JP5922014B2 - トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 - Google Patents
トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5922014B2 JP5922014B2 JP2012286204A JP2012286204A JP5922014B2 JP 5922014 B2 JP5922014 B2 JP 5922014B2 JP 2012286204 A JP2012286204 A JP 2012286204A JP 2012286204 A JP2012286204 A JP 2012286204A JP 5922014 B2 JP5922014 B2 JP 5922014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- schottky barrier
- barrier diode
- trench
- trench schottky
- mesa region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 182
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
Description
(1)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が100V以上である場合
Qacc/Qdop≧2.0
(2)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が60V以上100V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.5
(3)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が40V以上60V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.25
図1は、実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100を説明するために示す図である。図1(a)はトレンチショットキバリアダイオード100の断面図であり、図1(b)はトレンチショットキバリアダイオード100の平面図である。なお、図1(b)においては、バリア電極層126及びアノード電極層128の図示を省略している。
ットキバリアダイオード100を上から見たときに、図1(b)に示すように、メサ領域124がストライプ状に配列されたストライプ構造を有する。
図2は、実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100に順方向電圧を印加したときの様子を示す図である。図3は、実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100に逆方向電圧を印加したときの様子を示す図である。
図4及び図5は、実施形態1に係るショットキバリアダイオードの製造方法を説明するために示す図である。図4(a)〜図4(d)及び図5(a)〜図5(d)は各工程図である。
実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100は、図4及び図5に示す
ように、以下の工程(a)〜工程(h)を行うことによって製造することができる。
まず、n+型半導体層112(厚さ:400μm、不純物濃度:1.0×1019cm−3)の上面にn−型ドリフト層114(厚さ:8.0μm、不純物濃度:2.5×1015cm−3)が形成された半導体基板110を準備する(図4(a)参照。)。
その後、n−型ドリフト領域114の所定領域にトレンチ116(深さ:2.0μm、幅:0.35μm)を形成する(図4(b)参照。)。
その後、熱酸化により、トレンチ116の内面(側面及び底面)に二酸化ケイ素からなる誘電体層118(厚さ:50nm)を形成し、n−型ドリフト層114の表面に二酸化ケイ素からなる絶縁体層(厚さ:50nm)を形成する(図4(c)参照。)。
その後、トレンチ116の内面に形成された誘電体層118の内面及びn−型ドリフト層114の表面に形成された絶縁体層の上にCVDによりポリシリコン膜121を形成する(図4(d)参照。)。
その後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により所定量のポリシリコン膜を除去するとともに、n−型ドリフト層114の表面に形成された二酸化ケイ素膜を除去することにより、トレンチ116内に誘電体層118を介して導電体層120が埋め込まれた構造を有するトレンチ領域122を形成する(図5(a)参照。)。このとき、シリコン基板110の第1主面側におけるトレンチ領域122が設けられていない部分にはメサ領域124が形成されることになる。
その後、半導体基板110の第1主面上に、モリブデン膜からなるバリア金属層126を形成する(図5(b)参照。)。バリア金属層126は、メサ領域124との間でショットキ接合を形成する。
その後、バリア金属層126の上方に、蒸着法により、アルミニウム膜及びニッケル膜等の積層膜からなるアノード電極層128を形成する(図5(c)参照。)。
その後、n+型半導体層112の下方に、チタン膜、ニッケル膜及び銀膜の積層膜からなるカソード電極層130を形成する(図5(d)参照。)。
ド100を製造することができる。
実施形態2に係るトレンチショットキバリアダイオード102(図示せず。)は、基本的には実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100と同様の構成を有するが、トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオード100の場合とは異なる。すなわち、実施形態2に係るトレンチショットキバリアダイオード102は、耐圧が60Vのトレンチショットキバリアダイオード(耐圧60V級のトレンチショットキバリアダイオード)である。具体的には、n−型ドリフト層の厚さを例えば6.5μmとし、n−型ドリフト層の不純物濃度を例えば5.25×1015cm−3としたトレンチショットキバリアダイオードである。
実施形態3に係るトレンチショットキバリアダイオード104(図示せず。)は、基本的には実施形態1又は2に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102と同様の構成を有するが、トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が実施形態1又は2に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102の場合とは異なる。すなわち、実施形態3に係るトレンチショットキバリアダイオード104は、耐圧が40Vのトレンチショットキバリアダイオード(耐圧40V級のトレンチショットキバリアダイオード)である。具体的には、n−型ドリフト層の厚さを例えば5.0μmとし、n−型ドリフト層の不純物濃度を例えば9.0×1015cm−3としたトレンチショットキバリアダイオードである。
試験例1は、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxを変化させることにより、メサ領域におけるキャリア蓄積領域がどのように変化するかを明らかにするための試験例である。試験は、基本的には実施形態1に係るトレンチショットキバリアダイオードと同様の構成のトレンチショットキバリアダイオードについて、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxをそれぞれ変化させながらメサ領域におけるキャリア濃度をシミュレーションすることによって行った。シミュレーションは、TMA社のデバイスシミュレータMEDICIを用いて行った。試験例1は、以下の試料(試料1〜24)について行った。
試料名 メサ領域の幅Wm 誘電体層の厚さTox
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料1 0.5μm 25nm
試料2 1.0μm 25nm
試料3 1.5μm 25nm
試料4 2.0μm 25nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料5 0.5μm 50nm
試料6 1.0μm 50nm
試料7 1.5μm 50nm
試料8 2.0μm 50nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料9 0.5μm 75nm
試料10 1.0μm 75nm
試料11 1.5μm 75nm
試料12 2.0μm 75nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料13 0.5μm 100nm
試料14 1.0μm 100nm
試料15 1.5μm 100nm
試料16 2.0μm 100nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料17 0.5μm 150nm
試料18 1.0μm 150nm
試料19 1.5μm 150nm
試料20 2.0μm 150nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試料21 0.5μm 200nm
試料22 1.0μm 200nm
試料23 1.5μm 200nm
試料24 2.0μm 200nm
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
試験例2は、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxを変化させることにより、順方向降下電圧VFがどのように変化するかを明らかにするための試験例である。試験例3は、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxを変化させることにより、逆方向もれ電流IRがどのように変化するかを明らかにするための試験例である。試験例4は、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxを変化させることにより、耐圧VBRがどのように変化するかを明らかにするための試験例である。試験は、試験例1で用いた試料(試料1〜24)について、順方向降下電圧VF、逆方向もれ電流IR及び耐圧VBRをシミュレーションすることによって行った。
試験例5〜7は、メサ領域の幅Wm及び誘電体層の厚さToxを変化させることにより、「Qacc/Qdop」の値及び順方向降下電圧VFがどのように変化するかを明らかにするための試験例である。試験は、試験例5においては、試験例1で用いた試料(試料1〜24)について、200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したときの順方向降下電圧VF及び「Qacc/Qdop」の値をシミュレーションすることによって行った。また、試験例6においては、耐圧が60Vのトレンチショットキバリアダイオードからなる試料(試料1a〜24a)について、200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したときの順方向降下電圧VF及び「Qacc/Qdop」の値をシミュレーションすることによって行った。また、試験例7においては、耐圧が40Vのトレンチショットキバリアダイオードからなる試料(試料1b〜24b)について、200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したときの順方向降下電圧VF及び「Qacc/Qdop」の値をシミュレーションすることによって行った。なお、試料1a〜24aにおける誘電体層の厚さTox及びメサ領域の幅Wmは、それぞれ試料1〜24の場合と同様とした。また、試料1b〜24bにおける誘電体層の厚さTox及びメサ領域の幅Wmも、それぞれ試料1〜24の場合と同様とした。
試験例8は、耐圧が100Vのトレンチショットキバリアダイオードにおいて、本発明のトレンチショットキバリアダイオードが、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRのトレードオフを大幅に改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードであることを明らかにするための試験例である。試験は、試験例1で用いた試料(試料1〜24)について、順方向降下電圧VF及び逆方向もれ電流IRをシミュレーションすることによって行った。
試験例8からは、試料1〜24のうち、試料1〜16においては、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフ曲線が左下がり曲線又は上下に沿った直線となることから、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRのトレードオフが大幅に改善されていることが分かった(図19参照。)。
図20は、実施形態4に係るトレンチショットキバリアダイオード106の断面図である。
実施形態4に係るトレンチショットキバリアダイオード106は、基本的には実施形態1〜3に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102,104と同様の構成を有するが、誘電体層を構成する材料が実施形態1〜3に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102,104の場合とは異なる。すなわち、実施形態4に係るトレンチショットキバリアダイオード106においては、図20に示すように、誘電体層118aを構成する材料が強誘電体材料(例えば、Ta2O5、PZTなど。)からなる。
図21は、実施形態5に係るトレンチショットキバリアダイオード108の断面図である。
実施形態5に係るトレンチショットキバリアダイオード108は、基本的には実施形態1〜3に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102,104と同様の構成を有するが、トレンチの側壁の形状が実施形態1〜3に係るトレンチショットキバリアダイオード100,102,104の場合とは異なる。すなわち、実施形態5に係るトレンチショットキバリアダイオード108においては、図21に示すように、トレンチの側壁の形状が凹凸形状からなる。
実施形態6は、トレンチショットキバリアダイオードの製造方法に関する実施形態である。
上記した試験例8においては、試料1〜16の場合に、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRのトレードオフが大幅に改善されていることを述べたが、このうち試料1〜12の場合には、図19に示すように、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフ曲線が左下がり曲線となることから、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフをより一層改善することができる。従って、メサ領域の幅Wm及びトレンチ内の誘電体層の層厚Toxを決定するにあたり、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフ曲線が左下がり曲線となる範囲からメサ領域の幅Wm及びトレンチ内の誘電体層の層厚Toxを決定するパラメータ決定工程を実施することにより、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフをより一層改善することが可能となる。
Claims (9)
- 第1導電型不純物を高濃度で含有する第1半導体層及び前記第1半導体層よりも第1導電型不純物を低濃度で含有する第2半導体層を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面側に形成されトレンチ内に誘電体層を介して導電体層が埋め込まれた構造を有する複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域が設けられていない部分に設けられたメサ領域と、
前記半導体基板の第1主面上に設けられ前記メサ領域との間でショットキ接合を形成するバリア金属層とを備えるトレンチショットキバリアダイオードであって、
前記メサ領域の幅Wmが、0.5μm≦Wm≦1.5μmの範囲内にあり、
前記誘電体層の層厚Toxが、25nm≦Tox≦150nmの範囲内にあり、かつ、
活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、「前記導電体層、前記誘電体層及び前記メサ領域により構成されるコンデンサ」に十分な量の電荷が充電される結果、前記メサ領域に存在する総キャリア量Qaccと、前記メサ領域の不純物に起因するキャリア量Qdopとが以下の関係式(1)〜(3)のいずれかを満たすことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオード。
(1)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が100V以上である場合
Qacc/Qdop≧2.0
(2)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が60V以上100V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.5
(3)トレンチショットキバリアダイオードの耐圧が40V以上60V未満の場合
Qacc/Qdop≧1.25 - 前記誘電体層の層厚Toxが100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、前記メサ領域の20%以上の領域にキャリアが蓄積されるように構成されてなることを特徴とする請求項1又は2に記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、前記メサ領域の全領域にキャリアが蓄積されるように構成されてなることを特徴とする請求項3に記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 活性領域において200A/cm2の電流密度で順方向電流を流したとき、前記トレンチ領域と前記メサ領域との境界近傍におけるキャリア濃度が、前記メサ領域の不純物に起因するキャリア濃度の20倍以上となるように構成されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 前記誘電体層が強誘電体材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 前記トレンチの側壁の形状が凹凸形状からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のトレンチショットキバリアダイオード。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のトレンチショットキバリアダイオードを製造するためのトレンチショットキバリアダイオードの製造方法であって、
前記メサ領域の幅Wm及び前記誘電体層の層厚Toxを決定するにあたり、
横軸に順方向降下電圧VFをとり、縦軸に逆方向もれ電流IRをとったトレードオフ特性表示用グラフに、前記誘電体層の層厚Toxを一定にした条件で前記メサ領域の幅Wmを変化させながら順方向降下電圧VF及び逆方向もれ電流IRについてのプロットを実施し、さらには当該プロットを前記誘電体層の層厚Toxを変化させながら実施したときに、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフ曲線が左下がり曲線となる範囲又は上下に沿った直線となる範囲から前記メサ領域の幅Wm及び前記誘電体層の層厚Toxを決定するパラメータ決定工程を含むことを特徴とするトレンチショットキバリアダイオードの製造方法。 - 請求項8に記載のトレンチショットキバリアダイオードの製造方法において、
前記パラメータ決定工程においては、順方向降下電圧VFと逆方向もれ電流IRとのトレードオフ曲線が左下がり曲線となる範囲から前記メサ領域の幅Wm及び前記誘電体層の層厚Toxを決定することを特徴とするトレンチショットキバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012286204A JP5922014B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012286204A JP5922014B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014127713A JP2014127713A (ja) | 2014-07-07 |
JP5922014B2 true JP5922014B2 (ja) | 2016-05-24 |
Family
ID=51406942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012286204A Active JP5922014B2 (ja) | 2012-12-27 | 2012-12-27 | トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5922014B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016149430A (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 逆導通igbtを備える電子装置 |
JP2017028150A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP6845397B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-03-17 | 株式会社タムラ製作所 | トレンチmos型ショットキーダイオード |
JP6709425B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-06-17 | 北九州市 | 半導体装置 |
CN106684117A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-17 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 一种低漏电流的肖特基二极管 |
CN114781308B (zh) * | 2022-04-21 | 2024-03-22 | 扬州大学 | 一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5612567A (en) * | 1996-05-13 | 1997-03-18 | North Carolina State University | Schottky barrier rectifiers and methods of forming same |
US6580141B2 (en) * | 2001-06-01 | 2003-06-17 | General Semiconductor, Inc. | Trench schottky rectifier |
JP5450493B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-12-27 JP JP2012286204A patent/JP5922014B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014127713A (ja) | 2014-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5922014B2 (ja) | トレンチショットキバリアダイオード及びその製造方法 | |
US9076838B2 (en) | Insulated gate bipolar transistor with mesa sections between cell trench structures and method of manufacturing | |
JP5920970B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8853029B2 (en) | Method of making vertical transistor with graded field plate dielectric | |
JP5566020B2 (ja) | トレンチショットキバリアダイオードの製造方法 | |
US6707127B1 (en) | Trench schottky rectifier | |
US9029942B2 (en) | Power transistor device with super junction | |
WO2018121600A1 (zh) | 超级结功率晶体管及其制备方法 | |
US9972714B2 (en) | Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures | |
US20090309181A1 (en) | Trench schottky with multiple epi structure | |
JP2016537809A (ja) | 高エネルギードーパント注入技術を用いた半導体構造 | |
US9761676B2 (en) | Power semiconductor device with embedded field electrodes | |
US20160351560A1 (en) | Schottky barrier diode | |
JP5030563B2 (ja) | トレンチショットキバリアダイオード | |
US20130082323A1 (en) | Superjunction structure, superjunction mos transistor and manufacturing method thereof | |
JP2018049908A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN111384168A (zh) | 沟槽mosfet和沟槽mosfet的制造方法 | |
TWI458102B (zh) | 具有多浮閘的溝渠mos阻障肖特基體 | |
JP6232089B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2021015980A (ja) | トレンチコンタクト構造を含む半導体装置及び製造方法 | |
US9685511B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP2014508407A5 (ja) | ||
CN109585288B (zh) | 具有温度稳定特性的scr部件及其制作方法 | |
US7879679B2 (en) | Electronic component manufacturing method | |
US11594629B2 (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5922014 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |