JP5513734B2 - Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハなどをダイシングし半導体チップを得て、半導体チップを有機基板やリードフレーム上にダイボンディングする工程で使用するのに特に適した接着剤組成物、および該接着剤組成物からなる接着剤層を有する接着シート、ならびに該接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an adhesive composition particularly suitable for use in a process of dicing a semiconductor wafer or the like to obtain a semiconductor chip and die-bonding the semiconductor chip on an organic substrate or a lead frame, and the adhesive composition. The present invention relates to an adhesive sheet having an adhesive layer and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、この半導体ウエハは、素子小片（半導体チップ）に切断分離（ダイシング）された後に次の工程であるボンディング工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。 A semiconductor wafer made of silicon, gallium arsenide, or the like is manufactured in a large diameter state, and the semiconductor wafer is cut and separated (diced) into element pieces (semiconductor chips) and then transferred to a bonding process which is the next process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up processes in a state where it is adhered to the adhesive sheet in advance, and then transferred to the next bonding process.
これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用接着シートが種々提案されている（たとえば、特許文献１〜４参照）。ダイシング・ダイボンディング用接着シートの接着剤層は、ウエハのダイシング時にはウエハを固定し、ダイシング時にウエハとともにダイシングされ、チップと同形状の接着剤に切断される。その後、チップのピックアップを行うと、チップ裏面に接着剤層が残着した状態でピックアップされる。チップ裏面に残着した接着剤層を介して、チップをリードフレーム等のチップ搭載部に載置し、１６０℃程度で接着剤層を熱硬化することで、ダイボンドが完了する。次いで、樹脂封止して半導体装置が得られる。その後、半田リフローなどにより半導体装置を所望の箇所に実装する。 In order to simplify the pick-up process and bonding process among these processes, various dicing / die bonding adhesive sheets having both a wafer fixing function and a die bonding function have been proposed (for example, Patent Documents). 1-4). The adhesive layer of the adhesive sheet for dicing / die bonding fixes the wafer when the wafer is diced, is diced together with the wafer at the time of dicing, and is cut into an adhesive having the same shape as the chip. Thereafter, when the chip is picked up, the chip is picked up with the adhesive layer remaining on the back surface of the chip. The die bonding is completed by placing the chip on a chip mounting portion such as a lead frame through the adhesive layer remaining on the back surface of the chip and thermosetting the adhesive layer at about 160 ° C. Next, resin sealing is performed to obtain a semiconductor device. Thereafter, the semiconductor device is mounted at a desired location by solder reflow or the like.
上記特許文献１〜４に開示されている接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。このような接着シートは一般にエネルギー線硬化性と熱硬化性とを有し、アクリル系の粘着剤とエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂およびエネルギー線硬化性を付与するためにエネルギー線硬化性化合物が配合されている。 The adhesive sheets disclosed in Patent Documents 1 to 4 enable so-called direct die bonding, and the application process of the die bonding adhesive can be omitted. Such an adhesive sheet generally has energy ray curable properties and thermosetting properties, and an energy ray curable compound is used to impart energy ray curable properties and thermosetting resins such as acrylic adhesives and epoxy resins. It is blended.
なお、特許文献５および６には、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物を配合した粘着剤層を有するダイシングシートが開示されている。これら公報に記載のダイシングシートにおける粘着剤層には、熱硬化性成分が配合されていないため、ウエハ固定機能を有するものの、ダイ接着機能は有さない。
近年、半導体装置に対する要求特性は非常に厳しいものとなっている。たとえば、厳しい湿熱環境下におけるパッケージ信頼性が求められている。しかし、半導体チップ自体が薄型化した結果、チップの強度が低下し、厳しい湿熱環境下におけるパッケージ信頼性は十分なものとは言えなくなってきた。 In recent years, required characteristics for semiconductor devices have become very strict. For example, package reliability under severe wet heat environments is required. However, as a result of the thinning of the semiconductor chip itself, the strength of the chip is reduced, and it cannot be said that the package reliability in a severe wet heat environment is sufficient.
また、電子部品の接続において行われている表面実装法ではパッケージ全体が半田融点以上の高温下にさらされる表面実装法（リフロー）が行われている。最近では環境への配慮から鉛を含まない半田へ移行したことにより、実装時の最大温度が従来の230〜240℃から260〜265℃へと上昇し、半導体パッケージ内部で発生する応力が大きくなり、接着界面での剥離やパッケージクラックの危険性はさらに高くなっている。 In the surface mounting method used for connecting electronic components, a surface mounting method (reflow) is performed in which the entire package is exposed to a high temperature equal to or higher than the solder melting point. Recently, due to environmental considerations, the transition to solder containing no lead has raised the maximum temperature during mounting from the conventional 230-240 ° C to 260-265 ° C, increasing the stress generated inside the semiconductor package. The risk of peeling at the adhesive interface and package cracking is even higher.
以上のように、実装温度の上昇がパッケージの信頼性低下を招いており、厳格化しつつある半導体パッケージの信頼性に対して、従来の接着剤では要求レベルを満たせなくなってきた。 As described above, an increase in the mounting temperature has caused a decrease in the reliability of the package, and a conventional adhesive cannot satisfy the required level for the reliability of semiconductor packages that are becoming stricter.
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、高温度高湿度に曝された場合であってもチップ裏面への密着性が高く保たれた接着剤組成物および接着シート、ならびにこの接着剤組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is an adhesive composition and an adhesive sheet that maintain high adhesion to the back surface of a chip even when exposed to high temperature and high humidity, and this An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device using an adhesive composition.
本発明者らは、上記課題の解決を目的として鋭意研究した結果、接着剤組成物中に含まれるエネルギー線硬化性化合物として、イソシアヌレート骨格を有する化合物を使用することで、ピックアップ性を損なうことなく、ウエハとの密着性、接着性が向上し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面での剥離やパッケージクラックが発生しないことを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies aimed at solving the above-mentioned problems, the present inventors impair pick-up properties by using a compound having an isocyanurate skeleton as an energy ray-curable compound contained in the adhesive composition. As a result, the adhesion and adhesion to the wafer were improved, and even when exposed to severe reflow conditions, it was found that no peeling or package cracking occurred at the adhesion interface, and the present invention was completed. .
本発明は、以下の要旨を含む。
（１）アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、およびイソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を含む接着剤組成物。
The present invention includes the following gist.
(1) An adhesive composition containing an acrylic polymer (A), an epoxy thermosetting resin (B), and an energy ray curable compound (C) having an isocyanurate skeleton.
（２）前記イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）が下記式にて示される化合物である（１）に記載の接着剤組成物。 (2) The adhesive composition according to (1), wherein the energy ray-curable compound (C) having the isocyanurate skeleton is a compound represented by the following formula.
（式中、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ独立に１〜６の整数であり、ｐ＋ｑ＋ｒは０〜９の範囲にある） (Wherein a, b and c are each independently an integer of 1 to 6, and p + q + r is in the range of 0 to 9)
（３）上記（１）または（２）に記載の接着剤組成物からなる接着剤層が基材上に剥離可能に形成されてなる接着シート。 (3) An adhesive sheet in which an adhesive layer made of the adhesive composition according to the above (1) or (2) is formed on a substrate so as to be peelable.
（４）上記（３）に記載の接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に該接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該接着剤層を介して載置する工程を含む半導体装置の製造方法。 (4) A semiconductor wafer is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet described in (3) above, and the semiconductor wafer is diced to form a semiconductor chip, and the adhesive layer is fixed and left on the back surface of the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of peeling from a material and placing the semiconductor chip on a die pad portion or another semiconductor chip via the adhesive layer.
本発明によれば、半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、半導体チップや基板などとの接着界面での剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物および該接着剤組成物からなる接着剤層を有する接着シートならびに該接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。 According to the present invention, in a package mounted with a semiconductor chip, even when exposed to severe reflow conditions, there is no occurrence of peeling at the adhesive interface with the semiconductor chip or the substrate or generation of package cracks, and high package reliability. There are provided an adhesive composition capable of achieving the property, an adhesive sheet having an adhesive layer made of the adhesive composition, and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.
以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。本発明に係る接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、およびイソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を必須成分として含有し、さらに、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分が含まれていてもよい。以下、これら各成分について具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically, including its best mode. The adhesive composition according to the present invention contains, as essential components, an acrylic polymer (A), an epoxy thermosetting resin (B), and an energy ray-curable compound (C) having an isocyanurate skeleton, In order to improve various physical properties, other components may be included as necessary. Hereinafter, each of these components will be described in detail.
（Ａ）アクリル重合体
接着剤組成物に十分な接着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにアクリル重合体（Ａ）が用いられる。アクリル重合体（Ａ）としては、従来公知のアクリル重合体を用いることができる。
(A) Acrylic polymer The acrylic polymer (A) is used to impart sufficient adhesiveness and film forming property (sheet processability) to the adhesive composition. A conventionally well-known acrylic polymer can be used as an acrylic polymer (A).
アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万以上２００万以下であることが望ましく、１０万以上１５０万以下であることがより望ましい。アクリル重合体（Ａ）の重量平均分子量が低過ぎると接着剤層と基材との粘着力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとチップ搭載部の凹凸へ接着剤層が追従できないことがあり、ボイドなどの発生要因になることがある。 The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably from 10,000 to 2,000,000, and more preferably from 100,000 to 1,500,000. If the weight average molecular weight of the acrylic polymer (A) is too low, the adhesive force between the adhesive layer and the substrate becomes high, and pickup failure may occur. If it is too high, the adhesive layer follows the irregularities of the chip mounting portion. It may not be possible and may be a cause of voids.
アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０℃以上５０℃以下、さらに好ましくは−５０℃以上４０℃以下、特に好ましくは−４０℃以上３０℃以下の範囲にある。アクリル重合体（Ａ）のガラス転移温度が低過ぎると接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。 The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably in the range of −60 ° C. to 50 ° C., more preferably −50 ° C. to 40 ° C., and particularly preferably −40 ° C. to 30 ° C. . If the glass transition temperature of the acrylic polymer (A) is too low, the peeling force between the adhesive layer and the substrate may become large and chip pick-up failure may occur. If it is too high, the adhesive force for fixing the wafer will be low. May be insufficient.
上記アクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、2-エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられ；水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、2-ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、2-ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中では、水酸基を有しているモノマーを重合して得られるアクリル重合体が、後述するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリル重合体（Ａ）は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。 As a monomer which comprises the said acrylic polymer (A), a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned. For example, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) (Meth) acrylates having a cyclic skeleton such as cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) Acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, imide (meth) acrylate, etc .; hydroxymethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl Pill (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate. In these, the acrylic polymer obtained by superposing | polymerizing the monomer which has a hydroxyl group has preferable compatibility with the epoxy-type thermosetting resin (B) mentioned later. The acrylic polymer (A) may be copolymerized with acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.
本発明においては、加熱硬化後の接着剤層の架橋密度を低くすることで、接着剤層に柔軟性を付与し、接着界面に集中する負荷を緩和して安定した接着性能を維持するために、接着剤組成物には、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）以外にエポキシ基を有する成分を含まないことが好ましい。すなわち、アクリル重合体には、グリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有アクリルモノマーを含まないことが好ましい。 In the present invention, by reducing the crosslinking density of the adhesive layer after heat-curing, to impart flexibility to the adhesive layer, to reduce the load concentrated on the adhesive interface, and to maintain stable adhesive performance The adhesive composition preferably contains no component having an epoxy group other than the epoxy thermosetting resin (B). That is, it is preferable that the acrylic polymer does not contain an epoxy group-containing acrylic monomer such as glycidyl (meth) acrylate.
（Ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂
エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）としては、具体的には、特開２０００−２２５４３２号公報に記載の多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
(B) Epoxy-type thermosetting resin As an epoxy-type thermosetting resin (B), a conventionally well-known epoxy resin can be used. Specific examples of the epoxy thermosetting resin (B) include polyfunctional epoxy resins described in JP-A No. 2000-225432, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, and orthocresol. Examples thereof include epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule such as novolac epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and phenylene skeleton type epoxy resin. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
本発明の接着剤組成物には、アクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）が、好ましくは１〜１５００重量部含まれ、より好ましくは３〜１２００重量部含まれる。エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）の含有量が１重量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１５００重量部を超えると接着剤層と基材との剥離力が高くなり、ピックアップ不良が起こることがある。 In the adhesive composition of the present invention, the epoxy thermosetting resin (B) is preferably contained in an amount of 1 to 1500 parts by weight, more preferably 3 to 1200 parts per 100 parts by weight of the acrylic polymer (A). Part by weight is included. If the content of the epoxy thermosetting resin (B) is less than 1 part by weight, sufficient adhesiveness may not be obtained. If the content exceeds 1500 parts by weight, the peel strength between the adhesive layer and the substrate is high. And pickup failure may occur.
（Ｃ）イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物
接着剤組成物には、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）が配合される。エネルギー線硬化性化合物（Ｃ）は、下記式にて示されるイソシアヌレート骨格を有し、またエネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する。
(C) Energy ray-curable compound having an isocyanurate skeleton An energy ray-curable compound (C) having an isocyanurate skeleton is blended in the adhesive composition. The energy ray-curable compound (C) has an isocyanurate skeleton represented by the following formula, contains an energy ray-polymerizable group, and is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams.
式中Ｒ１〜Ｒ３は、エネルギー線重合性基を含む置換基であり、好ましくは（メタ）アクリロイル基であるか、または（メタ）アクリロイル基を含む置換基である。（メタ）アクリロイル基は、イソシアヌレート骨格に直接結合していてもよく、またエーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−ＣＯＯ−）、短鎖のアルキレン基、あるいはこれらの複合基を介して結合していてもよい。エーテル結合、エステル結合および短鎖のアルキレン基を含む複合基を化合物（Ｃ）中に導入することで、他の成分との混和性が向上する。好ましいエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）としては、下記式にて示される化合物があげられる。 In the formula, R 1 to R 3 are substituents containing an energy ray polymerizable group, preferably a (meth) acryloyl group or a substituent containing a (meth) acryloyl group. The (meth) acryloyl group may be directly bonded to the isocyanurate skeleton, and via an ether bond (—O—), an ester bond (—COO—), a short-chain alkylene group, or a composite group thereof. It may be bonded. By introducing a composite group containing an ether bond, an ester bond and a short-chain alkylene group into the compound (C), the miscibility with other components is improved. Preferred examples of the energy ray curable compound (C) include compounds represented by the following formula.
式中、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ独立に１〜６、好ましくは１〜５の整数であり、ｐ＋ｑ＋ｒは０〜９、好ましくは１〜６の範囲にある。また、ｐ、ｑ、ｒはそれぞれ独立に好ましくは０〜３、特に好ましくは０〜２の整数である。 In the formula, a, b and c are each independently an integer of 1 to 6, preferably 1 to 5, and p + q + r is in the range of 0 to 9, preferably 1 to 6. P, q and r are each independently preferably an integer of 0 to 3, particularly preferably 0 to 2.
特に、本発明においては、（ａ，ｂ，ｃ，ｐ＋ｑ＋ｒ）が（５，５，５，１）、（５，５，５，３）、（５，５，５，６）のエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）が好ましく用いられる。また、エネルギー線硬化性化合物（Ｃ）の重量平均分子量は、好ましくは４００〜１５００であり、さらに好ましくは５００〜１２００の範囲にある。上記エネルギー線硬化性化合物（Ｃ）の製法は特に限定はされないが、たとえば上記式でａ，ｂ、ｃの何れかが５である化合物は、トリス−（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレートをε−カプロラクトンで変性して得られる。このようなイソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）のさらに具体的な例としては、新中村化学工業株式会社製ＮＫエステル９３００−１ＣＬ（分子量５３１）、ＮＫエステル９３００−３ＣＬ（分子量７５９）、ＮＫエステル９３００−６ＣＬ（分子量１１０１）などがあげられる。 In particular, in the present invention, (a, b, c, p + q + r) is energy beam hardening of (5, 5, 5, 1), (5, 5, 5, 3), (5, 5, 5, 6). The compound (C) is preferably used. Moreover, the weight average molecular weight of energy-beam curable compound (C) becomes like this. Preferably it is 400-1500, More preferably, it exists in the range of 500-1200. The production method of the energy beam curable compound (C) is not particularly limited. For example, a compound in which any one of a, b and c in the above formula is 5 represents tris- (2-acryloxyethyl) isocyanurate as ε. -Obtained by modification with caprolactone. More specific examples of the energy ray-curable compound (C) having such an isocyanurate skeleton include NK ester 9300-1CL (molecular weight 531) and NK ester 9300-3CL (molecular weight 759) manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. ), NK ester 9300-6CL (molecular weight 1101), and the like.
イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）は、イソシアヌレート骨格に由来する極性を有するため、シリコンなどからなる半導体ウエハに対する濡れ性が高く、ウエハとの密着性、接着性が向上する。したがって、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を硬化することで、ウエハと接着剤層とが高い接着強度で密着するため、リフロー時の過酷な熱湿条件下においても、ウエハとの接着界面での剥離やパッケージクラックが発生しない。また、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）は、接着シートの基材に対する親和性が低いため、エネルギー線重合性化合物（Ｃ）をエネルギー線照射によって硬化させることで、接着剤層と基材との粘着力は低下し、半導体チップのピックアップ工程における基材と接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。 Since the energy ray-curable compound (C) having an isocyanurate skeleton has a polarity derived from the isocyanurate skeleton, the wettability to a semiconductor wafer made of silicon or the like is high, and adhesion and adhesion to the wafer are improved. Therefore, by curing the energy ray curable compound (C) having an isocyanurate skeleton, the wafer and the adhesive layer adhere to each other with high adhesive strength, so even under severe heat and humidity conditions during reflow, No peeling or package cracking occurs at the adhesive interface. Moreover, since the energy ray-curable compound (C) having an isocyanurate skeleton has a low affinity for the base material of the adhesive sheet, the energy ray-polymerizable compound (C) is cured by irradiation with energy rays, whereby the adhesive layer The adhesive strength between the base material and the base material is reduced, and the base material and the adhesive layer can be easily separated from each other in the semiconductor chip pickup process.
エネルギー線重合性化合物（Ｃ）の接着剤組成物における含有量は、アクリル重合体（Ａ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）の合計１００重量部に対して通常１０〜２００重量部、好ましくは１５〜１８０重量部、より好ましくは２０〜１６０重量部である。エネルギー線重合性化合物（Ｃ）の配合量が過剰であると、有機基板やリードフレームに対する接着剤層の接着性を低下させることがある。 The content of the energy ray polymerizable compound (C) in the adhesive composition is usually 10 to 200 parts by weight, preferably 100 parts by weight in total for the acrylic polymer (A) and the epoxy thermosetting resin (B). Is 15 to 180 parts by weight, more preferably 20 to 160 parts by weight. When the amount of the energy beam polymerizable compound (C) is excessive, the adhesiveness of the adhesive layer to the organic substrate or the lead frame may be lowered.
その他の成分
本発明に係る接着剤組成物は、上記アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、およびイソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）に加えて下記成分を含むことができる。
Other components The adhesive composition according to the present invention comprises the following components in addition to the acrylic polymer (A), the epoxy thermosetting resin (B), and the energy ray curable compound (C) having an isocyanurate skeleton. Can be included.
（Ｃ’）その他のエネルギー線重合性化合物
本発明の接着剤組成物において、エネルギー線重合性化合物としては、上記イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）のみを使用してもよく、また必要に応じ、他のエネルギー線重合性化合物を併用してもよい。このような他のエネルギー線重合性化合物（Ｃ’）として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。他のエネルギー線重合性化合物を併用する場合には、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）の全量１００重量部に対して、２０重量部以下の量で用いることが好ましい。
(C ′) Other energy ray polymerizable compound In the adhesive composition of the present invention, as the energy ray polymerizable compound, only the energy ray curable compound (C) having the isocyanurate skeleton may be used. Moreover, you may use together another energy ray polymeric compound as needed. Specific examples of such other energy ray polymerizable compounds (C ′) include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, Examples include acrylate compounds such as 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer. It is done. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a weight average molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. When other energy ray polymerizable compounds are used in combination, it is preferably used in an amount of 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the total amount of the energy ray curable compound (C) having an isocyanurate skeleton.
（Ｄ）フェノール系硬化剤
フェノール系硬化剤（Ｄ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）に対する硬化剤として機能する。好ましいフェノール系硬化剤（Ｄ）としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。
(D) Phenolic curing agent The phenolic curing agent (D) functions as a curing agent for the epoxy thermosetting resin (B). Preferable phenolic curing agent (D) includes a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule.
フェノール系硬化剤（Ｄ）の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Specific examples of the phenolic curing agent (D) include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac type phenolic resins, dicyclopentadiene type phenolic resins, and zylock type phenolic resins. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
フェノール系硬化剤（Ｄ）の含有量は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、０．１〜５００重量部であることが好ましく、１〜２００重量部であることがより好ましい。フェノール系硬化剤（Ｄ）の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると接着剤組成物の吸湿率が高まりパッケージ信頼性を低下させることがある。 The content of the phenolic curing agent (D) is preferably 0.1 to 500 parts by weight and preferably 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the epoxy thermosetting resin (B). More preferred. If the content of the phenolic curing agent (D) is small, the adhesiveness may not be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the moisture absorption rate of the adhesive composition may increase and the package reliability may be lowered.
（Ｅ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｅ）は、接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）とフェノール系硬化剤（Ｄ）とを併用する場合に好ましく用いられる。
(E) Curing accelerator The curing accelerator (E) is used to adjust the curing rate of the adhesive composition. The curing accelerator (D) is preferably used particularly when the epoxy thermosetting resin (B) and the phenolic curing agent (D) are used in combination.
好ましい硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include compounds that can accelerate the reaction between epoxy groups and phenolic hydroxyl groups. Specific examples include triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl). ) Tertiary amines such as phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5- Imidazoles such as hydroxymethylimidazole; organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine; tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphinetetraphenylborate And the like. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
硬化促進剤（Ｅ）は、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）およびフェノール系硬化剤（Ｄ）の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１０重量部、さらに好ましくは０．１〜１重量部の量で含まれる。硬化促進剤（Ｅ）を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高いパッケージ信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｅ）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で接着剤層中を接着界面側に移動し、偏析することによりパッケージの信頼性を低下させる。 The curing accelerator (E) is preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 parts per 100 parts by weight in total of the epoxy thermosetting resin (B) and the phenolic curing agent (D). Included in an amount of ˜1 part by weight. By containing the curing accelerator (E) in an amount within the above range, it has excellent adhesive properties even when exposed to high temperatures and high humidity, and high package reliability even when exposed to severe reflow conditions. Sex can be achieved. If the content of the curing accelerator (E) is small, sufficient adhesive properties cannot be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the curing accelerator having a high polarity will pass through the adhesive layer under high temperature and high humidity. The reliability of the package is lowered by segregation and segregation.
（Ｆ）光重合開始剤
本発明の接着剤組成物はその使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線重合性化合物を硬化させる。この際、該組成物中に光重合開始剤（Ｆ）を含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
(F) Photopolymerization initiator When the adhesive composition of the present invention is used, it is irradiated with energy rays such as ultraviolet rays to cure the energy ray polymerizable compound. At this time, by including the photopolymerization initiator (F) in the composition, the polymerization curing time and the light irradiation amount can be reduced.
このような光重合開始剤（Ｆ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｆ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of such photopolymerization initiator (F) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal. 2,4-diethylthioxanthone, -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2,4,6 -Trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and β-chloranthraquinone. A photoinitiator (F) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
光重合開始剤（Ｆ）の配合割合は、理論的には、接着剤組成物中に存在する不飽和結合量やその反応性および使用される光重合開始剤の反応性に基づいて決定されるべきであるが、複雑な混合物系においては必ずしも容易ではない。一般的な指針として、光重合開始剤（Ｆ）は、エネルギー線重合性化合物（Ｃ）および（Ｃ’）の合計１００重量部に対して０．１〜１０重量部含まれることが望ましく、１〜５重量部含まれることがより好ましい。０．１重量部未満であると光重合の不足で満足なピックアップ性が得られないことがあり、１０重量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、接着剤組成物の硬化性が不十分となることがある。 The mixing ratio of the photopolymerization initiator (F) is theoretically determined based on the amount of unsaturated bonds present in the adhesive composition, the reactivity thereof, and the reactivity of the photopolymerization initiator used. Should be, but not always easy in complex mixture systems. As a general guideline, the photopolymerization initiator (F) is desirably contained in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the total of the energy beam polymerizable compounds (C) and (C ′). More preferably, it is contained in 5 parts by weight. If the amount is less than 0.1 parts by weight, a satisfactory pick-up property may not be obtained due to insufficient photopolymerization. If the amount exceeds 10 parts by weight, a residue that does not contribute to photopolymerization is generated, and the curability of the adhesive composition. May be insufficient.
（Ｇ）カップリング剤
カップリング剤（Ｇ）は、接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｇ）を使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
(G) Coupling agent The coupling agent (G) may be used to improve the adhesion and adhesion of the adhesive composition to the adherend. Moreover, the water resistance can be improved by using a coupling agent (G), without impairing the heat resistance of the hardened | cured material obtained by hardening | curing adhesive composition.
カップリング剤（Ｇ）としては、上記アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｇ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-（3,4-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ-（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-（アミノエチル）-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-（アミノエチル）-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（3-トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 As the coupling agent (G), a compound having a group that reacts with a functional group of the acrylic polymer (A), the epoxy thermosetting resin (B), or the like is preferably used. As the coupling agent (G), a silane coupling agent is desirable. Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- (methacryloxypropyl) ) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxy Silane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxy Silane, vinyltriacetoxysilane, imidazolesilane, etc. are mentioned. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
カップリング剤（Ｇ）は、アクリル重合体（Ａ）およびエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）の合計１００重量部に対して、通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．２〜１０重量部、より好ましくは０．３〜５重量部の割合で含まれる。カップリング剤（Ｇ）の含有量が０．１重量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０重量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。 The coupling agent (G) is usually 0.1 to 20 parts by weight, preferably 0.2 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight as a total of the acrylic polymer (A) and the epoxy thermosetting resin (B). Parts, more preferably 0.3 to 5 parts by weight. If the content of the coupling agent (G) is less than 0.1 parts by weight, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by weight, it may cause outgassing.
（Ｈ）熱可塑性樹脂
接着剤組成物には、熱可塑性樹脂（Ｈ）を用いてもよい。熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、重量平均分子量が１０００以上１０万以下のものが好ましく、３０００以上８万以下のものがさらに好ましい。上記範囲の熱可塑性樹脂（Ｈ）を含有することにより、半導体チップのピックアップ工程における基材と接着剤層との層間剥離を容易に行うことができ、さらに基板の凹凸へ接着剤層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。
(H) Thermoplastic resin Thermoplastic resin (H) may be used for the adhesive composition. The thermoplastic resin (H) preferably has a weight average molecular weight of 1000 or more and 100,000 or less, and more preferably 3000 or more and 80,000 or less. By including the thermoplastic resin (H) in the above range, the delamination between the base material and the adhesive layer in the pick-up process of the semiconductor chip can be easily performed, and the adhesive layer follows the unevenness of the substrate. Generation of voids can be suppressed.
熱可塑性樹脂（Ｈ）のガラス転移温度は、好ましくは−３０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは−２０℃以上１２０℃以下の範囲にある。熱可塑性樹脂（Ｈ）のガラス転移温度が低過ぎると接着剤層と基材との剥離力が大きくなってチップのピックアップ不良が起こることがあり、高過ぎるとウエハを固定するための接着力が不十分となるおそれがある。 The glass transition temperature of the thermoplastic resin (H) is preferably in the range of −30 ° C. to 150 ° C., more preferably −20 ° C. to 120 ° C. If the glass transition temperature of the thermoplastic resin (H) is too low, the peeling force between the adhesive layer and the substrate may increase and chip pick-up failure may occur. If it is too high, the adhesive strength for fixing the wafer will be increased. May be insufficient.
熱可塑性樹脂（Ｈ）としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Examples of the thermoplastic resin (H) include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
熱可塑性樹脂（Ｈ）は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）およびフェノール系硬化剤（Ｄ）の合計１００重量部に対して、通常１〜３００重量部、好ましくは２〜１００重量部の割合で含まれる。熱可塑性樹脂（Ｈ）の含有量がこの範囲にあることにより、上記の効果を得ることができる。 The thermoplastic resin (H) is usually 1 to 300 parts by weight, preferably 100 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the acrylic polymer (A), the epoxy thermosetting resin (B) and the phenolic curing agent (D). It is contained at a ratio of 2 to 100 parts by weight. When the content of the thermoplastic resin (H) is in this range, the above effect can be obtained.
（Ｉ）無機充填材
無機充填材（Ｉ）を接着剤組成物に配合することにより、該組成物の熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップや金属または有機基板に対して硬化後の接着剤層の熱膨張係数を最適化することでパッケージ信頼性を向上させることができる。また、接着剤層の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。
(I) Inorganic filler By blending the inorganic filler (I) into the adhesive composition, it becomes possible to adjust the thermal expansion coefficient of the composition, and after curing on a semiconductor chip, metal or organic substrate Package reliability can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient of the adhesive layer. Moreover, it becomes possible to reduce the moisture absorption rate after hardening of an adhesive bond layer.
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｊ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｉ）の含有量は、接着剤組成物全体に対して、通常０〜８０重量％の範囲で調整が可能である。 Preferable inorganic fillers include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengara, silicon carbide, boron nitride, beads formed by spheroidizing them, single crystal fibers, and glass fibers. Among these, silica filler and alumina filler are preferable. The said inorganic filler (J) can be used individually or in mixture of 2 or more types. The content of the inorganic filler (I) can be adjusted in the range of usually 0 to 80% by weight with respect to the entire adhesive composition.
（Ｊ）架橋剤
接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｊ）としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
(J) Crosslinking agent A crosslinking agent may be added to adjust the initial adhesive force and cohesive strength of the adhesive composition. Examples of the crosslinking agent (J) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent isocyanate compound include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds. And a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyol compound.
有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4'-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4'-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4'-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4'-ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。 Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate and lysine Isocyanates.
上記有機多価イミン化合物としては、N,N'-ジフェニルメタン-4,4'-ビス(１-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネートおよびN,N'-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる。 The organic polyvalent imine compounds include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri -β-aziridinylpropionate and N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide) triethylenemelamine can be mentioned.
架橋剤（Ｊ）はアクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．５〜３重量部の比率で用いられる。 A crosslinking agent (J) is 0.01-10 weight part normally with respect to 100 weight part of acrylic polymers (A), Preferably it is 0.1-5 weight part, More preferably, it is a ratio of 0.5-3 weight part. Used.
（Ｋ）汎用添加剤
本発明の接着剤組成物には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料などが挙げられる。
(K) General-purpose additive In addition to the above, various additives may be added to the adhesive composition of the present invention as necessary. Examples of various additives include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, pigments, and dyes.
（接着剤組成物）
上記のような各成分からなる接着剤組成物は、感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかもせん断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
(Adhesive composition)
The adhesive composition comprising the above components has pressure-sensitive adhesiveness and heat-curing property, and has a function of temporarily holding various adherends in an uncured state. Finally, a cured product with high impact resistance can be obtained through thermosetting, and it has an excellent balance between shear strength and peel strength, and maintains sufficient adhesive properties even under severe high temperature and high humidity conditions. Can do.
本発明に係る接着剤組成物は、上記各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えてもよい。 The adhesive composition according to the present invention is obtained by mixing the above-described components at an appropriate ratio. In mixing, each component may be diluted with a solvent in advance, or a solvent may be added during mixing.
（接着シート）
本発明に係る接着シートは、基材上に、上記接着剤組成物からなる接着剤層が積層してなる。本発明に係る接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
(Adhesive sheet)
The adhesive sheet according to the present invention is formed by laminating an adhesive layer made of the above adhesive composition on a substrate. The shape of the adhesive sheet according to the present invention can be any shape such as a tape shape or a label shape.
接着シートの基材としては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。 Examples of the base material of the adhesive sheet include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, and polybutylene. Terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide A transparent film such as a film or a fluororesin film is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film which colored these, an opaque film, etc. can be used.
本発明に係る接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。すなわち、接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。下限値は通常２５ｍＮ／ｍ程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。 The adhesive sheet according to the present invention is affixed to various adherends, and after subjecting the adherend to required processing, the adhesive layer is peeled off from the substrate while remaining adhered to the adherend. That is, it is used in a process including a step of transferring an adhesive layer from a substrate to an adherend. For this reason, the surface tension of the surface in contact with the adhesive layer of the substrate is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. The lower limit is usually about 25 mN / m. Such a substrate having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by applying a release agent to the surface of the substrate and performing a release treatment.
基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。 As the release agent used for the substrate release treatment, alkyd, silicone, fluorine, unsaturated polyester, polyolefin, wax, and the like are used. In particular, alkyd, silicone, and fluorine release agents are used. Is preferable because it has heat resistance.
上記の剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。 In order to release the surface of the substrate using the above release agent, the release agent can be applied as it is without solvent, or after solvent dilution or emulsification, using a gravure coater, Mayer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. Then, the laminate may be formed by room temperature or heating or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.
基材の厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。また、接着剤層の厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。 The thickness of the substrate is usually about 10 to 500 μm, preferably about 15 to 300 μm, and particularly preferably about 20 to 250 μm. Moreover, the thickness of an adhesive bond layer is 1-500 micrometers normally, Preferably it is 5-300 micrometers, Most preferably, it is about 10-150 micrometers.
接着シートの製造方法は、特に限定はされず、基材上に、接着剤層を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、接着シートの使用前に、接着剤層を保護するために、接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。また、接着剤層の表面外周部には、リングフレームなどの他の治具を固定するために別途粘着剤層や粘着テープが設けられていてもよい。 The method for producing the adhesive sheet is not particularly limited, and the adhesive sheet may be produced by applying and drying a composition constituting the adhesive layer on the substrate, and the adhesive layer is provided on the release film. You may manufacture by transferring to the said base material. In addition, in order to protect an adhesive bond layer before using an adhesive sheet, you may laminate | stack a peeling film on the upper surface of an adhesive bond layer. Further, a pressure-sensitive adhesive layer or a pressure-sensitive adhesive tape may be separately provided on the outer peripheral portion of the surface of the adhesive layer in order to fix another jig such as a ring frame.
次に本発明に係る接着シートの利用方法について、該接着シートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。
（半導体装置の製造方法）
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または別の半導体チップ上に該接着剤層を介して載置する工程を含む。
Next, a method of using the adhesive sheet according to the present invention will be described taking as an example the case where the adhesive sheet is applied to the manufacture of a semiconductor device.
(Method for manufacturing semiconductor device)
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a semiconductor wafer is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet, the semiconductor wafer is diced into a semiconductor chip, and the adhesive layer is fixedly left on the back surface of the semiconductor chip. A step of peeling from the substrate and placing the semiconductor chip on the die pad portion or another semiconductor chip via the adhesive layer is included.
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法について説明する。
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、まず、本発明に係る接着シートをダイシング装置上に、リングフレームにより固定し、半導体ウエハの一方の面を接着シートの接着剤層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウエハを固定する。次いで、接着剤層に基材側からエネルギー線を照射し、エネルギー線重合性化合物（Ｃ）を硬化し、接着剤層の凝集力を上げ、接着剤層と基材との間の接着力を低下させておく。照射されるエネルギー線としては、紫外線（ＵＶ）または電子線（ＥＢ）等が挙げられ、好ましくは紫外線が用いられる。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の半導体ウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと、接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後、半導体チップの剥離（ピックアップ）前のいずれの段階で行ってもよく、たとえばダイシングの後に行ってもよく、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。さらにエネルギー線照射を複数回に分けて行ってもよい。
Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described.
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, first, the adhesive sheet according to the present invention is fixed on a dicing apparatus by a ring frame, and one surface of the semiconductor wafer is placed on the adhesive layer of the adhesive sheet. , Lightly press to fix the semiconductor wafer. Next, the adhesive layer is irradiated with energy rays from the substrate side, the energy ray polymerizable compound (C) is cured, the cohesive force of the adhesive layer is increased, and the adhesive force between the adhesive layer and the substrate is increased. Keep it down. Examples of the energy rays to be irradiated include ultraviolet rays (UV) and electron beams (EB), and preferably ultraviolet rays are used. Next, the semiconductor wafer is cut using a cutting means such as a dicing saw to obtain a semiconductor chip. The cutting depth at this time is a depth that takes into account the sum of the thickness of the semiconductor wafer and the adhesive layer and the wear of the dicing saw. The energy beam irradiation may be performed at any stage after the semiconductor wafer is pasted and before the semiconductor chip is peeled off (pickup). For example, the irradiation may be performed after dicing or after the following expanding step. Good. Furthermore, energy beam irradiation may be performed in a plurality of times.
次いで必要に応じ、接着シートのエキスパンドを行うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、接着剤層と基材との間の接着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された接着剤層を半導体チップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。 Then, if necessary, when the adhesive sheet is expanded, the interval between the semiconductor chips is expanded, and the semiconductor chips can be picked up more easily. At this time, a deviation occurs between the adhesive layer and the base material, the adhesive force between the adhesive layer and the base material is reduced, and the pick-up property of the semiconductor chip is improved. When the semiconductor chip is picked up in this manner, the cut adhesive layer can be fixedly left on the back surface of the semiconductor chip and peeled off from the substrate.
次いで接着剤層を介して半導体チップを、リードフレームのダイパッド上または別の半導体チップ（下段チップ）表面に載置する（以下、チップが搭載されるダイパッドまたは下段チップ表面を「チップ搭載部」と記載する）。チップ搭載部は、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０．１秒〜５分、好ましくは０．５秒〜３分であり、載置するときの圧力は、通常１ｋＰａ〜２００ＭＰａである。 Next, the semiconductor chip is placed on the die pad of the lead frame or the surface of another semiconductor chip (lower chip) via the adhesive layer (hereinafter, the die pad or lower chip surface on which the chip is mounted is referred to as “chip mounting portion”. To describe). The chip mounting portion is heated before or after the semiconductor chip is placed. The heating temperature is usually 80 to 200 ° C., preferably 100 to 180 ° C., and the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5 seconds to 3 minutes. The pressure is usually 1 kPa to 200 MPa.
半導体チップをチップ搭載部に載置した後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。 After placing the semiconductor chip on the chip mounting portion, further heating may be performed as necessary. The heating conditions at this time are in the above heating temperature range, and the heating time is usually 1 to 180 minutes, preferably 10 to 120 minutes.
また、載置後の加熱処理は行わずに仮接着状態としておき、パッケージ製造において通常行われる樹脂封止での加熱を利用して接着剤層を硬化させてもよい。このような工程を経ることで、接着剤層が硬化し、半導体チップとチップ搭載部とを強固に接着することができる。接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、チップ搭載部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できパッケージの信頼性が高くなる。 Alternatively, the adhesive layer may be cured by using heat in resin sealing that is normally performed in package manufacturing, without temporarily performing the heat treatment after placement. Through such a process, the adhesive layer is cured, and the semiconductor chip and the chip mounting portion can be firmly bonded. Since the adhesive layer is fluidized under die-bonding conditions, the adhesive layer is sufficiently embedded in the unevenness of the chip mounting portion, and generation of voids can be prevented and the reliability of the package is improved.
本発明の接着剤組成物および接着シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。 The adhesive composition and adhesive sheet of the present invention can be used for bonding semiconductor compounds, glass, ceramics, metals, etc., in addition to the above-described methods of use.
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜表面実装性評価＞は次のように行った。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. In the following examples and comparative examples, <surface mountability evaluation> was performed as follows.
＜表面実装性評価＞
（１）半導体チップの製造
ドライポリッシュ処理したシリコンウエハ（１５０ｍｍ径、厚さ７５μｍ）の研磨面に、実施例および比較例の接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製、Adwill RAD2500）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製、Adwill RAD2000）を用いて接着シートの基材面から紫外線を照射（３５０ｍＷ／ｃｍ2、１９０ｍＪ／ｃｍ2）した。次いで、ダイシング装置（ディスコ社製、DFD651）を使用して８ｍｍ×８ｍｍまたは６ｍｍ×６ｍｍのチップサイズにダイシングし、接着剤層を有するシリコンチップを作成した。ダイシングの際の切り込み量については、接着シートの基材を２０μｍ切り込むようにした。続いて、この接着剤層を有するシリコンチップを、接着シート側よりニードルで突き上げてピックアップした。
<Surface mountability evaluation>
(1) Manufacture of a semiconductor chip A tape mounter (Adwill RAD2500, manufactured by Lintec Co., Ltd.) was used to affix the adhesive sheets of Examples and Comparative Examples on the polished surface of a dry polished silicon wafer (150 mm diameter, 75 μm thick) Fixed to a ring frame for wafer dicing. Thereafter, ultraviolet rays were irradiated (350 mW / cm 2 , 190 mJ / cm 2 ) from the substrate surface of the adhesive sheet using an ultraviolet irradiation device (Adwill RAD2000, manufactured by Lintec Corporation). Next, dicing was performed using a dicing apparatus (DFD651, manufactured by Disco Corporation) to a chip size of 8 mm × 8 mm or 6 mm × 6 mm, and a silicon chip having an adhesive layer was produced. About the cut amount in the case of dicing, the base material of the adhesive sheet was cut by 20 μm. Subsequently, the silicon chip having this adhesive layer was picked up from the adhesive sheet side with a needle and picked up.
（２）半導体パッケージの製造
基板として、銅箔張り積層板（三菱ガス化学株式会社製、CCL-HL832HS）の銅箔に回路パターンが形成され、パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ製 PSR4000 AUS303）を有しているＢＴ基板を用いた（株式会社日立超ＬＳＩ製）。上記（１）で得た８ｍｍ角のチップ（１段目チップ）を接着剤層とともにピックアップし、ＢＴ基板上に、該接着剤層を介して１２０℃、１２０ｇｆ、１秒間の条件で圧着した。上記（１）で得た６ｍｍ角のチップ（２段目チップ）を接着剤層とともにピックアップし、１段目チップ上に、１２０℃、１２０ｇｆ、１秒間の条件で圧着し、次いで１２０℃で３０分、さらに１４０℃で３０分加熱して、接着剤層を充分に熱硬化させた。
(2) Manufacture of semiconductor packages As a substrate, a circuit pattern is formed on the copper foil of a copper foil-clad laminate (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., CCL-HL832HS). An existing BT substrate was used (manufactured by Hitachi Ultra LSI Co., Ltd.). The 8-mm square chip (first-stage chip) obtained in (1) above was picked up together with the adhesive layer, and pressure-bonded onto the BT substrate via the adhesive layer under the conditions of 120 ° C., 120 gf, and 1 second. The 6 mm square chip (second stage chip) obtained in (1) above is picked up together with the adhesive layer, and is pressure-bonded onto the first stage chip at 120 ° C., 120 gf for 1 second, and then 30 ° C. at 30 ° C. And further heating at 140 ° C. for 30 minutes to fully heat cure the adhesive layer.
その後、モールド樹脂（京セラケミカル株式会社製、KE-G1150）で封止厚４００μｍになるようにチップが搭載されたＢＴ基板を封止した（封止装置：アピックヤマダ株式会社製 MPC-06M Trial Press）。その後、１７５℃で５時間かけてモールド樹脂を硬化させた。次いで、封止されたＢＴ基板をダイシングテープ（リンテック株式会社製、Adwill D-510T）に貼付して、ダイシング装置（ディスコ社製、DFD651）を使用して１２ｍｍ×１２ｍｍサイズにダイシングすることで表面実装性評価用の半導体パッケージを得た。 After that, the BT substrate on which the chip was mounted was sealed with mold resin (Kyocera Chemical Co., Ltd., KE-G1150) so that the sealing thickness was 400 μm (sealing device: MPC-06M Trial Press manufactured by Apic Yamada Co., Ltd.) . Thereafter, the mold resin was cured at 175 ° C. for 5 hours. Next, the sealed BT substrate is affixed to a dicing tape (Adwill D-510T, manufactured by Lintec Corporation), and then dicing into a size of 12 mm × 12 mm using a dicing apparatus (DFD, manufactured by Disco Corporation). A semiconductor package for mountability evaluation was obtained.
（３）半導体パッケージ表面実装性の評価
得られた半導体パッケージを８５℃、８５％ＲＨ条件下に１６８時間放置し、吸湿させた後、最高温度２６０℃、加熱時間１分間のＩＲリフロー条件での加熱を３回行った（リフロー炉：相模理工製WL-15-20DNX型）。この際に、接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を、断面観察および走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック株式会社製Hye-Focus）により評価した。
(3) Evaluation of semiconductor package surface mountability The obtained semiconductor package was left to stand for 168 hours under 85 ° C. and 85% RH conditions to absorb moisture, and then subjected to IR reflow conditions at a maximum temperature of 260 ° C. and a heating time of 1 minute. Heating was performed three times (reflow furnace: Sagami Riko WL-15-20DNX type). At this time, the presence / absence of floating / peeling of the joints and occurrence of package cracks were evaluated by cross-sectional observation and a scanning ultrasonic flaw detector (Hye-Focus manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd.).
基板またはチップとの接合部に０．５ｍｍ2以上の剥離を観察した場合を剥離していると判断して、パッケージを２０個試験に投入したときの接合部の浮き・剥がれ、パッケージクラックなどが発生した個数を数えた。 When peeling of 0.5 mm 2 or more is observed at the joint with the substrate or the chip, it is judged that the peeling has occurred, and when 20 packages are put into the test, the joint is lifted / peeled, package cracks, etc. The number of occurrences was counted.
＜接着剤組成物＞
接着剤組成物を構成する各成分を下記に示す。
（Ａ）アクリル重合体：ブチルアクリレートを主体とするアクリル系共重合体（日本合成化学工業社製、コーポニールＮ−２３５９−６）
（Ｂ）エポキシ系熱硬化性樹脂：
（Ｂ１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本触媒製、ＢＰＡ３２８、エポキシ基当量２３５ｇ／ｅｑ）
（Ｂ２）フェニレン骨格型エポキシ樹脂（日本化薬製、ＥＰＰＮ−５０２Ｈ、エポキシ基当量１６７ｇ／ｅｑ）
（Ｃ）イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線重合性化合物：
（Ｃ１）ε−カプロラクトン変性トリス−（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート（新中村化学工業株式会社製、ＮＫエステル９３００−１ＣＬ（分子量５３１））
（Ｃ２）新中村化学工業株式会社製、ＮＫエステル９３００−３ＣＬ（分子量７５９）
（Ｃ３）新中村化学工業株式会社製、ＮＫエステル９３００−６ＣＬ（分子量１１０１）
（Ｃ’）エネルギー線重合性化合物（イソシアヌレート骨格を有さない）：
（Ｃ’１）多官能アクリレートオリゴマー（共栄化学社製、ライトアクリレートＤＣＰ−Ａ、分子量３０２）
（Ｃ’２）多官能アクリレートオリゴマー（新中村化学工業株式会社製、ＮＫエステルＡ−ＤＰＨ、分子量５８０）
（Ｄ）フェノール系硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（昭和高分子株式会社製、ショウノールBRG-556、フェノール性水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）
（Ｅ）硬化促進剤：イミダゾール（四国化成工業株式会社製、キュアゾール2PHZ）
（Ｆ）光重合開始剤：チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製、イルガキュア184
（Ｇ）カップリング剤：
（Ｇ１）シランカップリング剤（三菱化学株式会社製、MKCシリケートMSEP2）
（Ｇ２）シランカップリング剤（東レダウコーニング社製、Z6883）
（Ｈ）熱可塑性樹脂：ポリエステル樹脂（東洋紡製、バイロン220）
（Ｊ）無機充填材：シリカフィラー（アドマテックス製、アドマファインSC2050）
<Adhesive composition>
Each component which comprises an adhesive composition is shown below.
(A) Acrylic polymer: Acrylic copolymer mainly composed of butyl acrylate (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Coponil N-2359-6)
(B) Epoxy thermosetting resin:
(B1) Bisphenol A type epoxy resin (Nippon Shokubai BPA328, epoxy group equivalent 235 g / eq)
(B2) Phenylene skeleton type epoxy resin (Nippon Kayaku, EPPN-502H, epoxy group equivalent 167 g / eq)
(C) Energy ray polymerizable compound having an isocyanurate skeleton:
(C1) ε-caprolactone-modified tris- (2-acryloxyethyl) isocyanurate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester 9300-1CL (molecular weight 531))
(C2) Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester 9300-3CL (molecular weight 759)
(C3) Shin Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester 9300-6CL (molecular weight 1101)
(C ′) Energy beam polymerizable compound (without isocyanurate skeleton):
(C′1) polyfunctional acrylate oligomer (manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd., light acrylate DCP-A, molecular weight 302)
(C′2) polyfunctional acrylate oligomer (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-DPH, molecular weight 580)
(D) Phenolic curing agent: Novolac type phenolic resin (Showa High Polymer Co., Ltd., Shonor BRG-556, phenolic hydroxyl group equivalent 104 g / eq)
(E) Curing accelerator: Imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., Curesol 2PHZ)
(F) Photopolymerization initiator: Irgacure 184, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.
(G) Coupling agent:
(G1) Silane coupling agent (MKC silicate MSEP2 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
(G2) Silane coupling agent (Toray Dow Corning, Z6883)
(H) Thermoplastic resin: Polyester resin (Toyobo, Byron 220)
(J) Inorganic filler: Silica filler (manufactured by Admatechs, Admafine SC2050)
（実施例および比較例）
表１に記載の組成の接着剤組成物を使用した。表１中、数値は固形分換算の重量部を示す。表１に記載の組成の接着剤組成物のメチルエチルケトン溶液（固形濃度６１重量％）を、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製、SP-PET381031）上に乾燥後３０μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１００℃、１分間）した後に基材（ポリエチレンフィルム、厚さ１００μｍ、表面張力３３ｍＮ／ｍ）と貼り合せて、接着剤層を基材上に転写することで接着シートを得た。
(Examples and Comparative Examples)
An adhesive composition having the composition described in Table 1 was used. In Table 1, a numerical value shows the weight part of solid content conversion. Methyl ethyl ketone solution (solid concentration 61% by weight) of the adhesive composition having the composition shown in Table 1 is dried on a silicone-treated release film (SP-PET381031 manufactured by Lintec Corporation) so as to have a thickness of 30 μm. After coating and drying (drying conditions: 100 ° C. for 1 minute in an oven), bonding with a base material (polyethylene film, thickness 100 μm, surface tension 33 mN / m) and transferring the adhesive layer onto the base material An adhesive sheet was obtained.
得られた接着シートを用いて＜表面実装性評価＞を行った。結果を表２に示す。 <Surface mountability evaluation> was performed using the obtained adhesive sheet. The results are shown in Table 2.
実施例の接着シートは、優れた表面実装性を示した。この結果から、イソシアヌレート骨格を有するエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を用いることで、高信頼性の半導体パッケージが得られることが確認された。 The adhesive sheets of the examples showed excellent surface mountability. From this result, it was confirmed that a highly reliable semiconductor package can be obtained by using the energy ray-curable compound (C) having an isocyanurate skeleton.
Claims (5)
Acrylic polymer (A), an epoxy-based thermosetting resin (B), and viewed including energy ray-curable compound having a weight-average molecular weight 500 to 1500 the (C) having an isocyanurate skeleton, a semiconductor wafer dicing and the semiconductor chip An adhesive composition used in the die bonding process .
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