JP5958243B2 - エンボス加工シミュレーション装置、エンボス加工シミュレーション方法、及びプログラム - Google Patents
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Description
さらに、前記プロファイルは、前記ハイトフィールドデータの注目点を含んだ局所領域において、ある方向に沿った凹凸形状について高さが最大となる点を極大点、前記極大点の両側のそれぞれで高さが最小となる点を極小点としたときに、前記注目点を通る1または複数の方向に関し、各方向の前記極大点の高さのうち最も大きい最大高さと、各方向の前記極小点間の間隔のうち最小のものである最小間隔とに応じて、エンボス加工に伴う前記注目点の高さの変化率を定めたものであり、前記シミュレーション手段は、前記ハイトフィールドデータの注目点を含んだ局所領域について、前記最大高さと前記最小間隔を算出し、前記プロファイルにおいて前記最大高さと前記最小間隔に対応する変化率分、前記注目点の高さを変化させることが望ましい。
これにより、エンボス加工時の凹凸形状の膨張または収縮の様子を、プロファイルを用いて簡易にシミュレーションできる。
これにより、エンボス加工時に、壁紙の樹脂層等が薄く、エンボス版の深さを再現できない部分の変形をシミュレーションできる。
これにより、樹脂の粘性等により実際には再現できない微細な凹凸形状をシミュレーションで除去したり、ある大きさの凹凸形状に注目してシミュレーションを実行できるようになる。
図1は、本実施形態のエンボス加工シミュレーション装置1のハードウエア構成を示す図である。
通信制御部14は、通信制御装置、通信ポート等を有し、ネットワーク等との通信を媒介する通信インタフェースであり、通信制御を行う。
表示部16は、例えば液晶パネル、CRTモニタ等のディスプレイ装置と、ディスプレイ装置と連携して表示処理を実行するための論理回路(ビデオアダプタ等)で構成され、制御部11の制御により入力された表示情報をディスプレイ装置上に表示させる。
バス18は、各部間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。
次に、図2を参照して、エンボス加工シミュレーション装置1による処理の全体の流れについて説明する。なお、エンボス加工シミュレーション装置1の制御部11は、図2に示す処理に関するプログラム及びデータを記憶部12から読み出し、これに基づいて各処理を実行する。
次に、図4を参照して、S3のエンボス加工シミュレーション処理の詳細について説明する。図4はエンボス加工シミュレーション処理について説明するフローチャートである。
図5(b)に示すように、エンボスロール21を樹脂層32に押し当てた際には、エンボスロール21の表面の深度が小さく圧力が高い部分(図中点線部分)、すなわちハイトフィールドデータの凹凸形状の低い部分から樹脂が押し出される。そして、押し出された樹脂は、圧力の低い部分、すなわちハイトフィールドデータの凹凸形状の高い部分に集まり、ハイトフィールドデータの凹凸形状の高い部分の圧力が上がる。エンボスロール21が樹脂層32から離れた後、樹脂を押さえつけるものが無くなるため、ハイトフィールドデータの凹凸形状の高い部分が上方に膨らみ圧力が下がる。この膨らみの変形により、エンボス加工後の凹凸形状とハイトフィールドデータの凹凸形状との間の誤差が大きくなることがある。
図5(c)に示すように、樹脂層32の高さが、エンボスロール21の表面の深度より小さい部分では、実際のエンボス加工の際に、エンボスロール21の表面が樹脂層32に当たらず、樹脂層32の変形が生じないためハイトフィールドデータの凹凸形状が反映されないことがある。
図5(d)に示すように、熱した樹脂層32にエンボスロール21を押し当てた後、短時間で樹脂層32の熱を取り除かないと、加工後に緩やかに冷えることにより、樹脂層32の高さが徐々に小さくなることがある。樹脂層32の熱はエンボスロール21を伝わって外部に逃げるので、織物柄等、急な傾斜の凹凸が多い柄では、エンボスロール21との接触面積が大きくなり樹脂層32の熱が逃げやすいが、石目柄のように緩やかな傾斜の凹凸しかない場合は、エンボスロール21との接触面積が小さく熱が逃げにくい。従って、上記の変形による誤差が大きくなりやすい。
素材の粘性による誤差とは、図5(e)に示すように、樹脂層32の樹脂の粘性により、エンボスロール21の表面の微細な形状の隙間には樹脂が入り込まず、ハイトフィールドデータの微細な凹凸形状(高周波形状)が再現できないために生じる誤差である。
5:プロファイル
21:エンボスロール
32:樹脂層
33:壁紙
40:注目点
41:極大点
42:極小点
Claims (7)
- テクスチュアの凹凸形状を表したハイトフィールドデータを用いて、エンボス加工により対象物に形成される前記凹凸形状のシミュレーションを行うエンボス加工シミュレーション装置であって、
前記ハイトフィールドデータの凹凸形状を反転させた形状を表面に形成したエンボス版を用いて対象物にエンボス加工を施した場合に生じる、加工後の対象物とハイトフィールドデータとの凹凸形状の誤差に関する情報を記録したプロファイルを用いて、前記ハイトフィールドデータより、エンボス加工後の前記対象物の凹凸形状を生成するシミュレーション手段を備えることを特徴とするエンボス加工シミュレーション装置。 - 前記プロファイルは、
前記ハイトフィールドデータの凸形状部分に属する注目点に対する、加工後の対象物の前記注目点に対応する点の予想高さを、前記注目点が属する凸形状の高さおよび該凸形状底面部の大きさに対して定めた前記注目点の高さに対する変化率により定めたものであることを特徴とする請求項1記載のエンボス加工シミュレーション装置。 - 前記プロファイルは、
前記ハイトフィールドデータの注目点を含んだ局所領域において、ある方向に沿った凹凸形状について高さが最大となる点を極大点、前記極大点の両側のそれぞれで高さが最小となる点を極小点としたときに、前記注目点を通る1または複数の方向に関し、各方向の前記極大点の高さのうち最も大きい最大高さと、各方向の前記極小点間の間隔のうち最小のものである最小間隔とに応じて、エンボス加工に伴う前記注目点の高さの変化率を定めたものであり、
前記シミュレーション手段は、前記ハイトフィールドデータの注目点を含んだ局所領域について、前記最大高さと前記最小間隔を算出し、前記プロファイルにおいて前記最大高さと前記最小間隔に対応する変化率分、前記注目点の高さを変化させることを特徴とする請求項1または請求項2記載のエンボス加工シミュレーション装置。 - 前記シミュレーション手段は、エンボス加工対象物の厚さを加工条件の1つである高さとして指定できるものであって、更に、
指定された高さと前記ハイトフィールドデータの注目点の高さとを比較し、前記指定された高さが前記注目点の高さより小さい場合は、前記注目点の高さを前記指定された高さとすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。 - 前記シミュレーション手段は、更に、
前記ハイトフィールドデータに対し、高周波形状を除去する処理を行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。 - テクスチュアの凹凸形状を表したハイトフィールドデータを用いて、エンボス加工により対象物に形成される前記凹凸形状のシミュレーションを行うエンボス加工シミュレーション方法であって、
エンボス加工シミュレーション装置が、
前記ハイトフィールドデータの凹凸形状を反転させた形状を表面に形成したエンボス版を用いて対象物にエンボス加工を施した場合に生じる、加工後の対象物とハイトフィールドデータとの凹凸形状の誤差に関する情報を記録したプロファイルを用いて、前記ハイトフィールドデータより、エンボス加工後の前記対象物の凹凸形状を生成することを特徴とするエンボス加工シミュレーション方法。 - テクスチュアの凹凸形状を表したハイトフィールドデータを用いて、エンボス加工により対象物に形成される前記凹凸形状のシミュレーションを行うエンボス加工シミュレーション装置を、
前記ハイトフィールドデータの凹凸形状を反転させた形状を表面に形成したエンボス版を用いて対象物にエンボス加工を施した場合に生じる、加工後の対象物とハイトフィールドデータとの凹凸形状の誤差に関する情報を記録したプロファイルを用いて、前記ハイトフィールドデータより、エンボス加工後の前記対象物の凹凸形状を生成するシミュレーション手段として機能させるためのプログラム。
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JP2012215712A JP5958243B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | エンボス加工シミュレーション装置、エンボス加工シミュレーション方法、及びプログラム |
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JP2012215712A JP5958243B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | エンボス加工シミュレーション装置、エンボス加工シミュレーション方法、及びプログラム |
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ID=50746732
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JP2012215712A Active JP5958243B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | エンボス加工シミュレーション装置、エンボス加工シミュレーション方法、及びプログラム |
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