JP5975007B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板と半導体素子との間に溶融Sn系はんだ層を形成させる、溶融Sn系はんだ層形成工程と、
溶融Sn系はんだ層からの熱流が、基板面に対して略平行となる方向に移動するように溶融Sn系はんだを冷却して、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合する、接合工程と、
を含む、前記方法。
本発明は、半導体装置に関する。
本発明はまた、前記で説明した半導体装置を製造する方法に関する。
本発明の方法は、基板と半導体素子との間に溶融Sn系はんだ層を形成させる、溶融Sn系はんだ層形成工程(工程S1)を含むことが必要である。
本発明の方法は、溶融Sn系はんだ層からの熱流が、基板面に対して略平行となる方向に移動するように溶融Sn系はんだを冷却して、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合する、接合工程(工程S2)を含むことが必要である。
[半導体装置の作製]
Cu系基板(20×30 mm)上に、Sn系はんだ箔(Sn-3Ag-0.5Cu、10×10 mm、厚さ150 μm)を置き、その上に、パワー半導体素子(10×10 mm)を置いた。前記装置を、還元雰囲気下、330℃で1分間加熱して、Sn系はんだ箔を溶融させた。その後、半導体装置全体を、2分で25℃まで冷却した。これにより、溶融Sn系はんだを凝固させて、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合した。
前記の方法で作製された半導体装置を、素子への通電をon/offすることにより、素子発熱による温度サイクル試験(on/off時の温度差約80℃、1サイクル(cyc):約10 sec)を実施した。その後、半導体装置の熱抵抗を測定した。未処理の半導体装置の熱抵抗に対する熱抵抗の上昇率(%)算出した。熱サイクル数と熱抵抗上昇率との関係を図6に示す。
[半導体装置の作製]
Cu系基板(20×30 mm)上に、Sn系はんだ箔(Sn-3Ag-0.5Cu、10×10 mm、厚さ150 μm)を置き、その上に、パワー半導体素子(10×10 mm)を置いた。前記装置を、還元雰囲気下、330℃で1分間加熱して、Sn系はんだ箔を溶融させた。その後、基板の下面に冷却板(25℃、500×500 mm)を密着させ、溶融Sn系はんだ層からの熱流が基板面と垂直な方向で且つ基板の下面方向に移動するように、溶融Sn系はんだを冷却した。これにより、溶融Sn系はんだを凝固させて、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合した。
前記の方法で作製された半導体装置から、パワー半導体素子を除去して、Sn系はんだ層を露出させた。半導体装置の上面からSn系はんだ層を掘削して、Sn系はんだ組織の断面の試料を作製した。得られたSn系はんだ組織の断面の試料の走査型電子顕微鏡(SEM)画像を図7に示す。また、前記試料の一部分の後方散乱子回折(EBSD)画像を図8に示す。図8Aは、図7のSEM画像中、Aで示す領域の、図8Bは、図7のSEM画像中、Bで示す領域の、EBSD画像に対応する。
[半導体装置の作製]
Cu系基板(20×30 mm)上に、Sn系はんだ箔(Sn-3Ag-0.5Cu、10×10 mm、厚さ150 μm)を置き、その上に、パワー半導体素子(10×10 mm)を置いた。前記装置を、還元雰囲気下、2分で25℃まで加熱して、Sn系はんだ箔を溶融させた。その後、基板の側面から冷却ガスを噴出させ、溶融Sn系はんだ層からの熱流が基板面と平行な方向に移動するように溶融Sn系はんだを冷却した。これにより、溶融Sn系はんだを凝固させて、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合した。
比較例2と同様の方法により、EBSD画像を得た。得られたEBSD画像から、実施例の半導体装置のSn系はんだ層におけるSn結晶の(001)方位(C軸)は、基板面と略直交するように配向していた。
前記の方法で作製された実施例及び比較例2の半導体装置におけるSn系はんだ層の非弾性歪みを、コンピューターシミュレーション(Computer Aided Engineering, CAE)によって計算した。計算には、Abuqusのプログラムを用いた。実施例の半導体装置の結果を図9Aに、比較例2の半導体装置の結果を図9Bに、それぞれ示す。
11, 21…基板
12, 22…半導体素子
13, 23…Sn系はんだ層
A, B…後方散乱子回折(EBSD)の測定領域
C…デンドライトの軸
Claims (2)
- 基板と、該基板上に配置された半導体素子と、該基板と該半導体素子とを接合するように配置されたSn系はんだ層とを備え、Sn系はんだ層におけるSn結晶のC軸が、Sn系はんだ層の最大主応力方向と略直交するように配置される、半導体装置を製造する方法であって、
基板と半導体素子との間に溶融Sn系はんだ層を形成させる、溶融Sn系はんだ層形成工程と、
溶融Sn系はんだ層からの熱流が、基板面に対して略平行となる方向に移動するように溶融Sn系はんだを冷却して、基板と半導体素子との間をSn系はんだ層で接合する、接合工程と、
を含む、前記方法。 - 前記溶融Sn系はんだ層からの熱流が、溶融Sn系はんだ層の最大主応力方向と30〜50°の角度をなす方向に移動するように溶融Sn系はんだを冷却する、請求項1に記載の方法。
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