JP5975282B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
1. 絶縁層を貫通して内層に配置された導体回路に到る非貫通穴を設け、この非貫通穴内に下地めっきと電気めっきとを形成する多層配線基板の製造方法であって、前記下地めっきを形成する工程と電気めっきを形成する工程との間に、脱脂工程と、次亜塩素酸処理工程と、酸洗浄工程と、を有する多層配線基板の製造方法。
2. 項1において、脱脂工程で用いる脱脂液が、アルカリ性の脱脂液である多層配線基板の製造方法。
3. 項1又は2において、次亜塩素酸処理工程で用いる次亜塩素酸水溶液が、12質量%次亜塩素酸ナトリウム溶液にして0.3〜1.2mL/Lの次亜塩素酸を含有する多層配線基板の製造方法。
4. 項1から3のいずれかにおいて、電気めっきをフィルドビアめっきとする多層配線基板の製造方法。
エッチングによって表層の銅箔にコンフォーマルマスクとなる窓孔を設け、この窓孔にレーザ光を照射して表層と内層の間に配置された絶縁樹脂を除去することで、表層から内層に到る非貫通穴(非貫通穴)を形成した後、この非貫通穴内に対して、レーザの加工残渣であるスミアを除去するデスミア処理、及び表層と内層を接続する下地めっきとして無電解銅めっきを行った多層配線基板を、5枚準備した。この多層配線基板は、板厚が0.2mm、サイズが300mm×500mm、配線層が4層である。無電解銅めっきはIVH(Interstitial Via Hole)用の非貫通穴内部及び多層配線基板表面にパラジウムコロイド触媒であるHS201B(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用して触媒核を付与後、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名。「CUST」は登録商標。)を使用して厚さ0.5μmの下地無電解めっき層を形成した。
実施例1と同様の多層配線基板を準備し、実施例1と同様のめっき前処理装置を用いて、めっき前処理を行った。めっき前処理のうち、次亜塩素酸処理液は、0.3mL/Lの12質量%次亜塩素酸ナトリウム水溶液を用い、設定温度25℃、5分の条件で次亜塩素酸処理を行った。これ以外は、実施例1と同様である。
実施例1と同様の多層配線基板を準備し、実施例1と同様のめっき前処理装置を用いて、めっき前処理を行った。めっき前処理のうち、次亜塩素酸処理液は、1.2mL/Lの12質量%次亜塩素酸ナトリウム水溶液を用い、設定温度25℃、5分の条件で次亜塩素酸処理を行った。これ以外は、実施例1と同様である。
実施例1と同様の多層配線基板を準備し、実施例1と同様のめっき前処理装置を用いて、めっき前処理を行った。めっき前処理のうち、次亜塩素酸処理工程及び水洗B工程を行わず、水洗A工程の後に酸洗浄工程を行った。これ以外は実施例1と同様である。
実施例1と同様の多層配線基板を準備し、実施例1と同様のめっき前処理装置を用いて、めっき前処理を行った。めっき前処理のうち、脱脂工程に酸性脱脂液PC−316(メルテックス株式会社製、商品名)を使用し、設定温度40℃、処理時間5分で処理を行った。これ以外は、実施例1と同様である。
実施例1と同様の多層配線基板を準備し、実施例1と同様のめっき前処理装置を用いて、めっき前処理を行った。めっき前処理のうち、次亜塩素酸処理液は、2.0mL/Lの12質量%次亜塩素酸ナトリウム水溶液を用い、設定温度25℃、5分の条件で次亜塩素酸処理を行った。これ以外は、実施例1と同様である。
Claims (4)
- 絶縁層を貫通して内層に配置された導体回路に到る非貫通穴を設け、この非貫通穴内に下地めっきと電気めっきとを形成する多層配線基板の製造方法であって、前記下地めっきを形成する工程と電気めっきを形成する工程との間に、脱脂工程と、次亜塩素酸処理工程と、酸洗浄工程と、を有する多層配線基板の製造方法。
- 請求項1において、脱脂工程で用いる脱脂液が、アルカリ性の脱脂液である多層配線基板の製造方法。
- 請求項1又請求項2において、次亜塩素酸処理工程で用いる次亜塩素酸水溶液が、12質量%次亜塩素酸水溶液にして0.3〜2.0mL/Lの次亜塩素酸ナトリウムを含有する多層配線基板の製造方法。
- 請求項1から3のいずれかにおいて、電気めっきをフィルドビアめっきとする多層配線基板の製造方法。
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