JP5894198B2 - 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法 - Google Patents

溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5894198B2
JP5894198B2 JP2014000233A JP2014000233A JP5894198B2 JP 5894198 B2 JP5894198 B2 JP 5894198B2 JP 2014000233 A JP2014000233 A JP 2014000233A JP 2014000233 A JP2014000233 A JP 2014000233A JP 5894198 B2 JP5894198 B2 JP 5894198B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
slurry
yttrium oxide
thermal spray
oxide particles
thermal spraying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014000233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014062332A (ja
Inventor
順也 北村
順也 北村
博之 伊部
博之 伊部
水野 宏昭
宏昭 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Priority to JP2014000233A priority Critical patent/JP5894198B2/ja
Publication of JP2014062332A publication Critical patent/JP2014062332A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5894198B2 publication Critical patent/JP5894198B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

本発明は、酸化イットリウム粒子を含有する溶射用スラリー、及びその溶射用スラリーを用いた溶射皮膜の形成方法に関する。
半導体デバイス及びフラットパネルディスプレイデバイスの製造分野では、反応性イオンエッチング装置を用いたドライエッチングの一種であるプラズマエッチングによる微細加工が一般に行われる。そのため、半導体デバイス製造装置及びフラットパネルディスプレイデバイス製造装置では、エッチングプロセスの際に反応性プラズマに曝される部材がエロージョンを受ける虞がある。プラズマエロージョンにより半導体デバイス製造装置又はフラットパネルディスプレイデバイス製造装置中の部材からパーティクルが発生すると、半導体デバイス用のシリコンウエハ上又はフラットパネルディスプレイデバイス用のガラス基板上にパーティクルが堆積する場合がある。この堆積したパーティクルの量が多かったりサイズが大きかったりすると、微細加工を設計どおりに行うことができず、デバイスの歩留まり低下や品質不良を招き、デバイスのコスト上昇も起こりうる。そこで、エッチングプロセスの際に反応性プラズマに曝される部材に耐プラズマエロージョン性を有するセラミックスの溶射皮膜を設け、それにより当該部材のプラズマエロージョンを防止することが従来行われている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、従来の溶射皮膜は耐プラズマエロージョン性に関する要求性能を十分に満足するものではなく、依然として改良の余地を残している。また、耐プラズマエロージョン性を有する溶射皮膜であっても多少なりともプラズマエロージョンを受けるものであるが、溶射皮膜がプラズマエロージョンを受けたときにサイズの大きなパーティクルが発生すると、これもデバイスの歩留まり低下や品質不良の原因となる。従って、溶射皮膜がプラズマエロージョンを受けたときに発生するパーティクルのサイズはできるだけ小さいことが望まれる。
特開2002−80954号公報
そこで本発明の目的は、半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適した溶射用スラリーを提供することにある。また本発明の別の目的は、その溶射用スラリーを用いた溶射皮膜の形成方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の一態様では、酸化イットリウム粒子及び分散媒を含んだ溶射用スラリーが提供される。酸化イットリウム粒子の純度は95質量%以上であり、酸化イットリウム粒子の平均粒子径は6μm以下であり、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は1.5〜30体積%であり、酸化イットリウム粒子のBET比表面積が1〜25m/gである。
また、前記分散媒が好ましくは水及びエタノールから選ばれる少なくとも1種である。さらに好ましくは分散剤を含む。前記分散剤が好ましくはポリビニルアルコールである。
本発明の別の態様では、上記の溶射用スラリーをプラズマ溶射して溶射皮膜を形成する溶射皮膜の形成方法が提供される
本発明によれば、半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適した溶射用スラリー、及びその溶射用スラリーを用いた溶射皮膜の形成方法が提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の溶射用スラリーは、溶射皮膜を形成する用途、特に、反応性プラズマに曝される半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などの部材の表面に当該部材がプラズマエロージョンを受けるのを防ぐために設けられる溶射皮膜をプラズマ溶射により形成する用途で主に使用される。
溶射用スラリーは、酸化イットリウム(Y)粒子及び分散媒からなる。分散媒としては、例えば、水やエタノールを使用することができる。
酸化イットリウム粒子は、不可避的不純物などの酸化イットリウム以外の成分を含むことを許容する。ただし、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性の向上という点からすると、酸化イットリウム粒子は高純度である必要がある。具体的には、酸化イットリウム粒子中の酸化イットリウム含有量、すなわち酸化イットリウム粒子の純度は95質量%以上であることが必須であり、好ましくは98質量%以上、より好ましくは99質量%以上、さらに好ましくは99.9質量%以上、最も好ましくは99.99質量%以上である。
酸化イットリウム粒子の平均粒子径(体積平均径)は6μm以下である。酸化イットリウム粒子の平均粒子径が小さくなるほど、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜中の気孔率が小さくなる結果、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性は向上する。この点、酸化イットリウム粒子の平均粒子径が6μm以下であれば、所要の耐プラズマエロージョン性を有する溶射皮膜を溶射用スラリーから形成するうえで特に有利である。溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性のさらなる向上という点からは、酸化イットリウム粒子の平均粒子径は5μm以下であることが好ましく、より好ましくは4μm以下である。
一方、酸化イットリウム粒子の平均粒子径の下限は特に限定されないが、0.01μm以上であることが好ましく、より好ましくは0.03μm以上、さらに好ましくは0.05μm以上である。酸化イットリウム粒子の平均粒子径が大きくなるほど、溶射用スラリーのプラズマ溶射中にプラズマフレームによって過熱を受けて昇華する虞のある微小な酸化イットリウム粒子の量が少なくなる結果、単位量の溶射用スラリーから溶射皮膜が形成される効率、すなわち成膜効率(付着効率)は向上する。この点、酸化イットリウム粒子の平均粒子径が0.01μm以上、さらに言えば0.03μm以上、もっと言えば0.05μm以上であれば、成膜効率を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は1.5体積%以上である。溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量が多くなるほど、溶射用スラリーから単位時間あたりに形成される溶射皮膜の厚み、すなわち成膜速度は向上する。この点、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量が1.5体積%以上であれば、所要の成膜速度を実現するうえで有利である。成膜速度のさらなる向上という点からは、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は2体積%以上であることが好ましく、より好ましくは3体積%以上である。
溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子含有量はまた30体積%以下でもある。溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量が少なくなるほど、溶射用スラリーの流動性は向上する。この点、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量が30体積%以下であれば、溶射機への良好な供給に適した所要の流動性を有する溶射用スラリーを得るうえで有利である。溶射用スラリーの流動性のさらなる向上という点からは、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は27体積%以下であることが好ましく、より好ましくは25体積%以下である。
酸化イットリウム粒子のBET比表面積は1m/g以上であることが好ましく、より好ましくは1.5m/g以上、さらに好ましくは2m/g以上である。酸化イットリウム粒子のBET比表面積が大きくなるほど、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜中の気孔率が小さくなる結果、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性は向上する。この点、酸化イットリウム粒子のBET比表面積が1m/g以上、さらに言えば1.5m/g以上、もっと言えば2m/g以上であれば、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
酸化イットリウム粒子のBET比表面積は25m/g以下であることが好ましく、より好ましくは22m/g以下、さらに好ましくは20m/g以下である。酸化イットリウム粒子のBET比表面積が小さくなるほど、溶射用スラリーのプラズマ溶射中にプラズマフレームによって過熱を受けて昇華する虞のある微小な酸化イットリウム粒子の量が少なくなる結果、成膜効率は向上する。この点、酸化イットリウム粒子のBET比表面積が25m/g以下、さらに言えば22m/g以下、もっと言えば20m/g以下であれば、成膜効率を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
液圧測定法による溶射用スラリーの相対堆積割合は30%以下であることが好ましく、より好ましくは27%以下、さらに好ましくは25%以下である。ここで相対堆積割合とは、スラリー中の粒子の分散状態を示す周知の指標であって、式(1):相対堆積割合(%)=[(Pmax−P)/(Pmax−Pmin)]×100で表される。上式(1)中、Pはスラリーの液圧の実測値を示し、Pmaxは(スラリー密度)×(重力加速度)×(サンプル液高さ)により算出される全粒子が分散した状態のスラリーの液圧の値を示し、Pminは(分散媒密度)×(重力加速度)×(サンプル液高さ)により算出される全粒子が堆積した状態のスラリーの液圧の値を示す。溶射用スラリーの相対堆積割合の値が小さくなるほど、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜の均一性は向上する。この点、溶射用スラリーの相対堆積割合が30%以下、さらに言えば27%以下、もっと言えば25%以下であれば、溶射皮膜の均一性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
溶射用スラリーのpHは7〜11の範囲であることが好ましい。溶射用スラリーのpHが上記の範囲であれば、溶射用スラリーが比較的良好な流動性を有するために、溶射機への溶射用スラリーの供給をより良好に行うことができる。
溶射用スラリーから形成される溶射皮膜のビッカース硬度は500以上であることが好ましく、より好ましくは530以上、さらに好ましくは550以上である。ビッカース硬度が大きくなるほど、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性は向上する。この点、溶射皮膜のビッカース硬度が500以上、さらに言えば530以上、もっと言えば550以上であれば、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
溶射用スラリーから形成される溶射皮膜中の酸化イットリウムに占める単斜晶酸化イットリウムの比率は30%以上であることが好ましく、より好ましくは50%以上、さらに好ましくは80%以上である。ここで、溶射皮膜中の酸化イットリウムに占める単斜晶酸化イットリウムの比率は、式(2):Pm(%)=[Im/(Im+Ic)]×100で表される。上式(2)中、Pmは溶射皮膜中の酸化イットリウムに占める単斜晶酸化イットリウムの比率、Imは溶射皮膜のX線回折における単斜晶酸化イットリウム(11−2)のピーク強度を示し、Icは溶射皮膜のX線回折における立方晶酸化イットリウム(222)のピーク強度を示す。通常の酸化イットリウム溶射皮膜中の酸化イットリウムはほとんどが最安定相の立方晶酸化イットリウムで占められるが、本実施形態の溶射用スラリーから形成される溶射皮膜中の酸化イットリウムは準安定相の単斜晶酸化イットリウムを少なからず含む。立方晶酸化イットリウムの密度が5.0g/cmであるのに対して単斜晶酸化イットリウムの密度は5.4〜5.5g/cmであることから、立方晶酸化イットリウムに代わって単斜晶酸化イットリウムを含有する酸化イットリウム溶射皮膜は、高密度であるがゆえに相対的に高い耐プラズマエロージョン性を有する。この点、溶射用スラリーから形成される溶射皮膜中の酸化イットリウムに占める単斜晶酸化イットリウムの比率が30%以上、さらに言えば50%以上、もっと言えば80%以上であれば、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
溶射用スラリーから形成される溶射皮膜の気孔率は1%以下であることが好ましい。気孔率が小さくなるほど、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性は向上する。この点、溶射皮膜の気孔率が1%以下であれば、溶射皮膜の耐プラズマエロージョン性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることが容易となる。
本実施形態によれば、以下の利点が得られる。
本実施形態の溶射用スラリー中に含まれる酸化イットリウム粒子は、純度が95質量%以上と高く、かつ平均粒子径が6μm以下と小さいため、所要の耐プラズマエロージョン性を有する溶射皮膜を溶射用スラリーから形成するうえで極めて有利である。そのうえ、溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量は1.5〜30体積%であり、このことは溶射用スラリーから溶射皮膜を形成する際の所要の成膜速度を実現するうえで、また溶射機への良好な供給に適した所要の流動性の溶射用スラリーを得るうえでも有利である。そのため、本実施形態の溶射用スラリーは、半導体デバイス製造装置やフラットパネルディスプレイデバイス製造装置などのプラズマエロージョンを防止する目的において有用な溶射皮膜の形成に適するものである。
前記実施形態は次のように変更してもよい。
・前記実施形態の溶射用スラリーは、酸化イットリウム粒子及び分散媒以外の成分をさらに含有してもよい。例えば、酸化イットリウム粒子の分散性を向上させるべく、溶射用スラリーはポリビニルアルコールなどの分散剤をさらに含有してもよい。
・前記実施形態の溶射用スラリーは、プラズマ溶射以外の溶射法を使用して溶射皮膜を形成する用途で使用されてもよい。ただし、プラズマ溶射の場合には、それ以外の溶射法を使用した場合に比べて、耐プラズマエロージョン性の高い溶射皮膜を溶射用スラリーから形成することが容易である。従って、溶射用スラリーの好ましい溶射法はプラズマ溶射である。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1〜5,7〜15、参考例6及び比較例1〜6においては、酸化イットリウム粒子と分散媒を含有し、必要に応じて分散剤をさらに含有したスラリーを用意した。実施例1〜5,7〜15、参考例6及び比較例1〜4,6のスラリーを表1及び2のいずれかに示す条件で溶射することにより厚さ200μmの皮膜を形成し、比較例5のスラリーを塗布及び300度の温度で焼成することにより厚さ500μmの皮膜を形成した。
参考例1においては、酸化イットリウム粒子を300度の温度で焼結することにより15mm×15mm×2mmのサイズの焼結体を形成した。
比較例7においては、酸化イットリウム造粒焼結粒子からなる粉末を用意し、表3に示す条件で溶射することにより厚さ200μmの皮膜を形成した。
実施例1〜5,7〜15、参考例6及び比較例1〜6のスラリー及びスラリーから形成された皮膜の詳細、参考例1で使用した酸化イットリウム粒子及び酸化イットリウム粒子から形成された焼結体の詳細、並びに比較例7の粉末及び粉末から形成された皮膜の詳細を表4に示す。
表4の“Y粒子の純度”欄には、各例のスラリー又は粉末中に含まれる酸化イットリウム粒子の純度を測定した結果を示す。
表4の“Y粒子の平均粒子径”欄には、各例のスラリー又は粉末中に含まれる酸化イットリウム粒子の平均粒子径(体積平均径)を測定した結果を示す。
表4の“スラリー中のY粒子の含有量”欄には、各例のスラリー中に占める酸化イットリウム粒子の比率を測定した結果を示す。
表4の“Y粒子のBET比表面積”欄には、各例のスラリー又は粉末中に含まれる酸化イットリウム粒子のBET比表面積を測定した結果を示す。
表4の“スラリーの相対堆積割合”欄には、液圧測定法による各例のスラリーの相対堆積割合を測定した結果を示す。
表4の“分散媒の種類”欄には、各例のスラリー中に含まれる分散媒の種類を示す。同欄中の“EtOH”はエタノールを表す。
表4の“分散剤の種類”欄には、各例のスラリー中に含まれる分散剤の種類を示す。同欄中の“PVA”はポリビニルアルコールを表す。
表4の“皮膜の形成方法”欄には、各例のスラリー又は粉末を用いて皮膜を形成するに際して使用した方法を示す。
表4の“成膜効率”欄には、各例のスラリー又は粉末を溶射して皮膜を形成したときの成膜効率(付着効率)を評価した結果を示す。具体的には、使用したスラリー又は粉末中に含まれる酸化イットリウム粒子の重量に対する得られた溶射皮膜の重量の比率が40%以上である場合には(○)、20%以上40%未満である場合には可(△)と評価した。
表4の“成膜速度”欄には、各例のスラリー又は粉末を溶射して皮膜を形成したときの成膜速度を評価した結果を示す。具体的には、比較例7の粉末を所定の条件で溶射したときに単位時間あたりに形成される皮膜の厚みに対する、各例のスラリーをほぼ同じ条件で溶射したときに単位時間あたりに形成される皮膜の厚みの比率が60%以上である場合には良(○)、20%以上60%未満である場合には可(△)、20%未満である場合には不良(×)と評価した。
表4の“気孔率”欄には、各例のスラリー又は粉末から形成された皮膜又は焼結体の気孔率を、鏡面研磨後の皮膜断面又は焼結体断面で画像解析法により測定した結果を示す。
表4の“ビッカース硬度”欄には、各例のスラリー又は粉末から形成された皮膜又は焼結体のビッカース硬度を、株式会社島津製作所製の微小硬度測定器HMV−1で測定した結果を示す。
表4の“単斜晶含有率”欄には、各例のスラリー又は粉末から形成された皮膜又は焼結体中の酸化イットリウムに占める単斜晶酸化イットリウムの比率を評価した結果を示す。具体的には、上式(2)に従って求められるPmの値が70%以上である場合には優(◎)、30%以上70%未満である場合には良(○)、1%以上30%未満である場合には可(△)、1%未満である場合には不良(×)と評価した。
表4の“プラズマエロージョンを受けた皮膜又は焼結体の表面粗さ”欄には、各例のスラリー又は粉末から形成された皮膜又は焼結体に対して表5に示す条件でプラズマエッチングを行い、プラズマエッチングによりエロージョンを受けた後の皮膜又は焼結体の表面粗さを評価した結果を示す。具体的には、プラズマエッチングによるエロージョン後の各皮膜で触針式表面粗さ計を使用して測定される平均表面粗度Raの値が、参考例1の粉末から形成された焼結体で同じプラズマエッチングによるエロージョン後に測定される平均表面粗度Raの値の120%未満である場合には優(◎)、120%以上150%未満である場合には良(○)、150%以上200%未満である場合には可(△)、200%以上である場合には不良(×)と評価した。なお、プラズマエロージョンを受けた皮膜で測定される平均表面粗度Raの値が小さいほど、皮膜がプラズマエロージョンを受けたときに発生するパーティクルのサイズも小さい傾向が認められた。したがって、皮膜がプラズマエロージョンを受けたときに発生するパーティクルのサイズを推し量る指標としてプラズマエロージョンを受けた皮膜で測定される平均表面粗度Raの値を用いることができる。
表4の“耐プラズマエロージョン性”欄には、各例のスラリー又は粉末から形成された皮膜又は焼結体の耐プラズマエロージョン性を評価した結果を示す。具体的には、表5に示す条件でのプラズマエッチングによる各皮膜のエロージョン量が、同じプラズマエッチングによる参考例1の粉末から形成された焼結体のエロージョン量の150%未満である場合には優(◎)、150%以上170%未満である場合には良(○)、170%以上190%未満である場合には可(△)、190%以上である場合には不良(×)と評価した。

Claims (5)

  1. 酸化イットリウム粒子及び分散媒を含んだ溶射用スラリーであって、
    酸化イットリウム粒子の純度が95質量%以上であり、
    酸化イットリウム粒子の平均粒子径が6μm以下であり、
    溶射用スラリー中の酸化イットリウム粒子の含有量が1.5〜30体積%であり、
    酸化イットリウム粒子のBET比表面積が1〜25m/gであることを特徴とする溶射用スラリー。
  2. 前記分散媒が水及びエタノールから選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の溶射用スラリー。
  3. さらに分散剤を含む請求項1又は請求項2に記載の溶射用スラリー。
  4. 前記分散剤がポリビニルアルコールである請求項3に記載の溶射用スラリー。
  5. 請求項2〜4のいずれか一項に記載の溶射用スラリーをプラズマ溶射して溶射皮膜を形成することを特徴とする溶射皮膜の形成方法。
JP2014000233A 2014-01-06 2014-01-06 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法 Active JP5894198B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014000233A JP5894198B2 (ja) 2014-01-06 2014-01-06 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014000233A JP5894198B2 (ja) 2014-01-06 2014-01-06 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008331560A Division JP5669353B2 (ja) 2008-12-25 2008-12-25 溶射用スラリー、溶射皮膜の形成方法、及び溶射皮膜

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015175658A Division JP5987097B2 (ja) 2015-09-07 2015-09-07 溶射皮膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014062332A JP2014062332A (ja) 2014-04-10
JP5894198B2 true JP5894198B2 (ja) 2016-03-23

Family

ID=50617809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014000233A Active JP5894198B2 (ja) 2014-01-06 2014-01-06 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5894198B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US10730798B2 (en) 2014-05-07 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Slurry plasma spray of plasma resistant ceramic coating
US10196728B2 (en) 2014-05-16 2019-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma spray coating design using phase and stress control
JP2016065302A (ja) * 2014-09-17 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品、及び部品の製造方法
JP7156203B2 (ja) * 2018-08-10 2022-10-19 信越化学工業株式会社 サスペンションプラズマ溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672833B2 (ja) * 2000-06-29 2005-07-20 信越化学工業株式会社 溶射粉及び溶射被膜
US20030219544A1 (en) * 2002-05-22 2003-11-27 Smith William C. Thermal spray coating process with nano-sized materials
FR2877015B1 (fr) * 2004-10-21 2007-10-26 Commissariat Energie Atomique Revetement nanostructure et procede de revetement.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014062332A (ja) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5669353B2 (ja) 溶射用スラリー、溶射皮膜の形成方法、及び溶射皮膜
JP5987097B2 (ja) 溶射皮膜
JP5894198B2 (ja) 溶射用スラリー及び溶射皮膜の形成方法
JP6117195B2 (ja) プラズマ処理装置用部品およびプラズマ処理装置用部品の製造方法
JP6939853B2 (ja) 溶射皮膜、溶射皮膜の製造方法、及び溶射部材
JP6046752B2 (ja) ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
TWI472647B (zh) 熱噴塗粉末及形成熱噴塗塗層之方法
JP2016511796A5 (ja)
CN104350183A (zh) 模具基材、模具基材的制造方法、模具的制造方法以及模具
TWI823980B (zh) 用於懸浮液電漿噴覆之漿料、及用於形成經噴覆之塗層之方法
TW201341590A (zh) 氧化釔皮膜
JP5726400B2 (ja) 溶射用粉末、溶射皮膜の形成方法、及び溶射皮膜
JP4006535B2 (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
JPWO2013047588A1 (ja) 希土類元素を含んだ溶射用粉末及び皮膜、並びに前記皮膜を備えた部材
US8637862B2 (en) Device housing and method for making the same
JP6859148B2 (ja) 溶射皮膜の形成方法
JP6722073B2 (ja) シリコン溶射膜及びその製造方法
KR20120021535A (ko) 금속의 부식 저항성 향상을 위한 세라믹 코팅층 제조방법 및 그에 의한 금속의 세라믹 코팅층
CN108624835B (zh) 喷镀用浆料
JP5739173B2 (ja) セラミックス溶射部材の製造方法
JPH09110417A (ja) ゾル溶液及び膜形成方法
JP2008264900A (ja) サンドブラスト用研磨材およびその製造方法
Kumar et al. Investigation of electrical, corporeal, ocular, and aquaphobic properties of zirconia thin-films by varying substrate temperature for high voltage insulators
JP2023135516A (ja) 酸化マグネシウム分散液、その製造方法及び酸化マグネシウム薄膜
H Patel et al. Synthesis and characterization of sputtered nanostructured ZnO films: Effect of deposition time and pressure on contact angle behavior of ethylene glycol and water

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150907

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5894198

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250