JP5971481B2 - プラズマクリーニング方法 - Google Patents
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Description
図1は、プラズマクリーニング装置20の構造を示す模式図である。プラズマクリーニング装置20は、プラズマを発生させる空間を提供する処理チャンバ11を具備する。処理チャンバ11内部の下方および上方には、カソードを兼ねた支持台12およびアノード13が対向配置して設けられている。処理チャンバ11の内部は、ガス導入口14を介してアルゴンやフルオロカーボンを供給するガス供給部19と接続されている。一方、処理チャンバ11の内部は、ガス排気口15を介して減圧ポンプ16と接続されている。
まず、処理チャンバ内に、回路素子を搬入する(S1)。図1を参照すると、処理チャンバ11の内部に配設された支持台12に、図略の密閉扉から、被処理物である回路素子(例えば半導体発光素子が固定されたマウント基板6)を載置する。次に、処理チャンバ11の密閉扉を閉じ、処理チャンバ内を密閉する(S2)。次に、排気バルブ22が全開の状態で、ガス排気口15を介して、減圧ポンプ16により処理チャンバ11内の排気を行う(S3)。
アルゴンに対するフルオロカーボンのモル比は、アルゴンを100モル%とした場合、50モル%以上であり、100モル%以上であることが好ましい。フルオロカーボンの比率が高くなるほど、フルオロカーボンに由来するプラズマ成分の密度が高くなるとともに分布が均一化され、化学的エッチングの効果とともに、アルゴンのプラズマによる物理的エッチングの効果も得られる。その結果、回路素子間におけるエッチングレートのばらつきが抑制される。
シロキサン等の汚染物の除去は、次のようなメカニズムによるものと考えられる。ここでは、フルオロカーボンとしてCF4を用いる場合を例にとって説明する。
Claims (1)
- 処理空間内に、汚染物が付着した回路素子を搬入する工程と、
前記処理空間内に、ガスを導入する工程と、
前記処理空間内に高周波の電界を発生させ、前記ガスのプラズマを生成させる工程と、
前記プラズマにより、前記汚染物が付着した回路素子をクリーニングする工程と、を有し、
前記ガスを導入する工程が、
(i)前記処理空間内に、アルゴンおよびフルオロカーボンを導入する第一工程と、
(ii)引き続き、前記処理空間内に、フルオロカーボンを導入せず、アルゴンを導入する第二工程と、を含み、
前記回路素子をクリーニングする工程が、
(i)前記第一工程において、前記回路素子をアルゴンおよびフルオロカーボンを含む混合ガスのプラズマによりクリーニングする第一処理と、
(ii)前記第二工程において、前記回路素子および前記処理空間をアルゴンのプラズマによりクリーニングする第二処理と、を有するプラズマクリーニング方法。
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