JP5951207B2 - Dicing die bonding sheet - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子（半導体チップ）を有機基板もしくはリードフレームのダイパッド部または別の半導体チップへダイボンディングする工程、および半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、半導体チップを被着部にダイボンディングする工程での使用に適したダイシング・ダイボンディングシートに関する。   The present invention provides a step of die-bonding a semiconductor element (semiconductor chip) to a die pad portion of an organic substrate or a lead frame or another semiconductor chip, and a semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip, and the semiconductor chip is die-bonded to an adherend portion. The present invention relates to a dicing / die bonding sheet suitable for use in a process.

シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造される。半導体ウエハは、素子小片（半導体チップ）に切断分離（ダイシング）された後に、次工程であるボンディング工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め接着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディングおよびピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。   Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large diameter state. After the semiconductor wafer is cut and separated (diced) into element pieces (semiconductor chips), the semiconductor wafer is transferred to the next bonding process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up processes in a state of being adhered to the adhesive sheet in advance, and then transferred to the next bonding process.

これらの工程の中で、ピックアップ工程およびボンディング工程のプロセスを簡略化するため、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用粘接着シートが種々提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に開示されている粘接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用粘接着剤の塗布工程を省略できるようになる。例えば、前記粘接着シートを用いることにより、粘接着剤層付きの半導体チップを得ることができ、有機基板−チップ間、リードフレーム−チップ間、チップ−チップ間などのダイレクトダイボンディングが可能となる。このような粘接着シートは、粘接着剤層に流動性を持たせることで、ウエハ固定機能とダイ接着機能を達成している。   Among these processes, various dicing / die bonding adhesive sheets having both a wafer fixing function and a die bonding function have been proposed in order to simplify the pick-up process and the bonding process (for example, patents). Reference 1). The adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 enables so-called direct die bonding, and the application process of the adhesive agent for die bonding can be omitted. For example, by using the adhesive sheet, a semiconductor chip with an adhesive layer can be obtained, and direct die bonding such as between an organic substrate and a chip, between a lead frame and a chip, or between a chip and a chip is possible. It becomes. Such a pressure-sensitive adhesive sheet achieves a wafer fixing function and a die bonding function by imparting fluidity to the pressure-sensitive adhesive layer.

近年、半導体装置の製造工程の際に、チップ裏面の粘接着剤層が収縮することにより、チップ端部付近において、有機基板等の被着体とチップとの間に空隙が生じることがあった。被着体とチップとの間に空隙が生じると、半導体装置の製造工程であるモールド樹脂封止工程の際に、空隙にモールド樹脂が十分に入り込むことができず、ボイドが発生し、半導体装置の信頼性を低下させることがある。   In recent years, during the manufacturing process of a semiconductor device, the adhesive layer on the back surface of the chip contracts, so that a gap may be formed between the adherend such as an organic substrate and the chip near the chip end. It was. When a gap is generated between the adherend and the chip, the mold resin cannot sufficiently enter the gap during the molding resin sealing process, which is a manufacturing process of the semiconductor device, and voids are generated. May reduce the reliability.

また、半導体チップの上に、さらに接着剤層を介して半導体チップを積層する多段スタックの半導体装置を製造する場合には、チップ間の接着剤層が収縮することにより、下段のチップ表面が露出することがあった。モールド樹脂封止工程の際、モールド樹脂に含まれるシリカフィラーにより、露出したチップ表面が傷つき、半導体装置の信頼性を低下させることがある。   In addition, when manufacturing a multi-stage stack semiconductor device in which semiconductor chips are stacked on the semiconductor chip via an adhesive layer, the lower chip surface is exposed by shrinkage of the adhesive layer between the chips. There was something to do. During the molding resin sealing process, the silica filler contained in the molding resin may damage the exposed chip surface and reduce the reliability of the semiconductor device.

このような半導体装置の信頼性の低下は、半導体チップの高密度化や半導体チップの積層数の増加により、顕著になっている。   Such a decrease in the reliability of the semiconductor device is conspicuous due to an increase in the density of semiconductor chips and an increase in the number of stacked semiconductor chips.

特開２００７−３１４６０３号公報JP 2007-314603 A

本発明者らが鋭意検討を行った結果、接着剤層の収縮は、半導体装置の製造工程であるダイシング工程の際に起こっていることがわかった。すなわち、図１及び図２に示すように、ダイシング工程時に、ダイシングブレード５によって、半導体ウエハ４や接着剤層２は完全に切断されるが、基材１は完全に切断されない範囲で切り込まれる。この際に、半導体ウエハ４のカーフ（ダイシング後の切断されている部分６）に隣接した基材、つまり、半導体チップ３の端部に対応する部分の基材が、接着剤層側に変形する。基材の変形に起因して、半導体チップ３に対応する接着剤層に、接着剤層の端部から内部方向に応力が働き、接着剤層が収縮することがわかった。   As a result of intensive studies by the present inventors, it has been found that the shrinkage of the adhesive layer occurs during the dicing process which is a manufacturing process of the semiconductor device. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor wafer 4 and the adhesive layer 2 are completely cut by the dicing blade 5 during the dicing process, but the base material 1 is cut in a range that is not completely cut. . At this time, the base material adjacent to the kerf of the semiconductor wafer 4 (the cut part 6 after dicing), that is, the base material corresponding to the end of the semiconductor chip 3 is deformed to the adhesive layer side. . It has been found that due to the deformation of the base material, stress acts on the adhesive layer corresponding to the semiconductor chip 3 from the end of the adhesive layer in the internal direction, and the adhesive layer contracts.

本発明の課題は、ダイシング工程時における基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる接着剤層を有するダイシング・ダイボンディングシートを提供することである。   The subject of this invention is providing the dicing die-bonding sheet | seat which has an adhesive bond layer which can suppress shrinkage | contraction of the adhesive bond layer accompanying a deformation | transformation of the base material at the time of a dicing process.

即ち本発明の要旨は以下の通りである。
（１）基材上に接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングシートであって、
前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａであり、かつ、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率が３０〜９０％であるダイシング・ダイボンディングシート。 That is, the gist of the present invention is as follows.
(1) A dicing die bonding sheet in which an adhesive layer is laminated on a substrate,
In the state before curing, the adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 ° C. of 50,000 to 5000000 Pa, and a stress relaxation rate of 30 to 90% after 120 seconds of 20% torsional stress application in an 80 ° C. environment. Is a dicing die bonding sheet.

（２）前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃におけるｔａｎδが０．１〜０．３８である（１）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (2) The dicing die bonding sheet according to (1), wherein the adhesive layer has a tan δ at 80 ° C. of 0.1 to 0.38 in a state before curing.

（３）前記接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）及びエポキシ樹脂（Ｂ）を含有する接着剤組成物からなる（１）または（２）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (3) The dicing die bonding sheet according to (1) or (2), wherein the adhesive layer is made of an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B).

（４）前記アクリル重合体（Ａ）が反応性官能基を有する（３）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (4) The dicing die bonding sheet according to (3), wherein the acrylic polymer (A) has a reactive functional group.

（５）前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、１０質量部以上含まれる（３）または（４）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (5) The dicing die bonding sheet according to (3) or (4), wherein 10 parts by mass or more of the acrylic polymer (A) is contained in 100 parts by mass of the adhesive composition.

（６）前記接着剤組成物が架橋剤を含有し、
前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して１〜４０質量部含まれる（３）〜（５）のいずれかに記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (6) The adhesive composition contains a crosslinking agent,
The dicing die bonding sheet according to any one of (3) to (5), wherein the crosslinking agent is contained in an amount of 1 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A).

（７）前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、３５質量部より多く含まれ、かつ、前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して５質量部以上２０質量部未満含まれる（６）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (7) The acrylic polymer (A) is contained in an amount of more than 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent is 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). The dicing die-bonding sheet according to (6), which is contained in an amount of not less than 20 parts by mass and less than 20 parts by mass.

（８）前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、１０〜３５質量部含まれ、かつ、前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して２０〜３５質量部含まれる（６）に記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (8) 10 to 35 parts by mass of the acrylic polymer (A) is contained in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent is 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). The dicing die bonding sheet according to (6), which is contained in 35 parts by mass.

（９）前記基材が、ポリエチレンフィルム、エチレン・メタクリル酸共重合体フィルム、ポリプロピレンフィルムからなる群から選ばれる１種以上を含む（１）〜（８）のいずれかに記載のダイシング・ダイボンディングシート。 (9) The dicing / die bonding according to any one of (1) to (8), wherein the base material includes one or more selected from the group consisting of a polyethylene film, an ethylene / methacrylic acid copolymer film, and a polypropylene film. Sheet.

本発明のダイシング・ダイボンディングシートによれば、半導体ウエハのダイシング工程時に発生する熱に対応する温度付近での貯蔵弾性率および応力緩和率が制御されているため、ダイシング工程時の基材の変形に伴う接着剤層の収縮を抑制することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。   According to the dicing die bonding sheet of the present invention, since the storage elastic modulus and stress relaxation rate near the temperature corresponding to the heat generated during the dicing process of the semiconductor wafer are controlled, the deformation of the base material during the dicing process is controlled. The shrinkage | contraction of the adhesive bond layer accompanying can be suppressed. Therefore, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.

ダイシング・ダイボンディングシートを用いたダイシング工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the dicing process using a dicing die-bonding sheet. 従来のダイシング・ダイボンディングシートを用いたダイシング工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the dicing process using the conventional dicing die-bonding sheet.

以下、本発明のダイシング・ダイボンディングシートの詳細を説明する。本発明のダイシング・ダイボンディングシートは、基材上に接着剤層が積層されている。   Hereinafter, the details of the dicing die bonding sheet of the present invention will be described. In the dicing die bonding sheet of the present invention, an adhesive layer is laminated on a substrate.

本発明のダイシング・ダイボンディングシートにおける接着剤層（以下において、単に「接着剤層」と記載することがある。）は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜５００００００Ｐａ、好ましくは６５０００〜４００００００Ｐａである。また、接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率が３０〜９０％、好ましくは４０〜８０％である。接着剤層の貯蔵弾性率を上記範囲とすることで、ダイシング工程時において、基材の変形に起因する応力による接着剤層の収縮を抑制することができる。また、接着剤層の応力緩和率を上記範囲とすることで、後述するピックアップ工程において、半導体チップと共に接着剤層を基材から剥離することにより、接着剤層を収縮させる応力に対抗する残留応力が減殺されにくく、収縮した接着剤層が半導体チップのサイズに復元する。一方、８０℃における貯蔵弾性率が大きすぎたり、応力緩和率が小さすぎる場合には、接着剤層が過度に硬くなり、半導体ウエハと接着剤層の界面の接着性が低下したり、ダイボンドされる被着体と接着剤層との接着性が低下することがある。また、８０℃における貯蔵弾性率が小さすぎたり、応力緩和率が大きすぎる場合には、接着剤層の収縮を抑制することが困難になる。なお、「硬化前の状態において」とは半導体チップの実装後の加熱硬化を行う前の状態のことを言い、後述のエネルギー線照射による硬化との前後関係を論じたものではない。   The adhesive layer (hereinafter sometimes simply referred to as “adhesive layer”) in the dicing die bonding sheet of the present invention has a storage elastic modulus at 80 ° C. of 50,000 to 5,000,000 Pa, preferably in a state before curing. Is 65,000 to 4000000 Pa. The adhesive layer has a stress relaxation rate of 30 to 90%, preferably 40 to 80% after 120 seconds after applying 20% torsional stress in an 80 ° C. environment before curing. By setting the storage elastic modulus of the adhesive layer within the above range, shrinkage of the adhesive layer due to stress caused by deformation of the substrate can be suppressed during the dicing step. Also, by setting the stress relaxation rate of the adhesive layer within the above range, in the pickup process described later, the residual stress that opposes the stress that causes the adhesive layer to shrink by peeling the adhesive layer together with the semiconductor chip from the substrate. Is less likely to be reduced, and the contracted adhesive layer is restored to the size of the semiconductor chip. On the other hand, when the storage elastic modulus at 80 ° C. is too large or the stress relaxation rate is too small, the adhesive layer becomes excessively hard, the adhesiveness at the interface between the semiconductor wafer and the adhesive layer is reduced, or die bonding is performed. The adhesion between the adherend and the adhesive layer may be reduced. Moreover, when the storage elastic modulus in 80 degreeC is too small, or when a stress relaxation rate is too large, it will become difficult to suppress shrinkage | contraction of an adhesive bond layer. Note that “in a state before curing” means a state before heat curing after mounting of the semiconductor chip, and does not discuss the context of curing by energy beam irradiation described later.

また、本発明における接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃におけるｔａｎδが、好ましくは０．１〜０．３８、より好ましくは０．１５〜０．３６である。接着剤層のｔａｎδを上記範囲とすることで、後述するピックアップ工程において、半導体チップと共に接着剤層を基材から剥離することにより、接着剤層を収縮させる応力に対抗する残留応力が減殺されにくく、収縮した接着剤層が半導体チップのサイズに復元しやすくなる。なお、「硬化前の状態において」とは半導体チップの実装後の加熱硬化を行う前の状態のことを言い、後述のエネルギー線照射による硬化との前後関係を論じたものではない。   The adhesive layer in the present invention has a tan δ at 80 ° C. of preferably 0.1 to 0.38, more preferably 0.15 to 0.36 in a state before curing. By setting the tan δ of the adhesive layer in the above range, the residual stress that opposes the stress that causes the adhesive layer to shrink can be hardly reduced by peeling the adhesive layer together with the semiconductor chip from the base material in the pickup process described later. The contracted adhesive layer is easily restored to the size of the semiconductor chip. Note that “in a state before curing” means a state before heat curing after mounting of the semiconductor chip, and does not discuss the context of curing by energy beam irradiation described later.

また、本発明における接着剤層は、アクリル重合体（Ａ）及びエポキシ樹脂（Ｂ）を含有する接着剤組成物からなることが好ましい。なお、該接着剤組成物は、各種物性を改良するため、必要に応じて他の成分を配合してもよい。以下、これら成分について具体的に説明する。   Moreover, it is preferable that the adhesive bond layer in this invention consists of an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B). In addition, in order that this adhesive composition may improve various physical properties, you may mix | blend another component as needed. Hereinafter, these components will be specifically described.

（Ａ）アクリル重合体
アクリル重合体（Ａ）としては従来公知のアクリル重合体を用いることができる。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。アクリル重合体（Ａ）のＭｗが低過ぎると、貯蔵弾性率および応力緩和率の値を上記の範囲に調整することが困難となることがあるほか、接着剤層と基材との接着力が高くなってチップのピックアップ不良が起こることがある。アクリル重合体（Ａ）のＭｗが高すぎると、被着体の凹凸へ接着剤層が追従できないことがあり、ボイドなどの発生要因になることがある。アクリル重合体（Ａ）のＭｗは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値である。 (A) Acrylic polymer As the acrylic polymer (A), a conventionally known acrylic polymer can be used. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. If the Mw of the acrylic polymer (A) is too low, it may be difficult to adjust the values of the storage elastic modulus and the stress relaxation rate to the above ranges, and the adhesive force between the adhesive layer and the substrate may be low. Higher chip pickup defects may occur. If the Mw of the acrylic polymer (A) is too high, the adhesive layer may not be able to follow the irregularities of the adherend, which may cause generation of voids and the like. Mw of the acrylic polymer (A) is a polystyrene equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、−４０〜５０℃であることが好ましく、−３５〜４５℃であることがより好ましい。本発明における接着剤層が所定の貯蔵弾性率及び応力緩和率を示すようにするためには、アクリル重合体（Ａ）のＴｇが高いことが好ましい。アクリル重合体（Ａ）のＴｇが低過ぎると、貯蔵弾性率および応力緩和率の値を上記の範囲に調整することが困難となることがあるほか、接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがある。アクリル重合体（Ａ）のＴｇが高過ぎると、ウエハを固定するための接着力が不充分となるおそれがある。   The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably −40 to 50 ° C., and more preferably −35 to 45 ° C. In order for the adhesive layer in the present invention to exhibit a predetermined storage modulus and stress relaxation rate, it is preferable that the acrylic polymer (A) has a high Tg. If the Tg of the acrylic polymer (A) is too low, it may be difficult to adjust the values of the storage elastic modulus and the stress relaxation rate to the above ranges, and the peeling force between the adhesive layer and the substrate may be difficult. It may become large and chip pickup failure may occur. If the Tg of the acrylic polymer (A) is too high, the adhesive force for fixing the wafer may be insufficient.

アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルおよびその誘導体が挙げられる。
具体例としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチルなどのアルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；
（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどの環状骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル；
ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル；
また、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどが挙げられる。
また、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等が共重合されていてもよい。
これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 As a monomer which comprises an acrylic polymer (A), (meth) acrylic acid ester and its derivative (s) are mentioned, for example.
Specific examples include (meth) acrylic acid having 1 to 18 carbon atoms in an alkyl group such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate. Alkyl esters;
(Meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, (Meth) acrylic acid ester having a cyclic skeleton such as imide (meth) acrylate;
Hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters such as hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate;
Moreover, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, etc. are mentioned.
Vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like may be copolymerized.
These may be used alone or in combination of two or more.

アクリル重合体（Ａ）を構成する単量体として、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルを用いる場合には、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの炭素数の平均が２〜６であることが好ましい。これは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの炭素数が８付近において、（メタ）アクリル酸アルキルエステルのホモポリマーのＴｇは最小となり、典型的にはアクリル酸２−エチルヘキシルのホモポリマーのＴｇは−７０℃である。したがって、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの炭素数が６を超える場合にはＴｇを上述の好ましい範囲に調整することが困難となることがある。炭素数の平均が２よりも小さい場合には、接着剤層の柔軟性が失われ、被着体への接着性に劣ることがある。また、炭素数の平均が８を超えて大きい場合にはＴｇは上昇していくが、側鎖が結晶化する傾向があるために接着剤層が特異な特性を示すようになり、貯蔵弾性率や応力緩和率の制御が困難になることがある。   When the (meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group is used as the monomer constituting the acrylic polymer (A), the average number of carbon atoms of the (meth) acrylic acid alkyl ester Is preferably 2-6. This is because when the (meth) acrylic acid alkyl ester has about 8 carbon atoms, the Tg of the homopolymer of the (meth) acrylic acid alkyl ester is minimal, and typically the Tg of the homopolymer of 2-ethylhexyl acrylate is − 70 ° C. Therefore, when the number of carbon atoms of the (meth) acrylic acid alkyl ester exceeds 6, it may be difficult to adjust Tg to the above preferred range. When the average number of carbon atoms is less than 2, the flexibility of the adhesive layer is lost, and the adhesion to the adherend may be inferior. In addition, when the average number of carbon atoms exceeds 8 and Tg increases, the side chain tends to crystallize, so that the adhesive layer exhibits unique characteristics, and the storage elastic modulus. And stress relaxation rate may be difficult to control.

また、本発明におけるアクリル重合体（Ａ）は反応性官能基を有することが好ましい。反応性官能基は、本発明における接着剤層を構成する接着剤組成物に好ましく添加される架橋剤（Ｊ）の反応性官能基と反応して三次元網目構造を形成し、上述した接着剤層の貯蔵弾性率や応力緩和率を所定範囲に調整することが容易になる。アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基としては、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、水酸基等が挙げられるが、架橋剤（Ｊ）と選択的に反応させやすいことから、水酸基であることが好ましい。反応性官能基は、上述した水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸等の反応性官能基を有する単量体を用いてアクリル重合体（Ａ）を構成することで、アクリル重合体（Ａ）に導入できる。   Moreover, it is preferable that the acrylic polymer (A) in this invention has a reactive functional group. The reactive functional group reacts with the reactive functional group of the crosslinking agent (J) preferably added to the adhesive composition constituting the adhesive layer in the present invention to form a three-dimensional network structure, and the adhesive described above It becomes easy to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the layer to a predetermined range. Examples of the reactive functional group of the acrylic polymer (A) include a carboxyl group, an amino group, an epoxy group, a hydroxyl group, and the like, and since it is easy to selectively react with the crosslinking agent (J), it may be a hydroxyl group. preferable. A reactive functional group comprises an acrylic polymer (A) by constituting an acrylic polymer (A) using a monomer having a reactive functional group such as a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester or acrylic acid. ).

アクリル重合体（Ａ）は、その構成する全単量体中、反応性官能基を有する単量体を５〜３０質量％含むことが好ましく、１０〜２５質量％含むことがさらに好ましい。反応性官能基を有する単量体の配合割合をこのような範囲とすることで、後述する架橋剤（Ｊ）によりアクリル重合体（Ａ）が効率的に架橋され、上述した接着剤層の貯蔵弾性率や応力緩和率を所定範囲に調整することが容易になる。また、アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基（例えば水酸基）当量は、架橋剤（Ｊ）の反応性官能基（例えばイソシアネート基）当量の０．１７〜２．０倍であることが好ましい。アクリル重合体（Ａ）の反応性官能基当量と、架橋剤（Ｊ）の反応性官能基当量との関係を上記範囲にすることで、上述した接着剤層の貯蔵弾性率や応力緩和率を所定範囲に調整することがさらに容易になる。   The acrylic polymer (A) preferably contains 5 to 30% by mass, more preferably 10 to 25% by mass of a monomer having a reactive functional group in all the monomers constituting the acrylic polymer (A). By setting the mixing ratio of the monomer having a reactive functional group in such a range, the acrylic polymer (A) is efficiently cross-linked by the cross-linking agent (J) described later, and the above-described storage of the adhesive layer is performed. It becomes easy to adjust the elastic modulus and the stress relaxation rate within a predetermined range. Moreover, it is preferable that the reactive functional group (for example, hydroxyl group) equivalent of an acrylic polymer (A) is 0.17 to 2.0 times the reactive functional group (for example, isocyanate group) equivalent of a crosslinking agent (J). . By setting the relationship between the reactive functional group equivalent of the acrylic polymer (A) and the reactive functional group equivalent of the crosslinking agent (J) within the above range, the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the adhesive layer described above can be reduced. It becomes easier to adjust to a predetermined range.

アクリル重合体（Ａ）は、接着剤組成物１００質量部中、好ましくは１０質量部以上、より好ましくは１２．５〜７０質量部の範囲の量で用いられる。アクリル重合体（Ａ）の割合を上記範囲とすることで、接着剤層の物性（例えば貯蔵弾性率や応力緩和率）に対してアクリル重合体（Ａ）の及ぼす影響が相対的に大きくなり、アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーの変更により、接着剤層の物性を調整することが容易になる。アクリル重合体（Ａ）の割合が多すぎる場合には、他の成分の配合の自由度が制限され、接着剤組成物の物性を調整することが困難になる。   The acrylic polymer (A) is used in an amount of 10 parts by mass or more, more preferably 12.5 to 70 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition. By making the ratio of the acrylic polymer (A) in the above range, the influence of the acrylic polymer (A) on the physical properties (for example, storage elastic modulus and stress relaxation rate) of the adhesive layer becomes relatively large, It becomes easy to adjust the physical properties of the adhesive layer by changing the monomer constituting the acrylic polymer (A). When there are too many ratios of an acrylic polymer (A), the freedom degree of a mixing | blending of another component is restrict | limited and it becomes difficult to adjust the physical property of adhesive composition.

また、側鎖にエネルギー線重合性基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体（エネルギー線重合性基含有アクリル系重合体）をアクリル重合体（Ａ）として用いることもできる。エネルギー線重合性基含有アクリル系重合体は、たとえば、官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体と、該官能基に反応する置換基とエネルギー線重合性基を１分子中に有する重合性基含有化合物（エネルギー線重合性基含有化合物）とを反応させて得られる。   Moreover, the (meth) acrylic acid ester copolymer (energy-ray polymerizable group containing acrylic polymer) which has an energy-beam polymerizable group in a side chain can also be used as an acrylic polymer (A). The energy ray-polymerizable group-containing acrylic polymer is, for example, a (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group, a substituent that reacts with the functional group, and an energy ray-polymerizable group in one molecule. It is obtained by reacting a reactive group-containing compound (energy ray polymerizable group-containing compound).

官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、上記（メタ）アクリル酸エステル共重合体で挙げた官能基モノマー（例えば、水酸基含有（メタ）アクリル酸エステル等）を構成単位として有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体が用いられる。   As a (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group, the functional group monomer (for example, a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester etc.) mentioned in the above (meth) acrylic acid ester copolymer is used as a structural unit. A (meth) acrylic acid ester copolymer is used.

エネルギー線重合性基含有化合物としては、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアナート、メタクリロイルイソシアナート、アリルイソシアナート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。   Examples of the energy beam polymerizable group-containing compound include methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate.

官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体とエネルギー線重合性基含有化合物との反応は、通常、酢酸エチル等の溶液中でジブチル錫ラウレート等の触媒を用いて室温、常圧にて２４時間撹拌して行われる。   The reaction between the (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group and the energy ray polymerizable group-containing compound is usually carried out at room temperature and normal pressure using a catalyst such as dibutyltin laurate in a solution such as ethyl acetate. Stir for 24 hours.

（Ｂ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂（Ｂ）としては、従来公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂や、これらのハロゲン化物などの、構造単位中に２つ以上の官能基が含まれるエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。 (B) Epoxy Resin As the epoxy resin (B), conventionally known various epoxy resins can be used. Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenolmethane. Type epoxy resin, heterocyclic type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, fused ring aromatic hydrocarbon modified epoxy resin, and epoxy resins containing two or more functional groups in the structural unit It is done. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

エポキシ樹脂（Ｂ）は、接着剤組成物１００質量部中、好ましくは３〜９０質量部、より好ましくは５〜８７．５質量部、特に好ましくは５〜５０質量部の範囲の量で用いられる。エポキシ樹脂（Ｂ）の割合が３質量部未満であると、十分な接着力を有する接着剤層が得られないことがある。また、エポキシ樹脂（Ｂ）の割合が９０質量部を超えると、造膜性がなくなり、接着剤層をシート状にすることができずダイシング・ダイボンディングシートの製造が困難になる。   The epoxy resin (B) is used in an amount in the range of preferably 3 to 90 parts by mass, more preferably 5 to 87.5 parts by mass, and particularly preferably 5 to 50 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition. . If the proportion of the epoxy resin (B) is less than 3 parts by mass, an adhesive layer having sufficient adhesive strength may not be obtained. On the other hand, when the proportion of the epoxy resin (B) exceeds 90 parts by mass, the film forming property is lost, the adhesive layer cannot be formed into a sheet shape, and it becomes difficult to manufacture a dicing die bonding sheet.

エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記骨格を有することが好ましい。   The epoxy resin (B) preferably has the following skeleton.

Figure 0005951207
Figure 0005951207

式中、Ｘは、同一であっても異なっていてもよく、−Ｏ−（エーテル）、−ＣＯＯ−（エステル）、−ＯＣＯ−（エステル）、−ＯＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−（アセタール）、から選択される二価の基であり、好ましくは−Ｏ− または−ＯＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−である。 In the formula, X may be the same or different, and —O— (ether), —COO— (ester), —OCO— (ester), —OCH (CH 3 ) O— (acetal), a divalent radical selected from, preferably -O- or -OCH (CH 3) O- is.

Ｒは、同一であっても異なっていてもよいアルキレン、ポリエーテル骨格、ポリブタジエン骨格、ポリイソプレン骨格、から選択される二価の基であり、アルキレンやポリエーテル骨格は、それぞれ側鎖を有していても良く、また、シクロアルカン骨格を含んだ構造であってもよい。二価の基Ｒは、好ましくは、例えば−（ＣＨ２ＣＨ２）−（ＯＣＨ２ＣＨ２）m−や、−（ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２）−（ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２）m−の構造式（ｍは０〜５）をもつアルキレンまたはエーテル骨格であり、具体的には、エチレンやプロピレンのアルキレンや、エチレンオキシエチル基、ジ（エチレンオキシ）エチル基、トリ（エチレンオキシ）エチル基、プロピレンオキシプロピル基、ジ（プロピレンオキシ）プロピル基、トリ（プロピレンオキシ）プロピル基などポリエーテル骨格が挙げられる。 R is a divalent group selected from alkylene, polyether skeleton, polybutadiene skeleton, polyisoprene skeleton, which may be the same or different, and each of alkylene and polyether skeleton has a side chain. It may be a structure containing a cycloalkane skeleton. The divalent radical R is, preferably, for example, - (CH 2 CH 2) - (OCH 2 CH 2) m - or, - (CH (CH 3) CH 2) - (OCH (CH 3) CH 2) m -An alkylene or ether skeleton having the structural formula (m is 0 to 5), specifically, alkylene of ethylene or propylene, ethyleneoxyethyl group, di (ethyleneoxy) ethyl group, tri (ethyleneoxy) Polyether skeletons such as ethyl group, propyleneoxypropyl group, di (propyleneoxy) propyl group, and tri (propyleneoxy) propyl group are listed.

他の成分
他の成分としては、下記成分が挙げられる。 Other components Other components include the following components.

（Ｃ）熱硬化剤
熱硬化剤（Ｃ）は、エポキシ樹脂（Ｂ）に対する硬化剤として機能する。熱硬化剤（Ｃ）としては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に２個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物基などが挙げられる。これらの中では、フェノール性水酸基、アミノ基および酸無水物基が好ましく、フェノール性水酸基およびアミノ基がより好ましい。アミノ基を有する熱硬化剤（アミン系熱硬化剤）を含有する接着剤層は、被着体が金属である場合、被着体との接着界面に弱い被膜を作るため、湿熱条件投入後の接着剤層の接着性の低下が大きいが、フェノール性水酸基を有する熱硬化剤（フェノール系熱硬化剤）を含有する接着剤層は耐湿熱性が高いため、湿熱条件投入後の接着剤層の接着性の低下が小さい。そのため、熱硬化剤（Ｃ）としては、エポキシ基と反応しうるフェノール性水酸基を分子中に２個以上有する化合物が特に好ましい。 (C) Thermosetting agent The thermosetting agent (C) functions as a curing agent for the epoxy resin (B). Examples of the thermosetting agent (C) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule, such as phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, acids. An anhydride group etc. are mentioned. In these, a phenolic hydroxyl group, an amino group, and an acid anhydride group are preferable, and a phenolic hydroxyl group and an amino group are more preferable. When the adherend is a metal, the adhesive layer containing a thermosetting agent having an amino group (amine-based thermosetting agent) creates a weak film at the adhesive interface with the adherend. Although the adhesive layer has a large decrease in adhesiveness, the adhesive layer containing a thermosetting agent having a phenolic hydroxyl group (phenolic thermosetting agent) is highly moist and heat resistant, so that the adhesive layer adheres after the moist heat condition is applied. The decrease in sex is small. Therefore, as the thermosetting agent (C), a compound having two or more phenolic hydroxyl groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule is particularly preferable.

熱硬化剤（Ｃ）の具体例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂などのフェノール性熱硬化剤；ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）などのアミン系熱硬化剤が挙げられる。熱硬化剤（Ｃ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Specific examples of the thermosetting agent (C) include phenolic thermosetting agents such as polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac type phenolic resins, dicyclopentadiene type phenolic resins, triphenolmethane type phenolic resins, and aralkylphenolic resins; An amine thermosetting agent such as DICY (dicyandiamide) can be used. A thermosetting agent (C) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明における接着剤組成物において、熱硬化剤（Ｃ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ｂ）１００質量部に対して、通常は０．１〜５００質量部、好ましくは１〜２００質量部である。熱硬化剤（Ｃ）の含有量が前記範囲を下回ると、接着剤組成物の硬化性が不足して充分な接着力を有する接着剤層が得られないことがある。熱硬化剤（Ｃ）の含有量が前記範囲を上回ると、接着剤組成物の吸湿率が高まり、半導体パッケージの信頼性が低下することがある。   In the adhesive composition of the present invention, the content of the thermosetting agent (C) is usually 0.1 to 500 parts by mass, preferably 1 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin (B). is there. When content of a thermosetting agent (C) is less than the said range, the sclerosis | hardenability of adhesive composition may be insufficient and the adhesive bond layer which has sufficient adhesive force may not be obtained. When the content of the thermosetting agent (C) exceeds the above range, the moisture absorption rate of the adhesive composition may increase, and the reliability of the semiconductor package may decrease.

（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤としては、好ましくは、エポキシ基とフェノール性水酸基やアミン等との反応を促進し得る化合物である。この化合物としては、具体的には、３級アミン類、イミダゾール類、有機ホスフィン類、テトラフェニルボロン塩等が挙げられる。 (D) Curing accelerator The curing accelerator (D) is used to adjust the curing rate of the adhesive composition. The curing accelerator is preferably a compound that can accelerate the reaction between an epoxy group and a phenolic hydroxyl group or an amine. Specific examples of this compound include tertiary amines, imidazoles, organic phosphines, and tetraphenylboron salts.

３級アミン類としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等が挙げられる。   Examples of tertiary amines include triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris (dimethylaminomethyl) phenol.

イミダゾール類としては、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of imidazoles include 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-hydroxymethylimidazole, and the like. Is mentioned.

有機ホスフィン類としては、トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。   Examples of organic phosphines include tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine, and the like.

テトラフェニルボロン塩としては、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等が挙げられる。   Examples of the tetraphenylboron salt include tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate.

なお、本発明における接着剤組成物に含まれる硬化促進剤（Ｄ）は、１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。   In addition, the hardening accelerator (D) contained in the adhesive composition in the present invention may be a single type or a combination of two or more types.

硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂（Ｂ）と熱硬化剤（Ｃ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１．０質量部含まれる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記範囲とすることで、高温高湿度下に曝されても接着剤層が安定した接着性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が０．１質量部未満では、接着剤層が十分な硬化性を得ることができず、接着剤層が接着性を発揮しないことがある。また、硬化促進剤（Ｄ）の含有量が１．０質量部を超えると、接着剤層は高い接着性を発揮できるが、高い極性を持つ硬化促進剤が高温高湿度下で接着剤層中を接着界面側に移動し、偏析することによりパッケージ信頼性を低下させることがある。   The curing accelerator (D) is preferably contained in an amount of 0.1 to 1.0 part by mass with respect to 100 parts by mass in total of the epoxy resin (B) and the thermosetting agent (C). By setting the content of the curing accelerator (D) within the above range, the adhesive layer has stable adhesiveness even when exposed to high temperatures and high humidity, and even when exposed to severe reflow conditions. High package reliability can be achieved. If content of a hardening accelerator (D) is less than 0.1 mass part, an adhesive bond layer cannot obtain sufficient curability, and an adhesive bond layer may not exhibit adhesiveness. Further, when the content of the curing accelerator (D) exceeds 1.0 part by mass, the adhesive layer can exhibit high adhesiveness, but the high polarity curing accelerator is in the adhesive layer under high temperature and high humidity. May be moved to the adhesion interface side and segregated, thereby reducing package reliability.

（Ｅ）カップリング剤
本発明において、接着剤組成物の被着体に対する接着力および密着力を向上させるため、カップリング剤（Ｅ）を用いてもよい。カップリング剤（Ｅ）を使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。 (E) Coupling agent In the present invention, a coupling agent (E) may be used in order to improve the adhesion and adhesion of the adhesive composition to the adherend. By using a coupling agent (E), the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the cured product obtained by curing the adhesive composition.

カップリング剤（Ｅ）としては、アクリル重合体（Ａ）やエポキシ樹脂（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｅ）としては、シランカップリング剤が好ましい。   As the coupling agent (E), a compound having a group that reacts with a functional group of the acrylic polymer (A) or the epoxy resin (B) is preferably used. As the coupling agent (E), a silane coupling agent is preferable.

シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。シランカップリング剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   As silane coupling agents, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- (methacrylopropyl) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-phenyl -Γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane , Methyltri Examples include ethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. A silane coupling agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

カップリング剤（Ｅ）の含有量は、アクリル重合体（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常は０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０質量部、より好ましくは０．３〜５質量部である。カップリング剤（Ｅ）の含有量が０．１質量部未満であると、上記効果が得られないことがあり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となることがある。   The content of the coupling agent (E) is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the acrylic polymer (A) and the epoxy resin (B). Part, more preferably 0.3 to 5 parts by mass. If the content of the coupling agent (E) is less than 0.1 parts by mass, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgassing.

（Ｆ）無機充填材
本発明において、接着剤組成物は無機充填材（Ｆ）が配合されていてもよい。無機充填材（Ｆ）を接着剤組成物に配合することにより、該組成物の熱膨張係数を調整することが可能となる。半導体チップ、リードフレームおよび有機基板に対して硬化後の接着剤層の熱膨張係数を最適化することで、パッケージ信頼性をより向上させることができる。また、接着剤層の硬化後の吸湿率をより低減することも可能となる。 (F) Inorganic filler In the present invention, the adhesive composition may contain an inorganic filler (F). By mix | blending an inorganic filler (F) with an adhesive composition, it becomes possible to adjust the thermal expansion coefficient of this composition. By optimizing the thermal expansion coefficient of the adhesive layer after curing with respect to the semiconductor chip, the lead frame, and the organic substrate, the package reliability can be further improved. In addition, it is possible to further reduce the moisture absorption rate after curing of the adhesive layer.

無機充填材（Ｆ）としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維などが挙げられる。これらの中でも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。無機充填材（Ｆ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Examples of the inorganic filler (F) include powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengara, silicon carbide, boron nitride, and the like, beads formed by spheroidizing these, single crystal fibers, glass fibers, and the like. Among these, silica filler and alumina filler are preferable. An inorganic filler (F) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明における接着剤組成物において、無機充填材（Ｆ）の含有量は、接着剤層を構成する接着剤組成物１００質量部中、通常は０〜８０質量部である。無機充填剤（Ｆ）の含有量がこのような範囲にあると、接着剤層の硬化後の吸湿をさらに低減させることができ、かつ接着剤層における無機充填材の比率が過度に大きくならず、接着性を損なうことが少ない。   In the adhesive composition in the present invention, the content of the inorganic filler (F) is usually 0 to 80 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer. When the content of the inorganic filler (F) is in such a range, moisture absorption after curing of the adhesive layer can be further reduced, and the ratio of the inorganic filler in the adhesive layer is not excessively increased. Less damage to adhesiveness.

（Ｇ）熱可塑性樹脂
接着剤組成物には、熱可塑性樹脂（Ｇ）を用いてもよい。熱可塑性樹脂（Ｇ）は、硬化後の接着剤層の可とう性を保持するために配合される。熱可塑性樹脂（Ｇ）としては、重量平均分子量が１０００〜１０万のものが好ましく、３０００〜８万のものがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂（Ｇ）を含有することにより、半導体チップのピックアップ工程における基材と接着剤層との層間剥離を容易に行うことができ、さらに基板の凹凸へ接着剤層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。 (G) A thermoplastic resin (G) may be used for the thermoplastic resin adhesive composition. A thermoplastic resin (G) is mix | blended in order to hold | maintain the flexibility of the adhesive bond layer after hardening. The thermoplastic resin (G) preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, and more preferably 3,000 to 80,000. By containing the thermoplastic resin (G) in the above range, the delamination between the base material and the adhesive layer in the pick-up process of the semiconductor chip can be easily performed, and the adhesive layer follows the unevenness of the substrate. Generation of voids can be suppressed.

熱可塑性樹脂（Ｇ）のガラス転移温度は、好ましくは−３０〜１５０℃、さらに好ましくは−２０〜１２０℃の範囲にある。熱可塑性樹脂（Ｇ）のガラス転移温度を上記範囲とすることで、８０℃における接着剤層の貯蔵弾性率及び応力緩和率を上記の好ましい範囲に調整することが容易になる。熱可塑性樹脂（Ｇ）のガラス転移温度が低過ぎると接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。   The glass transition temperature of the thermoplastic resin (G) is preferably -30 to 150 ° C, more preferably -20 to 120 ° C. By making the glass transition temperature of a thermoplastic resin (G) into the said range, it becomes easy to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of an adhesive bond layer in 80 degreeC to said preferable range. If the glass transition temperature of the thermoplastic resin (G) is too low, the peeling force between the adhesive layer and the substrate may become large and chip pick-up failure may occur. If the glass transition temperature is too high, the adhesive strength for fixing the wafer will be high. May be insufficient.

熱可塑性樹脂（Ｇ）としては、たとえばポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド樹脂、セルロース、ポリエチレン、ポリイソブチレン、ポリビニルエーテル、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。   Examples of the thermoplastic resin (G) include polyester resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide resin, cellulose, polyethylene, polyisobutylene, polyvinyl ether, polyimide resin, phenoxy resin, polymethyl methacrylate, styrene. -An isoprene-styrene block copolymer, a styrene-butadiene-styrene block copolymer, etc. are mentioned. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

熱可塑性樹脂（Ｇ）は、室温よりも高い温度での接着剤層の貯蔵弾性率を低下させたり、応力緩和率を増加させたりするので、接着剤層中の配合量を一定量以下にすることが好ましい。具体的には、接着剤層を構成する接着剤組成物１００質量部中、好ましくは０〜３５質量部、より好ましくは１〜２５質量部である。   The thermoplastic resin (G) lowers the storage elastic modulus of the adhesive layer at a temperature higher than room temperature or increases the stress relaxation rate, so the blending amount in the adhesive layer is made a certain amount or less. It is preferable. Specifically, it is preferably 0 to 35 parts by mass, more preferably 1 to 25 parts by mass, in 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer.

（Ｈ）エネルギー線重合性化合物
本発明における接着剤組成物は、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）を含有してもよい。エネルギー線重合性化合物（Ｈ）をエネルギー線照射によって重合させることで、接着剤層の接着力を低下させることができる。このため、半導体チップのピックアップ工程において、基材と接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。 (H) Energy ray polymerizable compound The adhesive composition in the present invention may contain an energy ray polymerizable compound (H). By polymerizing the energy beam polymerizable compound (H) by energy beam irradiation, the adhesive force of the adhesive layer can be reduced. For this reason, delamination between the base material and the adhesive layer can be easily performed in the semiconductor chip pick-up process.

エネルギー線重合性化合物（Ｈ）は、紫外線や電子線などのエネルギー線の照射を受けると重合・硬化する化合物である。エネルギー線重合性化合物（Ｈ）としては、分子内に１つ以上のエネルギー線重合性二重結合を有する化合物、例えばアクリレート系化合物が挙げられる。   The energy beam polymerizable compound (H) is a compound that polymerizes and cures when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Examples of the energy ray polymerizable compound (H) include a compound having one or more energy ray polymerizable double bonds in the molecule, for example, an acrylate compound.

アクリレート系化合物としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどが挙げられる。   Examples of acrylate compounds include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexane. Examples include diol diacrylate, dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer.

エネルギー線重合性化合物（Ｈ）の分子量（オリゴマーまたはポリマーの場合は重量平均分子量）は、通常は１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。 本発明における接着剤組成物において、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）の含有量は、接着剤層を構成する接着剤組成物１００質量部中、通常０〜４０質量部、好ましくは１〜３０質量部、より好ましくは３〜２０質量部である。エネルギー線重合性化合物（Ｈ）の含有量が前記範囲を上回ると、有機基板やリードフレームなどに対する接着剤層の接着力が低下することがある。   The molecular weight (in the case of an oligomer or polymer, the weight average molecular weight) of the energy beam polymerizable compound (H) is usually about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. In the adhesive composition in the present invention, the content of the energy beam polymerizable compound (H) is usually 0 to 40 parts by mass, preferably 1 to 30 parts by mass, in 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer. Part, more preferably 3 to 20 parts by mass. If the content of the energy beam polymerizable compound (H) exceeds the above range, the adhesive force of the adhesive layer to an organic substrate, a lead frame or the like may be reduced.

本発明における接着剤組成物がエネルギー線重合性化合物（Ｈ）や、上記のエネルギー線重合性基含有アクリル系重合体を含有する場合、上述の８０℃における貯蔵弾性率、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率、および８０℃におけるｔａｎδは、接着剤組成物にダイシング前にエネルギー線照射を行うことを予定している場合には、エネルギー線照射による硬化を行った後に測定したものを指し、ダイシング後にエネルギー線照射を行うことを予定している場合には、エネルギー線照射による硬化を行う前に測定したものを指す。これらの特性は、ダイシング時の基材変形に起因した接着剤層の収縮に影響するものなので、ダイシング時基準で論じられるべきだからである。本発明における接着剤組成物では、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）やエネルギー線重合性基含有アクリル系重合体の含有如何に拘らず、上述したような特性を備える限り接着剤層の収縮が防止されるという作用効果を得ることができる。   When the adhesive composition in the present invention contains the energy ray polymerizable compound (H) or the above-mentioned energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer, the above-mentioned storage elastic modulus at 80 ° C., 20 under an 80 ° C. environment. The stress relaxation rate after 120 seconds after the addition of% torsional stress and tan δ at 80 ° C. are cured by energy beam irradiation when the adhesive composition is planned to be irradiated before dicing. In the case where energy beam irradiation is planned to be performed after dicing, it is measured before curing by energy beam irradiation. This is because these characteristics affect the shrinkage of the adhesive layer due to the deformation of the base material during dicing and should be discussed on the basis of dicing. In the adhesive composition in the present invention, the shrinkage of the adhesive layer is prevented as long as it has the above-mentioned characteristics regardless of the inclusion of the energy beam polymerizable compound (H) or the energy beam polymerizable group-containing acrylic polymer. The effect that it is done can be obtained.

（Ｉ）光重合開始剤
本発明における接着剤組成物の使用に際して、前記エネルギー線重合性化合物（Ｈ）を使用する場合、紫外線などのエネルギー線を照射して、接着剤層の接着力を低下させてもよい。接着剤組成物中に光重合開始剤（Ｉ）を含有させることで、重合・硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。 (I) Photopolymerization initiator In the use of the adhesive composition in the present invention, when the energy beam polymerizable compound (H) is used, energy rays such as ultraviolet rays are irradiated to reduce the adhesive strength of the adhesive layer. You may let them. By including the photopolymerization initiator (I) in the adhesive composition, the polymerization / curing time and the amount of light irradiation can be reduced.

光重合開始剤（Ｉ）としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２−ジフェニルメタン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｉ）は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。   Examples of the photopolymerization initiator (I) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethyl Thioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphos Examples include fin oxide and β-chloranthraquinone. A photoinitiator (I) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

光重合開始剤（Ｉ）の含有量は、理論的には、接着剤層中に存在する不飽和結合量やその反応性及び使用される光重合開始剤の反応性に基づいて決定されるべきであるが、複雑な混合物系においては必ずしも容易ではない。一般的な指針として、光重合開始剤（Ｉ）の含有量は、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは１〜５質量部である。光重合開始剤（Ｉ）の含有量が前記範囲を下回ると光重合の不足で満足なピックアップ性が得られないことがあり、前記範囲を上回ると光重合に寄与しない残留物が生成し、接着剤組成物の硬化性が不充分となることがある。   The content of the photopolymerization initiator (I) should theoretically be determined based on the amount of unsaturated bonds present in the adhesive layer, the reactivity thereof, and the reactivity of the photopolymerization initiator used. However, it is not always easy in a complicated mixture system. As a general guideline, the content of the photopolymerization initiator (I) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy beam polymerizable compound (H). Part. If the content of the photopolymerization initiator (I) is less than the above range, there may be insufficient photopolymerization and satisfactory pick-up properties may not be obtained. The curability of the agent composition may be insufficient.

（Ｊ）架橋剤
本発明における接着剤層は、その貯蔵弾性率および応力緩和率を調節するために、架橋剤（Ｊ）を添加することが好ましい。架橋剤（Ｊ）としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。 (J) Crosslinking agent It is preferable to add a crosslinking agent (J) to the adhesive layer in the present invention in order to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate. Examples of the crosslinking agent (J) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.

有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。   Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds. Examples thereof include terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting with a polyol compound.

有機多価イソシアネート化合物のさらに具体的な例としては、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。   As more specific examples of the organic polyvalent isocyanate compound, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4 '-Diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct Examples include tolylene diisocyanate and lysine isocyanate.

有機多価イミン化合物の具体的な例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。   Specific examples of organic polyvalent imine compounds include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, tetra And methylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate and N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide) triethylenemelamine.

架橋剤（Ｊ）はアクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜４０質量部、より好ましくは８〜３５質量部、特に好ましくは１２〜３０質量部の比率で用いられる。架橋剤（Ｊ）の配合量を上記範囲とすることで、接着剤層の貯蔵弾性率及び応力緩和率を上記好ましい範囲に調整することが容易となる。   The crosslinking agent (J) is preferably used in a ratio of 1 to 40 parts by mass, more preferably 8 to 35 parts by mass, and particularly preferably 12 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). By making the compounding quantity of a crosslinking agent (J) into the said range, it becomes easy to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of an adhesive bond layer to the said preferable range.

さらに、架橋剤（Ｊ）の配合量とアクリル重合体（Ａ）の配合量との関係について、アクリル重合体（Ａ）は、接着剤組成物１００質量部中、３５質量部より多く含まれ、かつ、架橋剤（Ｊ）は、アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して５質量部以上２０質量部未満含まれることが好ましい。また、アクリル重合体（Ａ）は、接着剤組成物１００質量部中、１０〜３５質量部含まれ、かつ、架橋剤（Ｊ）は、アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して２０〜３５質量部含まれることが好ましい。架橋剤（Ｊ）の配合量とアクリル重合体（Ａ）の配合量との関係を上記範囲とすることで、アクリル重合体（Ａ）の配合量に関わらず、接着剤層の貯蔵弾性率と応力緩和率を上記の好ましい範囲に調整することが容易になる。   Furthermore, regarding the relationship between the blending amount of the crosslinking agent (J) and the blending amount of the acrylic polymer (A), the acrylic polymer (A) is contained in an amount of more than 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, And it is preferable that 5 mass parts or more and less than 20 mass parts is contained with respect to 100 mass parts of acrylic polymers (A) for a crosslinking agent (J). The acrylic polymer (A) is contained in 10 to 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent (J) is 20 to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). It is preferable that 35 mass parts is contained. By setting the relationship between the blending amount of the crosslinking agent (J) and the blending amount of the acrylic polymer (A) within the above range, the storage elastic modulus of the adhesive layer can be determined regardless of the blending amount of the acrylic polymer (A). It becomes easy to adjust the stress relaxation rate to the above preferable range.

他の成分として、このほか染料、顔料、劣化防止剤、帯電防止剤、難燃剤、シリコーン化合物、連鎖移動剤、ゲッタリング剤等を添加してもよい。   As other components, dyes, pigments, deterioration inhibitors, antistatic agents, flame retardants, silicone compounds, chain transfer agents, gettering agents and the like may be added.

（ダイシング・ダイボンディングシート）
本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートは、上記の各成分からなる接着剤組成物を用いて、基材上に接着剤層を積層して製造される。接着剤組成物は、感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして、熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な接着性を保持しうる。接着剤組成物は、上記の各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒に加えてもよい。 (Dicing die bonding sheet)
The dicing die-bonding sheet according to the present invention is produced by laminating an adhesive layer on a substrate using the adhesive composition comprising the above-described components. The adhesive composition has pressure-sensitive adhesiveness and heat-curing property, and has a function of temporarily holding various adherends in an uncured state. Finally, a cured product having high impact resistance can be obtained through heat curing, and the adhesive strength is excellent, and sufficient adhesiveness can be maintained even under severe high temperature and high humidity conditions. The adhesive composition is obtained by mixing the above-described components at an appropriate ratio. In mixing, each component may be diluted with a solvent in advance, or may be added to the solvent during mixing.

本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートは、上記接着剤組成物からなる接着剤層を基材上に剥離可能に形成してなる。本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートの形状は、テープ状、基材上において接着剤層を被着体に接着するのに適した形状に予め裁断して担持させた形状などのあらゆる形状をとり得る。本発明者らが鋭意検討した結果、上述した特定の物性を有する接着剤層を用いてダイシング・ダイボンディングシートを作製すると、後述する基材の種類によらず、ダイシング工程における基材の変形に起因した接着剤層の収縮を抑制できることを見出した。   The dicing die bonding sheet | seat which concerns on this invention forms the adhesive bond layer which consists of the said adhesive composition so that peeling is possible on a base material. The dicing die bonding sheet according to the present invention may have any shape such as a tape shape or a shape that is preliminarily cut and supported in a shape suitable for adhering an adhesive layer to an adherend on a substrate. obtain. As a result of intensive studies by the present inventors, when a dicing die-bonding sheet is produced using the above-mentioned adhesive layer having specific physical properties, the substrate is deformed in the dicing process regardless of the type of the substrate described later. It has been found that the shrinkage of the resulting adhesive layer can be suppressed.

ダイシング・ダイボンディングシートの基材としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどのフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルムなどを用いることができる。本発明に用いる基材としては、ポリエチレンフィルム、エチレン・メタクリル酸共重合体フィルム、ポリプロピレンフィルムからなる群から選ばれる１種以上を含む基材が好ましい。   Examples of the base material of the dicing die bonding sheet include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film. , Polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate A film such as a film, a polyimide film, or a fluororesin film is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film etc. which colored these can be used. As a base material used for this invention, the base material containing 1 or more types chosen from the group which consists of a polyethylene film, an ethylene methacrylic acid copolymer film, and a polypropylene film is preferable.

本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。すなわち、接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。下限値は通常２５ｍＮ／ｍ程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。   The dicing die-bonding sheet according to the present invention is affixed to various adherends, and after subjecting the adherends to required processing, the adhesive layer is fixed to the adherends and peeled off from the substrate. The That is, it is used in a process including a step of transferring an adhesive layer from a substrate to an adherend. For this reason, the surface tension of the surface in contact with the adhesive layer of the substrate is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. The lower limit is usually about 25 mN / m. Such a substrate having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release agent to the surface of the substrate and performing a release treatment.

基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。   As the release agent used for the substrate release treatment, alkyd, silicone, fluorine, unsaturated polyester, polyolefin, wax, and the like are used. In particular, alkyd, silicone, and fluorine release agents are used. Is preferable because it has heat resistance.

上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。   In order to release the surface of the substrate using the above release agent, the release agent can be applied as it is without solvent, or after solvent dilution or emulsification, using a gravure coater, Mayer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. Then, the laminate may be formed by room temperature or heating or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.

基材の厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。また、接着剤層の厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。   The thickness of the substrate is usually about 10 to 500 μm, preferably about 15 to 300 μm, and particularly preferably about 20 to 250 μm. Moreover, the thickness of an adhesive bond layer is 1-500 micrometers normally, Preferably it is 5-300 micrometers, Most preferably, it is about 10-150 micrometers.

ダイシング・ダイボンディングシートの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、接着剤層を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、ダイシング・ダイボンディングシートの使用前に、接着剤層を保護するために、接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。該剥離フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリプロピレンフィルムなどのプラスチック材料にシリコーン樹脂などの剥離剤が塗布されているものが使用される。また、接着剤層の表面外周部には、リングフレームなどの他の治具を固定するために別途粘着剤層や粘着テープが設けられていてもよい。   The manufacturing method of the dicing / die bonding sheet is not particularly limited, and the dicing / die bonding sheet may be manufactured by applying and drying the composition constituting the adhesive layer on the base material, and the adhesive layer may be formed on the release film. It may be produced by providing it and transferring it to the substrate. In addition, before using a dicing die-bonding sheet, in order to protect an adhesive bond layer, you may laminate | stack a peeling film on the upper surface of an adhesive bond layer. As the release film, one in which a release agent such as a silicone resin is applied to a plastic material such as a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film is used. Further, a pressure-sensitive adhesive layer or a pressure-sensitive adhesive tape may be separately provided on the outer peripheral portion of the surface of the adhesive layer in order to fix another jig such as a ring frame.

次に本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートの利用方法について、該ダイシング・ダイボンディングシートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。   Next, a method of using the dicing die bonding sheet according to the present invention will be described by taking as an example the case where the dicing die bonding sheet is applied to the manufacture of a semiconductor device.

（半導体装置の製造方法）
本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートを用いた半導体装置の製造方法は、上記ダイシング・ダイボンディングシートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップを有機基板やリードフレームのダイパッド部上、またはチップを積層する場合に別の半導体チップ上に該接着剤層を介して載置する工程を含む。 (Method for manufacturing semiconductor device)
A method of manufacturing a semiconductor device using a dicing die bonding sheet according to the present invention includes a semiconductor wafer adhered to an adhesive layer of the dicing die bonding sheet, and the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip. The adhesive layer remains on the backside of the chip and is peeled off from the base material. When the semiconductor chip is laminated on the die pad portion of an organic substrate or a lead frame, or when another chip is stacked, the adhesive layer is placed on the other semiconductor chip. Including the step of mounting.

以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について詳述する。
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず、表面に回路が形成され、裏面が研削された半導体ウエハを準備する。 Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described in detail.
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, first, a semiconductor wafer having a circuit formed on the front surface and a ground back surface is prepared.

半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面（裏面）を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は２０〜５００μｍ程度である。   The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. Next, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and grinding may be performed by a known means using a grinder or the like. At the time of back surface grinding, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side on which no circuit is formed is ground by a grinder. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 μm.

その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。   Thereafter, if necessary, the crushed layer generated during back grinding is removed. The crushed layer is removed by chemical etching, plasma etching, or the like.

次いで、リングフレームおよび半導体ウエハの裏面側を本発明に係るダイシング・ダイボンディングシートの接着剤層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウエハを固定する。次いで、接着剤層にエネルギー線重合性基含有アクリル系重合体やエネルギー線重合性化合物（Ｈ）が配合されている場合には、接着剤層に基材側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性基含有アクリル系重合体やエネルギー線重合性化合物（Ｈ）を重合させ、接着剤層の凝集力を上げ、接着剤層と基材との間の接着力を低下させておく。照射されるエネルギー線としては、紫外線（ＵＶ）または電子線（ＥＢ）等が挙げられ、好ましくは紫外線が用いられる。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の半導体ウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと、接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後、半導体チップの剥離（ピックアップ）前のいずれの段階で行ってもよく、たとえばダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。さらにエネルギー線照射を複数回に分けて行ってもよい。   Next, the ring frame and the back surface side of the semiconductor wafer are placed on the adhesive layer of the dicing die bonding sheet according to the present invention, and lightly pressed to fix the semiconductor wafer. Next, when an energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer or energy ray polymerizable compound (H) is blended in the adhesive layer, the energy layer is irradiated with energy rays from the substrate side, The polymerizable group-containing acrylic polymer and the energy beam polymerizable compound (H) are polymerized to increase the cohesive force of the adhesive layer and reduce the adhesive force between the adhesive layer and the substrate. Examples of the energy rays to be irradiated include ultraviolet rays (UV) and electron beams (EB), and preferably ultraviolet rays are used. Next, the semiconductor wafer is cut using a cutting means such as a dicing saw to obtain a semiconductor chip. The cutting depth at this time is a depth that takes into account the sum of the thickness of the semiconductor wafer and the adhesive layer and the wear of the dicing saw. The energy beam irradiation may be performed at any stage after the semiconductor wafer is pasted and before the semiconductor chip is peeled off (pickup). For example, the irradiation may be performed after dicing or after the following expanding step. Good. Further, the energy beam irradiation may be performed in a plurality of times.

次いで必要に応じ、ダイシング・ダイボンディングシートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、接着剤層と基材との間の接着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された接着剤層を半導体チップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。   Then, if necessary, when the dicing die bonding sheet is expanded, the interval between the semiconductor chips is expanded, and the semiconductor chips can be picked up more easily. At this time, a deviation occurs between the adhesive layer and the base material, the adhesive force between the adhesive layer and the base material is reduced, and the pick-up property of the semiconductor chip is improved. When the semiconductor chip is picked up in this manner, the cut adhesive layer can be fixedly left on the back surface of the semiconductor chip and peeled off from the substrate.

次いで接着剤層を介して半導体チップを、リードフレームのダイパッド上または別の半導体チップ（下段チップ）表面に載置する（以下、チップが搭載されるダイパッドまたは下段チップ表面を「チップ搭載部」と記載する）。チップ搭載部は、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０．１秒〜５分、好ましくは０．５秒〜３分であり、載置するときの圧力は、通常１ｋＰａ〜２００ＭＰａである。   Next, the semiconductor chip is placed on the die pad of the lead frame or the surface of another semiconductor chip (lower chip) via the adhesive layer (hereinafter, the die pad or lower chip surface on which the chip is mounted is referred to as “chip mounting portion”. To describe). The chip mounting portion is heated before or after the semiconductor chip is placed. The heating temperature is usually 80 to 200 ° C., preferably 100 to 180 ° C., and the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5 seconds to 3 minutes. The pressure is usually 1 kPa to 200 MPa.

半導体チップをチップ搭載部に載置した後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。   After placing the semiconductor chip on the chip mounting portion, further heating may be performed as necessary. The heating conditions at this time are in the above heating temperature range, and the heating time is usually 1 to 180 minutes, preferably 10 to 120 minutes.

また、載置後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、パッケージ製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して接着剤層を硬化させてもよい。このような工程を経ることで、接着剤層が硬化し、半導体チップとチップ搭載部とを強固に接着することができる。接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、チップ搭載部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できパッケージの信頼性が高くなる。   Alternatively, the adhesive layer may be cured by using heat in resin sealing that is normally performed in package manufacturing, without temporarily performing the heat treatment after placement. Through such a process, the adhesive layer is cured, and the semiconductor chip and the chip mounting portion can be firmly bonded. Since the adhesive layer is fluidized under die-bonding conditions, the adhesive layer is sufficiently embedded in the unevenness of the chip mounting portion, and generation of voids can be prevented and the reliability of the package is improved.

本発明のダイシング・ダイボンディングシートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。   The dicing die-bonding sheet of the present invention can be used for bonding semiconductor compounds, glass, ceramics, metals and the like in addition to the above-described usage methods.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、〔貯蔵弾性率およびｔａｎδの測定〕、〔応力緩和率の測定〕および〔接着剤層の収縮観察〕は次のように行った。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. In the following Examples and Comparative Examples, [Measurement of storage elastic modulus and tan δ], [Measurement of stress relaxation rate] and [Observation of shrinkage of adhesive layer] were performed as follows.

〔貯蔵弾性率およびｔａｎδの測定〕
硬化前の接着剤層（比較例１および２については、後述する接着剤層の収縮観察の試験と同様にして、紫外線を照射した接着剤層）の８０℃における貯蔵弾性率及びｔａｎδは、動的粘弾性装置（レオメトリクス社製 ＲＤＡＩＩ）により、周波数１Ｈｚで測定した。 [Measurement of storage modulus and tan δ]
The storage elastic modulus and tan δ at 80 ° C. of the adhesive layer before curing (for Comparative Examples 1 and 2, the adhesive layer irradiated with ultraviolet rays in the same manner as the later-described shrinkage observation test of the adhesive layer) Was measured at a frequency of 1 Hz using a mechanical viscoelastic device (RDAII manufactured by Rheometrics).

〔応力緩和率の測定〕
硬化前の接着剤層（比較例１および２については、後述する接着剤層の収縮観察の試験と同様にして、紫外線を照射した接着剤層）の８０℃における応力緩和率は、動的粘弾性装置（レオメトリクス社製 ＲＤＡＩＩ）により、初期弾性率Ａと、捻り量２０％の応力を加え１２０秒後の応力維持後弾性率Ｂを測定し、下記の式より算出した。
応力緩和率［％］＝（Ａ−Ｂ）／Ａ×１００
[Measurement of stress relaxation rate]
The stress relaxation rate at 80 ° C. of the adhesive layer before curing (in the case of Comparative Examples 1 and 2, the adhesive layer irradiated with ultraviolet rays in the same manner as the later-described shrinkage observation test of the adhesive layer) Using an elastic device (RDAII manufactured by Rheometrics Co., Ltd.), an initial elastic modulus A and a stress with a twist amount of 20% were applied, and an elastic modulus B after stress maintenance after 120 seconds was measured and calculated from the following formula .
Stress relaxation rate [%] = (A−B) / A × 100

〔接着剤層の収縮観察〕
ディスコ社製ＤＧＰ８７６０を用いて、シリコンウエハの裏面をドライポリッシュした（２００ｍｍ径、厚さ７５μｍ）。シリコンウエハのドライポリッシュ処理した面（ウエハ裏面）に、テープマウンター（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標） ＲＡＤ２５００ ｍ／８）を用いて、ダイシング・ダイボンディングシートを貼付し、同時にリングフレームに固定した。なお、ダイシング・ダイボンディングシートの接着剤層にエネルギー線重合性化合物が含まれる場合は、紫外線照射装置（リンテック社製 Ａｄｗｉｌｌ（登録商標） ＲＡＤ２０００）を用いて、該シートの基材面から紫外線を照射（３５０ｍＷ／ｃｍ2、１９０ｍＪ／ｃｍ2）した。 [Observation of shrinkage of adhesive layer]
The back surface of the silicon wafer was dry-polished (200 mm diameter, thickness 75 μm) using DGP 8760 manufactured by Disco Corporation. Using a tape mounter (Adwill (registered trademark) RAD2500 m / 8) manufactured by Lintec Co., Ltd., a dicing / die bonding sheet was applied to the silicon wafer dry-polished surface (wafer back surface) and simultaneously fixed to the ring frame. . In addition, when an energy ray polymerizable compound is contained in the adhesive layer of the dicing die bonding sheet, ultraviolet rays are irradiated from the base material surface of the sheet using an ultraviolet irradiation device (Adwill (registered trademark) RAD2000 manufactured by Lintec Corporation). Irradiation (350 mW / cm 2 , 190 mJ / cm 2 ).

次に、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６５１）を使用し、８ｍｍ×８ｍｍのサイズのチップにダイシングし、接着シートの接着剤層とともにチップを基材からピックアップして、接着剤層付きチップを得た。ダイシングの際の切り込み量は、接着シートの基材に対して２０μｍ切り込むようにした。   Next, using a dicing machine (DSCO, DFD651), dicing into 8 mm × 8 mm size chips, picking up the chips from the base material together with the adhesive layer of the adhesive sheet, and obtaining a chip with an adhesive layer It was. The amount of cut during dicing was set to 20 μm with respect to the base material of the adhesive sheet.

接着剤層付きチップの接着剤層の端部の収縮を、デジタル顕微鏡（ＶＨＸ−１０００、キーエンス社製）で観察し、端部における接着剤層の収縮を以下の基準で評価した。
Ａ・・・収縮が見られない。
Ｂ・・・チップ端部より０μｍを超え、１０μm未満縮んでいる。
Ｃ・・・チップ端部より１０μm以上縮んでいる。 The shrinkage | contraction of the edge part of the adhesive bond layer of a chip | tip with an adhesive bond layer was observed with the digital microscope (VHX-1000, product made by Keyence Corporation), and the shrinkage | contraction of the adhesive bond layer in an edge part was evaluated on the following references | standards.
A ... Shrinkage is not seen.
B: It shrinks by more than 0 μm and less than 10 μm from the end of the chip.
C: 10 μm or more contracted from the end of the chip.

〔接着剤組成物の成分〕
接着剤層を構成する接着剤組成物（ａ）〜（ｈ）の各成分は、下記及び表１の通りである。表１の成分及び配合量に従い、各成分を配合して接着剤組成物（ａ）〜（ｈ）を調整した。 [Components of adhesive composition]
The components of the adhesive compositions (a) to (h) constituting the adhesive layer are as shown below and Table 1. According to the components and blending amounts in Table 1, each component was blended to prepare adhesive compositions (a) to (h).

（Ａ１）アクリル重合体：ブチルアクリレートを主成分とし、２−エチルヘキシルアクリレートを全単量体中１５質量％成分として含むアクリル重合体（Ｍｗ＝８０万、Ｔｇ＝−２８℃）
（Ａ２）アクリル重合体：メチルアクリレートを主成分とし、２−エチルヘキシルアクリレートを全単量体中１５質量％成分として含むアクリル重合体（Ｍｗ＝８０万、Ｔｇ＝３７℃）
（Ｂ）エポキシ樹脂：アクリルゴム微粒子分散ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（日本触媒社製 ＢＰＡ３２８）
（Ｃ）熱硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（昭和高分子社製 ショウノールＢＲＧ５５６）
（Ｄ）硬化促進剤：２−フェニル−４，５−ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール（四国化成工業株式会社製 キュアゾール２ＰＨＺ）
（Ｅ）カップリング剤：シランカップリング剤（三菱化学株式会社製 ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２）
（Ｆ）無機充填材：シリカフィラー（株式会社アドマテックス製 アドマファインＳＣ２０５０）
（Ｇ）熱可塑性樹脂：ポリエステル樹脂（東洋紡社製 バイロン２２０）
（Ｈ）エネルギー線重合性化合物：ジシクロペンタジエン骨格含有アクリレート（日本化薬社製 カヤラッドＲ６８４）
（Ｉ）光重合開始剤：α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製 イルガキュア１８４）
（Ｊ）架橋剤：トリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東洋インキ製造株式会社製 ＢＨＳ−８５１５） (A1) Acrylic polymer: Acrylic polymer (Mw = 800,000, Tg = −28 ° C.) containing butyl acrylate as a main component and 2-ethylhexyl acrylate as a 15 mass% component in all monomers.
(A2) Acrylic polymer: Acrylic polymer (Mw = 800,000, Tg = 37 ° C.) containing methyl acrylate as a main component and 2-ethylhexyl acrylate as a 15 mass% component in all monomers.
(B) Epoxy resin: acrylic rubber fine particle dispersed bisphenol A type liquid epoxy resin (BPA328 manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.)
(C) Thermosetting agent: Novolac type phenol resin (Showon High Polymer Co., Ltd. Shonor BRG556)
(D) Curing accelerator: 2-phenyl-4,5-di (hydroxymethyl) imidazole (Curesol 2PHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
(E) Coupling agent: Silane coupling agent (MKC silicate MSEP2 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
(F) Inorganic filler: Silica filler (Admafine SC2050 manufactured by Admatechs Co., Ltd.)
(G) Thermoplastic resin: polyester resin (byron 220 manufactured by Toyobo Co., Ltd.)
(H) Energy ray-polymerizable compound: Dicyclopentadiene skeleton-containing acrylate (Nippon Kayaku Kayrad R684)
(I) Photopolymerization initiator: α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
(J) Crosslinking agent: trimethylolpropane-modified tolylene diisocyanate (BHS-8515 manufactured by Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd.)

（実施例および比較例）
表１に記載の組成の接着剤組成物（ａ）〜（ｈ）を使用した。表１中、各成分の数値は固形分換算の質量部を示し、本発明において固形分とは溶媒以外の全成分をいう。表１に記載の組成の接着剤組成物（ａ）〜（ｈ）を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が５０質量％となるように希釈し、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製 ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１）上に乾燥後厚みが２５μｍになるように塗布・乾燥（乾燥条件：オーブンにて１００℃、１分間）して、剥離フィルム上に形成された接着剤層を得た。その後、接着剤層と表２に記載の基材とを貼り合せて、接着剤層を基材上に転写することで、所望のダイシング・ダイボンディングシートを得た。各評価結果を表２に示す。 (Examples and Comparative Examples)
Adhesive compositions (a) to (h) having the compositions described in Table 1 were used. In Table 1, the numerical value of each component indicates a mass part in terms of solid content, and the solid content in the present invention means all components other than the solvent. Adhesive compositions (a) to (h) having the compositions shown in Table 1 were diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration became 50% by mass, and were subjected to a silicone treatment (SP- manufactured by Lintec Corporation). It was coated and dried (drying condition: 100 ° C. for 1 minute in an oven) so as to have a thickness of 25 μm after drying on PET 381031) to obtain an adhesive layer formed on the release film. Then, the desired dicing die-bonding sheet was obtained by bonding the adhesive layer and the base material described in Table 2 and transferring the adhesive layer onto the base material. Each evaluation result is shown in Table 2.

Figure 0005951207
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Figure 0005951207
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表２より、実施例のダイシング・ダイボンディングシートでは、接着剤層の収縮観察評価が良好であった。つまり、実施例のダイシング・ダイボンディングシートは、厳しい湿熱条件およびリフロー工程を経た場合においても接着性やパッケージ信頼性に優れている。   From Table 2, in the dicing die-bonding sheet of the example, the shrinkage observation evaluation of the adhesive layer was good. That is, the dicing die bonding sheet of the example is excellent in adhesiveness and package reliability even when subjected to severe wet heat conditions and a reflow process.

一方、比較例のダイシング・ダイボンディングシートでは、実施例と比較して大きな接着剤層の収縮が観察された。つまり、比較例のダイシング・ダイボンディングシートは、厳しい湿熱条件およびリフロー工程を経た場合における接着性やパッケージ信頼性に劣る。   On the other hand, in the dicing die bonding sheet of the comparative example, a large shrinkage of the adhesive layer was observed as compared with the example. That is, the dicing die bonding sheet of the comparative example is inferior in adhesiveness and package reliability when subjected to severe wet heat conditions and a reflow process.

１０：ダイシング・ダイボンディングシート
１ ：基材
２ ：接着剤層
３ ：半導体チップ
４ ：半導体ウエハ
５ ：ダイシングブレード
６ ：カーフ
７ ：リングフレーム 10: Dicing die bonding sheet 1: Base material 2: Adhesive layer 3: Semiconductor chip 4: Semiconductor wafer 5: Dicing blade 6: Calf 7: Ring frame

Claims (9)

基材上に接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングシートであって、
前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃における貯蔵弾性率が５００００〜３４７４１０Ｐａであり、かつ、８０℃環境下の２０％捻り応力付加の１２０秒後における応力緩和率が３０〜９０％であるダイシング・ダイボンディングシート。 A dicing die bonding sheet in which an adhesive layer is laminated on a substrate,
The adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 ° C. of 50000 to 347410 Pa in a state before curing, and a stress relaxation rate of 30 to 90 after 120 seconds of 20% torsional stress application in an 80 ° C. environment. % Dicing die bonding sheet. 前記接着剤層は、硬化前の状態において、８０℃におけるｔａｎδが０．１〜０．３８である請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The dicing / die bonding sheet according to claim 1, wherein the adhesive layer has a tan δ at 80 ° C. of 0.1 to 0.38 in a state before curing. 前記接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）及びエポキシ樹脂（Ｂ）を含有する接着剤組成物からなる請求項１または２に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The dicing die bonding sheet according to claim 1 or 2, wherein the adhesive layer is made of an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B). 前記アクリル重合体（Ａ）が反応性官能基を有する請求項３に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The dicing die bonding sheet according to claim 3, wherein the acrylic polymer (A) has a reactive functional group. 前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、１０質量部以上含まれる請求項３または４に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The dicing die-bonding sheet according to claim 3 or 4, wherein the acrylic polymer (A) is contained in 10 parts by mass or more in 100 parts by mass of the adhesive composition. 前記接着剤組成物が架橋剤を含有し、
前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して１〜４０質量部含まれる請求項３〜５のいずれかに記載のダイシング・ダイボンディングシート。 The adhesive composition contains a crosslinking agent;
The dicing die bonding sheet according to any one of claims 3 to 5, wherein the crosslinking agent is contained in an amount of 1 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). 前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、３５質量部より多く含まれ、かつ、前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して５質量部以上２０質量部未満含まれる請求項６に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The acrylic polymer (A) is contained in an amount of more than 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent is 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). The dicing die-bonding sheet according to claim 6, which is contained in an amount of less than 20 parts by mass. 前記アクリル重合体（Ａ）が、接着剤組成物１００質量部中、１０〜３５質量部含まれ、かつ、前記架橋剤が、前記アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して２０〜３５質量部含まれる請求項６に記載のダイシング・ダイボンディングシート。   The acrylic polymer (A) is contained in 10 to 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent is 20 to 35 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). The dicing die-bonding sheet according to claim 6, which is included in a portion. 前記基材が、ポリエチレンフィルム、エチレン・メタクリル酸共重合体フィルム、ポリプロピレンフィルムからなる群から選ばれる１種以上を含む請求項１〜８のいずれかに記載のダイシング・ダイボンディングシート。
The dicing die-bonding sheet according to any one of claims 1 to 8, wherein the base material contains one or more selected from the group consisting of a polyethylene film, an ethylene / methacrylic acid copolymer film, and a polypropylene film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987294A (en) * 2018-06-21 2018-12-11 上海飞骧电子科技有限公司 Solve the problems, such as the passive device GaAs brush coating method of encapsulation excessive glue

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6877982B2 (en) * 2016-12-08 2021-05-26 日東電工株式会社 Adhesive film, dicing / die bond film, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
US11639410B2 (en) 2019-12-18 2023-05-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable resin composition and uses thereof
JP7298468B2 (en) * 2019-12-18 2023-06-27 信越化学工業株式会社 Thermosetting resin composition and its use
CN112341975B (en) * 2020-11-25 2022-03-08 中路交科科技股份有限公司 Second-order epoxy adhesive layer oil, preparation method and application method thereof
JPWO2022138341A1 (en) 2020-12-25 2022-06-30

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3383227B2 (en) * 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 Semiconductor wafer backside grinding method
JP4841802B2 (en) * 2003-05-02 2011-12-21 リンテック株式会社 Adhesive sheet and method of using the same
JP4274867B2 (en) * 2003-08-06 2009-06-10 リンテック株式会社 IC tag
JP4776188B2 (en) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 Semiconductor device manufacturing method and wafer processing tape
JP4780653B2 (en) * 2005-02-21 2011-09-28 日東電工株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
KR100804891B1 (en) * 2006-02-14 2008-02-20 엘에스전선 주식회사 Dicing die attach film and semiconductor packaging method using the same
JP5005258B2 (en) 2006-05-23 2012-08-22 リンテック株式会社 Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP2010171402A (en) * 2008-12-24 2010-08-05 Nitto Denko Corp Thermosetting die-bonding film
JP2010219293A (en) * 2009-03-17 2010-09-30 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for processing wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108987294A (en) * 2018-06-21 2018-12-11 上海飞骧电子科技有限公司 Solve the problems, such as the passive device GaAs brush coating method of encapsulation excessive glue

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