JP5978162B2 - 欠陥検査方法および欠陥検査装置 - Google Patents
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Description
本実施形態である走査型電子顕微鏡100は、ウェーハ107を載置するステージ106、電子銃102より放出された電子ビーム101を制御する照射光学系、試料上から放出される2次電子を検出する検出器108、検出信号の信号処理系より構成される。照射光学系は、電子銃102、および、電子ビーム101の経路上にあるコンデンサレンズ103、偏向コイル104、対物レンズ105により構成される。電子ビーム101はこの光学系によりウェーハ107上の観察対象である欠陥がある所定の領域で集光される。検出器108により検出された2次電子はA/Dコンバータ109によりデジタル信号に変換される。変換後のデジタル信号は画像処理部110に送られ、画像処理部110では、メモリ内に格納されたデジタル信号を必要に応じて取り出し、画像処理を行い、画像内の欠陥位置の検出等を行なう。111はステージコントローラを、112は電子光学系制御部を、113は装置全体の制御部であり、114は制御部に接続されている制御端末である。画像処理部110乃至、全体制御部113乃至、制御端末114へは記録媒体(図示せず)が接続可能となっており、画像処理部110で実行されるプログラムを、この記録媒体から読み出し、画像処理部110にロードできる構成となっている。
図15に図5の500の部分のステージ移動位置の生成手順を示す。まず、検査装置で検出された欠陥の欠陥位置(n)を情報として有する欠陥座標データを全体制御部113の外部入出力I/F(図示せず)を介して読み込む(S1500)。読み込んだ欠陥座標データから観察対象とするN点の欠陥について、1欠陥を1回訪れる条件の下で最小距離で巡る経路を決定する(S1501)。
Claims (28)
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中から選択することを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中で、かつ前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が最短距離となるチップを選択することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中で、かつ前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、予め定められた距離以上の距離で最短となるチップを選択することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップとすることを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、予め定められた距離未満あるいは以下の場合、前記参照画像の撮像を行うチップを前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップに隣接するチップから選択することを特徴とする請求項4記載の欠陥検査方法。
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記参照画像の撮像位置があるチップは、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置と前記参照画像の撮像位置の距離と、前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ後に撮像する欠陥位置の距離の和が最小となるようなチップとすることを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像位置があるチップは、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中から選択することを特徴とする請求項6記載の欠陥検査方法。
- 前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、
予め定められた距離未満あるいは以下の場合、前記参照画像の撮像を行うチップを前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップに隣接するチップから選択することを特徴とする請求項7記載の欠陥検査方法。 - 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記ステージ移動経路生成工程では、前記第1の撮像工程にて該参照画像の撮像を行うチップを、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと該隣接チップから選択することを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中で、かつ前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が最短距離となるチップを選択することを特徴とする請求項9記載の欠陥検査方法。
- 前記参照画像の撮像を行うチップを、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中で、かつ前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、予め定められた距離以上の距離で最短となるチップを選択することを特徴とする請求項9記載の欠陥検査方法。
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記ステージ移動経路生成工程では、前記第1の撮像工程にて該参照画像の撮像を行うチップを、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップとすることを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、予め定められた距離未満あるいは以下の場合、前記参照画像の撮像を行うチップを前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップに隣接するチップから選択することを特徴とする請求項12記載の欠陥検査方法。
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し工程と、
前記読み出し工程により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像工程と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像工程と、
前記第1の撮像工程により撮像された該参照画像と前記第2の撮像工程により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記欠陥位置特定工程にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像工程と、を備え、
前記読み出し工程により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え工程と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像工程と前記第2の撮像工程におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成工程と、を有し、
前記ステージ移動経路生成工程では、該参照画像の撮像位置があるチップは、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置と該参照画像の撮像位置の距離と、該参照画像の撮像位置と該参照画像の撮像の一つ後に撮像する欠陥位置の距離の和が最小となるようなチップとすることを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記参照画像の撮像位置があるチップは、前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと、その隣接チップの中から選択することを特徴とする請求項14記載の欠陥検査方法。
- 前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置の距離が、予め定められた距離未満あるいは以下の場合、前記参照画像の撮像を行うチップを前記参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップに隣接するチップから選択することを特徴とする請求項15記載の欠陥検査方法。
- 前記参照画像の撮像位置と前記参照画像の撮像の一つ後に撮像する欠陥位置の距離が、予め定められた距離未満あるいは以下の場合、前記参照画像の撮像の一つ後に撮像する欠陥位置においてSEMの焦点合わせを行わないことを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載の欠陥検査方法。
- 撮像相互間の距離と時間間隔に対する値を入力する工程を有することを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載の欠陥検査方法。
- 撮像相互間の距離と時間間隔から計算される評価値が、請求項18に記載の入力された距離と時間間隔より計算される基準値を満たすことを特徴とする請求項18記載の欠陥検査方法。
- 撮像相互間の距離と時間間隔の積が、請求項18に記載の入力された距離と時間間隔の積以上であることを特徴とする請求項18記載の欠陥検査方法。
- 撮像相互間の距離が、請求項18に記載の入力された距離以上、時間間隔が請求項18に記載の入力された時間間隔予以上であることを特徴とする請求項18記載の欠陥検査方法。
- 前記生成した経路をウェーハマップに表示する工程を有することを特徴とする請求項1乃至16のいずれかに記載の欠陥検査方法。
- 前記生成した経路が表示されている前記ウェーハマップに、欠陥撮像中の撮像位置を表示する工程を有することを特徴とする請求項22に記載の欠陥検査方法。
- 撮像相互間の距離と時間間隔に対する値を入力する工程を有し、前記生成した経路が表示されている前記ウェーハマップは、該撮像相互間の距離と時間間隔に対する入力値により前記生成した経路が変更されることを特徴とする請求項22記載の欠陥検査方法。
- 前記撮像が、走査型電子顕微鏡でされることを特徴とする請求項1乃至24のいずれかに記載の欠陥観察方法。
- 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し部と、
前記読み出し部により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像部と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像部と、
前記第1の撮像部により撮像された該参照画像と前記第2の撮像部により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定部と、
前記欠陥位置特定部にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像部と、を備え、
前記読み出し部により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え部と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像部と前記第2の撮像部におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成部と、を有し、
前記ステージ移動経路生成部では、前記第1の撮像部にて該参照画像の撮像を行うチップを、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップと該隣接チップから選択することを特徴とする欠陥検査装置。 - 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し部と、
前記読み出し部により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像部と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像部と、
前記第1の撮像部により撮像された該参照画像と前記第2の撮像部により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定部と、
前記欠陥位置特定部にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像部と、を備え、
前記読み出し部により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え部と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像部と前記第2の撮像部におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成部と、を有し、
前記ステージ移動経路生成部では、前記第1の撮像部にて該参照画像の撮像を行うチップを、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥の存在するチップとすることを特徴とする欠陥検査装置。 - 予め検査装置で検出された半導体ウェーハの複数の欠陥の位置を読み出す読み出し部と、
前記読み出し部により読み出された欠陥の観察像の撮像において該欠陥が存在するチップとは別のチップで参照画像を第1の倍率で撮像する第1の撮像部と、
該欠陥を含む第1の欠陥画像を第1の倍率で撮像する第2の撮像部と、
前記第1の撮像部により撮像された該参照画像と前記第2の撮像部により撮像された該第1の欠陥画像とを比較して該第1の欠陥画像上の欠陥位置を特定する欠陥位置特定部と、
前記欠陥位置特定部にて特定された該欠陥位置に基づいて該第1の倍率よりも高い第2の倍率で第2の欠陥画像を該欠陥の該観察画像として撮像する第3の撮像部と、を備え、
前記読み出し部により読み出した該複数の欠陥を重複無く一巡する経路順に並び替える並び替え部と、
該参照画像を撮像するチップを参照画像に対応する欠陥ごとに選択して、前記第1の撮像部と前記第2の撮像部におけるステージの移動位置を決定することによりステージ移動経路を生成するステージ移動経路生成部と、を有し、
前記ステージ移動経路生成部では、該参照画像の撮像位置があるチップは、該参照画像の撮像の一つ前に撮像した欠陥位置と該参照画像の撮像位置の距離と、該参照画像の撮像位置と該参照画像の撮像の一つ後に撮像する欠陥位置の距離の和が最小となるようなチップとすることを特徴とする欠陥検査装置。
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