JP5931666B2 - 磁気共鳴撮像装置および磁石装置 - Google Patents

Description

本発明は、磁場発生源が対向して配置され、均一な静磁場を形成する磁石装置を備えた磁気共鳴撮像装置に関する。

ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置は、均一な静磁場の形成された空間に置かれた被検体に、高周波パルスを照射したときに生じる核磁気共鳴現象を利用して、被検体の物理的性質や化学的性質をあらわした画像を得るものであり、主に医療用に用いられている。ＭＲＩ装置は、磁気共鳴撮像装置とも呼ばれている。

ＭＲＩ装置の画質向上を図る手段として、磁石装置が撮像領域に形成する静磁場の均一度を向上する方法がある。ＭＲＩ装置の磁石装置に於ける磁場発生源の配置位置や装置の形状は、要求される静磁場の均一度を実現するように設計されている。しかし、ＭＲＩ装置の部品の寸法誤差や組み立て誤差、据付位置の環境の影響によって、磁石装置の形成する静磁場は、設計目標とした静磁場からずれてしまう。そのために、一般に磁石装置には磁場調整機構が設けられており、ＭＲＩ装置毎に、この静磁場のずれを補正している。この補正方法として、磁性体片や永久磁石片（以下、「シム部材」と記載する。）を磁石装置に配置することで行うシミングという方法が知られている。

鉛直方向を向いた磁場を撮像領域内に生成する垂直型のＭＲＩ装置の磁場発生源は、上下に対向して配置される。磁場発生源が形成する磁場を補正するシミング方法は、シム部材を上下の磁場発生源に挟まれた空間内に配置することで行われる。

磁石装置の磁場均一度の調整に際し、シム部材を上下の磁場発生源に挟まれた空間内に配置する方法では、シム部材の配置領域が平面上に限られていた。そのため、精度の高い磁場調整を行うためには体積の異なる多くの種類のシム部材を用意する必要があった。

これに対し、特許文献１に記載の技術では、「非磁性シムトレイが、磁極面の近くに配置でき、好ましくは磁極面に取り付け可能である。配置されたシムトレイには、長さ方向に隣接する第１および第２部分を有する表面穴が設けられる。第２部分はほぼ円形の円周を有する。第１部分の外周は円周とほぼ同一であるが、たとえば平坦領域を含む。シムホルダは第１部分の外周とほぼ同一な外周を有するので、シムホルダを表面穴の第１部分を通して第２部分に挿入することができる。所定のシムをシムホルダに着脱自在に取り付けることができる。挿入されたシムホルダは、取り付けたシムと共に、回転でき、このように回転すると、シムホルダおよび表面穴の第２部分それぞれの外周の平坦領域が互いにずれる。」という機構を用いて、立体的にシム部材の配置が行われる。

特開２０００−１３３５１６号公報

しかし、特許文献１に記載の技術では、シムホルダを複数重ねて配置すると、あらたにシム部材を配置し直す際に、配置し直す必要のないシムホルダも取り除く必要があった。また、特許文献１に記載の技術では、シム部材を内部に配置したホルダの全体が、それを固定する部材の内部に格納されるため、水平方向に隣り合うホルダとホルダの間に固定部材が入り込み、シム部材の配置領域が狭まっていた。

そこで、本発明は、少ない種類のシム部材を用いながら、効率的にシム部材配置空間を利用することで精度の高い磁場調整を行うことができる磁場調整機構を備えた磁気共鳴撮像装置および磁石装置を提供することを課題とする。

上記目的を達成するために、本発明の磁気共鳴撮像装置は、上下に対向して配置されて撮像領域に静磁場を生成する１組の磁場発生源と、前記撮像領域を挟んで上下に対向して配置されて前記静磁場の均一度を調整する磁場調整機構とを備え、前記磁場調整機構は、磁性体または永久磁石を含むシム部材と、水平に配置された隔壁間に前記シム部材を固定する小容器と、前記小容器を前記撮像領域側の表面に固定する小容器固定板とを備えていることを特徴とした。
その他の手段については、発明を実施するための形態のなかで説明する。

本発明によれば、シム部材の鉛直方向位置を容易に調整できるようになるとともに、シム部材を固定する小容器を小容器固定板上に密に配置することができるようになる。そして、少ない種類のシム部材を用いて精度の高い磁場調整を行うことができる磁場調整機構を備えた磁気共鳴撮像装置および磁石装置を提供することができる。

第１実施形態に於けるＭＲＩ装置を示す図である。 第１実施形態に於ける小容器固定板を示す図である。 第１実施形態に於ける小容器とシム部材とを示す図である。 第２実施形態に於ける小容器とシム部材とを示す斜視図である。 第３実施形態に於ける小容器固定板の斜視図である。

以降、本発明を実施するための形態を、各図を参照して詳細に説明する。

（第１の実施形態の構成）

図１（ａ），（ｂ）は、第１実施形態に於けるＭＲＩ装置を示す図である。

図１（ａ）は、ＭＲＩ装置の斜視図である。
磁気共鳴撮像装置であるＭＲＩ装置１は、静磁場を生成する磁石装置１０と、当該ＭＲＩ装置１を操作してＭＲＩ画像を表示する操作表示部７０と、ＭＲＩ画像を撮影する患者を搬送するベッド８０とを備えている。操作表示部７０は、磁石装置１０とベッド８０とに接続されている。
磁石装置１０は、ＭＲＩ装置１に於いて静磁場を生成するものである。磁石装置１０は、１組の磁場発生源である円盤状の磁極２０Ｕと磁極２０Ｌとが上下に対向して配置されている。磁極２０Ｕの下側には、トーラス状のコイル格納容器２２Ｕが配置されている。磁極２０Ｌの上側には、トーラス状のコイル格納容器２２Ｌが配置され、更に円盤状の傾斜磁場コイル４０Ｌが配置されている。この磁極２０Ｕと磁極２０Ｌとは、連結柱１１によって支持されている。

操作表示部７０は、画像、文字、図形などを表示するモニタ７１と、キーやロータリースイッチなどによってオペレータの操作を受け付ける操作部７２とを備えている。操作表示部７０は、磁石装置１０を制御して磁場を生成させ、ベッド８０を制御して患者を水平方向に搬送するものである。操作部７２は、オペレータの種々の操作を受け付けて、磁石装置１０やベッド８０を制御するものである。モニタ７１は、操作情報を表示すると共に、図示しない画像処理部が生成したＭＲＩ画像を表示するものである。
ベッド８０は、下部に設けられた駆動部８１と、この駆動部８１によって図の左奥方向に水平に移動する天板８２とを備えている。駆動部８１は、天板８２を移動させて所望の断面のＭＲＩ画像を撮影するものである。天板８２は、患者が横たわる部位である。駆動部８１は、例えばＭＲＩ画像を撮影したのち、所定量だけ天板８２を移動させることを繰り返して、連続した断面のＭＲＩ画像を得ることができる。

図１（ｂ）は、磁石装置１０の平面αによる縦断面図を示す。
１組の磁場発生源である磁極２０Ｕと磁極２０Ｌとは、撮像領域１００を挟んで、上下に対向して配置されている。コイル２１Ｕは、磁極２０Ｕの周囲を包囲している。コイル２１Ｌは、磁極２０Ｌの周囲を包囲している。コイル２１Ｕは、コイル格納容器２２Ｕに格納されている。コイル２１Ｌは、コイル格納容器２２Ｌに格納されている。コイル格納容器２２Ｕは、磁極２０Ｕと機械的に結合されている。コイル格納容器２２Ｌは、磁極２０Ｌと機械的に結合されている。
連結柱１１は、磁極２０Ｕと磁極２０Ｌを連結して支持している。
磁場調整機構である小容器固定板３０Ｕと小容器固定板３０Ｌとは、撮像領域１００を挟んで上下に対向して配置されている。小容器固定板３０Ｕと小容器固定板３０Ｌとは、静磁場の均一度を調整するものである。一方の磁場調整機構である小容器固定板３０Ｕは、磁極２０Ｕの撮像領域１００側の表面近傍に配置されている。他方の磁場調整機構である小容器固定板３０Ｌは、磁極２０Ｌの撮像領域１００側の表面近傍に配置されている。小容器固定板３０Ｕと撮像領域１００との間には、更に傾斜磁場コイル４０Ｕが配置されている。小容器固定板３０Ｌと撮像領域１００との間には、更に傾斜磁場コイル４０Ｌが配置されている。
傾斜磁場コイル４０Ｌ，４０Ｕは、傾斜磁場電源（不図示）からの信号に従って、Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸方向の傾斜磁場を、撮像領域１００に印加するものである。この傾斜磁場の加え方によって、撮像領域１００に配置された被検体の撮像断面が設定される。傾斜磁場コイル４０Ｌ，４０Ｕは、それぞれ取り外して小容器固定板３０Ｕ，３０Ｌにアクセス可能に構成されている。
この撮像断面に、照射コイル（不図示）が発生した高周波磁場パルス（ＲＦパルス）を照射すると、被検体の撮像断面の生体組織を構成する原子の原子核が励起されてＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）現象が誘起される。被検体の生体組織を構成する原子の原子核のＮＭＲ現象によって発生したＮＭＲ信号であるエコー信号は、受信コイル（不図示）を通して検出され、信号処理部（不図示）で信号処理されて画像に変換され、変換された画像は表示部１１１で表示される。

図２（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に於ける小容器固定板を示す図である。

図２（ａ）は、小容器固定板３０Ｌの斜視図である。
小容器固定板３０Ｌは非磁性体で構成されており、その撮像領域１００側の表面３１には、複数の穴３２が穿たれている。複数の穴３２は、規則正しい格子状に形成されている。小容器固定板３０Ｕは、小容器固定板３０Ｌと同様に構成されて、同様な機能を有している。

図２（ｂ）は、小容器固定板３０Ｌのβ線の断面図である。
小容器固定板３０Ｌの表面３１には、複数の穴３２が規則正しく間隔Ａで穿たれている。小容器固定板３０Ｌは、この穴３２に、シム部材６０が挿入された小容器５０を係合して磁場調整を行えるように構成されている。穴３２の間隔Ａは、小容器５０を固定する間隔である。小容器固定板３０Ｌの穴３２の間隔Ａは、小容器５０の水平断面の最大幅Ｂよりも小さく構成されている。すなわち、各小容器５０を固定する間隔Ａは、小容器５０の水平断面の最大幅Ｂよりも小さく構成されている。

図３は、第１実施形態に於ける小容器とシム部材とを示す図である。
小容器５０は非磁性体で構成されており、更に直方体状の本体５２の上に突起５１が形成されている。小容器５０の突起５１は、小容器固定板３０Ｌの穴３２が係合することによって、小容器５０が小容器固定板３０Ｌに機械的に結合するように構成されている。
小容器５０の本体５２は、水平に配置された隔壁５３−１，５３−２を備えている。隔壁５３−１，５３−２によって形成された空間５４−１〜５４−３は、小容器５０の側面の鉛直方向に形成されている。小容器５０は、その各空間５４−１〜５４−３に、シム部材６０を横から挿入して固定する構造になっている。これにより、小容器５０は、空間５４−１〜５４−３のいずれにシム部材６０を挿入するかによって、シム部材６０の鉛直方向の位置と、シム部材６０の挿入個数とを調整可能である。
以下、隔壁５３−１，５３−２を特に区別しないときには、単に隔壁５３と記載する。同様に、空間５４−１〜５４−３などを特に区別しないときには、単に空間５４と記載する。

（第１の実施形態の磁場調整手順）
第１の実施形態に於ける磁場調整手順は以下のようになる。先ず、オペレータは、撮像領域１００に於ける磁場の不均一成分を測定する。オペレータは、この測定で得た磁場の不均一成分の大きさと方向に基づいて、磁場の不均一成分を補正する。オペレータは、シム部材６０の小容器固定板３０Ｌ上の理想的分布を数値計算によって求める。この計算結果に基づき、オペレータは、複数の小容器５０の空間５４−１〜５４−３にシム部材６０を固定する。オペレータは、シム部材６０が固定された複数の小容器５０の突起５１を、小容器固定板３０Ｌの穴３２と係合させ、よって小容器固定板３０Ｌの表面３１に固定する。オペレータは、シム部材６０の小容器固定板３０Ｕ上の理想的分布についても同様に数値計算し、シム部材６０を小容器固定板３０Ｌの表面３１に固定する。

磁場調整の初期段階で比較的大きな磁場調整が必要な場合には、最も撮像領域１００に近い空間５４−３に、体積や透磁率の大きなシム部材６０を固定した小容器５０を小容器固定板３０Ｌに配置することで対応できる。単一の空間５４に配置できるシム部材６０の磁化では対応できない場合には、複数の空間５４−１〜５４−３に複数のシム部材６０を挿入して固定することで対応できる。小容器５０は層構造なので、空間５４−１〜５４−３のすべてを含むような体積のシム部材６０を用意する必要がなくなる。
更に、同一の枚数のシム部材６０を固定した場合であっても、鉛直方向の位置を変えることによって、磁場調整することができる。たとえば、オペレータが、あるシム部材６０を小容器５０の空間５４−１に固定して、その小容器５０を小容器固定板３０Ｌに固定した場合と、同じシム部材６０を小容器５０の空間５４−３に固定して、その小容器５０を小容器固定板３０Ｌに固定した場合を比較する。配置した小容器５０の空間５４−１の中心から撮像領域１００までの距離が３０ｃｍ、その小容器５０の空間５４−３の中心から撮像領域１００までの距離を２８ｃｍであったとすると、空間５４−１に固定したシム部材６０が、撮像領域１００の中心につくる磁場の大きさは、空間５４−３に固定した場合に比較して、（２８／３０）の３乗、すなわち８１％に減少する。このように、シム部材６０の鉛直方向の位置を選択して、磁気調整の効果を変えることができる。

シミング作業を、数値計算で得られた小容器固定板３０Ｌ上のシム部材６０の分布にしたがって全てのシム部材６０を配置し終えたことで一回と数えることにすると、一般にシミングは一回では終了せず、複数回行われることが多い。シミング回数が進むごとに、磁場調整は高精度になり、必要な磁場調整の大きさは小さくなっていく。

磁場調整の最終段階では、撮像領域１００から最も離れた空間５４−１に、体積や透磁率の小さなシム部材６０を固定した小容器５０を、小容器固定板３０Ｌに配置する。これによってオペレータは、磁気の微調整を行い、磁場の不均一成分を高精度に補正する。磁場調整の最終段階では、撮像領域１００に近い空間５４−３のシム部材６０よりも、撮像領域１００から遠い空間５４−１のシム部材６０を再配置する頻度の方が高くなる。このとき、特許文献１のように層構造が複数の小容器５０を重ねることで形成されていると、撮像領域１００から遠い層のシム部材６０を配置するためには、その遠い層の小容器５０から撮像領域１００側に重ねられた複数の小容器５０を取り外す必要がある。
本実施形態では小容器５０自体が層構造になっているために、最も撮像領域１００から離れた層の空間５４−１のシム部材６０の１つを再配置する時も、単一の小容器５０を取り外すだけでよいので、作業効率が向上する。
磁場の不均一成分が所望の値に補正できた時点で、磁石装置１０の磁場調整は終了する。

（第１の実施形態の効果）
以上説明した第１の実施形態では、次の（Ａ）〜（Ｆ）のような効果がある。

（Ａ） 小容器固定板３０Ｌと小容器５０とは非磁性で構成されている。これにより、シム部材６０と小容器固定板３０Ｌとの間、および、シム部材６０と小容器５０の間には磁気的相互作用がない。したがって、シム部材６０を配置した効果は、線形計算の範囲で十分に高精度に解析可能となり、更に計算時間の短縮により作業効率が向上する。

（Ｂ） 小容器５０は多層構造であり、シム部材６０の鉛直方向の位置が複数選択できるので、シム部材６０の磁場補正効果を容易に調整することができる。多層構造を有する１つの小容器５０によって、すべての種類のシム部材６０が当該調整効果を利用できる。したがって、層を設けることによる磁場調整度の自由度の増加は、１つのシム部材６０の種類を増やしたことによる磁場調整度の自由度の増加よりも大きく、磁場調整を高精度化することができる。

（Ｃ） 小容器５０は多層構造なので、空間５４−１〜５４−３のすべてを含むような体積のシム部材６０を用意する必要がなくなる。このように、シム部材６０の種類を減らすことによってシム部材６０の物量の管理が容易になり、磁場調整精度も向上する。すなわち、少ない種類のシム部材６０を用いながら磁場調整の範囲が広がり、かつ、磁場調整精度が向上する。

（Ｄ） 小容器５０が層構造であり、かつ、個々の小容器５０がそれぞれ取り外し可能である。例えば、最も撮像領域１００から離れた層の空間５４−１のシム部材６０の１つを再配置する時も、単一の小容器５０を取り外すだけでよく、小容器５０の各空間５４のシム部材６０の配置を独立に行うことができる。これにより、オペレータは、効率よく小容器５０内のシム部材６０を再配置できる。

（Ｅ） 小容器５０は小容器固定板３０Ｌの表面３１に固定されているので、隣り合う小容器５０は小容器固定板３０Ｌによって隔てられることがない。したがって、小容器固定板３０Ｌの内部に小容器５０を格納する方法よりも、より密に小容器５０を配置することが可能になる。これによってシム部材６０の配置領域をより広く確保することができるので、磁場調整の精度が向上し、磁場調整可能な範囲が広がる。

（Ｆ） 小容器５０の取り付け位置の穴３２の間隔Ａは、小容器５０の水平断面積の最大幅Ｂよりも小さい。これにより、小容器５０の水平方向の取り付け位置が細かく調整できるので、磁場調整精度が向上する。

（第２の実施形態の構成）
第２の実施形態の磁石装置１０は、第１の実施形態とは異なる小容器５０Ａおよびシム部材６０Ａを備えている他は、第１の実施形態の磁石装置１０（図１）と同様に構成されている。

図４は、第２実施形態に於ける小容器とシム部材とを示す斜視図である。
第２の実施形態の小容器５０Ａは、第１の実施形態の小容器５０（図３）とは異なり、隔壁５３Ａが取り外し可能に構成されている。更に小容器５０Ａは、第１の実施形態の小容器５０（図３）とは異なり、側面が四方に開放されており、上面５６と下面５７との間には、４本の柱５５−１〜５５−４が設けられている。柱５５−１〜５５−４には、複数の溝５５ａが設けられている。そして、シム部材６０Ａには突起部６１が設けられている。隔壁５３Ａには、複数の穴６２−１〜６２−４が設けられている。以下、穴６２−１〜６２−４を特に区別しないときには、単に穴６２と記載する。それ以外は、第１の実施形態の小容器５０（図３）と同様に構成されている。
本実施形態の小容器５０Ａの層構造は、柱５５−１〜５５−４に設けられた溝５５ａに、水平方向から隔壁５３Ａをスライドさせて挿入することにより形成される。小容器５０Ａは、同時に複数枚の隔壁５３Ａを挿入可能である。
隔壁５３Ａの挿入位置により、小容器５０Ａの内部の層間距離が調整可能である。隔壁５３Ａの挿入数と挿入位置によって、各々の小容器５０Ａごとに異なる層構造を形成することができる。
シム部材６０Ａは、その突起部６１が、隔壁５３Ａの穴６２のいずれかに係合することにより上方向に規制されると共に水平方向に固定され、当該シム部材６０Ａの上側に位置する隔壁５３Ａによって、図４の下方向に規制されて、係合している穴６２から分離することがないように構成されている。よって、シム部材６０Ａは、水平方向と上下方向に規制されて所定位置を保つことが可能であると共に、隔壁５３Ａに対して容易に着脱可能である。

各小容器５０Ａの層構造の調整によって、各小容器５０Ａに挿入するシム部材６０の鉛直方向の位置も調整可能なので、磁場調整精度が向上する。層間距離が細かく調整できるほど磁場調整精度も向上するが、層間距離が薄すぎると、空間５４に配置できるシム部材６０が細かくなり過ぎてしまい、手作業でシム部材６０を固定するのが難しくなる。逆に、層間距離が所定の厚みを有していると、空間５４に配置できるシム部材６０が適切な厚みを持つので、手作業でシム部材６０を容易に固定することができる。
本実施形態の小容器５０Ａは、隔壁５３Ａが自由に取り外せる構造である。これにより、必要とする隔壁５３Ａだけを小容器５０Ａに挿入し、シム部材６０を小容器５０Ａ内に固定しやすい空間５４の厚みを確保することができる。

（第２の実施形態の効果）
以上説明した第２の実施形態では、次の（Ｇ）〜（Ｉ）のような効果がある。

（Ｇ） 本実施形態の小容器５０Ａは、必要とする隔壁５３Ａだけを挿入することで、シム部材６０を小容器５０Ａ内に固定しやすい空間５４の厚みを確保して、シム部材６０の鉛直方向の位置を細かく調整できるので、シム部材６０の不必要な細分化を抑止することができる。

（Ｈ） 小容器５０Ａの側面が四方に開放されているので、小容器５０Ａを小容器固定板３０Ｌから取り外せば、小容器５０Ａ内部の空間５４に手で容易にアクセスできる。このために、オペレータは、一度挿入されて固定された隔壁５３Ａを取り外すことなく、シム部材６０をあらたに配置可能である。

（Ｉ） シム部材６０Ａは、突起部６１が隔壁５３Ａの穴６２に係合することにより上方向に規制されると共に水平方向に固定され、当該シム部材６０Ａの上側に位置する隔壁５３Ａによって下方向に規制される。これにより、シム部材６０Ａは、水平方向と上下方向に規制されて所定位置を保つことが可能であると共に、隔壁５３Ａに対して容易に着脱可能である。

（第３の実施形態）
第３の実施形態の磁石装置１０は、第１の実施形態とは異なる小容器固定板３０ＬＡ，３０ＵＡを備えている他は、第１の実施形態の磁石装置１０（図１）と同様に構成されている。
磁石装置１０の連結柱１１が漏洩磁場を抑制するために磁性体で形成されたリターンヨークであった場合、連結柱１１の磁気抵抗が小さくなり、磁束が連結柱１１に吸引される。そのため、撮像領域１００に於ける連結柱１１側の撮像領域１０１に形成される静磁場が小さくなる。第１、第２の実施形態に於いて、オペレータは、静磁場を補強するため、シミングの際には、小容器固定板３０Ｌの連結柱１１側の領域に磁化の大きいシム部材６０を多く配置しなければならなかった。

図５は、第３実施形態に於ける小容器固定板の斜視図である。
第３の実施形態の小容器固定板３０ＬＡは、表面３１ｂの方が表面３１ａよりも厚い。この小容器固定板３０ＬＡは、表面３１ａが図１（ｂ）の左方向に配置され、表面３１ｂが図１（ｂ）の右方向、すなわち連結柱１１側に配置される。このとき、表面３１ｂの方が表面３１ａよりも撮像領域１０１に近くなっている。小容器固定板３０ＵＡは、この小容器固定板３０ＬＡと同様に構成されている。

シム部材６０を格納した小容器５０Ａを表面３１ｂに配置すると、撮像領域１００に近接した鉛直方向の位置にシム部材６０を配置できるので、小容器５０Ａ内に固定するシム部材６０の量や厚みを大きくすることなく、撮像領域１０１の小さい磁場を効率よく補強できる。表面３１ｂと表面３１ａの段差は、磁化の作る磁場の大きさが、磁化からの距離の３乗に反比例することを利用して、設計段階で適切な値を設定することができる。これによって、撮像領域１０１の磁場を補強するために磁化の大きな新たなシム部材６０を用意し、シム部材６０の種類を増やすことなく、精度のよいシミングが可能となる。

（第３の実施形態の効果）
以上説明した第３の実施形態では、次の（Ｊ）のような効果がある。

（Ｊ） 連結柱１１によって減少した静磁場を容易に補強することができる。よって、磁化の大きな新たなシム部材６０などを用意する必要がなくなる。

（変形例）
本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更実施が可能であり、例えば、次の（ａ）〜（ｃ）のようなものがある。

（ａ） 上記実施形態では磁場発生源をコイル電流としたが、磁場発生源に永久磁石を用いた垂直型の磁石装置であってもよい。

（ｂ） 第３の実施形態のように、磁石装置１０の設計段階で、配置するシム部材６０が多くなる個所を数値計算によって求めることができる場合、例えば、２本の連結柱を有している場合には、同様に、シム部材６０が多くなる部分が撮像領域１００側に近くなるように小容器固定板３０ＬＡに段差構造を設けることができる。これにより、配置すべきシム部材６０の量が削減でき、小容器５０Ａ内部の層の高さ調整も省略することができるので、作業効率も向上する。

（ｃ） 第３の実施形態の小容器固定板３０ＬＡ，３０ＵＡは、表面３１ｂと表面３１ａとの段差を、小容器５０の各空間５４の鉛直方向の距離の整数倍に設定してもよい。これにより、シム部材６０の配置計算を更に容易に行うことができる。

１ ＭＲＩ装置 （磁気共鳴撮像装置）
１０ 磁石装置
１１ 連結柱
２０Ｕ，２０Ｌ 磁極 （１組の磁場発生源）
２１Ｕ，２１Ｌ コイル （１組の磁場発生源）
２２Ｕ，２２Ｌ コイル格納容器
３０Ｕ，３０Ｌ，３０ＬＡ 小容器固定板 （磁場調整機構）
３１，３１ａ，３１ｂ 表面
３２ 穴
４０Ｕ，４０Ｌ 傾斜磁場コイル
５０，５０Ａ 小容器
５１ 突起
５３，５３Ａ 隔壁
５４ 空間
５５ 柱
５５ａ 溝
６０，６０Ａ シム部材
６１ 突起
６２−１〜６２−４ 穴
７０ 表示操作部
８０ ベッド
１００，１０１ 撮像領域

Claims (10)

1. 上下に対向して配置されて撮像領域に静磁場を生成する１組の磁場発生源と、前記撮像領域を挟んで上下に対向して配置されて前記静磁場の均一度を調整する磁場調整機構とを備え、
   前記磁場調整機構は、
   磁性体または永久磁石を含むシム部材と、
   水平に配置された隔壁間に前記シム部材を固定する小容器と、
   前記小容器を前記撮像領域側の表面に固定する小容器固定板と、を備えている、
   ことを特徴とする磁気共鳴撮像装置。
2. 前記小容器は、非磁性体で構成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
3. 前記小容器固定板は、非磁性体で構成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
4. 前記小容器は、側面の鉛直方向に前記シム部材を挿入する複数の空間を有し、挿入した当該シム部材を固定する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
5. 前記小容器は、前記複数の空間のいずれに前記シム部材を挿入するかによって、当該シム部材の鉛直方向の位置を調整可能である、
   ことを特徴とする請求項４に記載の磁気共鳴撮像装置。
6. 前記小容器は、前記隔壁を取り外し可能に構成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
7. 前記小容器固定板は、各前記小容器を固定する間隔が前記小容器の水平断面の最大幅よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
8. 前記１組の磁場発生源は、連結柱によって連結されて支持され、
   前記小容器固定板の前記撮像領域側の表面は、前記連結柱に近い領域が前記撮像領域に近接している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
9. 前記シム部材は突起を備えており、
   前記小容器の前記隔壁には、穴が穿たれており、当該穴と前記突起が係合することで前記シム部材が前記隔壁に固定される、
   ことを特徴とする、請求項１に記載の磁気共鳴撮像装置。
10. 上下に対向して配置されて撮像領域に静磁場を生成する１組の磁場発生源と、前記撮像領域を挟んで上下に対向して配置されて前記静磁場の均一度を調整する磁場調整機構とを備え、
    前記磁場調整機構は、
    磁性体または永久磁石を含むシム部材と、
    水平に配置された隔壁間に前記シム部材を固定する小容器と、
    前記小容器を前記撮像領域側の表面に固定する小容器固定板と、を備えている、
    ことを特徴とする磁気共鳴撮像装置の磁石装置。

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