層2および絶縁層3について、図3および図4に分解して示している。すなわち、図3(a)は、図1に示す配線基板の下面の絶縁層3およびその開口部4を示す下面図であり、図3(b)は図1に示す配線基板の下面の導体層2と導体層2が形成される絶縁基板1の主面を示す下面図である。また、図4は、図3(b)の導体層2に図3(a)の絶縁層3が重ね合わされた状態を示す下面透視図である。図3(b)は、図1(a)の透視図とみなすこともできる。また、図3(b)は、図3(a)にさらに貫通導体8を加えて示す下面透視図である。貫通導体8の詳細については後述する。   The conductor layer 2 and the insulating layer 3 are shown in an exploded manner in FIGS. 3A is a bottom view showing the insulating layer 3 and the opening 4 on the lower surface of the wiring board shown in FIG. 1, and FIG. 3B is a conductor layer on the lower surface of the wiring board shown in FIG. It is a bottom view which shows the main surface of the insulated substrate 1 in which 2 and the conductor layer 2 are formed. 4 is a bottom perspective view showing a state in which the insulating layer 3 in FIG. 3A is superimposed on the conductor layer 2 in FIG. FIG. 3B can also be regarded as a perspective view of FIG. Further, FIG. 3B is a bottom perspective view in which a through conductor 8 is further added to FIG. Details of the through conductor 8 will be described later.

言い換えれば、絶縁基板1の主面に比較的広い面積で導体層2が設けられ、その導体層2の一部が接続パッド5になっている。この導体層2は、一つでもよく、複数でもよい。導体層2が一つのときは、その一つの導体層2に対して絶縁層3に複数の開口部が設けられ、互いに電気的に接続された複数の接続パッド5が絶縁基板1の主面に設けられることになる。   In other words, the conductor layer 2 is provided in a relatively wide area on the main surface of the insulating substrate 1, and a part of the conductor layer 2 serves as the connection pad 5. The conductor layer 2 may be one or plural. When there is one conductor layer 2, a plurality of openings are provided in the insulating layer 3 for the one conductor layer 2, and a plurality of connection pads 5 electrically connected to each other are formed on the main surface of the insulating substrate 1. Will be provided.

また、導体層2が複数のときは、それぞれの導体層2に対して絶縁層3に一つまたは複数の開口部4が設けられる。複数の導体層2のうち一つの導体層2に対して複数の開口部が設けられたときには、上記のように一つの導体層2が絶縁基板1の主面に設けられたときと同様に、互いに電気的に接続された複数の接続パッド5が設けられる。また、複数の導体層2が設けられた場合には、それぞれの導体層2毎に同じ電位の一つまたは複数の接続パッド5が設けられて、絶縁基板の主面には、互いに異なる電位(例えば電源および接地等)の複数の接続パッド5が設けられる。図1および図2に示す例においては、複数の導体層2が設けられており、接地用パッド5a、電源用パッド5b、信号用パッド5cを含む接続パッド5が複数個縦横に配列されている。   When there are a plurality of conductor layers 2, one or a plurality of openings 4 are provided in the insulating layer 3 for each conductor layer 2. When a plurality of openings are provided for one conductor layer 2 among the plurality of conductor layers 2, as in the case where one conductor layer 2 is provided on the main surface of the insulating substrate 1 as described above, A plurality of connection pads 5 electrically connected to each other are provided. Further, when a plurality of conductor layers 2 are provided, one or a plurality of connection pads 5 having the same potential are provided for each conductor layer 2, and different potentials ( A plurality of connection pads 5 (for example, a power source and a ground) are provided. In the example shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of conductor layers 2 are provided, and a plurality of connection pads 5 including a grounding pad 5a, a power supply pad 5b, and a signal pad 5c are arranged vertically and horizontally. .

これらの接続パッド5が、絶縁基板1に搭載される電子部品(図示せず)の電極または外部電気回路(図示せず)等と外部接続される。接続パッド5の外部接続は、例えばスズ−銀系はんだ等のはんだ、または金等の金属材料、または導電性接着剤等の有機材料を含む導電性接続材(図示せず)を介して行なわれる。   These connection pads 5 are externally connected to electrodes of an electronic component (not shown) or an external electric circuit (not shown) mounted on the insulating substrate 1. The connection pad 5 is externally connected through a conductive connection material (not shown) including a solder such as tin-silver solder, a metal material such as gold, or an organic material such as a conductive adhesive. .

絶縁基板1は、例えばガラスセラミック質焼結体または酸化アルミニウム質焼結体等からなる複数の絶縁材層(符号なし)が積層されて形成されている。絶縁基板1を形成するガラスセラミック質焼結体は、例えば、次のようにして製作することができる。まず、セラミックフィラー粉末を用意する。セラミックフィラー粉末としては、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ジルコニウム、スピネルおよびクォーツ等が挙げられる。また、ガラス粉末を用意する。ガラス粉末は、例えば、SiO−B−Al−Al−MgO−CaO−BaO−SrO系等のガラスが挙げられる。これらのセラミックフィラー粉末およびガラス粉末を含む原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法やリップコーター法等のシート成形技術を採用してシート状に成形することによって複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工および打ち抜き加工等から選択した加工方法によって適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層したセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成することによって製作することができる。 The insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of insulating material layers (no symbol) made of, for example, a glass ceramic sintered body or an aluminum oxide sintered body. The glass-ceramic sintered body that forms the insulating substrate 1 can be manufactured, for example, as follows. First, ceramic filler powder is prepared. Examples of the ceramic filler powder include aluminum oxide, chromium oxide, copper oxide, zirconium oxide, spinel and quartz. Moreover, a glass powder is prepared. Examples of the glass powder include SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —Al 2 O 3 —MgO—CaO—BaO—SrO-based glass. An appropriate organic binder and organic solvent are added to and mixed with the raw material powder containing these ceramic filler powder and glass powder to prepare a slurry. Next, a plurality of ceramic green sheets are produced by forming this slurry into a sheet by employing a sheet forming technique such as a doctor blade method or a lip coater method. Thereafter, the ceramic green sheet is made into an appropriate shape by a processing method selected from cutting and punching and the like, and a plurality of them are laminated. Finally, the laminated ceramic green sheets are heated to about 900 to 1000 ° C. in a reducing atmosphere. It can be manufactured by firing at a temperature.

絶縁基板1は、例えば平面視において四角形状(四角板状等)であり、上面に電子部品(図示せず)が搭載され、下面が外部回路基板(図示せず)と対向して実装される。なお、図1に示した例のように絶縁基板1の角部等のクラックが生じる可能性の高い部位においては、いわゆる面取りを行い、絶縁基板1の角部の角度を大きくしてもよい。また、絶縁基板1の側面に導体層を形成するための凹凸(いわゆるキャスタレーション)を設けて
もよい。
The insulating substrate 1 has, for example, a quadrangular shape (square plate shape or the like) in a plan view, an electronic component (not shown) is mounted on the upper surface, and the lower surface is mounted to face an external circuit substrate (not shown). . Note that, as in the example shown in FIG. 1, so-called chamfering may be performed at a portion where a crack such as a corner portion of the insulating substrate 1 is likely to occur to increase the angle of the corner portion of the insulating substrate 1. Further, unevenness (so-called castellation) for forming a conductor layer may be provided on the side surface of the insulating substrate 1.

電子部品としては、ICおよびLSI等の半導体集積回路素子、ならびにLED(発光ダイオード)、PD(フォトダイオード)およびCCD(電荷結合素子)等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子および水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン(いわゆるMEMS素子)等の種々の電子部品が挙げられる。   Electronic components include semiconductor integrated circuit elements such as IC and LSI, semiconductor elements including optical semiconductor elements such as LED (light emitting diode), PD (photodiode), and CCD (charge coupled device), surface acoustic wave elements, and crystals. Various electronic components such as a piezoelectric element such as a vibrator, a capacitive element, a resistor, and a micromachine (so-called MEMS element) in which a minute electromechanical mechanism is formed on the surface of a semiconductor substrate can be given.

絶縁基板1の一主面(上面)には、例えばその中央部に、上記の各種電子部品が搭載される搭載部(範囲は図示せず)が含まれて設けられている。この搭載部またはその周辺に接続パッド5が設けられている。搭載部に電子部品が搭載され、その電子部品の電極が、例えばボンディングワイヤまたは半田等の導電性接続材を介して接続パッド5と電気的に接続される。   On one main surface (upper surface) of the insulating substrate 1, for example, a central portion thereof includes a mounting portion (range not shown) on which the above-described various electronic components are mounted. Connection pads 5 are provided on the mounting portion or the periphery thereof. An electronic component is mounted on the mounting portion, and an electrode of the electronic component is electrically connected to the connection pad 5 via a conductive connecting material such as a bonding wire or solder.

絶縁基板1の上面において、搭載部またはその周辺に設けられた接続パッド5は、絶縁基板1の内部に設けられた配線層(符号なし)および貫通導体8等の内部導体を介して、絶縁基板1の一主面と反対側の他主面(下面)に電気的に導出されている。 絶縁基板1の下面には、外部電気回路と電気的に接続される接続パッド5が設けられている。絶縁基板1の上面の接続パッド5と下面の接続パッド5とが、上記の内部導体を介して互いに電気的に接続されている。   On the upper surface of the insulating substrate 1, the connection pads 5 provided in the mounting portion or the periphery thereof are connected to the insulating substrate via an internal conductor such as a wiring layer (not indicated) provided in the insulating substrate 1 and the through conductor 8. 1 is electrically led to the other main surface (lower surface) opposite to the one main surface. A connection pad 5 that is electrically connected to an external electric circuit is provided on the lower surface of the insulating substrate 1. The connection pad 5 on the upper surface of the insulating substrate 1 and the connection pad 5 on the lower surface are electrically connected to each other through the internal conductor.

絶縁基板1の上面および下面の接続パッド5は、絶縁基板1の上面および下面にそれぞれ設けられた導体層2によって形成されている。具体的には、前述したように、導体層2が開口部4を有する絶縁層3で被覆され、その絶縁層3の開口部4において露出した導体層2が接続パッド5になっている。   The connection pads 5 on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1 are formed by the conductor layers 2 provided on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 1, respectively. Specifically, as described above, the conductor layer 2 is covered with the insulating layer 3 having the opening 4, and the conductor layer 2 exposed in the opening 4 of the insulating layer 3 serves as the connection pad 5.

これらの接続パッド5について、それぞれの接続パッド5を形成している導体層2の厚みが、絶縁層3の複数の開口部4で露出した部分において、絶縁層3で被覆された部分よりも大きいものを含んでいる。この第1の実施形態においては、絶縁基板1の下面に設けられた接続パッド5が、このような導体層2の厚みが比較的厚い部分によって形成されている。以下の説明においては、主に、この絶縁基板1の下面に設けられた接続パッド5を例に挙げる。   With respect to these connection pads 5, the thickness of the conductor layer 2 forming each connection pad 5 is larger at the portion exposed at the plurality of openings 4 of the insulating layer 3 than at the portion covered with the insulating layer 3. Includes things. In the first embodiment, the connection pads 5 provided on the lower surface of the insulating substrate 1 are formed by such relatively thick portions of the conductor layer 2. In the following description, the connection pads 5 provided on the lower surface of the insulating substrate 1 are mainly taken as an example.

絶縁基板1の主面(下面)に設けられた導体層2の厚みが、絶縁層3の複数の開口部4のそれぞれで露出した部分において、絶縁層3で被覆された部分よりも大きいことから、接続パッド5の接続強度の向上が容易である。   The thickness of the conductor layer 2 provided on the main surface (lower surface) of the insulating substrate 1 is larger at the portion exposed at each of the plurality of openings 4 of the insulating layer 3 than at the portion covered with the insulating layer 3. The connection strength of the connection pad 5 can be easily improved.

すなわち、接続パッド5となっている、絶縁層3の開口部4で露出した導体層2の厚みが比較的厚いため、配線基板10と外部電気回路との間に生じる熱応力が効果的に緩和される。したがって、接続パッド5における外部接続の強度、および信頼性が高い配線基板を提供することができる。   That is, since the thickness of the conductor layer 2 exposed at the opening 4 of the insulating layer 3 serving as the connection pad 5 is relatively thick, the thermal stress generated between the wiring board 10 and the external electric circuit is effectively relieved. Is done. Therefore, it is possible to provide a wiring board having high external connection strength and reliability in the connection pad 5.

また、導体層2のうち絶縁層4で被覆された部分の導体層2の厚みが比較的薄いことで、導体層2と絶縁基板1の熱膨張係数の違い、および収縮率の違いのいずれか一方または両方に起因して生じる応力による配線基板10の反り(特に絶縁基板1の反り)を低減させることもできる。なお、収縮率とは、セラミックグリーンシートを焼成する際に、セラミックグリーンシートや金属ペーストにおいて、金属粒子間や、セラミック粒子間に存在する空間が粒子同士の結合等により小さくなるため、体積が小さくなる際の収縮量の割合を意味する。   In addition, since the thickness of the conductor layer 2 of the conductor layer 2 covered with the insulating layer 4 is relatively thin, either the difference in thermal expansion coefficient between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 or the difference in contraction rate is selected. It is also possible to reduce warpage of the wiring substrate 10 (particularly warpage of the insulating substrate 1) due to stress caused by one or both. The shrinkage rate means that when the ceramic green sheet is fired, the volume of the ceramic green sheet or metal paste is small because the space between the metal particles or between the ceramic particles becomes small due to bonding between the particles. It means the ratio of the amount of shrinkage.

また、導体層2のうち絶縁層4で被覆された部分は、例えば電源または接地電位と電気的に接続されて、配線基板10(上記内部導体または搭載部に搭載される電子部品等)と外部との電磁ノイズの遮蔽層として機能することもできる。この場合、導体層2のうち接続パッド5となっている部分(絶縁層3の開口部4で露出した部分)と、ノイズの遮蔽層として機能する部分(絶縁層3で被覆された部分)とが同じ導体層2であり、互いに電気的に接続されている。そのため、例えば電源または接地用の接続パッド5から遮蔽層としての導体層2に対する電源または接地の電位の供給における導通抵抗が効果的に低減され、電源または接地(もしくは電源および接地の両方)の電位がさらに安定し得る。   In addition, the portion of the conductor layer 2 covered with the insulating layer 4 is electrically connected to, for example, a power source or a ground potential, so that the wiring substrate 10 (such as the internal conductor or the electronic component mounted on the mounting portion) and the outside are electrically connected. It can also function as an electromagnetic noise shielding layer. In this case, a portion of the conductor layer 2 that is the connection pad 5 (a portion exposed at the opening 4 of the insulating layer 3), a portion that functions as a noise shielding layer (a portion covered with the insulating layer 3), and Are the same conductor layer 2 and are electrically connected to each other. Therefore, for example, the conduction resistance in the supply of the power supply or ground potential to the conductor layer 2 as the shielding layer from the connection pad 5 for power supply or ground is effectively reduced, and the potential of the power supply or ground (or both power supply and ground) is reduced. Can be more stable.

導体層2は、銅、銀、パラジウム、金、白金、タングステン、モリブデンまたはマンガン等の金属材料、もしくはこれらの金属材料を複数含む混合材料または合金材料によって形成されている。また、導体層2は、メタライズ層、めっき層または蒸着層等の形態で、絶縁基板1上に形成されている。   The conductor layer 2 is made of a metal material such as copper, silver, palladium, gold, platinum, tungsten, molybdenum or manganese, or a mixed material or alloy material containing a plurality of these metal materials. The conductor layer 2 is formed on the insulating substrate 1 in the form of a metallized layer, a plating layer, a vapor deposition layer, or the like.

導体層2は、例えば銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末に有機溶剤およびバインダを添加して作製した金属ペーストを、絶縁基板1となるセラミックグリーンシートの表面に印刷した後、この印刷したセラミックグリーンシートの表面が最下面になるように複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成することによって形成することができる。   If the conductor layer 2 is made of, for example, a copper metallized layer, a metal paste produced by adding an organic solvent and a binder to copper powder is printed on the surface of the ceramic green sheet to be the insulating substrate 1, The printed ceramic green sheet can be formed by laminating and firing a plurality of ceramic green sheets so that the surface of the ceramic green sheet becomes the lowermost surface.

また、内部導体についても、導体層2と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。内部導体となる金属ペーストは、複数のセラミックグリーンシートのうち積層されたときに内層になるものの表面等に印刷する。内部導体のうち貫通導体8は、あらかじめセラミックグリーンシートに貫通孔を設けておき、この貫通孔内に上記のような金属ペーストを充填して焼成することによって形成することができる。貫通孔は、例えば、機械的な打ち抜き加工またはレーザ加工等の方法でセラミックグリーンシートに孔あけして形成することができる。   The internal conductor can also be formed by the same method using the same material as the conductor layer 2. The metal paste serving as the inner conductor is printed on the surface of the ceramic green sheet that becomes the inner layer when laminated. The through conductor 8 among the internal conductors can be formed by providing a through hole in a ceramic green sheet in advance, filling the through hole with the above metal paste, and firing it. The through hole can be formed by punching the ceramic green sheet by a method such as mechanical punching or laser processing.

絶縁層3は、例えば、絶縁基板1と同様のセラミック材料からなり、絶縁基板1との同時焼成によって形成されている。絶縁層3が、絶縁基板1と同様のガラスセラミック質焼結体からなる場合であれば、まず、絶縁基板1と同様のガラスセラミック材料を有機溶剤およびバインダとともに混練してセラミックペーストを作製する。次に、このセラミックペーストを絶縁基板1となるセラミックグリーンシート、およびそのセラミックグリーンシートに印刷した金属ペーストを被覆するようにスクリーン印刷法等により印刷し、その後焼成する。以上の工程によって絶縁層3を形成することができる。   The insulating layer 3 is made of, for example, the same ceramic material as the insulating substrate 1 and is formed by simultaneous firing with the insulating substrate 1. If the insulating layer 3 is made of a glass ceramic sintered body similar to that of the insulating substrate 1, first, a glass ceramic material similar to that of the insulating substrate 1 is kneaded with an organic solvent and a binder to produce a ceramic paste. Next, this ceramic paste is printed by a screen printing method or the like so as to cover a ceramic green sheet to be the insulating substrate 1 and a metal paste printed on the ceramic green sheet, and then fired. The insulating layer 3 can be formed by the above steps.

絶縁層3の開口部4は、絶縁層3となるセラミックペーストを印刷する際に、スクリーン印刷用の版面等の印刷パターンの一部に非印刷部分を設けておくことによって形成することができる。また、セラミックグリーンシートを用意し、絶縁層3の開口部4となる部位に貫通孔を設け、導体層2の表面に積層して形成してもよい。   The opening 4 of the insulating layer 3 can be formed by providing a non-printing part in a part of a printing pattern such as a screen printing plate when printing a ceramic paste to be the insulating layer 3. Alternatively, a ceramic green sheet may be prepared, and a through hole may be provided in a portion to be the opening 4 of the insulating layer 3 and laminated on the surface of the conductor layer 2.

なお、絶縁層3は、必ずしも絶縁基板1と同様の材料からなるものである必要はなく、例えば絶縁基板1とはガラス成分の種類または含有量等が異なるセラミック材料からなるものでもよく、有機材料からなるものであってもよい。   The insulating layer 3 is not necessarily made of the same material as that of the insulating substrate 1. For example, the insulating layer 3 may be made of a ceramic material that is different from the insulating substrate 1 in the type or content of the glass component. It may consist of.

導体層2について、絶縁層3の開口部4で露出した一部における厚みを他の部分よりも厚くするには、例えば、絶縁層3を導体層2上に形成した後、絶縁層3の上方から加圧することで、絶縁層3の下部の導体層2の厚みを薄くすればよい。加圧した際に、導体層2が平面方向に広がるため、あらかじめ電位の異なる導体層2間の距離(クリアランス)を大きくしておくことで、電気的に短絡することを防ぐことが可能である。   In order to make the thickness of a part of the conductor layer 2 exposed at the opening 4 of the insulating layer 3 thicker than that of the other part, for example, after the insulating layer 3 is formed on the conductor layer 2, The thickness of the conductor layer 2 below the insulating layer 3 may be reduced by applying pressure. When the pressure is applied, the conductor layer 2 spreads in the plane direction. Therefore, it is possible to prevent an electrical short circuit by increasing the distance (clearance) between the conductor layers 2 having different potentials in advance. .

また、導体層2となる金属ペーストの印刷厚みを、絶縁層3の開口部4に対応した部分において他の部分よりも厚くすればよい。このように印刷厚みを部分的に異ならせるには、例えば、印刷厚みを比較的厚くする部分において他の部分よりも印刷回数を多くすればよい。   Moreover, what is necessary is just to make the printing thickness of the metal paste used as the conductor layer 2 thicker than the other part in the part corresponding to the opening part 4 of the insulating layer 3. FIG. In order to make the printing thickness partially different in this way, for example, the number of times of printing may be increased in the portion where the printing thickness is relatively thicker than in other portions.

例えば、図1(b)および図2の例において、絶縁基板1の下面の導体層2は、絶縁層3の開口部4で露出している一部において、絶縁基板1の主面に順次設けられた第1金属層6および第2金属層7からなる。これは、第1金属層6となる金属ペーストと、第2金属層7となる金属ペーストとが順次、母基板1となるセラミックグリーンシートに印刷され、焼成された結果である。つまり、絶縁層3の開口部4に対応した部分における金属ペーストの印刷回数が、他の部分における金属ペーストの印刷回数よりも多い。   For example, in the example of FIGS. 1B and 2, the conductor layer 2 on the lower surface of the insulating substrate 1 is sequentially provided on the main surface of the insulating substrate 1 in a part exposed at the opening 4 of the insulating layer 3. The first metal layer 6 and the second metal layer 7 are formed. This is a result of the metal paste that becomes the first metal layer 6 and the metal paste that becomes the second metal layer 7 being sequentially printed on the ceramic green sheet that becomes the mother substrate 1 and fired. That is, the number of times of printing of the metal paste in the portion corresponding to the opening 4 of the insulating layer 3 is greater than the number of times of printing of the metal paste in other portions.

なお、第1および第2金属層6、7について、接続パッド5としての強度を確保する上では、それぞれの厚みが約25μm以上であることが望ましい。また、配線基板の反り等の変形を抑制する上では、それぞれの厚みが約100μm以下であることが望ましい。また、
第1および第2金属層6、7の合計の厚み、つまり接続パッド5としての導体層2の厚みは、約50μm以上であることが望ましく、配線基板の反り等の変形を抑制する上では約150μm以下であることが望ましい。
The first and second metal layers 6 and 7 preferably have a thickness of about 25 μm or more in order to ensure the strength as the connection pad 5. Further, in order to suppress deformation such as warping of the wiring board, each thickness is preferably about 100 μm or less. Also,
The total thickness of the first and second metal layers 6, 7, that is, the thickness of the conductor layer 2 as the connection pad 5 is desirably about 50 μm or more, and is about about for suppressing deformation such as warping of the wiring board. It is desirable that it is 150 μm or less.

また、絶縁層3の開口部4で露出する部位において、スクリーン印刷に使用する製版のメッシュ開口径を大きくしておいてもよい。この場合、印刷回数を増やす必要がないため、生産性が高い。   Further, the mesh opening diameter of the plate making used for screen printing may be increased in the portion exposed at the opening 4 of the insulating layer 3. In this case, productivity is high because there is no need to increase the number of times of printing.

上記のように、導体層2の厚みが薄くなる部分を設けることによって、セラミックグリーンシートに印刷した際に、セラミックグリーンシートが変形してしまうことを防ぐこともできる。すなわち、セラミックグリーンシートが薄い場合、導体層2の厚みが薄いほど、印刷時にかかる応力による変形や、金属ペーストの重量による変形を低減させることができる。   As described above, by providing a portion where the thickness of the conductor layer 2 is reduced, it is possible to prevent the ceramic green sheet from being deformed when printed on the ceramic green sheet. That is, when the ceramic green sheet is thin, as the conductor layer 2 is thinner, deformation due to stress applied during printing and deformation due to the weight of the metal paste can be reduced.

なお、例えば図2に示すように、一つの導体層2に対して絶縁層3に複数の開口部4が設けられている場合には、その複数の開口部4のそれぞれについて、開口部4と重なる部分における導体層2の厚みが、その周囲の絶縁層3と重なる導体層2の厚みよりも厚くなっている。すなわち、導体層2は、複数の接続パッド5(5a)となっている部分毎に、その周囲の部分よりも厚くなっている。このように導体層2のうち厚みが比較的厚い部分の範囲が、接続パッド5としての接続強度等を向上させる上で必要な範囲に限定されているため、導体層2全体の厚みが不要に厚くなることが抑制されている。そのため、絶縁基板1を含む配線基板としての反り等の変形が効果的に抑制されている。   For example, as shown in FIG. 2, when a plurality of openings 4 are provided in the insulating layer 3 for one conductor layer 2, each of the plurality of openings 4 and the openings 4 and The thickness of the conductor layer 2 in the overlapping portion is thicker than the thickness of the conductor layer 2 overlapping the surrounding insulating layer 3. That is, the conductor layer 2 is thicker than the surrounding portions for each of the portions serving as the plurality of connection pads 5 (5a). Thus, since the range of the relatively thick portion of the conductor layer 2 is limited to the range necessary for improving the connection strength and the like as the connection pad 5, the entire thickness of the conductor layer 2 is unnecessary. Thickening is suppressed. Therefore, deformation such as warping as a wiring board including the insulating substrate 1 is effectively suppressed.

また、導体層2について、複数の接続パッド5毎に厚みが他の部分よりも厚くなっているため、導体層2と絶縁層3との接合面が、接続パッド5それぞれの外周部分において縦断面視で湾曲した形状になるため、この外周部分に水平方向に作用する熱応力に対して接続信頼性を高める効果も得ることができる。   In addition, since the conductor layer 2 is thicker than the other portions for each of the plurality of connection pads 5, the bonding surface between the conductor layer 2 and the insulating layer 3 is a longitudinal section at the outer peripheral portion of each connection pad 5. Since the shape is curved as viewed, it is possible to obtain an effect of improving connection reliability against thermal stress acting in the horizontal direction on the outer peripheral portion.

また、図1(b)および図2の例においては、平面透視において第2金属層7の外周が絶縁層3の開口部4よりも外側に位置している。第2金属層7が開口部4よりも外側に広がっていることにより、例えば絶縁基板1の下面における電源または接地等の電位になる導体層2の面積がより広くなり、配線基板10の内部導体または配線基板10に搭載される電子部品等と外部電気回路との間の電磁的な遮蔽(ノイズの低減)がより効果的に行なわれるようになる。   Further, in the example of FIG. 1B and FIG. 2, the outer periphery of the second metal layer 7 is located outside the opening 4 of the insulating layer 3 in a plan view. Since the second metal layer 7 spreads outward from the opening 4, for example, the area of the conductor layer 2 that becomes a potential such as a power supply or ground on the lower surface of the insulating substrate 1 is increased, and the internal conductor of the wiring substrate 10 is increased. Alternatively, electromagnetic shielding (noise reduction) between the electronic component mounted on the wiring board 10 and the external electric circuit is more effectively performed.

また、導体層2のうち第2金属層7のみが広がっている部分は、第1および第2金属層6、7の2層の部分(接続パッド5となっている部分)に比べて厚みが小さい。そのため、絶縁基板1と導体層2との間に生じる熱応力等の応力を小さく抑えることが容易であり、この応力による絶縁基板1の変形もより効果的に抑制できる。したがって、この場合には、接続パッド2における外部接続の信頼性が高く、かつ絶縁基板1の変形も抑制された配線基板を提供することができる。   Further, the portion of the conductor layer 2 where only the second metal layer 7 spreads is thicker than the two-layer portion of the first and second metal layers 6 and 7 (portion serving as the connection pad 5). small. Therefore, it is easy to suppress a stress such as a thermal stress generated between the insulating substrate 1 and the conductor layer 2 to be small, and the deformation of the insulating substrate 1 due to this stress can be more effectively suppressed. Therefore, in this case, it is possible to provide a wiring substrate in which the external connection reliability in the connection pad 2 is high and the deformation of the insulating substrate 1 is suppressed.

また、図1(b)および図2の例では、第2金属層7が開口部4よりも外側に延びていたが、第1金属層6が開口部の外周よりも外側に延びていて、第2金属層7は平面視で開口部4内に収まっていても構わない。この場合には、第1金属層6によって、配線基板と外部電気回路との電磁的な遮蔽の効果が高められる。また、絶縁基板1の変形も抑制される。すなわち、導体層2が第1金属層6および第2金属層7からなる場合、第1金属層6および第2金属層7のうちいずれが開口部4よりも外側に延びていてもよい。   Moreover, in the example of FIG.1 (b) and FIG. 2, although the 2nd metal layer 7 was extended outside the opening part 4, the 1st metal layer 6 was extended outside the outer periphery of the opening part, The second metal layer 7 may be accommodated in the opening 4 in plan view. In this case, the first metal layer 6 enhances the electromagnetic shielding effect between the wiring board and the external electric circuit. Further, deformation of the insulating substrate 1 is also suppressed. That is, when the conductor layer 2 includes the first metal layer 6 and the second metal layer 7, either the first metal layer 6 or the second metal layer 7 may extend outward from the opening 4.

なお、接続パッド2における外部接続の信頼性をより高くする上では、第2金属層7が開口部4の外周よりも外側に延びている形態(図1および図2の例等)の方が、より高い効果が得られる可能性が高い。すなわち、第2金属層7が開口部4の外周よりも外側に延びている場合には、配線基板と外部回路基板との間に生じる熱応力が、比較的広い第2金属層7に分散して緩和される。そのため、熱応力による、接続パッド5と絶縁基板1の接合界面、およびその界面付近の接続パッド5または絶縁基板1における機械的な破壊がより効果的に抑制される。   In order to further increase the reliability of the external connection in the connection pad 2, the configuration in which the second metal layer 7 extends outward from the outer periphery of the opening 4 (examples of FIGS. 1 and 2) is better. There is a high possibility that a higher effect will be obtained. That is, when the second metal layer 7 extends outward from the outer periphery of the opening 4, the thermal stress generated between the wiring board and the external circuit board is dispersed in the relatively wide second metal layer 7. Is alleviated. Therefore, mechanical destruction of the bonding interface between the connection pad 5 and the insulating substrate 1 and the connection pad 5 near the interface or the insulating substrate 1 due to thermal stress is more effectively suppressed.

また、本実施形態の配線基板10において、第2金属層7は、隣り合う接続パッド5同士の間で互いに連結し合うように延びているものを含んでいる。第2金属層7を介して互いに連結された接続パッド5同士は、互いに同じ電位となる部分であり、例えば電源用または接地用の接続パッド5である。   Further, in the wiring board 10 of the present embodiment, the second metal layer 7 includes the one extending so as to be connected to each other between the adjacent connection pads 5. The connection pads 5 connected to each other via the second metal layer 7 are portions having the same potential as each other, for example, the connection pads 5 for power supply or ground.

この例のように、電源用または接地用の複数の接続パッド5同士が、それぞれの接続パッド5の一部を構成している第2金属層7を介して互いに連結されていることにより、電源または接地の電位がより安定になり、配線基板と外部電気回路との間のノイズの低減がより有効なものになる。また、接続パッド5同士を連結している第2金属層7の厚みが比較的小さいため、絶縁基板1の変形も効果的に抑制されている。また、接続パッド5同士が連結されていることにより、平面方向にかかる熱応力をより効率的に緩和することができる。   As in this example, a plurality of connection pads 5 for power supply or grounding are connected to each other via a second metal layer 7 constituting a part of each connection pad 5, thereby providing a power supply. Alternatively, the ground potential becomes more stable, and noise reduction between the wiring board and the external electric circuit becomes more effective. Moreover, since the thickness of the second metal layer 7 that connects the connection pads 5 is relatively small, deformation of the insulating substrate 1 is also effectively suppressed. Further, since the connection pads 5 are connected to each other, the thermal stress applied in the plane direction can be more efficiently reduced.

接続パッド5同士が連結されている場合、絶縁基板1の主面に導体層2がバランス良く(例えば絶縁基板1の下面の中心に対して点対称状のパターンで)配置されることによって、導体層2と絶縁基板1の熱膨張係数の違い、および収縮率の違いのいずれか一方または両方に起因して生じる応力による配線基板10の反り(特に絶縁基板1の反り)をより低減することができる。   When the connection pads 5 are connected to each other, the conductor layer 2 is arranged on the main surface of the insulating substrate 1 in a balanced manner (for example, in a point-symmetric pattern with respect to the center of the lower surface of the insulating substrate 1). It is possible to further reduce the warpage of the wiring substrate 10 (particularly the warpage of the insulating substrate 1) due to the stress caused by one or both of the difference in thermal expansion coefficient between the layer 2 and the insulating substrate 1 and / or the difference in shrinkage rate. it can.

また、絶縁基板1の下面に設けられた複数の接続パッド5は、接地用パッド5a、電源用パッド5bおよび信号用パッド5cを含んでいる。信号用パッド5cの周囲に電源用パッド5bおよび接地用パッド5aが位置している。信号用パッド5cは、電源用パッド5bまたは接地用パッド5aの一部を構成している第2金属層7の開口部4の外周よりも外側に延びた部分で囲まれている。これにより、信号用パッド5cを通過する信号に対するノイズ低減の効果が向上している。   The plurality of connection pads 5 provided on the lower surface of the insulating substrate 1 include a grounding pad 5a, a power supply pad 5b, and a signal pad 5c. A power supply pad 5b and a ground pad 5a are located around the signal pad 5c. The signal pad 5c is surrounded by a portion extending outward from the outer periphery of the opening 4 of the second metal layer 7 constituting a part of the power supply pad 5b or the ground pad 5a. Thereby, the effect of noise reduction for the signal passing through the signal pad 5c is improved.

図4(b)に示す例において、信号用パッド5cに接続されている貫通導体8は、下面
透視において、接地用パッド5aに接続されている複数の貫通導体8で囲まれている。これはいわゆる疑似同軸貫通導体(ビア)構造であり、この貫通導体8が絶縁基板1の最下面の導体層2に接続されるので、信号用の貫通導体8および信号用パッド5cを通る高周
波信号の反射が低減される。したがって、特性インピーダンスが信号用パッド5c付近で変化することを抑制することができる。また、接地用パッド5a同士が連結し合うように延びている部分(本実施形態の例では第2金属層7のうち絶縁層3で被覆された部分)にも貫通導体8を接続することができるので、貫通導体8の配置の自由度が向上する。
In the example shown in FIG. 4B, the through conductor 8 connected to the signal pad 5c is surrounded by a plurality of through conductors 8 connected to the ground pad 5a when seen from below. This is a so-called pseudo coaxial through conductor (via) structure, and this through conductor 8 is connected to the lowermost conductor layer 2 of the insulating substrate 1, so that a high-frequency signal passing through the signal through conductor 8 and the signal pad 5c. Reflection is reduced. Therefore, it is possible to suppress the characteristic impedance from changing in the vicinity of the signal pad 5c. Further, the through conductor 8 can also be connected to a portion extending so that the ground pads 5a are connected to each other (in the example of the present embodiment, a portion covered with the insulating layer 3 in the second metal layer 7). Since this is possible, the degree of freedom of arrangement of the through conductors 8 is improved.

また、接続パッド5の絶縁基板1に対する接続強度を向上させるためには、下面透視において貫通導体8の端部と接続パッド5とが互いに重なっている方がよい。すなわち、このような場合には、貫通導体8を形成する金属材料によって接続パッド5に生じる熱応力を低減できる。複数の貫通導体8同士の間でそれぞれの端部の面積が互いに異なる場合は、より面積の大きいものが接続パッド5に接続されていると、より高い効果が期待できる。   Further, in order to improve the connection strength of the connection pad 5 to the insulating substrate 1, it is preferable that the end portion of the through conductor 8 and the connection pad 5 overlap each other when viewed from below. That is, in such a case, the thermal stress generated in the connection pad 5 by the metal material forming the through conductor 8 can be reduced. When the areas of the respective end portions are different between the plurality of through conductors 8, a higher effect can be expected when a larger area is connected to the connection pad 5.

ただし、図4(b)に示すように、隣り合う接続パッド5同士の間で、接続パッド5の一部を形成している第2金属層7が互いに連結するように延びている場合には、必ずしも貫通導体8と接続パッド5とが接続されていなくてもよい。これは、連結しているように延びている部分の金属層(第2金属層7等)によって、接続パッド5の絶縁基板1に対する接続強度が高められているためである。   However, as shown in FIG. 4B, when the second metal layer 7 forming a part of the connection pad 5 extends so as to be connected to each other between the adjacent connection pads 5. The through conductor 8 and the connection pad 5 are not necessarily connected. This is because the connection strength of the connection pad 5 to the insulating substrate 1 is enhanced by the metal layer (second metal layer 7 or the like) extending so as to be connected.

また、配線基板10に発熱量の高い電子部品が搭載される場合には、上記内部導体の一部としての貫通導体8以外にも放熱用の貫通導体8が設けられていてもよい。このような放熱用の貫通導体8の場合には、その端部と導体層2との接続部分は、導体層2の厚みが比較的厚い部位であれば、放熱性をさらに向上させることが可能である。   Further, when an electronic component with a high calorific value is mounted on the wiring board 10, a heat radiating through conductor 8 may be provided in addition to the through conductor 8 as a part of the internal conductor. In the case of such a heat radiating through conductor 8, if the connecting portion between the end portion and the conductor layer 2 is a portion where the thickness of the conductor layer 2 is relatively thick, the heat dissipation can be further improved. It is.

複数の接続パッドが絶縁基板1の主面に縦横の並びに配列されている場合は、複数の接続パッドのうち、縦横の並びの角部分に位置するものは、熱応力が最大になる位置である。そのため、少なくともその角部分に位置する接続パッドについて、第1金属層6と第2金属層7とが重なっているものであるようにしてもよい。また、この場合には、第1の実施例のように、隣り合う接続パッド同士の間で接続パッドの一部(例えば第2金属層7)が互いに連結し合うように延びている方が好ましい。この例においては、縦横の並びの角部の接続パッドが非形成とされているが、この場合は、接続パッドが非形成とされた角部に隣接した接続パッドを角部分に位置するものとみなす。
In the case where the plurality of connection pads 5 are arranged vertically and horizontally on the main surface of the insulating substrate 1, among the plurality of connection pads 5 , those located at the corners of the rows and columns are the positions where the thermal stress is maximized. It is. Therefore, the first metal layer 6 and the second metal layer 7 may overlap at least with respect to the connection pad located at the corner portion. In this case, as in the first embodiment, a part of the connection pads 5 (for example, the second metal layer 7) extends so as to be connected to each other between the adjacent connection pads 5 . Is preferred. In this example, the connection pads 5 of the corner portion of the sequence of horizontal and vertical is a non-formed, in this case, the position of the connection pad 5 the connection pad 5 is adjacent to the corner portion which is a non-formed at the corner portion It is considered to be.

信号用パッド5cは、通常、一つの信号用パッド5c毎に異なる信号が伝送されるため、上記の電源用パッド5bおよび接地用パッド5a以上に、個々の接続パッド(信号用パッド)5における接続信頼性が高いことが求められる。したがって、複数の接続パッド5に信号用パッド5cが含まれる場合には、少なくとも信号用パッド5cにおいて、外部接続信頼性がより高い構成のものであることが望ましい。すなわち、少なくとも信号用パッド5cについて、第1金属層6と第2金属層7とからなるものであり、接続パッド5としての厚みが比較的厚いものであることが好ましい。   Since the signal pad 5c normally transmits a different signal for each signal pad 5c, the connection pads (signal pads) 5 are connected to the power pad 5b and the grounding pad 5a. High reliability is required. Therefore, when the signal pads 5c are included in the plurality of connection pads 5, it is desirable that at least the signal pads 5c have a higher external connection reliability. That is, it is preferable that at least the signal pad 5c is composed of the first metal layer 6 and the second metal layer 7, and the connection pad 5 is relatively thick.

(第2の実施形態)
図5(a)は本発明の第2の実施形態の配線基板を示す下面図であり、図5(b)は、図5(a)B−B線における要部拡大断面図である。第2の実施形態の配線基板は、絶縁基板1の下面における導体層2および絶縁層3の配置形態が第1の実施形態の配線基板10と異なり、これ以外の点については第1の実施形態の配線基板10と同様である。第1の実施形態と同様の点については説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 5A is a bottom view showing a wiring board according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5B is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line BB in FIG. The wiring board of the second embodiment is different from the wiring board 10 of the first embodiment in the arrangement form of the conductor layer 2 and the insulating layer 3 on the lower surface of the insulating board 1, and the other points are the first embodiment. This is the same as the wiring board 10 of FIG. A description of the same points as in the first embodiment will be omitted.

図5に示す例においては、絶縁基板1の下面の外周部に四角形状の複数の導体層2が設けられている。これらの複数の導体層2は、四角形状である絶縁基板1下面の外周の辺部分の中央部に配列されている。また、これらの複数の導体層2以外の部分において、絶縁基板1の下面の中央部から外周の角部分にかけて比較的面積が大きな一つの導体層2が設けられている。   In the example shown in FIG. 5, a plurality of rectangular conductor layers 2 are provided on the outer peripheral portion of the lower surface of the insulating substrate 1. The plurality of conductor layers 2 are arranged in the center of the side portion of the outer periphery of the lower surface of the insulating substrate 1 having a quadrangular shape. Further, in a portion other than the plurality of conductor layers 2, one conductor layer 2 having a relatively large area is provided from the central portion of the lower surface of the insulating substrate 1 to the corner portion of the outer periphery.

なお、実施形態1についての説明と同様に、これらの導体層2および絶縁層3について、図6および図7に分解して示している。すなわち、図6(a)は、図5に示す配線基板の下面の絶縁層3を示す下面図であり、図6(b)は図5に示す配線基板の下面の導体層2を示す下面図である。また、図7は、図6(b)の導体層2に図6(a)の絶縁層3が重ね合わされた状態を示す下面透視図である。図6(b)は、図5(a)の透視図とみなすこともできる。   Similar to the description of the first embodiment, the conductor layer 2 and the insulating layer 3 are shown in an exploded manner in FIGS. 6 and 7. 6A is a bottom view showing the insulating layer 3 on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. 5, and FIG. 6B is a bottom view showing the conductor layer 2 on the bottom surface of the wiring board shown in FIG. It is. FIG. 7 is a bottom perspective view showing a state in which the insulating layer 3 in FIG. 6A is superimposed on the conductor layer 2 in FIG. 6B. FIG. 6B can also be regarded as a perspective view of FIG.

図5〜図7に示すように、上記の各導体層2が、一つの絶縁層3によって被覆されている。絶縁層3には複数の開口部4が設けられている。この開口部4は、比較的大きな一つの導体層2に対しては複数個設けられている。また、比較的小さい複数の導体層2に対しては、一つまたは二つの開口部4が設けられている。複数の開口部4において露出した導体層2は、複数の接地用パッド5aを形成している。二つの開口部4において露出した導体層2は電源用パッド5bを形成している。一つの開口部4において露出した導体層2は信号用パッド5cを形成している。   As shown in FIGS. 5 to 7, each of the conductor layers 2 is covered with one insulating layer 3. The insulating layer 3 is provided with a plurality of openings 4. A plurality of openings 4 are provided for one relatively large conductor layer 2. One or two openings 4 are provided for a plurality of relatively small conductor layers 2. The conductor layer 2 exposed in the plurality of openings 4 forms a plurality of ground pads 5a. The conductor layer 2 exposed in the two openings 4 forms a power supply pad 5b. The conductor layer 2 exposed in one opening 4 forms a signal pad 5c.

また、それぞれの導体層2は、第1金属層6および第2金属層7からなる。第1金属層6は開口部4内に収まる形状および寸法であり、第2金属層7は、互いに同じ電位である接続パッド5(接地用パッド5a同士、電源用パッド5b同士)を連結するように延びている。これにより、第1の実施形態の場合と同様に、各接続パッド5の絶縁基板1に対する接合の強度および信頼性が向上している。そのため、外部接続の信頼性が高い配線基板を提供できる。   Each conductor layer 2 includes a first metal layer 6 and a second metal layer 7. The first metal layer 6 has a shape and size that can be accommodated in the opening 4, and the second metal layer 7 connects the connection pads 5 (the ground pads 5a and the power pads 5b) having the same potential. It extends to. Thereby, as in the case of the first embodiment, the strength and reliability of bonding of each connection pad 5 to the insulating substrate 1 is improved. Therefore, a wiring board with high reliability of external connection can be provided.

この第2の実施形態の配線基板においては、比較的大きい導体層2により互いに連結された複数の接地用パッド5aが形成されていることにより安定した接地電位が供給できる。また、二つの電源用パッド5bが互いに連結されていることにより電源の電位がより安定している。また、これらの接地用パッド5aおよび電源用パッド5bが信号用パッド5cの周りに配置されているので、信号用パッド5cに対するノイズ遮蔽の効果が高められている。   In the wiring board of the second embodiment, a plurality of ground pads 5a connected to each other by the relatively large conductor layer 2 are formed, so that a stable ground potential can be supplied. Further, since the two power supply pads 5b are connected to each other, the potential of the power supply is more stable. Further, since these grounding pad 5a and power supply pad 5b are arranged around the signal pad 5c, the effect of noise shielding on the signal pad 5c is enhanced.

第2の実施形態の配線基板においては、絶縁基板1(配線基板)と外部電気回路(基板9との間に生じる熱応力が大きい角部分に、比較的面積が大きい導体層2の一部である接地用パッド5a配置されているため、熱応力による配線基板10と外部電気回路との電気的な接続信頼性が高められている。   In the wiring substrate according to the second embodiment, a part of the conductor layer 2 having a relatively large area is formed at a corner portion where the thermal stress generated between the insulating substrate 1 (wiring substrate) and the external electric circuit (substrate 9) is large. Since a certain grounding pad 5a is arranged, the reliability of electrical connection between the wiring board 10 and the external electric circuit due to thermal stress is enhanced.

本発明の配線基板は、第1および第2の実施形態の例に限らず、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、導体層2についても絶縁基板1および絶縁層3と同様にガラスが含有されていてもよい。このガラス成分によって、導体層2と絶縁基板1および絶縁層3との接合の強度をさらに高めることもできる。   The wiring board of the present invention is not limited to the examples of the first and second embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, the conductor layer 2 may also contain glass as with the insulating substrate 1 and the insulating layer 3. This glass component can further increase the bonding strength between the conductor layer 2 and the insulating substrate 1 and insulating layer 3.

この場合、導体層2のうち接続パッド5を形成している一部におけるガラスの含有量が、絶縁基板1側において、絶縁基板1側と反対側、とくに接続パッド5の表面となる部分よりも大きいことが好ましい。これにより、導体層2の外部接続における導電性を高く確保しながら、絶縁基板1との接合強度を高めるとともに、接続パッド5の表面のめっき被着性、はんだ濡れ性を向上させることができる。   In this case, the glass content in a part of the conductor layer 2 forming the connection pad 5 is more on the side of the insulating substrate 1 than on the side opposite to the side of the insulating substrate 1, particularly on the surface of the connection pad 5. Larger is preferred. Thereby, while ensuring high electrical conductivity in the external connection of the conductor layer 2, the bonding strength with the insulating substrate 1 can be increased, and the plating adherence and solder wettability of the surface of the connection pad 5 can be improved.

導体層2のうち接続パッド5を形成している部分(第1および第2金属層6、7)について、第1金属層6において第2金属層7の方がガラス成分の含有率が大きければ、導体層2のうち接続パッド5を形成している一部におけるガラスの含有量が、絶縁基板1側においてこれと反対側よりも大きい構成が容易に実現できる。この場合、図8に示すように、第1金属層6が、絶縁層3の開口部4よりも外側に延びていてもよい。開口部4において露出した、ガラス成分の含有率が比較的小さい第2金属層7におけるはんだの濡れ性が良好に確保され、第1金属層6によって接続パッド5の絶縁基板1に対する接合の強度が高められている。なお、図8は、図1に示す配線基板の変形例を示す断面図である。図8において図1と同様の部位には同様の符号を付している。   Regarding the portion of the conductor layer 2 where the connection pad 5 is formed (first and second metal layers 6 and 7), if the second metal layer 7 in the first metal layer 6 has a higher glass component content, The structure in which the glass content in a part of the conductor layer 2 forming the connection pad 5 is larger on the insulating substrate 1 side than on the opposite side can be easily realized. In this case, as shown in FIG. 8, the first metal layer 6 may extend outward from the opening 4 of the insulating layer 3. The wettability of the solder in the second metal layer 7 exposed in the opening 4 and having a relatively small glass component content is ensured, and the bonding strength of the connection pad 5 to the insulating substrate 1 is enhanced by the first metal layer 6. Has been enhanced. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a modification of the wiring board shown in FIG. In FIG. 8, the same parts as those in FIG.

なお、導体層2に含有されるガラス成分としては、例えば絶縁基板1または絶縁層3に含有されているガラス成分と同様の材料(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)が挙げられる。導体層2におけるガラス成分の含有率は、例えば絶縁基板1側において5〜20質量%程度に設定され、これと反対側において0〜5質量%程度に設定されていればよい。   In addition, as a glass component contained in the conductor layer 2, the material (silicon oxide, aluminum oxide, etc.) similar to the glass component contained in the insulated substrate 1 or the insulating layer 3, for example is mentioned. The content rate of the glass component in the conductor layer 2 should just be set, for example to about 5-20 mass% on the insulated substrate 1 side, and may be set to about 0-5 mass% on the opposite side.

また、以上の説明では、主として、絶縁基板1の下面に設けられた外部接続用の接続パッド5(導体層2)について説明したが、絶縁基板1の上面に設けられた電子部品接続用等の接続パッド5(導体層2)に対しても上記と同様の構成が適用されていても構わない。   In the above description, the connection pads 5 (conductor layer 2) for external connection provided on the lower surface of the insulating substrate 1 have been mainly described. However, for connecting electronic components provided on the upper surface of the insulating substrate 1, etc. The same configuration as described above may be applied to the connection pad 5 (conductor layer 2).

また、図9(a)および(b)に示すように、導体層2が第1および第2金属層6、7を含む構成において、絶縁層3が導体層4を被覆している部分において、平面透視で絶縁層3の少なくとも一部と重なる補助絶縁層3Aが、隣り合う第1金属層6の間に設けられていてもよい。なお、図9(a)は図2の変形例を示す要部拡大断面図であり、図9(b)は図2の他の変形例を示す要部拡大断面図である。図9において図1および図2と同様の部位には同様の符号を付している。   Further, as shown in FIGS. 9A and 9B, in the configuration in which the conductor layer 2 includes the first and second metal layers 6 and 7, in the portion where the insulating layer 3 covers the conductor layer 4, An auxiliary insulating layer 3 </ b> A that overlaps at least part of the insulating layer 3 in plan view may be provided between the adjacent first metal layers 6. 9A is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a modification of FIG. 2, and FIG. 9B is an enlarged cross-sectional view of the main part showing another modification of FIG. 9, parts similar to those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.

れらの例における補助絶縁層3Aは、その厚み方向の一部が外周部分において外側に延びている。この延びた部分(符号なし)が上下の第1および第2金属層6、7の間に挟まれている。この場合には、絶縁層3と導体層2との接合界面が入り組んだ形状になり、互いの接合面積がより大きくなるとともに、接合面の一部が熱応力の作用する方向と交差するようになる。そのため、接続パッド5の絶縁基板1に対する接続信頼性がより高い配線基板等の提供が可能になる。 Auxiliary insulating layer 3A in the example of these extends outwardly in part the outer peripheral portion of the thickness direction. This extended portion (not shown) is sandwiched between the upper and lower first and second metal layers 6 and 7. In this case, the joining interface between the insulating layer 3 and the conductor layer 2 is intricately shaped, the joining area of each other becomes larger, and a part of the joining surface intersects the direction in which the thermal stress acts. Become. Therefore, it is possible to provide a wiring board or the like with higher connection reliability of the connection pads 5 to the insulating substrate 1.

図9(a)に示す例においては、第1金属層6の外周が、第2金属層7の外周よりも外側に位置している。そのため、大きな熱応力かかる接続パッド5aの外周部における導体層2の厚みをより大きくして、熱応力をより効果的に低減させることができる。   In the example shown in FIG. 9A, the outer periphery of the first metal layer 6 is located outside the outer periphery of the second metal layer 7. Therefore, it is possible to increase the thickness of the conductor layer 2 in the outer peripheral portion of the connection pad 5a to which a large thermal stress is applied, and to reduce the thermal stress more effectively.

図9(b)に示す例においては、第1金属層6の外周部が絶縁基板1の内部に埋設されている。そのため、第1金属層6と絶縁基板1との間でいわゆるアンカー効果がより大きくなる。したがって、接続パッドの絶縁基板1に対する接合強度をさらに向上させることができる。   In the example shown in FIG. 9B, the outer peripheral portion of the first metal layer 6 is embedded in the insulating substrate 1. Therefore, a so-called anchor effect is further increased between the first metal layer 6 and the insulating substrate 1. Therefore, the bonding strength of the connection pad to the insulating substrate 1 can be further improved.

1・・・絶縁基板
2・・・導体層
3・・・絶縁層
4・・・開口部
5・・・接続パッド
5a・・接地用パッド
5b・・電源用パッド
5c・・信号用パッド
6・・・第1金属層
7・・・第2金属層
8・・・貫通導体
10・・・配線基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate 2 ... Conductor layer 3 ... Insulating layer 4 ... Opening 5 ... Connection pad 5a ... Ground pad 5b ... Power supply pad 5c ... Signal pad 6 ..First metal layer 7 ... second metal layer 8 ... penetrating conductor
10 ... wiring board

Claims (6)

主面を有する絶縁基板と、
該絶縁基板の前記主面に設けられた導体層と、
前記絶縁基板の前記主面および前記導体層の全体を被覆しているとともに、前記導体層の一部が露出した複数の開口部を有し、該複数の開口部において露出した前記導体層の前記一部が複数の接続パッドを形成している絶縁層とを備えており、
前記絶縁層の前記複数の開口部のそれぞれと重なる前記導体層の前記一部は、その周囲の前記絶縁層と重なる部分よりも厚く、
前記導体層は、前記絶縁層の前記開口部で露出している前記一部において、前記絶縁基板の前記主面に順次設けられた第1金属層および第2金属層からなり、
厚み方向の一部の外周部分において外側に延びた部分が、前記第1金属層および前記第2金属層の間に挟まれている補助絶縁層を有しており、
前記絶縁基板および前記導体層および前記絶縁層にガラスが含有されており、
前記導体層のうち前記接続パッドを形成している前記一部における前記ガラスの含有量が、前記絶縁基板側において、該絶縁基板側と反対側よりも大きいことを特徴とする配線基板。
An insulating substrate having a main surface;
A conductor layer provided on the main surface of the insulating substrate;
The conductor layer covers the main surface of the insulating substrate and the entire conductor layer, and has a plurality of openings in which a part of the conductor layer is exposed, and the conductor layer exposed in the plurality of openings. And an insulating layer, a part of which forms a plurality of connection pads,
The portion of the conductor layer that overlaps each of the plurality of openings of the insulating layer is thicker than a portion that overlaps the surrounding insulating layer,
The conductor layer is composed of a first metal layer and a second metal layer sequentially provided on the main surface of the insulating substrate in the part exposed at the opening of the insulating layer,
A portion extending outward in a part of the outer peripheral portion in the thickness direction has an auxiliary insulating layer sandwiched between the first metal layer and the second metal layer ,
The insulating substrate and the conductor layer and the insulating layer contain glass,
The wiring board according to claim 1, wherein the glass content in the part of the conductor layer forming the connection pad is larger on the insulating substrate side than on the side opposite to the insulating substrate side .
面透視において、前記第1金属層および前記第2金属層のいずれか一方の外周が前記絶縁層の前記開口部よりも外側に位置していることを特徴とする請求項1記載の配線基板。 In the flat surface fluoroscopy, the wiring board according to claim 1, being located outside the said opening of one of the outer periphery of the first metal layer and the second metal layer is the insulating layer . 平面透視において、前記第2金属層の外周が、前記絶縁層の前記開口部よりも外側に位置していることを特徴とする請求項2記載の配線基板。 The wiring board according to claim 2, wherein an outer periphery of the second metal layer is located outside the opening of the insulating layer in a plan view. 前記第2金属層が、隣り合う前記接続パッド同士の間で互いに連結し合うように延びていることを特徴とする請求項3記載の配線基板。 4. The wiring board according to claim 3, wherein the second metal layer extends so as to be connected to each other between the adjacent connection pads. 前記接続パッドは、接地用パッド、電源用パッドおよび信号用パッドを含んでおり、
少なくとも前記信号用パッドにおいて、前記第1金属層と前記第2金属層とからなることを特徴とする請求項2記載の配線基板。
The connection pads include a ground pad, a power pad and a signal pad,
The wiring board according to claim 2, wherein at least the signal pad includes the first metal layer and the second metal layer.
前記複数の接続パッドが前記絶縁基板の前記主面に縦横の並びに配列されており、前記複数の接続パッドのうち前記縦横の並びの角部分に位置するものは、前記第1金属層および前記第2金属層からなることを特徴とする請求項2記載の配線基板。 The plurality of connection pads are arranged vertically and horizontally on the main surface of the insulating substrate, and the plurality of connection pads positioned at corner portions of the rows and columns are the first metal layer and the first metal layer. The wiring board according to claim 2, comprising two metal layers.
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