JP5952961B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は，基板処理装置に関するものであり，より詳しくは，上部アンテナと側部アンテナを利用して均一なプラズマ密度を形成することで基板を処理する装置に関するものである。
半導体装置は，シリコン基板の上に多くの層(layers)を有しており，このような層は，蒸着工程を介して基板の上に蒸着される。このような蒸着工程は，いくつかの重要な課題を有しており，このような課題は，蒸着された膜を評価し蒸着方法を選択するのに重要である。
第一に，蒸着された膜の「質」(quality)である。これは組成(composition)，汚染度(contamination levels)，欠陥密度（defect density)，そして機械的・電気的特性(mechanical and electrical properties)を意味する。膜の組成は，蒸着条件に応じて異なり，これは，特定な組成（specific composition)を得るために非常に重要である。
第二に，ウェハを横切る均一な厚さ(uniform thickness)である。特に段差(step)が形成された非平面(non-planar)形状のパターンの上部に蒸着された膜の厚さが非常に重要である。蒸着された膜の厚さが均一であるのか否かは，段差がある部分に蒸着された最小厚さをパターンの上部面に蒸着された厚さで除した値で定義されるステップカバレッジ(step coverage)により判定する。
蒸着に関する他の課題は，空間を詰めること(filling space)である。これは，金属ラインの間を，酸化膜を含む絶縁膜で詰めるギャップフィリング(gap filling)を含む。ギャップは，メタル配線(metal line)を物理的及び電気的に絶縁するために提供される。このような課題のうち，均一度は，蒸着工程に関する重要な課題の一つであり，不均一な膜は，メタル配線の上で高い電気抵抗(electrical resistance)をもたらして機械的な破損の可能性を増加させる。
本発明の目的は，基板の全面に対して工程均一度を改善することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は，プラズマ密度を改善することができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は，後述する詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，上部が開放されて一側に基板が出入する通路が形成されるチャンバと，前記チャンバの上部を閉鎖して前記基板に対する工程が行われる内部空間を提供し，天井壁を貫通するように形成されたガス供給孔を有するチャンバ蓋と，前記チャンバ蓋の上部中央に設置されて前記内部空間の中央部に電界を形成し，前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する上部アンテナと，前記チャンバ蓋の側部を囲むように設置されて前記内部空間の縁部に電界を形成し，前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する側部アンテナと，前記ガス供給孔と連結されて前記内部空間に前記ソースガスを供給するガス供給管と，を含み，前記ガス供給孔は，前記上部アンテナの外側に配置される。
前記基板処理装置は，前記チャンバ蓋の天井面に密着して設置され，前記基板に向かってソースガスを拡散するリング状のブロックプレートを更に含み，前記ブロックプレートは，前記上部アンテナと対応するように中央に形成された開口と，前記天井面と対向する一面から陥没する流路と，前記流路と連通されて前記ソースガスを噴射する複数のガス噴射孔と，を含む。
前記流路は，前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，前記ガス供給孔と前記内側流路を連結する連結流路と，を有し，前記ガス噴射孔は，前記ブロックプレートの内周面に形成される。
前記流路は，前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，前記ガス供給孔と前記内側流路を連結する連結流路と，を有し，前記ガス噴射孔は，前記内側流路の上に離隔形成される。
前記ガス噴射孔の分布密度は，前記ガス供給孔から遠くなるほど増加する。
前記ガス噴射孔の直径は，前記ガス供給孔から遠くなるほど増加する。
前記流路は，前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，前記内側流路の外側に形成される外側流路と，前記内側流路と前記外側流路を連結する複数の連結流路と，を有し，前記ガス噴射孔は，前記外側流路の上に形成され，前記ガス噴射孔は，前記内側流路及び前記外側流路の上にそれぞれ形成される。
前記連結流路の幅は，前記ガス噴射孔から遠くなるほど増加する。
前記ガス噴射孔は，前記外側流路に比べて前記内側流路の上に高い分布密度を有する。
前記内側流路の上に形成された前記ガス噴射孔の直径が前記外側流路の上に形成された前記ガス噴射孔の直径より大きい。
前記流路は，前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，前記内側流路の外側に形成される外側流路と，前記内側流路と前記外側流路を連結する複数の連結流路と，を有し，前記ガス噴射孔は，前記外側流路の上に形成され，前記ガス噴射孔は，前記ブロックプレートの内周面及び前記外側流路の上にそれぞれ形成される。
前記流路は，前記開口の中心を基準に前記ガス供給孔の反対側に位置する前記外側流路の一側と前記ガス供給孔に近接する前記外側流路の他側を連結し，互いに平行するように配置された複数の補助連結流路を更に有し，前記連結流路は，前記補助連結流路と平行する。
前記流路は，前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成され，前記開口の中心を基準に前記ガス供給孔の反対側に形成される半円状の内側流路と，前記内側流路の外側に形成され，前記開口の中心を基準に前記内側流路の反対側に形成される半円状の外側流路と，一端部が前記ガス噴射孔と連結され，他端部が前記外側流路の中央部と連結される連結流路と，前記内側流路の両端部と前記外側流路の両端部を連結する補助連結流路と，を有し，前記ガス噴射孔は，前記内側流路及び前記外側流路の上に離隔形成される。
本発明の一実施形態によると，基板の前面に対する工程均一度を改善することができる。また，上部アンテナ及び側部アンテナを利用して内部空間に形成されるプラズマ密度を改善する。
以下，本発明の好ましい実施形態を添付した図１乃至図４を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は，様々な形に変形してもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限定して解釈されてはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状は，より明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
一方，以下ではＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）方式のプラズマ工程を例に挙げて説明するが，本発明は，多様なプラズマ工程に応用可能である。また，以下では，基板を例に挙げて説明するが，本発明は，多様な被処理体に応用可能である。
図１は，本発明の一実施形態による基板処理装置１を概略的に示す図であり，図２は，図１に示す内部空間を示す図である。図１に示すように，基板処理装置１は，メインチャンバ本体１０とチャンバ蓋１４を含む。メインチャンバ１０は，上部が開放された形状であり，一側に基板Ｗが出入可能な通路７を有する。ゲートバルブ５は，通路７の外部に設置され，通路７は，ゲートバルブ５によって開放されるか閉鎖される。
チャンバ蓋１４は，メインチャンバ１０の開放された上部を閉鎖して外部から遮断された内部空間を形成する。基板Ｗは，通路７を介して内部空間内にローディングされ，基板Ｗに対する工程は，内部空間内で行われる。
サセプタカバー２０は，サセプタ３０の上部及び側部を囲むように設置され，工程進行の際に基板Ｗは，サセプタカバー２０の上部に置かれる。サセプタカバー２０の断面は，「コ」の字の形状であり，側部の下端は，サセプタ３０の下部に向かって延長される。サセプタ３０は，基板Ｗの形状（例えば，円形）と対応する。支持軸４２は，サセプタ３０の下部に連結され，支持軸４２は，メインチャンバ１０の下部に形成された貫通孔８を貫通するように設置される。また，固定リング４５は，支持軸４２の下端部に連結され，駆動部４０は，固定リング４５に連結されて固定リング４５及び支持軸４２を昇降する。サセプタ３０は，支持軸４２と共に昇降する。
ベローズ４５の上端は，メインチャンバ１０の下部面に連結され，ベローズ４５の下端は，固定リング４５に連結される。支持軸４２は，ベローズ４５の内部を介して固定リング４５に連結される。ベローズ(bellows)４５は，内部空間の内部に供給されたソースガスが貫通孔８を介して外部に漏洩されることを防止するだけでなく，内部空間に形成された真空雰囲気が毀損されることを防止する。
図１及び図２に示すように，リフトピン５５は，サセプタ３０の上部にローディングされた基板Ｗを支持する。リフトピン５５は，サセプタ３０及びサセプタカバー２０を貫通するガイド孔（図示せず）の上に設置され，サセプタ３０が昇降することでガイド孔に沿って移動する。
図１に示すように，サセプタ３０が下降した状態でリフトピン５５の下端は，メインチャンバ１０の底面に設置された支持板５６によって支持され，リフトピン５５の上端は，サセプタカバー２０の上部面から突出される。この際，リフトピン５５は，ローディングされた基板Ｗを支持する。図２に示すように，サセプタ３０が上昇した状態でリフトピン５５の下端は，支持した５６から離隔され，リフトピン５５の上端は，サセプタカバー２０の上部面と大体一致する。この際，基板Ｗは，サセプタカバー２０の上部面に置かれ，基板Ｗに対する工程は，サセプタ３０が上昇された状態で行われる。
上部アンテナ８０は，チャンバ蓋１４の上部中央部に設置され，側部アンテナ８５は，チャンバ蓋１４の側部を囲むように設置される。上部アンテナ８０は，大体同じ高さに位置する螺旋状であってもよく，側部アンテナ８５は，チャンバ蓋１４の高さ方向に沿って配置された螺旋状であってもよい。ガス供給孔６５は，チャンバ蓋１４の天井壁を貫通して形成され，上部アンテナ８０の外側に配置されて上部アンテナ８０との干渉が発生することを防止する。ガス供給管６２は，ガス供給孔６５に連結され，ソースガスが貯蔵されたガス貯蔵タンク６０は，ガス供給管６２を介してガス供給孔６５に連結される。ソースガスは，ガス供給孔６５を介して内部空間に供給される。上部アンテナ８０及び側部アンテナ８５は，内部空間に電界を形成し，ソースガスからプラズマを生成する。
図１０は，従来の基板処理装置を介して蒸着された薄膜の厚さの分布を示す図である。最近，基板Ｗのサイズが３００mm（１２インチ）から４５０mm（１８インチ）に大型化するにつれ，メインチャンバ１０及びチャンバ蓋１４のサイズが増加する傾向にある。そのため，内部空間内に均一な電界を形成することが難しく，プラズマの密度も不均一に分布される。すなわち，内部空間の中央部と縁部を横切って電界が不均一に形成される。よって，図１０に示すようにプラズマを利用して基板Ｗの上に蒸着された薄膜も同じく不均一に形成され，基板Ｗの中央部と縁部に蒸着された薄膜の厚さが異なるようになる。
上部アンテナ８０を介して形成された電界は，内部空間の中央部Ｂに集中され，側部アンテナ８５を介して形成された電界は，内部空間の縁部Ａに集中される。それを介して内部空間内に均一な電界を形成することができる。上部アンテナ８０及び側部アンテナ８５の形状は，中央部Ｂ及び縁部Ａに形成される電界に応じてそれぞれ変形される。
上部アンテナ８０及び側部アンテナ８５は，整合器９５を介して高周波電源(RF generator)に連結され，上部アンテナ及び側部アンテナ８５は，高周波電流を利用して電界を形成する。上部アンテナ８０及び側部アンテナ８５に供給される高周波電流は，要求される電界の大きさに応じて変更されてもよく，互いに異なる高周波電流が供給されてもよい。ハウジング１７は，メインチャンバ１０の上部に設置され，整合器９５は，ハウジング１７の上部に設置される。
一方，図１に示すように補助バー２７は，下端がメインチャンバ１０の底面に固定された状態で起立された状態に設置され，メインチャンバ１０の側壁から離隔される。図２に示すように，サセプタ３０が上昇すればサセプタカバー２０は，補助バー２７の上端より低く位置し，工程進行の際にサセプタカバー２０の側部と補助バー２７を介してサセプタ３０の下部は，内部空間と隔離される。よって，後述するプラズマ及び反応副産物などがサセプタ３０の下部を介して貫通孔８に移動することを防止することができる。
補助バー２７は，中間高さの段差を有し，バッフル５１は，メインチャンバ１０の側壁に形成された段差及び補助バー２７の段差に設置される。バッフル５１は，大体水平な状態で設置され，バッフル５１は，複数の排気孔５２を有する。メインチャンバ１０は，排出ポート５３を有し，排出ポート５３は，通路７の反対側の側壁に形成される。排気ライン５４は，排気ポート５３に連結され，排気ポンプ５５は，排気ライン５４の上に設置される。内部空間内で生成されたプラズマ及び反応副産物などは排気ポート５３及び排気ライン５４を介して外部に排出され，排気ポンプ５５は，それらを強制に排出する。プラズマ及び反応副産物などはバッフル５１の排気孔５２を介して排気ポート５３に流入される。
図３は，図１に示すブロックプレートの実施形態及びソースガスの流れを示す断面図であり，図４は，図１に示す内部空間に形成されたソースガス及びプラズマの流動を示す断面図である。上述したように，ソースガスは，ガス供給孔６５を介してメインチャンバ１０の内部空間に供給され，上部アンテナ８０及び側部アンテナ８５は，内部空間の中央部及び縁部にそれぞれ電界を形成してソースガスからプラズマを生成する。図４に示すように，生成されたプラズマは，基板Ｗの表面と反応して基板Ｗの上に薄膜を蒸着し，プラズマ及び反応副産物などはバッフル５１を介して排気ポート５３に移動して外部に排出される。
この際，排出空間５０がメインチャンバ１０の下部面から陥没して形成され，メインチャンバ１０の下部縁に沿って環状に形成される。排出空間５０は，メインチャンバ１０の側壁とバッフル５１及び補助バー２７によって形成されるため，プラズマ及び反応副産物などは外部から一部遮断されてバッフル５１を介して排出空間５０に移動し，排出空間５０に沿って排気ポート５３に移動する。よって，図４に示すように基板Ｗの表面上で流動方向は，基板Ｗの中心部から縁に向かって放射状に形成される。
ブロックプレート７０は，チャンバ蓋１４の天井面に密着して形成され，ガス供給孔６５を介して排出されたソースガスを基板Ｗの表面に向かって拡散する。ブロックプレート７０は，複数のガス噴射孔７５を有し，ソースガスは，ガス噴射孔７５を介して拡散される。図３に示すようにブロックプレート７０は，中央部に開口７１が形成されたリング状であり，開口７１は，内部空間の中央部Ｂの直径（又は上部アンテナ８０の直径）と大体同じ直径を有する。
また，図２及び図３に示すようにブロックプレート７０は，チャンバ蓋１４の天井面と対応する一面から陥没した流路を有し，流路は，内側流路７２及び連結流路７４を有する。内側流路７２は，開口７１の周縁に沿って形成された円形状であり，内側流路７２は，開口７１に最大隣接するように形成されてソースガスが基板Ｗの中央部に向かって噴射されるようにする。連結流路７４は，ガス供給孔６５と内側流路７２を連結する直線状である。
ブロックプレート７０は，チャンバ蓋１４の天井面に密着して設置されるため流路は，外部から遮断され，ガス供給孔６５を介して供給されたソースガスは，流路に沿って流れる。ガス噴射孔７５は，内側流路７２の底面に離隔形成され，基板Ｗの中央部（又は中心）に向かって傾斜した形状である。ソースガスは，噴射孔７５を介して噴射され，噴射されたソースガスは，基板Ｗの中央部に向かって移動する。上述したように，基板Ｗの表面上で流動方向は，基板Ｗの中心部から縁に向かって放射状に形成されるため，噴射されたソースガス（又は電界を介して生成されたプラズマ）は，基板Ｗの表面上で中心部から縁に向かって流れ，プラズマは，基板Ｗの表面と普く反応して基板Ｗの表面上に均一な薄膜を蒸着する。
一方，図３とは異なってガス噴射孔７５は，ガス供給孔６５（又は内側流路７２と連結された連結流路７４の一端）から離隔された距離に応じて変形される。即ち，内側流路７２に沿ってソースガスの圧力は，ガス供給孔６５に近接するほど高くガス供給孔６５から遠くなるほど低くなるため，ガス噴射孔７５の分布密度は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加し，ガス噴射孔７５の直径は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加する。ガス噴射孔７５の位置がガス供給孔６５から遠くなるほどソースガスの圧力が減少するため，分布密度又は，直径の差を介して内部空間に供給されるソースガスの量を均一に調節することができる。
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが，それとは異なる形の実施形態も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は，好ましい実施形態に限らない。
発明を実施するための形態
以下，本発明の実施形態を添付した図５乃至図９を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は，様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限られると解釈されてはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状は，より明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
以下，本発明の実施形態を添付した図５乃至図９を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は，様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限られると解釈されてはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状は，より明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
図５は，図１に示すブロックプレートの第１変形例及びソースガスの流れを示す断面図である。以下では上述した実施形態と区別される内容に対してのみ説明し，省略された説明は，上述した内容に代替される。図５に示すように，ガス噴射孔７５は，開口７１と内側流路７２との間に位置する隔壁７７（又は内周面)の底面に形成される。よって，ソースガスは，開口７１に向かって噴射され，開口７１上で上部アンテナ８０によってプラズマが生成された後，プラズマは，開口７１から基板Ｗの中央部及び縁部に向かってそれぞれ移動する。よって，プラズマは，基板Ｗの表面と普く反応して基板Ｗの表面の上に均一な薄膜を蒸着する。一方，上述したようにガス噴射孔７５の分布密度は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加し，ガス噴射孔７５の直径は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加する。
図６は，図１に示すブロックプレートの第２変形例及びソースガスの流れを示す断面図である。以下では上述した実施形態と区別される内容に対してのみ説明し，省略された説明は上述した内容に代替される。図６に示すように流路は，内側流路７２の外側に位置する円形状の外側流路７８を更に有し，ガス供給孔６５は，外側流路７８の上に形成される。連結流路７４は，内側流路７２と外側流路７８を連結する直線状であり，開口７１を中心に放射線状に配置される。
ガス噴射孔７５は，内側流路７２及び外側流路７８の底面に離隔形成され，内側流路７２の上に形成されたガス噴射孔７５は，基板Ｗの中央部（又は中心）に向かって傾斜した形状である。ソースガスは，内側流路７２の底面に形成されたガス噴射孔７５を介して基板Ｗの中央部に向かって移動し，ソースガスは，基板Ｗの表面の上で中心部から縁に向かって流れる。また，外側流路７５の底面に形成されたガス噴射孔７５を介して基板Ｗの縁部に向かって移動する。
一方，内側流路７２の幅は，外側流路７８の幅より大きく，内側流路７２の上に形成されたガス噴射孔７５を介して供給されるソースガスの量が外側流路７２の上に形成されたガス噴射孔７５を介して供給されるソースガスの量より多い。それを介して基板Ｗの中央部に供給されるソースガスの量を補償することができる。
また，連結流路７４の幅は，ガス供給孔６５に近い方よりガス供給孔６５から遠い方が大きくてもよい。ガス噴射孔７５の分布密度は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加し，ガス噴射孔７５の直径は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加する。
図７は，図１に示すブロックプレートの第３変形例及びソースガスの流れを示す断面図である。以下では上述した実施形態と区別される内容に対してのみ説明し，省略された説明は上述した内容に代替される。図６とは異なって，内側流路７２の上に形成されたガス噴射孔７５は，開口７１と内側流路７２との間に位置する隔壁７７（又は内周面)の上に形成される。
図８は，図１に示すブロックプレートの第４変形例及びソースガスの流れを示す断面図である。以下では上述した実施形態と区別される内容に対してのみ説明し，省略された説明は上述した内容に代替される。図６とは異なって流路は補助連結流路７９を更に有し，補助連結流路７９は，開口７１の中心を基準にガス供給孔６５に近接した外側流路７８の一側とガス供給孔６５の反対側に位置する外側流路７８のが他側を連結する。補助連結流路７９は，互いに平行に配置され，補助連結流路７９を介して外側流路７８内でソースガスの圧力を均一に調節する。連結流路７４は，補助連結流路７９と平行に配置される。
図９は，図１に示すブロックプレートの第５変形例及びソースガスの流れを示す断面図である。以下では上述した実施形態と区別される内容に対してのみ説明し，省略された説明は上述した内容に代替される。図９に示すように内側流路７２は，開口７１の中心を基準にガス供給口６５の反対側に形成され，半円状であってもよい。また，外側流路７８は，内側流路７２の外側に最大内側流路７２に近接するように形成され，開口７１の中心を基準に内側流路７２の反対側に形成された半円状であってもよい。連結流路７４は，ガス供給孔６５と外側流路７８を連結する直線状である。補助連結流路７９は，内側流路７２の両端部及び外側流路７８の両端部を連結する。ガス噴射孔７５は，内側流路７２及び外側流路７８の底面に離隔形成され，ガス噴射孔７５は，基板Ｗの中央部（又は中心）に向かって傾斜した形状である。ソースガスは，外側流路７８に沿って移動し，補助連結流路７９を介して内側流路７２に移動する。ソースガスは，ガス噴射孔７５を介して基板Ｗの中央部に向かって移動し，ソースガスは，基板Ｗの表面の上で中心部から縁に向かって流れる。
一方，ガス噴射孔７５の分布密度は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加し，ガス噴射孔７５の直径は，ガス供給孔６５から遠くなるほど増加する。また，内側流路７２の幅が外側流路７８の幅より大きい。
好ましい実施形態を介して本発明を詳細に説明したが，それとは異なる形の実施形態も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は，好ましい実施形態に限らない。
本発明は，多様な形態の半導体製造設備及びその製造方法に応用される。
Claims (13)
- 上部が開放されて，一側に，基板が設置されるよう出入する基板の通路が形成され，下部面から陥没して下部縁に沿って環状に排出空間が形成され，前記排出空間に連通するガスの排出ポートが他側に設置されるチャンバと，
前記チャンバの上部を閉鎖して前記基板に対する工程が行われる内部空間を提供し，天井壁を貫通するように形成されたガス供給孔を有するチャンバ蓋と，
前記チャンバ蓋に上部アンテナと，側部アンテナと，前記ガス供給孔とを有し，
前記内部空間の中央部に電界を形成し，前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する前記上部アンテナは，前記基板の略１／３の直径を有し，全体が略同一の平面に臨む螺旋状に，前記チャンバ蓋の上部中央に設けられ，
前記内部空間の縁部に電界を形成し，前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する前記側部アンテナは，前記チャンバ蓋の側部を囲むように，前記チャンバ蓋の高さ方向に沿って配置された螺旋状に設けられ，
前記ガス供給孔は，前記上部アンテナの外側に設けられると共に，前記内部空間に前記ソースガスを供給するガス供給管に連結されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板処理装置は，
前記チャンバ蓋の天井面に密着して設置され，前記基板に向かってソースガスを拡散するリング状のブロックプレートを更に含み，
前記ブロックプレートは，
前記上部アンテナと対応するように中央に形成された開口と，
前記天井面と対向する一面から陥没する流路と，
前記流路と連通されて前記ソースガスを噴射する複数のガス噴射孔と，を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 前記流路は，
前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，
前記ガス供給孔と前記内側流路を連結する連結流路と，を有し，
前記ガス噴射孔は，前記ブロックプレートの内周面に形成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 前記流路は，
前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，
前記ガス供給孔と前記内側流路を連結する連結流路と，を有し，
前記ガス噴射孔は，前記内側流路の底面に離隔形成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 前記ガス噴射孔の分布密度は，前記ガス供給孔から遠くなるほど増加することを特徴とする請求項３又は４記載の基板処理装置。
- 前記ガス噴射孔の直径は，前記ガス供給孔から遠くなるほど増加することを特徴とする請求項３又は４記載の基板処理装置。
- 前記流路は，
前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，
前記内側流路の外側に形成される外側流路と，
前記内側流路と前記外側流路を連結する複数の連結流路と，を有し，
前記ガス供給孔は，前記外側流路の上に形成され，前記ガス噴射孔は，前記内側流路及び前記外側流路の底面にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 前記連結流路の幅は，前記ガス供給孔から遠くなるほど増加することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
- 前記ガス噴射孔は，前記外側流路に比べて前記内側流路の上で高い分布密度を有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
- 前記内側流路の底面に形成されたガス噴射孔の直径が前記外側流路の底面に形成された前記ガス噴射孔の直径より大きいことを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
- 前記流路は，
前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成された内側流路と，
前記内側流路の外側に形成される外側流路と，
前記内側流路と前記外側流路を連結する複数の連結流路と，を有し，
前記ガス供給孔は，前記外側流路の上に形成され，
前記ガス噴射孔は，前記ブロックプレートの内周面及び前記外側流路の底面にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。 - 前記流路は，
前記開口の中心を基準に前記ガス供給孔の反対側に位置する前記外側流路の一側と前記ガス供給孔に近接する前記外側流路の他側を連結し，互いに平行するように配置された複数の補助連結流路を更に有し，
前記連結流路は，前記補助連結流路と平行することを特徴とする請求項７〜１１いずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記流路は，
前記基板の中央部と対応するように前記開口の周縁に沿って形成され，前記開口の中心を基準に前記ガス供給孔の反対側に形成される半円状の内側流路と，
前記内側流路の外側に形成され，前記開口の中心を基準に前記内側流路の反対側に形成される半円状の外側流路と，
一端部が前記ガス供給孔と連結され，他端部が前記外側流路の中央部と連結される連結流路と，
前記内側流路の両端部と前記外側流路の両端部を連結する補助連結流路と，を有し，
前記ガス噴射孔は，前記内側流路及び前記外側流路の底面に離隔形成されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
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