JP5970941B2 - 光反射積層体及び半導体発光装置 - Google Patents

光反射積層体及び半導体発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、光反射積層体及び該光反射積層体を用いた半導体発光装置に関する。
半導体発光装置の一つであるLED素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いLED素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型LEDパッケージ、即ち、アルミニウム等の金属製の基板(LED実装用基板)上に複数のLED素子を配置し、各LED素子の周りに光を所定方向に反射させる反射体(リフレクター)を配設する方式が多用されている。
例えば、特許文献1では、熱硬化性オルガノポリシロキサン、白色顔料、無機充填剤(但し、白色顔料を除く)、縮合触媒、所定のカップリング剤を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物で反射体を構成する光半導体ケースが提案されている。
また、特許文献2では、特定の熱硬化樹脂及び無機部材を含有するコーティング部材を所定部にコーティングして光の反射を高めるパッケージ成形体が提案されている。
特開2009−221393号公報 特開2005−136378号公報
これらの特許文献において白色顔料又は無機部材として実際に効果の確認が行われているのは酸化チタンを用いた場合のみであり、他の顔料又は無機部材を用いた場合の効果については具体的に開示されていない。
また、酸化チタンの屈折率はルチル結晶では約2.71、アナターゼ結晶においても約2.52と高いため、反射に用いる白色顔料又は無機部材には非常に有用な材料であるが、ルチル結晶では411nm付近、アナターゼ結晶においても波長387nm付近にて光の吸収が起こるため紫外光の反射を阻害する。さらに、光触媒作用に伴い樹脂の劣化を促進してしまうことがあり実用的ではない。
一方、酸化チタン以外の白色顔料、例えば酸化アルミニウムは紫外光を吸収しないが、屈折率は約1.76と低いため、酸化チタンと同等の可視光を反射するには膜厚を増やすか高充填化させなくてはならないため、実用的ではない。
また、広い波長域における高効率での光反射は、紫外光を利用する光学製品の発光効率の向上及び紫外光による劣化を防ぐ他に、紫外光により発色する色素と組み合わせることで照明やテレビ等の演色性を高めることが期待される。
以上から、本発明は、可視光領域の光だけでなく、波長400nm以下の紫外光に対しても高い反射特性を有する光反射積層体及び当該光反射積層体を具備する半導体発光装置を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記の本発明により当該目的を達成できることを見出した。すなわち、本発明は下記の通りである。
[1] 酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Aと、窒化ホウ素粒子、メラミンシアヌレート粒子、酸化アルミニウム粒子、及び酸化マグネシウム粒子の少なくともいずれかの非酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Bと、を有し、光入射側から樹脂組成物層B及び樹脂組成物層Aが順次形成されてなる光反射積層体。
[2] 前記非酸化チタン粒子が、窒化ホウ素粒子及びメラミンシアヌレート粒子の少なくともいずれかである[1]に記載の光反射積層体。
[3] 樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bのそれぞれの厚みが、50〜200μmである[1]又は[2]に記載の光反射積層体。
[4] さらに樹脂組成物層Bが設けられてなり、光入射側から樹脂組成物層B、樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bが順次形成されてなる[1]〜[3]のいずれかに記載の光反射積層体。
[5] 光半導体素子と、前記光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させる反射体とを基板上に有し、前記反射体の光反射面の少なくとも一部が[1]〜[4]のいずれかに記載の光反射積層体からなる半導体発光装置。
本発明によれば、可視光領域の光だけでなく、波長400nm以下の紫外光に対しても高い反射特性を有する光反射積層体及び当該光反射積層体を具備する半導体発光装置を提供することができる。
本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。 本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。 実施例1〜5及び比較例1の光反射積層体の波長300〜800nmの領域での反射率を示す図である。 比較例3,4の光反射積層体の波長300〜800nmの領域での反射率を示す図である。 比較例1,2,5の光反射体の波長300〜800nmの領域での反射率を示す図である。 比較例6の光反射体の波長300〜800nmの領域での反射率を示す図である。
[1.光反射積層体]
本発明の光反射積層体は、酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Aと、窒化ホウ素粒子、メラミンシアヌレート粒子、酸化アルミニウム粒子、及び酸化マグネシウム粒子の少なくともいずれかの非酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Bと、を有してなり、光入射側から樹脂組成物層B及び樹脂組成物層Aが順次形成されてなる。
光入射側にある樹脂組成物層Bに含有される粒子は非酸化チタン粒子であるため、酸化チタンのような紫外光の吸収がなく、紫外光が反射される。このため紫外光は、主に樹脂組成物層Bで反射することができる。また、樹脂組成物層B側である程度の紫外光が反射されるため、樹脂組成物層A側へ透過する紫外光が減少する。そのため、当該紫外光と下層に含有される酸化チタン粒子との反応による樹脂成分の劣化が抑制される。また、樹脂組成物層Bで反射せずに透過した可視光は、酸化チタン粒子を含む樹脂組成物層Aにて反射される。結果として、紫外領域から可視領域までの光の反射率を高くすることができる。
これに対し、樹脂組成物層Aが光入射側にある場合は、酸化チタン粒子による紫外光の吸収が起こるため、紫外光をほとんど反射させることができず、また透過しないため樹脂組成物層Bで反射させることもできない。また、光触媒作用に伴い樹脂の劣化を促進してしまう。
以下では、本発明の光反射積層体の各層について説明する。
(樹脂組成物層B)
樹脂組成物層Bは、窒化ホウ素粒子、メラミンシアヌレート粒子、酸化アルミニウム粒子、及び酸化マグネシウム粒子の少なくともいずれかの非酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなり、実質的に酸化チタン粒子を含有しない。
本発明に係る窒化ホウ素粒子は、六方晶構造(h−BN)、閃亜鉛鉱構造(c−BN)、ウルツ鉱構造(w−BN)、及び菱面体構造(r−BN)のいずれも適用可能であるが、鱗片状のいわゆる六方晶構造の窒化ホウ素粒子であることが耐熱性やコストの点から好ましい。
窒化ホウ素粒子の平均粒径は、0.1〜300μmであることが好ましく、0.1〜12μmであることがより好ましく、0.5〜2μmであることがさらに好ましい。当該平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値D50として求めることができる(以下に説明する他の粒子についても同様)。
窒化ホウ素粒子の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量部に対し、10〜300質量部であることが好ましく、20〜200質量部であることがより好ましく、25〜100質量部であることがさらに好ましい。なお、成形性を損なわない限りは、300部以上充填してもよい。
本発明に係るメラミンシアヌレートとは、メラミン分子とシアヌル酸分子が水素結合により平面状に配列し、化学式C6993で表わされる化合物のことをいい、例えば、下記式(1)又は式(2)のような構造式で表される。
メラミンシアヌレート粒子の製造方法は、特定の粒径を有するように製造することができれば、特に限定されず、従来公知の方法により製造することができ、例えば、特開平5−310716号公報、特開平7−149739号公報、及び特開平7−224049号公報の記載を参照して製造することができる。
メラミンシアヌレート粒子の製造方法の一例を挙げると、所定の配合割合でメラミン粉末及びシアヌル酸を、混合攪拌が可能な装置に投入し、混合しながら槽内温度を所定の温度に昇温させた後、当該槽内に、攪拌しながら水を徐々に添加して中和反応させると、白色の沈殿物が生成し、当該沈殿物を濾別し、乾燥及び顆粒化処理を行なうことにより、所望のメラミンシアヌレート粒子が得られる方法が挙げられる。
なお、メラミンシアヌレート粒子は、市販品としての入手も可能である。
メラミンシアヌレート粒子の平均粒径は、製造上及び反射特性の観点から0.1〜100μmであることが好ましく、0.2〜20μmであることがより好ましく、0.5〜4μmであることがさらに好ましい。
メラミンシアヌレート粒子の含有量は、樹脂成分100質量部に対し、5〜300質量部であることが好ましく、10〜200質量部であることがより好ましく、15〜150質量部であることがさらに好ましく、20〜115質量部であることが特に好ましい。なお、成形性を損なわない限りは、300質量部以上充填してもよい。
本発明に係る酸化アルミニウム粒子としては、α−アルミナ、γ−アルミナ等の種々の酸化アルミニウム粒子を使用することができる。アルミナの製造方法は、特定の粒径や純度を有するように製造することができれば、特に限定されず、従来公知の方法により製造することができる。例えば、酸化炎中などに金属アルミニウム粉末を投入する方法、アルミナ粉末を火炎中に投入して熔融させることにより球状化させた後に冷却固化する方法、これらの組み合わせ、アルミナをボールミル、振動ボールミル、ジェットミル、遊星ミルなどの一般的な粉砕機により粉砕する方法等が挙げられる。
酸化アルミニウム粒子の平均粒径は、0.1〜100μmであることが好ましく、0.1〜20μmであることがより好ましく、0.5〜10μmであることがさらに好ましい。
酸化アルミニウム粒子の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量部に対し、10〜600質量部であることが好ましく、30〜500質量部であることがより好ましく、45〜400質量部であることがさらに好ましい。
本発明に係る酸化マグネシウム粒子は、特定の粒径や純度を有するように製造することができれば、特に限定されず、従来公知の方法により製造することができる。例えば、水酸化マグネシウムあるいは炭酸マグネシウムを焼成して製造することができる。
酸化マグネシウム粒子の平均粒径は、0.1〜100μmであることが好ましく、0.1〜20μmであることがより好ましく、0.5〜10μmであることがさらに好ましい。
酸化マグネシウム粒子の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量部に対し、10〜500質量部であることが好ましく、20〜400質量部であることがより好ましく、40〜300質量部であることがさらに好ましい。
上記各粒子は、分散性を向上させる観点から、疎水化処理が施されていてもよい。疎水化処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、シリコーンオイル、脂肪酸、及び脂肪酸金属塩等が代表的に挙げられる。これらの中でも、分散性を向上させる効果が高いことから、シランカップリング剤、及びシリコーンオイルが好ましく用いられる。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン;環状シラザン;トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ヘキサデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物;γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物;等が挙げられる。
シリコーンオイルとしては、例えば、ジメチルポリシロキサン、メチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、及びアミノ変性シリコーンオイル等が挙げられる。これらの疎水化処理剤は、それぞれ単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
粒子を疎水化処理する方法としては、従来公知の方法であれば特に限定されず、例えば、乾式法及び湿式法等が挙げられる。具体的には、粒子を高速で撹拌しながら、疎水化処理剤を滴下または噴霧する乾式法;疎水化処理剤を有機溶媒に溶解し、当該有機溶媒を撹拌しながら粒子を添加する湿式法;等の方法が挙げられる。
樹脂組成物中の樹脂成分としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリシロキサン−有機ブロックコポリマー、ポリシロキサン−有機グラフトコポリマー、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する有機無機ハイブリッド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂でも、アクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン誘導体、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加物等のシクロオレフィン系樹脂、オレフィン−マレイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリオキシベンジレン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトンケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂(液晶樹脂)、ビニルモノマー等を単独あるいは共重合した樹脂、フッ素樹脂、ゴム状樹脂等の熱可塑性樹脂でもよい。
熱硬化性樹脂としては耐光性の観点からシリコーン樹脂(シリコーン変性樹脂を含む)が好ましい。熱可塑性樹脂としては耐光性の観点からノルボルネン重合体、ポリメチルペンテン樹脂、ポリプロピレン樹脂であることが好ましい。
ここで、上記シリコーン樹脂の硬化の種類としては付加型シリコーン、縮合型シリコーンがあり、構造としてはジメルシリコーン、メチルフェニルシリコーンなどが挙げられる。例えば、縮合型シリコーンとはメチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等の加水分解反応により得られる熱硬化性オルガノポリシロキサンである。
ノルボルネン重合体としては、例えば、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体もしくはノルボルネン構造を有する単量体と他の単量体との開環重合体又はそれらの水素化物;ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体もしくはノルボルネン構造を有する単量体と他の単量体との付加重合体又はそれらの水素化物;等を挙げることができる。これらの中で、ノルボルネン構造を有する単量体の開環(共)重合体水素化物は、成形性、耐熱性、低吸湿性、寸法安定性、軽量性等の観点から、特に好適に用いることができる。
ポリメチルペンテンとしては、例えば、4−メチルペンテン−1の単独重合体や、4−メチルペンテン−1と他のオレフィンとの共重合体等を挙げることができる。4−メチルペンテン−1と他のオレフィンとの共重合体としては、4−メチルペンテン−1と、α−オレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン、3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン等の炭素数2ないし20のα−オレフィンとの共重合体を挙げることができる。4−メチルペンテン−1と他のオレフィンとの共重合体を用いる場合には、該共重合体は、4−メチル−1−ペンテンを90モル%以上含んでいることが好ましい。
本発明では、例示したポリメチルペンテンの中でも、4−メチルペンテン−1の単独重合体を好ましく使用可能である。なかでも、重合平均分子量(Mw)が1000以上、特には、5000以上の4−メチルペンテン−1の単独重合体が好ましい。これらのポリメチルペンテンによれば、反射体とした場合のその耐熱性をさらに向上させることができる。なお、4−メチルペンテン−1の単独重合体の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
また、ノルボルネン重合体、ポリメチルペンテン樹脂は、三次元網目構造としてもよい。三次元網目構造では、耐熱性や、反射性能のさらなる向上が見込まれるため、例えば、紫外線架橋反応や電子線架橋反応を起こす架橋処理剤と反応させて、分子間を架橋させることで得ることができる。これ以外にも、紫外線架橋反応や電子線架橋反応を起こす架橋処理剤のモノマーを共重合せしめた共重合体を用いて三次元網目構造の樹脂を得ることもできる。
(樹脂組成物層A)
樹脂組成物層Aは、酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる。酸化チタン粒子は、ルチル型、アナターゼ型及びブルッカイト型のいずれでもよいが、ルチル型が好ましい。また、必要に応じて、酸化チタン粒子に表面処理を施して光触媒作用を低下させることで樹脂成分の劣化を抑えることが好ましい。表面処理剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、有機酸、ポリオール、シリコーン等が挙げられる。
酸化チタン粒子の平均粒径は、0.1〜20μmであることが好ましく、0.5〜5μmであることがより好ましい。
酸化チタン粒子の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量部に対し5〜500質量部であることが好ましく、20〜250質量部であることがより好ましい。
樹脂組成物層Aにおいて、樹脂組成物中の樹脂成分としては樹脂組成物層Bで挙げられたものを使用することができる。この場合、樹脂組成物層Aの樹脂成分は、樹脂組成物層Bで使用された樹脂成分と同一でも異なっていてもよい。
樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bのそれぞれの厚みは、50〜100μmであることが好ましく、75〜100μmであることがより好ましい。また、樹脂組成物層Aと樹脂組成物層Bとの厚みの比(樹脂組成物層A/樹脂組成物層B)は、1/3〜3であることが好ましく、1/2〜2であることがより好ましい。当該比が1〜2であることで、反射率を高く維持したまま膜厚を薄くすることができる。
なお、樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bには、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤等の添加剤を配合することができる。
本発明の光反射積層体がシート状の場合は、例えば下記のようにして製造することができる。
すなわち、樹脂成分となる原料及び酸化チタン粒子を含有する組成物を第一押出機より供給すると共に、樹脂成分となる原料及び非酸化チタン粒子を含有する組成物を第二押出機より供給し、第一、第二押出機を接続させている共押出ダイからシート状に共押出して、樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bが積層一体化された光反射積層体を製造することができる。
なお、本発明の光反射積層体は、3層以上の多層構成とすることができる。例えば、光入射側から、樹脂組成物層B、樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bが順次形成されてなる構成や、樹脂組成物層Bと樹脂組成物層Aとの間に透明の中間層を設けた構成としてもよい。
以上のような本発明の光反射積層体は、種々の用途に適用することができる。例えば、太陽電池の光反射シートやLEDを始めとした照明やテレビ用の光源の反射体として適用することができる。
[2.半導体発光装置]
本発明の半導体発光装置は、図1に例示するように、光半導体素子(例えばLED素子)10と、この光半導体素子10の周りに設けられ、光半導体素子10からの光を所定方向に反射させる反射体12とを基板14上に有してなる。そして、反射体12の光反射面の少なくとも一部(図1の場合は全部)が既述の本発明の光反射積層体で構成されてなる。
光半導体素子10は、放射光(一般に、白色光LEDにおいてはUV又は青色光)を放出する、例えば、AlGaAs、AlGaInP、GaP又はGaNからなる活性層を、n型及びp型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ(発光体)であり、例えば、一辺の長さが0.5mm程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線16を介して不図示の電極(接続端子)に接続されている。
反射体12の形状は、レンズ18の端部(接合部)の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図1の概略断面図においては、反射体12は、筒状体(輪状体)であり、反射体12のすべての端面が基板14の表面に接触、固定されている。
なお、反射体12の内面は、光半導体素子10からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい(図1参照)。
また、反射体12は、レンズ18側の端部を、当該レンズ18の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
反射体12は、図2に示すように、光反射面側だけを本発明の光反射積層体からなる光反射層12aとしてもよい。この場合、光反射層12aの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、500μm以下とすることが好ましく、300μm以下とすることがより好ましい。光反射層12aが形成される部材12bは、公知の耐熱性樹脂で構成することができる。
既述のように反射体12上にはレンズ18が設けられているが、これは通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、着色されることもある。
基板14と反射体12とレンズ18とで形成される空間部は、透明封止部であってよいし、必要により空隙部であってもよい。この空間部は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線16に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子10との接続部、及び/又は、電極との接続部からリード線16が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子10を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
この透光性及び絶縁性を与える材料(透明封止剤組成物)としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
以下に、図1に示す光半導体装置の製造方法の一例について説明する。
まず、上記本発明の反射材樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、所定形状の反射体12を成形する。その後、別途、準備した光半導体素子10、電極及びリード線16を、接着剤又は接合部材により基板14に固定し、さらに反射体12に基板14上に固定する。次いで、基板14及び反射体12により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ18を配設して、図1に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ18を載置してから、組成物を硬化させてもよい。
半導体発光装置の発光素子の発光色については特に限定はなく、白色光であってもよく、所望の発光色の半導体発光素子を用いることもできる。白色光を発色させるためには、赤色系の発光波長が610nm〜700nm、緑色系の発光波長が495nm〜565nm、青色系の発光波長が430nm〜490nmの3原色を発光するLEDチップを1個の発光素子内に内蔵して混色することにより白色光にしてもよいし、発光波長が400nm〜530nmの青色光を発光するLEDチップの表面に黄色に変換する発光色変換部材を設けてもよく、発光波長が400nmより短い紫外光を発光するLEDチップの表面にそれぞれ赤、緑、青に変換する発光色変換部材を設けてそれぞれの色に変換した光を混合することによっても白色光にすることもできる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、本実施例において使用した材料は下記の通りである。
(1)樹脂成分
・熱硬化性樹脂:シリコーン樹脂(SR7010A及びSR7010Bを質量比1:1で混合したもの:いずれも東レ・ダウコーニング(株)製)
・熱可塑性樹脂:ノルボルネン重合体(ZEONOR 1600:日本ゼオン(株)製)
・熱可塑性樹脂:ポリメチルペンテン(TPX RT−18 三井化学(株)製、分子量:MW50万〜60万)
・熱可塑性樹脂:ポリプロピレン(WF836DG3(住友化学(株)製)
(2)酸化チタン粒子:PFC−107(石原産業(株)製 ルチル型構造 平均粒径0.25μm)
(3)窒化ホウ素粒子:UHP−S1(昭和電工(株)製 鱗片状の六方晶構造、平均粒径1.5μm)
(4)メラミンシアヌレート粒子:MC−6000(日産化学(株)製、平均粒径2.0μm)
(5)酸化アルミニウム粒子:CB−P02(昭和電工(株)製 平均粒径2.0μm)
(6)酸化マグネシウム粒子:和光純薬工業(株)製 平均粒径0.2μm
[実施例1〜14、比較例1〜6]
樹脂100部数に対してフィラー(上記各種粒子)が45部数に配合された樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bが積層一体化された光反射積層体を作製した。実施例1〜14、比較例3、4の各層の形成は、樹脂組成物層A及びBを150℃、30秒、10MPaの条件でプレス成形後、樹脂組成物層A及びBを重ね合わせてロールで積層体とした。また、比較例1,2,5,6は単層構成とした。
なお、積層構造の組成及び膜厚は下記表1の通りである。また、「部数」とは、質量基準(質量部)を意味する。
作製した光反射積層体について、樹脂組成物層B側から光を照射し波長300〜800nmにおける光反射率を分光光度計UV−2550(島津製作所製)を使用して測定した。結果を下記表1及び図3〜6に示す。
表1より、すべての実施例で可視光領域における反射率が高く、また、紫外光領域(波長300〜400nm)での反射率も比較例に比べて非常に高い結果となった(実施例1〜5の結果を図3に示す)。
一方で、図4で示した、実施例に対して光入射側を反対とした比較例3、4では、紫外光領域での反射率が著しく低かった。また、図5で示した、単層構成とした比較例1、2、5は可視光領域、紫外光領域ともに反射率が低かった。さらに、図6で示した、単層構成で酸化チタン粒子と窒化ホウ素粒子とを混合した比較例6の場合も他の比較例と同様に紫外光領域での反射率は著しく低かった。
以上から、本発明の光反射積層体は、可視光領域だけでなく紫外光領域の光をも反射する半導体発光装置用の反射材に有用であるといえる。実施例及び表1の結果より、本発明の光反射積層体は特に薄膜時での光反射に適するといえる。
10・・・光半導体素子
12・・・光反射積層体
14・・・基板
16・・・リード
18・・・レンズ

Claims (5)

  1. ルチル型酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Aと、窒化ホウ素粒子、メラミンシアヌレート粒子、及び酸化マグネシウム粒子の少なくともいずれかの非酸化チタン粒子を含む樹脂組成物からなる樹脂組成物層Bと、を有し、
    光入射側から樹脂組成物層B及び樹脂組成物層Aが順次形成されてなる光反射積層体。
  2. 前記非酸化チタン粒子が、窒化ホウ素粒子及びメラミンシアヌレート粒子の少なくともいずれかである請求項1に記載の光反射積層体。
  3. 樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bのそれぞれの厚みが、50〜100μmである請求項1又は2に記載の光反射積層体。
  4. さらに樹脂組成物層Bが設けられてなり、光入射側から樹脂組成物層B、樹脂組成物層A及び樹脂組成物層Bが順次形成されてなる請求項1〜3のいずれか1項に記載の光反射積層体。
  5. 光半導体素子と、前記光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させる反射体とを基板上に有し、
    前記反射体の光反射面の少なくとも一部が請求項1〜4のいずれか1項に記載の光反射積層体からなる半導体発光装置。
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