JP5929345B2 - ガスセンサ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
このようなガスセンサは、酸素や水素等の特定イオンに対して伝導性を有するイットリア安定化ジルコニア、等の固体電解質材料からなる固体電解質基体に少なくとも測定電極と基準電極とを形成したガスセンサ素子が用いられ、ガスセンサ素子の被測定ガスに晒される部分には、被測定ガス中に含まれるP、S等の被毒成分による測定電極の劣化や、被測定ガス中に含まれる水分の付着による固体電解質基体の被水割れ等を防止すると共に、測定電極に到達する被測定ガスの拡散速度や拡散量を 抑制し、検出出力を安定化すると共に検出出力の応答を抑制 するために、検出部の表面にアルミナ、チタニア、スピネル等の耐熱性粒子からなる多孔質保護層が形成されている。
アルミナ等の耐熱性粒子を無機バインダーと共に水に分散させたスラリーにセンサ素子を浸漬し、加熱乾燥して、多孔質保護層を形成する、いわゆるディッピング法によって形成した多孔質保護層に比べ、プラズマ溶射法によって形成した多孔質保護層は、膜厚分布及び気孔分布が均一な上に耐久性に優れていることが知られている。
また、プラズマ炎PLSの流れは噴射方向と径方向に向かって温度が拡散し、速度が減衰するので、溶射フレームFLMは、中心から外形方法に向かって、溶射粉末の濃度が低くなっている。 このため、従来のプラズマ溶射法では、図10(b−1)、(b−2)に示すように、略有底筒状のガスセンサ素子10の長手軸を中心軸として周方向に回転させながら、溶射ガンPSGをガスセンサ素子10の長手方向に沿って往復運動させ(図中1←→2で示す。)、必要に応じて溶射ガンPSGをガスセンサ素子10の底面や段部表面に対向する方向に回転させるなどして、溶射フレームFLMの中心の高濃度領域のみを1つのガスセンサ素子10に対して相対移動させて、多孔質保護層形成領域RCOATの範囲に溶射膜を形成している。
そのため、保護層形成範囲RCOAT上で溶射ガンを折り返すと折り返し位置で保護層の膜厚が厚くなる事を防ぐために従来のプラズマ溶射法では図10(b−1)に示す通り、保護層形成範囲RCOATから完全に溶射フレームが外れて折り返す必要があった。
加えて、ガスセンサ素子10の表面に形成された多孔質保護層として有効利用される範囲は、図10(c)に示すように、プラズマ溶射ガンが往復運動する間に溶射された溶射フレームFLMの高濃度範囲の中心に位置する極めて限られた範囲に過ぎず、生産効率が極めて低い状態であった。
また、一旦プラズマ溶射された耐熱粒子粉末は捕集したとしても、一度溶融した耐熱粒子粉末は粒度分布が変化してしまうことに加え、捕集過程で不純物が混入する問題等もあって再利用することが極めて困難である。
即ち、耐久変動の低減を図るためには、測定電極に到達する被測定ガス流量を抑制するのが望ましく、そのためには、多孔質保護層の気孔率を小さくし、かつ、膜厚を厚くすることになるが、気孔率を小さくすると測定電極近傍において被測定ガスの交換性が低下し、活性点も低下するなどによりセンサの応答性が悪化し、それとは逆に、気孔率を大きくすると、被測定ガスの交換性が向上し、センサの応答性が向上する反面、測定電極が被測定ガス中の被毒成分によって劣化し耐久性が低下するといった二律背反する問題があった。
単一の上記プラズマ溶射ガンから噴射される上記溶射材粉末の溶射範囲であって、中心から外側に向かって該溶射材粉末の濃度が漸減する濃度分布を持った溶射フレーム(FLM)内に、複数の上記ガスセンサ素子が同時に配置されて上記多孔質保護層を形成するように、
上記複数のガスセンサ素子の、上記被測定ガスに晒される部分を密集して配置し、かつ、
上記プラズマ溶射ガン及び上記ガスセンサ素子のいずれか一方を他方に対して移動させ、又は両方を相対的に移動させて、
それぞれの上記ガスセンサ素子に対する上記溶射フレームの移動履歴を同一にして、全ての上記ガスセンサ素子について、上記多孔質保護層の膜厚の最大値H MAX と最小値H MIN の比H MAX /H MIN を1.5以下にする。
本発明は、少なくとも特定のイオンに対してイオン伝導性を有する固体電解質材料(例えば、イットリア安定化ジルコニア等)からなる固体電解質体100と、固体電解質体100の一方の表面に設けられ基準ガスとして導入した大気に対向する基準電極110と、固体電解質体100の他方の表面に設けられ被測定ガスに対向する測定電極120とを有し、被測定ガス600中の特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサ素子10の被測定ガス600に晒される部分(保護層形成領域RCOAT)に、プラズマ溶射ガン(以下、溶射ガン)SPGを用いて、高電圧の印加により不活性ガスの存在下で発生させたアーク放電により高温(例えば、約6000℃)のプラズマ炎(PLS)を発生させ、耐熱性粒子(例えば、スピネル等)を瞬間的に加熱溶融し、高圧の不活性ガスの作用により噴射して、ガスセンサ素子10の表面に衝突させ成膜し、急速固化させることによって、多孔質保護層130を形成するプラズマ溶射法を用いて多孔質保護層130を設けるガスセンサ素子10の製造方法に関するものである。
図1、図2、図3は、それぞれ、本発明に係るガスセンサ素子10を含むガスセンサ1の全体を示す縦断面図、本発明に係るガスセンサ素子10の先端部103の詳細を示す断面図、本発明に係るガスセンサ素子10の外観並びに多孔質保護層130を形成する領域を示す側面図である。
ガスセンサ1には、被測定ガス600中に晒され、被測定ガス600中の特定成分に対して電気的特性を示すガスセンサ素子10が内蔵されている。
ガスセンサ1は、ガスセンサ素子10と、これを加熱するヒータ2と、ガスセンサ素子10の先端を被測定ガス流路60に載置固定するためのハウジング3、ガスセンサ素子10の被測定ガス流路60内に突出した部位を保護するカバー体4と、ガスセンサ素子10の基準電極110と測定電極120とのそれぞれに接続され、出力を外部に伝達するための金属端子111、121を介して、一対の信号線112、122と、ヒータ2に通電するための一対の通電線210、211を絶縁保持収容する略筒状のケーシング6等によって構成されている。
また、カバー体4は、内筒40と外筒41とからなる二重筒構造で、内筒40と外筒41とには、それぞれ、被測定ガス600をカバー体40、41の内外に導入・導出するための開孔部401、402、411、412が設けられている。
さらに、多孔質保護層130の表面には、被水保護や、P、S等の被毒成分の捕捉のためのトラップ層140が形成されている。
トラップ層140は、γアルミナ、θアルミナなどの他、ジルコニアやチタニアなどを主成分とする金属酸化物を有機又は無機のバインダーと共に分散させたスラリーに多孔質保護層130が形成されたガスセンサ素子10を浸漬して形成しても良いし、多孔質保護層130と同様、プラズマ溶射法によって形成しても良い。一般的に、基準ガス室150内には、固体電解質体100を加熱し、早期に活性化するため、通電により発熱するヒータ2が収容されている。
このようなガスセンサ1は、図1に示すように排気管60に取り付けて使用され、被測定ガス600と基準ガスとを固体電解質体100で空間的に仕切る必要があり略筒状に形成されたガスセンサ素子10は中空有底で表面は曲面になっている。
さらに、排気管60の空間制約からガスセンサ1の大きさが制約され、排気管60内に先端側が突出するセンサ素子10には一般に30mm程度のものが用いられている。
また、ガスセンサの使用時には、固体電解質体100を活性化するため900℃以上に加熱されるので、多孔質保護層130は耐熱性に優れ、かつ固体電解質体100の線熱膨張係数と測定電極120を構成する白金の線膨張係数とに近い物性が求められる。
1つ目には、固体電解質体100の被測定ガス600側に設けられた測定電極120が直接被測定ガス600に晒されることによって劣化し、センサ出力が変動するなどの耐久劣化を防ぐ電極保護の機能であり、2つ目には、測定電極120に到達する被測定ガス600量を制限し、被測定ガス600の酸素濃度変化に応答する酸素センサ特性を制御する機能があり、特に被測定ガス600の拡散制御の観点から保護層130の気孔率の均一性と膜厚の均一性が必要とされる。
以上により、ガスセンサ素子10に形成される多孔質保護層130には、ガスセンサ素子10の先端部103の湾曲面と、ガスセンサ素子10の側面100の湾曲面と、異形状のフランジ部101とのいずれにも必要であって、かつ、多孔質保護層130の形成は測定電極120の耐熱温度以下で行う必要がある。
さらに、多孔質保護層130は、耐熱性に優れ、かつ固体電解質体100を構成するジルコニアや測定電極120を構成する白金と線膨張係数が近い物性を有することが必要とされている。
なお、本発明は、ガスセンサ素子10の被測定ガス600に晒される部分に形成される多孔質保護層130を耐久性と応答性との両立を図りつつ、生産性の向上を図るガスセンサ素子の製造方法を提供すると共に、その製法により得られた耐久性と応答性とに優れたガスセンサ素子10に係るものであり、固体電解質体100、基準電極110、測定電極120、ヒータ2の構成、形態、製法等については、公知のものを適宜利用可能であり、ガスセンサ1を構成する、ハウジング3、カバー体4、ケーシング5等については、図1に示した構成に限定するものではなく、本発明の要部である多孔質保護層130を後述するプラズマ溶射法によって形成する限りにおいて適宜変更可能なものである。
なお、以下に示す実施例、及び、比較例において、できる限り平等な評価となるよう、できあがった多孔質保護層130の膜厚が、ガスセンサ素子の先端から5mm位置となる部分における多孔質保護層130の膜厚が300±30μmの範囲となり、多孔質保護層130の平均気孔率が5±0.5%となるように製造条件を統一してある。
生産性は保護層を形成する加工時間と設備が素子を搬送する搬送時間を合わせたサイクルタイムで評価した。
加工時間は各溶射方式で30本の平均値で評価し、搬送時間は各方式共に0.5秒として、従来のガスセンサ素子10に1個づつ多孔質保護層130を形成した場合をの生産性を100とし、10%以上の向上が認められた場合を効果ありと、判定し、○印を付し、10%以上の生産性向上が認められない場合を効果無し、と判定し、×印を付し、50%以上の生産性向上が認められた場合を優れた効果ありと判定し、◎印を付した。
なお、後述する実施例、比較例では溶射方式毎に溶射フレームFLMの移動速度と往復回数を調整することで膜厚が狙い範囲300±30μmに入っていることを確認した。
本発明の全ての実施例においてHMAX/HMIN≦1.5であることを確認し、○を付した。
なお、膜厚の測定は2次元投影式形状測定器(キーエンス社製)を用いてガスセンサ素子10の先端から長手方向の膜厚分布を評価した。
なお、上記実車模擬ガスとしては、リッチガスとしてCO、CH4、C3H8がλ=0.99となるよう供給し、リーンガスとしてO2、NOがλ=1.01となるよう供給した。
本実施形態においては、図4(a―1)、(a―2)に示すように、溶射ガンPSGのノズル先端から溶射距離Dの位置に中心から外側に向かって溶射材粉末の濃度が漸減する濃度分布を有する溶射フレームFLM内に複数のガスセンサ素子10を同一平面上に一定の配置間隔dだけ離して並べて載置する。
なお、ガスセンサ素子10の外側表面の所定の範囲には、測定電極120が所定の形状で形成され、内側には、基準電極110が形成されている。
また、後述する本発明者等の鋭意試験により、ガスセンサ素子10の最大直径をDMAXとし、ガスセンサ素子10の多孔質保護層130を形成する部位の最小直径をDMINとし、複数のガスセンサ素子10の配置間隔をdとしたとき、DMAX<d≦4.5DMINの関係を満たすように配置し、より望ましくは、DMAX<d≦3DMINの関係を満たすように配置することによって、応答性を低下させることなく、生産性を向上できることが判明した。
本実施形態においては、溶射ガンSPGの長手方向の移動方向とガスセンサ素子10の長手方向の中心軸を含む平面とは平行となっている。
このとき、ガスセンサ素子10の底部側となる先端部103の表面に対向する方向に溶射ガンPSGを角度θだけ、回転させるようにして、先端部103への溶射漏れを防ぐようにしても良い。
また、溶射ガンPSGをガスセンサ素子10の長手軸方向に移動する際に、図4(d)に示すように、ガスセンサ素子10が、相対的に、溶射フレーム10中の溶射粉末の濃度分布が低い部位から、高い部位に順に移動させることにより、気孔率が高い多孔質保護層130を形成し、その後に気孔率の低い層を形成するようにして、複数のガスセンサ素子10に同じ履歴を経て多孔質保護層130が形成されるようにすることもできる。
なお、本実施形態において、溶射ガンPSGをガスセンサ素子10の径方向に移動させる際に、ガスセンサ素子10の配置間隔dと同じ距離だけ移動させ、常に溶射フレームFLMの中心が複数のガスセンサ素子10の長手軸中心と一致するように往復移動させている。
なお、表1に記載の比較例、及び、実施例の全てにおいて、ガスセンサ素子の先端から5mm部の保護層の膜厚が300±30μmの範囲に入っていること、膜厚比≦1.5であること、保護層の平均気孔率が5±0.5%であること、ガスセンサの応答性の評価指標である応答時間が1.7秒以下に入っていること、耐久性の評価指標であるλ特性の変化率が0.3%未満であることを確認している。
表1を参照して、本実施形態について説明する。
比較例2、比較例3 、実施例1、実施例2は、それぞれ、ガスセンサ素子10の配置間隔dを、ガスセンサ素子10多孔質保護層形成部位の最小直径DMIN(例えば、φ4.5mm)に対して6倍(27mm)、5倍(22.5mm)、4.5倍(18.3mm)、3倍(13.5mm) に設定してあり、それぞれの溶射方式を従来方式、方式A−1、方式A−2、方式A−3、方式A−4 として示してある。
この結果、複数のガスセンサ素子10の配置間隔dは、ガスセンサ素子10の多孔質保護層形成部位の最小直径DMINの 4.5倍以下が望ましいことが判明した。
なお、配置間隔dは、最大外径DMAXよりも必ず大きくしないと、隣り合うガスセンサ素子同士が接触してしまうことになるので、配置間隔d>DMAXが必須の条件なる。
なお、本実施形態におけるプラズマ溶射法を方式Bと称し、方式B−1、方式B−2、方式B−3、方式B−4は、それぞれ、配置距離dを多孔質保護層形成部位の最小直径DMINに対して、6倍、5倍、4.5倍、3倍に設定してある。その結果を表2に示す。
表2に示すように、本実施形態において方式B−1、方式B−2、方式B−3、方式B−4をそれぞれ比較例4、比較例5、実施例3、実施例4とする。
また、保護層の平均気孔率、保護層の膜厚およびセンサ特性は実施例1と同様に溶射方式毎に溶射の条件を調整し、30本の素子に保護層を形成し、全ての溶射方式で平均気孔率5±0.5%、センサ素子10の先端から5mm位置の 膜厚300±30μm、応答時間1.7秒以下に入っていることを確認した。
また、本図(a―2)に示すように、同一平面L1上に並んだ複数のガスセンサ素子10の長手方向の中心軸と溶射ガンの移動方向に平行な平面L2とのなす角度をθ1とし、ガスセンサ素子10の長手方向の中心軸に直交する平面L4に対する溶射ガンの噴射方向L3の角度をθ2としたとき、θ1=θ2=30°となるように、ガスセンサ素子10を傾けて配置してあり、ガスセンサ素子10の先端が対向する側の列は、左右対称となっている。
また、本図(c)に示すように、本実施形態よれば、溶射フレームFLM内に多くのガスセンサ素子10を効率良く配設することができるので高濃度領域を有効利用できることが一目瞭然である。また、本実施形態においては、ガスセンサ素子10の先端部103が、溶射ガンPSGに向かってθ1の角度で斜めに配設されているので、ガスセンサ素子10の側面102のみならず、フランジ部101の底面や先端部103の湾曲面に対して溶射ガンSPGの噴射角度を変えることなく溶射ガンSPGを往復移動だけで多孔質保護層130を形成できる。
なお、本実施形態におけるプラズマ溶射法を方式C−1と称し、配置間隔dをガスセンサ素子10の多孔質保護層形成部位の最小直径DMINの4.5倍 としたときの結果を表3に示す。
なお、本実施形態におけるプラズマ溶射法を方式C−2と称し、その結果を表3に示す。その結果、実施例5、6 の生産性がそれぞれ20%以上向上し、方式Cの生産性が極めて高いことが判明した。
本試験結果から、同一平面上に並んだ複数のガスセンサ素子10の長手方向の中心軸L1と溶射ガンPSGの移動方向(L2)に平行な平面L0とのなす角度をθ1とし、ガスセンサ素子10の長手方向の中心軸L1に直交する平面L4に対する溶射ガンPSGの噴射方向L3の角度をθ2としたとき、10°≦θ1≦50°、かつ、θ1−10°<θ2<θ1+10°となるように、上記ガスセンサ素子を傾けて配置するのが望ましいことが判明した。
方式D−1(比較例6)、D−5(比較例7)、D−6(比較例8)ではガスセンサ素子内の保護層の膜厚の均一性が悪く、好ましくない結果となった。
また、表4に示すように、比較例7、8は膜厚比が大きくセンサ成立の許容範囲を外れ、好ましくない結果となった。
ここで、膜厚比は、1個のガスセンサ素子10内の多孔質保護層130の最大膜厚HMAXと最小膜厚HMINとの比(HMAX/HMIN)であって、各比較例、実施例の中で最も膜厚比が大きい素子の値を評価した。この膜厚比は、1.0に近いほど多孔質保護層130の膜厚が均一で、素子として良好であることを示す。
また、ガスセンサ素子の特性設計許容範囲の観点から膜厚比≦1.5を良好と判断し○を付し、その比が従来の溶射方式で保護層を形成した場合の1.32よりも小さい場合を特に優れていると判定し◎を付し、膜厚比が大きい1.5より大きい場合をガスセンサ素子が成立しないと判定して×を付した。
本実施形態において、溶射ガンPSGが円周軌道を描くように移動し、この場合において、保護層を均一に形成するために溶射フレームに濃度差を設けるための具体的な手段として、例えば、円周軌道半径を保護層形成範囲の大きさに基づいて制御することにより実現可能となる。より好ましくは円周軌道半径を保護層形成範囲の1.0倍〜1.2倍に制御する。
円周軌道半径を制御して溶射ガンPSGおよび溶射フレームを旋回させるとドーナツ状に溶射膜を形成するため、旋回半径が大きい場合には旋回中心付近に膜を形成しない範囲が生じ、旋回半径が小さい場合には旋回中心の膜厚が厚い山状に膜を形成することになるので、ガスセンサ素子10の長手方向の膜厚分布を均一化(最大膜厚/最小膜厚HMAX/HMIN≦1.5)するには最適な旋回半径があり、例えば、保護層を形成する範囲が20mmのワークでは半径20mm〜24mmとする、即ち、円周軌道半径を保護層形成範囲の1.0倍〜1.2倍に制御することが最も好ましい値であることが判明した。
なお、上記実施形態では、溶射ガンPSGとガスセンサ素子10とのいずれか一方を固定し、他方を相対移動させる方法を示したが、本実施形態のように、溶射ガンPSGと、ガスセンサ素子10との両方を相対移動させるようにしても良い。
本実施形態においては、溶射ガンPSGの噴射方向が、図9に示すように、複数並んだガスセンサ素子10の一方の列に対して直交するように、即ち、θ1=30°、θ2=30°となるように溶射ガンPSGとガスセンサ素子10とを配置し、ガスセンサ素子10の長手方向の保護層形成範囲(保護層形成領域RCOAT )の中央上を溶射ガンを移動させる円周軌道の中心とし、円周軌道の半径として、比較例14は、16mm、比較例15は、28mm、実施例16は20mm、実施例17は24mmとした。
また、ガスセンサ素子10の配置間隔dは、ガスセンサ素子10の多孔質保護層130を形成する部位の最小直径をDMINに対してd=4.5DMINとなるように配置した。
比較例14は、生産性は高いが、溶射フレームの移動する円軌跡半径が保護層形成範囲に対して小さいので保護層の膜厚分布はガスセンサ素子の長手方向の保護層形成範囲の端ほど薄くなり膜厚比は許容範囲の1.5より大きくガスセンサの出力特性が成立しないことが判った。
比較例15は、生産性は高いが、溶射フレームの移動する円軌跡半径が保護層形成範囲に対して大きいので、保護層の膜厚分布はガスセンサ素子の長手方向の保護層形成範囲の端ほど厚くなり膜厚比は許容範囲の1.5より大きくガスセンサの出力特性が成立しないことが判った。
一方、実施例16、17は、生産性が高く、保護層の膜厚分布も膜厚比(HMAX/HMIN)の許容範囲内(≦1.5)であり生産性とセンサ出力特性を両立できることが判った。
本試験の結果から、溶射フレームの移動する円軌跡半径を制御することで高生産性とガスセンサ出力特性を両立できることが判った。特に、溶射フレームの移動する円軌跡半径を保護層形成範囲の1.0〜1.2倍とすることが好ましいことが判った。
例えば、図9(b−1)に示すように、互いにその先端を交互に対向させて並べられた複数のガスセンサ素子10に対して、溶射フレームの円移動軌跡を描きながら円軌跡中心が相対移動した場合、円軌跡中心の移動方向と溶射フレームの移動方向とが一致する方向の場合には、ガスセンサ素子10に対する溶射フレームの相対速度が遅くならないように円移動速度を早くし、円軌跡中心の移動方向と溶射フレームの移動方向とが逆向きとなる場合には、ガスセンサ素子10に対する溶射フレームの相対速度が早くならないように円移動速度を遅くする制御とすることによって、常に一定の相対速度で溶射フレーム内をガスセンサ素子10を移動させ、保護層の膜厚分布の均一化を図ることもできる。
10 ガスセンサ素子
100 固体電解質体
101 固体電解質体拡径部
102 固体電解質体脚部
103 固体電解質体先端部
110 基準電極
120 測定電極
130 多孔質保護層
2 発熱体
R COAT 多孔質保護層形成領域(被測定ガスに晒される部分)
PSG プラズマ溶射ガン
PLS プラズマ火炎
FLM 溶射フレーム
Claims (10)
- 少なくとも特定のイオンに対してイオン伝導性を有する固体電解質材料からなり、略円筒状に形成された固体電解質体(100)と、該固体電解質体の一方の表面に設けられ基準ガスとして導入した大気に晒される基準電極(110)と、上記固体電解質体の他方の表面に設けられ被測定ガスに晒される測定電極(120)とを有し、被測定ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するガスセンサ素子(10)の、被測定ガスに晒される部分(RCOAT)に、プラズマ溶射ガン(PSG)を用いて、高電圧の印加により不活性ガスの存在下で発生させたアーク放電により高温のプラズマ炎を発生させ、耐熱性粒子からなる溶射材粉末を瞬間的に加熱溶融し、噴射して、上記ガスセンサ素子の表面に衝突させ成膜し、急速固化させるプラズマ溶射法を用いて多孔質保護層(130)を設けたガスセンサ素子の製造方法であって、
単一の上記プラズマ溶射ガンから噴射される上記溶射材粉末の溶射範囲であって、中心から外側に向かって該溶射材粉末の濃度が漸減する濃度分布を持った溶射フレーム(FLM)内に、複数の上記ガスセンサ素子が同時に配置されて上記多孔質保護層を形成するように、
上記複数のガスセンサ素子の、上記被測定ガスに晒される部分を密集して配置し、かつ、
上記プラズマ溶射ガン及び上記ガスセンサ素子のいずれか一方を他方に対して移動させ、又は両方を相対的に移動させて、
それぞれの上記ガスセンサ素子に対する上記溶射フレームの移動履歴を同一にして、全ての上記ガスセンサ素子について、上記多孔質保護層の膜厚の最大値HMAXと最小値HMINの比HMAX/HMINを1.5以下にすることを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。 - それぞれの上記ガスセンサ素子の長手軸を中心軸として、該ガスセンサ素子を周方向に回転させると共に、
上記溶射フレームの外側に位置する濃度分布の低い部位における溶射と、上記溶射フレームの中心に位置する濃度分布の高い部位における溶射とを、それぞれの上記ガスセンサ素子に対して行うよう、該ガスセンサ素子と上記溶射フレームとを相対移動させることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ素子の製造方法。 - 上記複数のガスセンサ素子を並列に配置し、
上記溶射フレームの外側に位置する濃度分布の低い部位での溶射と、上記溶射フレームの中心に位置する濃度分布の高い部位での溶射と、上記溶射フレームの外側に位置する濃度分布の低い部位での溶射とを、それぞれの上記ガスセンサ素子に対して順に行うよう、上記プラズマ溶射ガンを上記複数のガスセンサ素子の長手方向に往復移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ素子の製造方法。 - 上記複数のガスセンサ素子を並列に配置し、
上記溶射フレームの外側に位置する濃度分布の低い部位での溶射と、上記溶射フレームの中心に位置する濃度分布の高い部位での溶射と、上記溶射フレームの外側に位置する濃度分布の低い部位での溶射とを、それぞれの上記ガスセンサ素子に対して順に行うよう、上記プラズマ溶射ガンを上記複数のガスセンサ素子の径方向に往復移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ素子の製造方法。 - 上記複数のガスセンサ素子を並列に配置し、
上記溶射フレームを円周軌道で移動させることにより、
上記プラズマ溶射ガンを上記複数のガスセンサ素子に対して相対移動させることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ素子の製造方法。 - 上記円周軌道半径を、保護層形成範囲の大きさとの関係に基づいて制御し、上記被測定ガスに晒される部分の長手方向長の1.0倍〜1.2倍の大きさとすることを特徴とする請求項5に記載のガスセンサ素子の製造方法。
- 上記ガスセンサ素子の最大直径をDMAXとし、上記ガスセンサ素子の上記多孔質保護層を形成する部位の最小直径をDMINとし、上記複数のガスセンサ素子の間隔をdとしたとき、
DMAX<d≦4.5DMINの関係を満たすように、上記複数のガスセンサ素子を並列に配置することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のガスセンサ素子の製造方法。 - 上記ガスセンサ素子の最大直径をDMAXとし、上記ガスセンサ素子の上記多孔質保護層を形成する部位の最小直径をDMINとし、上記複数のガスセンサ素子の間隔をdとしたとき、DMAX<d≦3DMINの関係を満たすように、上記複数のガスセンサ素子を並列に配置することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のガスセンサ素子の製造方法。
- 隣接する上記複数のガスセンサ素子の先端が互いに反対側になるよう、該複数のガスセンサ素子を並列に配置することを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載のガスセンサ素子の製造方法。
- 同一平面上に並んだ上記複数のガスセンサ素子の長手方向の中心軸と上記プラズマ溶射ガンの移動方向に平行な平面とのなす角度をθ1とし、上記ガスセンサ素子の長手方向の中心軸に直交する平面に対する上記プラズマ溶射ガンの噴射方向の角度をθ2としたとき、10°≦θ1≦50°、かつ、θ1−10°<θ2<θ1+10°となるように、上記複数のガスセンサ素子を、上記プラズマ溶射ガンに対して傾けて対向させることを特徴とする請求項1ないし9のいずれか1項に記載のガスセンサ素子の製造方法。
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