JP5910500B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
(1)フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程と
をこの順に有するパターン形成方法である。
(1)レジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程と
をこの順に有するパターン形成方法に用いられるレジスト下層膜形成用組成物であって、フェノール性水酸基を有する樹脂を含むことを特徴とする。
当該パターン形成方法は、
(1)フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程と
をこの順に有する。なお、(1)レジスト下層膜形成工程と(2)レジストパターン形成工程との間に、(1’)上記レジスト下層膜の上面側に中間層を形成する中間層形成工程を含み、(3)パターン形成工程において、さらに中間層をもドライエッチングしてもよい。以下、各工程について、詳説する。
(1)レジスト下層膜形成工程においては、フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成する。
本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト下層膜形成用組成物は、フェノール性水酸基を有する樹脂を含み、その他、溶媒等の任意成分を含んでいてもよい。
フェノール性水酸基を有する樹脂としては、例えばノボラック樹脂等を挙げることができる。
上記レジスト下層膜形成用組成物は、通常、上記樹脂を溶解する溶媒を含む液状の組成物である。
上記レジスト下層膜形成用組成物は、界面活性剤、保存安定剤、消泡剤等のその他の成分を含んでいてもよい。
この工程にて形成される中間層は、レジストパターン形成において、レジスト下層膜及び/又はレジスト被膜が有する機能を補ったり、これらが有していない機能を得るためにこれらの機能が付与された層のことである。例えば、反射防止膜を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能を補うことができる。
(2)レジストパターン形成工程においては、上記レジスト下層膜の上面側に、好ましくは上記中間層を介してレジストパターンを形成する。このレジストパターン形成工程としては、例えば、(2−a)フォトリソグラフィを用いる工程、(2−b)ナノインプリント法を用いる工程、(2−c)組成物の自己組織化を用いる工程、及び上記各工程に加えて行われる(2−α)反転プロセス又は側壁プロセスを経る工程等が挙げられる。以下、各工程について説明する。
(2−a)フォトリソグラフィを用いる工程は、例えば
(2−a−1)上記レジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程(以下、「工程(2−a−1)」ともいう。)と、
(2−a−2)上記レジスト被膜に、選択的に放射線を照射して、このレジスト被膜を露光する工程(以下、「工程(2−a−2)」ともいう。)と、
(2−a−3)露光された上記レジスト被膜を現像して、レジストパターンを形成する工程(以下、「工程(2−a−3)」ともいう。)と
を有する。
(2−b)ナノインプリント法を用いる工程は、例えば、
(2−b−1)上記レジスト下層膜上に、レジスト組成物を塗布してレジスト被膜を形成する工程(以下、「工程(2−b−1)」ともいう。)と、
(2−b−2)このレジスト被膜に微細な凹凸パターンが形成されたスタンパを圧接及び脱離して、スタンパの凹凸を転写する工程(以下、「工程(2−b−2)」ともいう。)と
を有する。
(2−c)組成物の自己組織化を用いる工程は、例えば
(2−c−1)上記レジスト下層膜上に、2種のブロックコポリマー又はグラフトコポリマーを含む溶液を塗布してレジスト被膜を形成する工程(以下、「工程(2−c−1)」ともいう。)と、
(2−c−2)上記レジスト被膜をミクロ相分離させる工程(以下、「工程(2−c−2)」ともいう。)と、
(2−c−3)上記ミクロ相分離されたレジスト被膜の1つの相を選択的に除去して、レジストパターンを形成する工程(以下、「工程(2−c−2)」ともいう。)と
を有する。
反転プロセスを経る工程としては、例えば
(2−α−1)レジストパターンのパターン間に、ポリシロキサンと有機溶媒とを含有する樹脂組成物を埋め込む工程(以下、「工程(2−α−1)」ともいう。)と、
(2−α−2)上記レジストパターンを除去し、反転パターンを形成する工程(以下、「工程(2−α−2)」ともいう。)と
を有する。
(2−α−1’)レジストパターンの側壁に、ポリシロキサンと有機溶媒とを含有する樹脂組成物を塗布する工程(以下、「工程(2−α−1’)」ともいう。)を採用してもよい。工程(2−α−1’)を経た後、レジストパターンを除去することで、レジストパターンの側壁形状を転写した側壁パターンを形成することができる。
(3)パターン形成工程においては、上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成する。なお、中間層を形成した場合は、さらに中間層もドライエッチングする。
(4)レジスト下層膜除去工程においては、上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去する。
本発明のレジスト下層膜は、フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物から形成され、有機溶媒に難溶であり、かつ、塩基性溶液に可溶であるレジスト下層膜である。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、
(1)レジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程と
をこの順に有するパターン形成方法に用いられるレジスト下層膜形成用組成物であって、フェノール性水酸基を有する樹脂を含むことを特徴とする。
<合成例1>
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置に1−ナフトール100部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部及びパラホルムアルデヒド50部を仕込み、シュウ酸2部を添加し、脱水しながら120℃に昇温して、5時間反応させた後、樹脂(A−1)を得た。得られた樹脂(A−1)の重量平均分子量(Mw)は2,000であった。
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置に2−ナフトール50部、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部及びパラホルムアルデヒド50部を仕込み、シュウ酸2部を添加し、脱水しながら120℃に昇温して、5時間反応させた後、樹脂(A−2)を得た。得られた樹脂(A−2)の重量平均分子量(Mw)は2,000であった。
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置に2,7−ジヒドロキシナフタレン100部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部及びパラホルムアルデヒド50部を仕込み、シュウ酸2部を添加し、脱水しながら120℃に昇温して、5時間反応させた後、樹脂(A−3)を得た。得られた樹脂(A−3)の重量平均分子量(Mw)は2,000であった。
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置に3−メチル−フェノール100部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部及びパラホルムアルデヒド100部を仕込み、シュウ酸3部を添加し、脱水しながら120℃に昇温して、5時間反応させた後、樹脂(A−4)を得た。得られた樹脂(A−4)の重量平均分子量(Mw)は8,000であった。
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置にレゾルシノール100部及びエタノール400部を仕込み、80℃に加熱後、4−ヒドロキシベンズアルデヒド120部及び濃塩酸15部を添加し、5時間反応させた。この反応溶液にN−メチル−2−ピロリドン1,000部、tert−ブチルブロモアセテート800部、テトラブチルアンモニウムブロミド50部及び塩化セシウム600部を加えて80℃に昇温して、40時間反応させた後、樹脂(A−5)を得た。得られた樹脂(A−5)の重量平均分子量(Mw)は1,600であった。
コンデンサー、温度計及び撹拌装置を備えた反応装置に4−ビニルベンゼンスルホン酸エチル100部及びメチルエチルケトン100部を仕込み、80℃に加熱後、アゾビスイソブチロニトリル3部を添加し、5時間反応させ樹脂(B−1)を得た。得られた樹脂(B−1)の重量平均分子量(Mw)は5,000であった。
<調製例1>
上記樹脂(A−1)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、調製例1のレジスト下層膜形成用組成物(J−1)を得た。
上記樹脂(A−2)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、調製例2のレジスト下層膜形成用組成物(J−2)を得た。
上記樹脂(A−3)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、調製例3のレジスト下層膜形成用組成物(J−3)を得た。
上記樹脂(A−4)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、調製例4のレジスト下層膜形成用組成物(J−4)を得た。
上記樹脂(A−5)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、調製例5のレジスト下層膜形成用組成物(J−5)を得た。
上記樹脂(B−1)10部を、溶媒(プロピレングリコールモノメチルエーテル)90部に溶解した。この溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、比較調製例1のレジスト下層膜形成用組成物(j−1)を得た。
<実施例1>
直径8インチのシリコンウェハー上に、調製例1で調製したレジスト下層膜形成用組成物(J−1)をスピンコートした後、ホットプレート内にて250℃で120秒間加熱して、膜厚0.3μmのレジスト下層膜を形成した。
表1に示すレジスト下層膜形成用組成物を用い、加熱条件としたこと以外は実施例1と同様の工程を経て、実施例2〜10及び比較例1〜2のレジスト下層膜を得た。
実施例1〜10及び比較例1〜2の各レジスト下層膜について、下記の評価を行った。その結果を表1に示す。
直径8インチのシリコンウェハー上に、得られた各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、ホットプレート内にて表1に示す条件にて加熱して、膜厚300nmのレジスト下層膜を形成し、このレジスト下層膜をエッチング装置「EXAM」(神鋼精機社製)を用いて、CF4/Ar(CF4:100mL/min、Ar:100mL/min;RFパワー:200W)でエッチング処理した。エッチング処理前後の膜厚を測定して、エッチングレートを算出し、下記の基準でエッチング耐性を評価した。
「○」:エッチングレートが150nm/min以下の場合
「×」:エッチングレートが150nm/minを超える場合
直径8インチのシリコンウェハー上に、得られた各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、ホットプレート内にて表1に示す条件にて加熱して、膜厚300nmのレジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜に対して、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20mLを塗布し、23℃1気圧で60秒間静置した後、乾燥させた。このシリコンウェハー上の下層膜の膜厚を測定して、下層膜の膜厚減少量を測定し、下記の基準で有機溶媒耐性を評価した。なお、評価結果が○又は△の場合、下層膜として十分に使用可能と判断できる。
「○」:レジスト下層膜の膜厚減少量が1nm未満の場合
「△」:レジスト下層膜の膜厚減少量が1nm以上5nm未満の場合
「×」:レジスト下層膜の膜厚減少量が5nm以上の場合
直径8インチのシリコンウェハー上に、膜厚0.2μm塗布型Low−k膜を成し、この上に、得られた各レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、ホットプレート内にて表1に示す条件にて加熱して、膜厚0.3μmのレジスト下層膜を形成した。その後、得られたレジスト下層膜上に3層レジストプロセス用ケイ素含有中間層組成物溶液をスピンコートし、200℃60秒間加熱して、膜厚0.05μmの中間層被膜を形成した。次いで、得られた中間層被膜上に、ArF用レジスト組成物溶液をスピンコートし、130℃のホットプレート上で90秒間プレベークして、膜厚0.2μmのレジスト被膜を形成した。この積層物をエッチング装置「EXAM」(神鋼精機社製)を用いて、O2(O2:100mL/min、;RFパワー:100W)でArFレジスト層を剥離し、続いてCF4/Ar(CF4:100mL/min、Ar:100mL/min;RFパワー:100W)でケイ素含有中間層組を剥離し、さらにケイ素含有中間層が完全に剥離された後にレジスト下層膜に対してCF4/Ar(CF4:100mL/min、Ar:100mL/min;RFパワー:100W)でエッチングした。このエッチングガス処理された膜を50℃の10%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の中に10分間浸し、2−プロパノール中に10分間浸し、水洗し、乾燥した。このシリコンウェハー上の下層膜の膜厚を測定して、下層膜残膜の膜厚を測定し、下記の基準で下層膜溶媒剥離性を評価した。なお評価結果が、○又は△の場合、塩基性溶液で容易に除去されると判断できる。
「○」:レジスト下層膜残膜の膜厚が5nm未満の場合
「△」:レジスト下層膜残膜の膜厚が5nm以上10nm未満の場合
「×」:レジスト下層膜残膜の膜厚が10nm以上の場合
Claims (6)
- (1)フェノール性水酸基を有する樹脂を含むレジスト下層膜形成用組成物の塗布により、被加工基板の上面側にレジスト下層膜を形成するレジスト下層膜形成工程と、
(2)上記レジスト下層膜の上面側にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
(3)上記レジストパターンをマスクとして、少なくとも上記レジスト下層膜及び被加工基板をドライエッチングし、被加工基板にパターンを形成するパターン形成工程と、
(4)上記被加工基板上のレジスト下層膜を塩基性溶液で除去するレジスト下層膜除去工程と
をこの順に有し、
上記フェノール性水酸基を有する樹脂がノボラック樹脂であり、
上記塩基性溶液が塩基性水溶液であるパターン形成方法。 - (1)レジスト下層膜形成工程における上記フェノール性水酸基を有する樹脂の少なくとも一部をキノン構造に変性させる請求項1に記載のパターン形成方法。
- 加熱により上記変性を行う請求項2に記載のパターン形成方法。
- (1)レジスト下層膜形成工程と(2)レジストパターン形成工程との間に、
(1’)上記レジスト下層膜の上面側に中間層を形成する中間層形成工程
を含み、
(3)パターン形成工程において、さらに中間層をドライエッチングする請求項1、請求項2又は請求項3に記載のパターン形成方法。 - 上記レジスト下層膜形成用組成物における上記フェノール性水酸基を有する樹脂100質量部に対する架橋剤の含有量が、0質量部以上3質量部以下である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 上記フェノール性水酸基を有する樹脂が、ベンゼン骨格又はナフタレン骨格を有し、かつ重量平均分子量が1,500〜10,000のノボラック樹脂であり、キノン構造への変性のための加熱温度が230℃以上270℃以下である請求項3に記載のパターン形成方法。
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JP6119669B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜材料及びパターン形成方法 |
JP6119668B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜材料及びパターン形成方法 |
JP6135600B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-05-31 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜材料及びパターン形成方法 |
JP2015015425A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
WO2015146524A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
WO2016072316A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 日産化学工業株式会社 | アリーレン基を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物 |
JP6711104B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2020-06-17 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002014474A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2004177668A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法 |
JP2006010779A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Nagase Chemtex Corp | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2006293207A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
WO2007097457A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜 |
WO2007105776A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Jsr Corporation | 下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
JP2010134437A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5770350A (en) * | 1993-11-09 | 1998-06-23 | Lg Semicon Co. Ltd. | Method for forming pattern using multilayer resist |
JP3928278B2 (ja) | 1998-11-16 | 2007-06-13 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
JP4288776B2 (ja) | 1999-08-03 | 2009-07-01 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物 |
JP4292910B2 (ja) | 2002-07-31 | 2009-07-08 | Jsr株式会社 | アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物 |
JP2004240115A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物、回路形成用基板、レジストパターンの製造法、プリント配線板の製造法 |
US8449681B2 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-28 | Intermolecular, Inc. | Composition and method for removing photoresist and bottom anti-reflective coating for a semiconductor substrate |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2004177668A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法 |
JP2006010779A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Nagase Chemtex Corp | 有機膜組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2006293207A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 |
WO2007097457A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜 |
WO2007105776A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Jsr Corporation | 下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
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