JP5887547B2 - 半田接合用フラックスおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のバンプを有する電子部品を半田接合により回路部材に実装して電子部品実装構造体を製造する際に使用する半田接合用フラックスおよびその製造方法に関する。

電子機器には、様々な電子部品が組み込まれており、これらの電子部品は複数の電極を有する回路部材（例えば回路基板）の所定の位置に接合された状態で、実装構造体として機器に内蔵されている。近年の電子機器の小型化に伴い、機器に組み込まれる電子部品は小型化が進んでいることから、フリップチップやチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）などの電子部品が基板に搭載されることが多くなってきている。

フリップチップやＣＳＰなどの電子部品は、複数の端子が規則的に配置された主面を有し、各端子には半田製のバンプ（電極）が形成されている。そのような電子部品を、例えば回路基板に実装するには、バンプをランドと称される基板電極（接続端子）に着地させて加熱し、溶融（リフロー）させた後、放冷することにより、電子部品と基板との相互接続が行われる。これにより、電子部品の各端子は基板の電極と電気的に導通するとともに、電子部品は、半田接合部により基板に保持される。

上記のような半田接合部の機能に鑑みて、半田接合部の強度及び耐久性は可能な限り大きくすることが望ましい。しかしながら、バンプ及びランドが酸化しやすい金属（例えば銅、錫）を含むような場合には、バンプ及びランドに酸化被膜が形成されやすい。そして、そのような酸化被膜は、半田接合部の強度及び耐久性を低下させる原因となり得る。このため、バンプ及びランドの酸化被膜は、半田接合部を形成するときに除去されていることが好ましい。そこで、酸化被膜を除去するために、バンプに予めフラックスを塗布した後、バンプと基板電極とを接合することが一般的に行われている。

ところが、基板などの回路部材は一般に反りを有している。そして、電子部品のバンプの径（高さ）も、一様ではない場合がある。このため、基板に設けられた複数のランドに、電子部品に設けられた複数のバンプを着地させようとすると、一部のバンプとランドとの間でギャップを生じることがある。バンプとランドとの間にギャップがある状態で半田接合処理を実行すると、溶融した半田バンプがランドに十分に濡れ拡がらずに、半田接合部の接合強度及び耐久性が不十分となることがある。

そこで、特許文献１では、フラックスに金属粉を含ませることが提案されている。これにより、半田バンプとランドとの間にギャップがある場合にも、半田バンプが溶融して生成される溶融半田が、フラックス中の金属粉を内部に取込ながら、金属粉の間を伝わって、ランドまで容易に到達する。このように、溶融半田の見かけ上の体積が増大するために、半田バンプとランドとの間にギャップがある場合にも、溶融半田をランドまで容易に濡れ拡がらせることができる。

また、バンプ及びランドの酸化被膜を半田接合のときに除去する有効な方法として、還元性を有する活性剤をフラックスに添加することも考えられる。そして、この場合には、活性剤は、バンプ及びランドの表面に偏り無く作用させるために、フラックスに完全に溶解されるか、極小の粒子としてフラックスに含まれることが望ましいと考えられていた。

国際公開第２００５／７２９０６号パンフレット

しかし、フラックスに溶解させた活性剤は、半田バンプを溶融させる際の加熱によりフラックスの粘度が低下した際に、重力方向に沈降することがある。半田バンプとランドとの間にギャップがある状態で活性剤が沈降すると、上方に配された電極（通常はバンプ）の近傍に十分な量の活性剤が存在しなくなり、その電極の酸化被膜の除去が不十分となることがある。その結果、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成できないことがある。特に、特許文献１のように、フラックスに金属粉を含ませた場合には、金属粉がスペーサとなって、沈降した活性剤と半田バンプとの接触が妨げられるため、半田バンプの酸化被膜の除去が不十分となる可能性が高くなる。

これに対し、電子部品を基板に押し付けることで、上記のギャップを解消するような運用を行うことも考えられる。しかし、電子部品を回路部材に大きな力で押し付けると、電子部品や回路部材が破損する可能性がある。従って、このような方法により、上記のギャップを解消することは、必ずしも望ましいことではない。

以上の点に鑑みて、本発明は、フラックスに含ませた還元性を有する活性剤を、半田接合部の形成時に各電極に有効に作用させることができ、これにより、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することができる、電子部品実装構造体の製造方法および電子部品実装装置を提供することを目的とする。

本発明の一局面は、樹脂成分と、前記樹脂成分を溶解する溶剤と、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉と、を含むフラックス原料の混合物を調製する工程を有し、
前記混合物を調製する工程は、加熱により前記活性剤を前記樹脂成分または前記溶剤の少なくとも一部に溶解させた後、徐冷により前記活性剤を再結晶化させる工程を含み、
前記再結晶化により、前記金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きい平均粒子径Ｄａを有する前記活性剤の結晶を生成させる、半田接合用フラックスの製造方法に関する。
本発明に係るフラックスは、例えば、複数の半田バンプを有する電子部品を、前記複数の半田バンプに対応する複数の電極が設けられた搭載領域を有する回路部材に搭載する電子部品実装構造体の製造方法であって、前記複数の半田バンプに、フラックスを塗布する工程と、前記フラックスが塗布された複数の半田バンプが、それぞれ対応する前記電極に着地するように、前記電子部品を前記回路部材に搭載する工程と、加熱により前記半田バンプを溶融させて、溶融した半田を前記電極に接触させた後、放冷することにより、前記電子部品を前記回路部材に接合する工程と、を含む製造方法で使用するものである。前記フラックスは、樹脂成分を含む流動性を有する基材と、粒子状の固体成分と、を含み、前記固体成分は、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉と、を含み、前記活性剤の平均粒子径Ｄａは、前記金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きい。

本発明のフラックスは、例えば、複数の半田バンプを有する電子部品を、前記複数の半田バンプに対応する複数の電極が設けられた搭載領域を有する回路部材に実装する電子部品実装装置において、前記電子部品を供給する部品供給部と、前記回路部材を保持して位置決めする回路部材保持部と、フラックスの膜を供給する転写ユニットと、前記複数の半田バンプを、前記フラックスの膜に接触させた後、前記複数の半田バンプが、それぞれ対応する前記電極に着地するように、前記電子部品を前記回路部材に搭載する電子部品搭載機構と、加熱により前記バンプを溶融させ、溶融した半田を前記電極に接触させた後、放冷することにより、前記電子部品を前記回路部材に接合するリフロー機構と、を備える、電子部品実装装置において使用される。

本発明によれば、フラックスに含ませた還元性を有する活性剤を、半田接合部の形成時に各電極に有効に作用させることができる。よって、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することができる。

本発明の一実施形態に係る電子部品実装構造体の製造方法で使用される、複数のバンプを有するＢＧＡ型電子部品の一例の正面図である。 同電子部品の底面図である。 電子部品が搭載される前の基板の一例の断面図である。 チップ型電子部品の一例の斜視図である。 本製造方法で使用されるフラックスに含まれる金属粉の詳細を示す、金属粉の一例を厚み方向に切断した断面図である。 同金属粉の外観を示す、上面図（ａ）及び正面図（ｂ）である。 同フラックスを作製する手順を示すフローチャートである。 ＢＧＡ型電子部品を基板に搭載する手順を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態に係る電子部品実装構造体の製造方法の前半の工程を示す説明図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品実装構造体の製造方法の後半の工程を示す説明図である。 フラックスの塗膜を形成する転写ユニットを上方から見た模式図である。 同転写ユニットがフラックスの塗膜を形成する動作を模式的に示す断面図である。 同転写ユニットが形成したフラックスの塗膜にＢＧＡ型電子部品の半田バンプを接触させてフラックスを転写する動作を模式的に示す断面図である。 同転写ユニットが形成したフラックスの塗膜の詳細を模式的に示す断面図である。 フラックスが付着した半田バンプと基板電極との間に比較的大きなギャップがある状態を模式的に示す断面図である。 フラックスが付着した半田バンプと基板電極との間に比較的小さなギャップがある状態を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る電子部品実装装置の全体構成を示す説明図である。 同実施形態に係る電子部品実装装置の一部分である、樹脂塗布装置とＢＧＡ型電子部品搭載装置とを接続した構成を上方から見た構成図である。

本発明は、複数の半田バンプを有する電子部品を、その複数の半田バンプに対応する複数の電極（以下、ランドともいう）が設けられた搭載領域を有する回路部材に搭載する、電子部品実装構造体の製造方法に関連する。この方法は、複数の半田バンプに、フラックスを塗布する工程と、フラックスが塗布された複数の半田バンプが、それぞれ対応する電極に着地するように、電子部品を回路部材に搭載する工程と、加熱により半田バンプを溶融させて、溶融した半田を電極に接触させた後、放冷することにより、電子部品を回路部材に接合する工程と、を含む。

そして、本方法においては、フラックスは、樹脂成分を含む流動性を有する基材と、粒子状の固体成分とを含む。固体成分は、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉とを含む。そして、活性剤の平均粒子径Ｄａは、金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖよりも大きい。

上記のように、フラックスに金属粉を含ませることで、半田バンプとランドとの間にギャップがある場合にも、それにより不足が生じる金属材料を補充することができる。つまり、フラックスが金属粉を含むことで、半田バンプが溶融して生成される溶融半田が、フラックス中の金属粉を内部に取込ながら、金属粉の間を伝わって、ランドまで容易に到達する。このように、溶融半田の見かけ上の体積が増大するために、半田バンプとランドとの間にギャップがある場合にも、溶融半田をランドまで容易に濡れ拡がらせることができる。したがって、上記のようなギャップがある場合にも、半田バンプとランドとを、半田接合部により、十分な強度及び耐久性で接合することができる。

そして、本方法においては、活性剤の平均粒子径Ｄａは、金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖよりも大きくされている。これにより、半田バンプとランドとの間のギャップが、ある程度大きい場合（図１５参照）にも、少なくとも一部分の活性剤は、下方に沈殿する金属粉の隙間に入り込まずに、その金属粉の上に残る。これは、活性剤よりも金属粉の比重が大きいためである。これにより、活性剤が沈降する場合にも、上方に配置される電極（通常は、半田バンプ）の近傍に十分な量の活性剤を存在させることが可能となる。よって、上方に配置される電極の酸化被膜をも、活性剤の作用により有効に除去することが可能となるので、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することが可能となる。

また、半田バンプとランドとの間にギャップがあっても、そのギャップがあまり大きくない場合（図１６参照）には、活性剤が比較的大きな粒径を有することで、その活性剤が半田バンプとランドとの間に挟まれる。これにより、たとえ活性剤が沈降しても、十分な量の活性剤を、上方に配置される電極の近傍にも容易に存在させることができる。よって、上方に配置される電極の酸化被膜をも、活性剤の作用により有効に除去することが可能となるので、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することが可能となる。

ここで、複数の半田バンプにフラックスを塗布する工程には、フラックスの膜を形成し、その膜に複数の半田バンプの少なくとも下端部を接触させる工程を含ませることができる。これにより、電子部品が多数の半田バンプを有する場合にも、全ての半田バンプに適量のフラックスを速やかに付与することが可能となる。

そして、フラックスの膜は、金属粉の厚さ方向が膜の法線方向に配向するように、スキージングにより形成するのが好ましい。これにより、薄片状または鱗片状の金属粉は、図１４に示すように、膜の面方向と平行な状態で膜の内部に配置される。その結果、半田バンプを膜に接触させて、半田バンプにフラックスを付着させたときに、薄片状または鱗片状の金属粉が水平方向と平行な状態となり易い。したがって、下方に沈殿した金属粉の層の上に粒子径の大きい活性剤が載りやすくなる。その結果、より確実に、上方の電極の近傍に十分な量の活性剤を存在させることが可能となる。

ここで、活性剤の平均粒子径Ｄａは、１〜５０μｍであるのが好ましく、５〜２５μｍであるのがより好ましい。平均粒子径Ｄａを５０μｍ以下とすることで、例えばスキージングによりフラックスの膜を生成するときに、活性剤の粒子がスキージにより引きずられて、膜にスジが入り、膜厚が不均一になるのを防止することができる。
活性剤の平均粒子径Ｄａは、活性剤の粒子の断面図または側面図を、例えば任意の３０個の粒子について撮影し、各断面図または各側面図の最大径をそれぞれ求め、その平均値をＤａとして求めればよい。

また、フラックスに含まれる金属粉の量は、５〜５０質量％であるのが好ましく、２０〜４５質量％であるのがより好ましい。また、フラックスに含まれる活性剤の量は、１〜１０質量％であるのが好ましく、４〜８質量％であるのがより好ましい。フラックスに含まれる金属粉の量及び活性剤の量を、このような範囲の量とすることで、バンプとランドとの間にギャップが生じた場合にも、バンプ及びランドの近傍に、より確実に、十分な量の活性剤を存在させることができる。また、ギャップの存在により不足する溶融半田を金属粉により有効に補うことができる。

さらに、金属粉は、第１金属成分のコアと、そのコアの表面を被覆する第２金属成分のコーティング層とを有し、第１金属成分は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＩｎおよびＢｉよりなる群から選択される少なくとも１種であり、第２金属成分は、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄよりなる群から選択される少なくとも１種であるのが好ましい。このように、金属粉に、半田との濡れ性が良く、かつ比較的高い融点を有する金属でコーティングを施すことで、半田バンプが溶融する温度まで加熱されたときにも、金属粉が固体の状態のままで留まりやすい。これにより、バンプとランドとの間にギャップが生じた場合にも、溶融半田が、金属粉を内包しながら金属粉の間を伝わって、ランドまで容易に到達する。したがって、そのような場合にも、バンプとランドとの間に十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することが可能となる。

活性剤は、特に限定されないが、融点９０℃以上の有機酸であるのが好ましい。有機酸は、金属酸化物を還元する能力が高く、安価で入手しやすいためである。また、有機酸の融点を１３０℃以上とすることで、半田接合処理の直前まで、活性剤を固体として存在させることが容易となる。

活性剤として使用できる有機酸としては、例えば、アビエチン酸、安息香酸、グルタル酸、シュウ酸、ピコリン酸などが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。

回路部材は、代表的には、回路基板が挙げられるが、半導体素子、半導体素子を樹脂で封止したパッケージ部品等でもよい。すなわち、本発明は、半導体素子の上面に更に半導体素子を実装するチップ・オン・チップ（ＣＯＣ）構造や、パッケージ部品の上面に更にパッケージ部品を実装するパッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）構造の電子部品実装構造体の製造方法であってもよい。

また、本発明は、複数の半田バンプを有する電子部品を、複数の半田バンプに対応する複数の電極が設けられた搭載領域を有する回路部材に実装する電子部品実装装置に関連する。本装置は、電子部品を供給する部品供給部と、回路部材を保持して位置決めする回路部材保持部と、樹脂成分を含む流動性を有する基材と、粒子状の固体成分とを含み、固体成分が、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉とを含み、活性剤の平均粒子径Ｄａが、金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きいフラックスの膜を供給する転写ユニットと、複数の半田バンプを、フラックスの膜に接触させた後、複数の半田バンプが、それぞれ対応する電極に着地するように、電子部品を回路部材に搭載する電子部品搭載機構と、加熱によりバンプを溶融させ、溶融した半田を電極に接触させた後、放冷することにより、電子部品を回路部材に接合するリフロー機構と、を備える。

電子部品搭載機構は、特に限定されないが、例えば、後で詳述する電子部品実装ラインを構成する電子部品搭載装置の搭載ヘッドや、電子部品を吸引する機構や電子部品を加圧する機構を備えた各種電子部品接合装置（ボンダー）などが挙げられる。また、リフロー機構も、特に限定されないが、後で詳述する電子部品実装ラインを構成する移動式のリフロー炉や、上記ボンダーが備える加熱機構などが挙げられる。

ここで、転写ユニットは、金属粉の厚さ方向が膜の法線方向に配向するように、スキージングによりフラックスの膜を形成する機能を有する。

フラックスに含まれる金属粉は、より詳細には、長軸Ｌａ、長軸に垂直な短軸Ｌｂおよび厚さＬｃを有する。ここで、長軸Ｌａは、金属粉の最大径であり、短軸Ｌｂは、長軸の中間点における直径であり、厚さＬｃは、長軸Ｌａと短軸Ｌｂとの交点における厚さである。長軸Ｌａと短軸Ｌｂとは直交する。ただし、厚さＬｃを求める場合に、厳密にＬａ、Ｌｂを測定する必要はない。金属粉を一方向に配向させ、図５に示すような断面図または側面図を、例えば任意の３０個の金属粉について撮影し、各断面図または各側面図の最大径の中間点Ｐにおける厚さをそれぞれ求め、その平均値をＬｃとして求めればよい。中間点Ｐは、平均的には、厳密に求められる長軸Ｌａと短軸Ｌｂとの交点に対応すると考えられるからである。

本発明に係るフラックスは、例えば、樹脂成分と、樹脂成分を溶解する溶剤と、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉と、を含むフラックス原料の混合物を調製する工程を有する。ここで、上記混合物を調製する工程は、加熱により活性剤を樹脂成分または溶剤の少なくとも一部に溶解させた後、徐冷により活性剤を再結晶化させる工程を含む。そして、活性剤の再結晶化では、金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きい平均粒子径Ｄａを有する活性剤の結晶を生成させる。

なお、フラックス原料のうち、活性剤以外の成分の少なくとも一部は、再結晶化の後に、上記混合物と混合してもよい。例えば、溶剤および金属粉の少なくとも一部は、活性剤の再結晶化の後で、上記混合物に添加してもよい。

活性剤の再結晶化を促進する観点から、徐冷は０．１℃／分〜１０℃／分の冷却速度で行うことが好ましい。さらに、活性剤の再結晶化の後、混合物を０〜１０℃で静置することが好ましい。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
まず、複数の半田バンプを有する電子部品およびこれを搭載する基板の構造について説明する。
図１は、パッケージの主面に複数の半田バンプを有する電子部品２００の一例の正面図である。電子部品２００は、複数のバンプ２０４で基板の電極（ランド）に接続されるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）型のパッケージを有する。図２は、電子部品２００の底面図である。

ＢＧＡ型電子部品２００は、パッケージを構成する薄い部品内基板（インターポーザ）２０１と、その上面に実装された半導体素子２０２と、半導体素子２０２を被覆する封止樹脂２０３とを具備する。部品内基板２０１の下面は、電子部品２００の主面２０１ｓを構成しており、主面２０１ｓには、半導体素子２０２の複数の外部端子２０２ａが規則的に行列状に配列されている。各々の外部端子２０２ａにはバンプ２０４が設けられている。

なお、図１および図２に示す構造は、ＢＧＡ型電子部品の構造の一例に過ぎず、複数の半田バンプを有する電子部品には、上記以外にも様々な形態のフリップチップやＣＳＰが含まれる。

図３に示すように、基板１０１は、ＢＧＡ型電子部品２００の複数のバンプ２０４とそれぞれ接続される第１電極１０２ａ（ランド）が設けられた第１搭載領域を有する。必要に応じて、第１搭載領域の少なくとも一部には、補強用樹脂として、熱硬化性樹脂を塗布してもよい。また、基板１０１は、ＢＧＡ型電子部品２００以外の部品を搭載するための領域を有していてもよい。

図４は、ＢＧＡ型電子部品２００とともに基板１０１に搭載されることのある小型電子部品２１０の一例の斜視図である。小型電子部品は、例えば、少なくとも１つの接続用端子２１１を有するチップ型電子部品である。チップ型電子部品としては、例えばチップ抵抗、チップＬＥＤ、チップコンデンサなどが挙げられる。チップ型電子部品２１０が搭載される基板には、図３に示すように、チップ型部品２１０の接続用端子２１１と接続される複数の第２電極１０２ｂを有する第２搭載領域が設けられている。このような電子部品２１０は、第２電極１０２ｂにスクリーン印刷によりクリーム半田を塗布し、クリーム半田を介して接続用端子２１１を第２電極１０２ｂに着地させることにより、基板１０１に搭載される。

次に、電子部品実装構造体の製造方法の一例について説明する。
本実施形態に係る方法は、パッケージの主面に複数の半田バンプを有する電子部品（以下、第１電子部品）を準備する工程、複数の半田バンプに対応する複数の電極が設けられた搭載領域（以下、第１搭載領域）を有する回路部材を準備する工程、複数の半田バンプに、フラックスを塗布する工程、フラックスが塗布された複数の半田バンプが、それぞれ対応する電極に着地するように、電子部品を回路部材に搭載する工程、加熱により半田バンプを溶融させて、溶融した半田を電極に接触させた後、放冷することにより、電子部品を回路部材に接合する工程（リフロー工程）、を含む。

本実施形態に係る方法は、さらに、チップ型電子部品のような接続用端子２１１を有する電子部品２１０（以下、第２電子部品）を準備し、基板１０１に設けられた接続用端子２１１に対応する第２電極に、スクリーン印刷によりクリーム半田を塗布し、接続用端子２１１がクリーム半田を介して第２電極に着地するように、第２電子部品２１０を基板１０１に搭載する工程を含んでもよい。この工程はリフロー工程の前に行われる。

ここで、フラックスは、樹脂成分を含む流動性を有する基材と、粒子状の固体成分と、を含む。固体成分は、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉と、を含む。そして、活性剤の平均粒子径Ｄａは、金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きい。

フラックスは、半田接合の際に、ランドの表面及び半田バンプの表面に存在する酸化物などを除去したり、半田の表面張力を低減したりする作用を有する材料である。これらの作用（以下、活性作用）により、半田とランドとの濡れ性が大きくなり、信頼性の高い良好な半田接合が可能となる。

樹脂成分を含む基材は、特に限定されないが、例えば、ロジンのようなベース剤、溶剤、チキソ性付与剤などの混合物である。ベース剤としては、ロジンの他に、変性ロジン、ポリアルキレングリコール（例えばポリエチレングリコール等）、ポリアミド樹脂等が好ましい。溶剤としては、例えば、ブチルカルビトール、イソプロピルアルコールなどを使用することができる。チキソ性付与剤には、脂肪酸アミド、カルナバワックス、ひまし油、蜜ろう等を使用することができる。

フラックスの樹脂成分は、熱硬化性樹脂を含むこともできる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂などを用いることができる。熱硬化性樹脂は、硬化剤、硬化促進剤などを含んでもよい。硬化剤としては、酸無水物、脂肪族または芳香族アミン、イミダゾールまたはその誘導体などが好ましく用いられ、硬化促進剤としては、ジシアンジアミドなどを例示できる。

活性剤は、金属酸化物を還元する作用を有することから、フラックスによるバンプ表面に生成した半田の酸化被膜を除去する作用が高められる。活性剤としては、有機酸の他に、塩基性化合物（例えばジエチルアミン塩酸塩、塩酸アニリン等）等を用いることもできる。有機酸としては、アビエチン酸、安息香酸、グルタル酸、シュウ酸、ピコリン酸、クエン酸、ステアリン酸などを用いることができる。活性剤は１種を単独で用いてもよく、複数種を組み合わせて用いてもよい。複数種の活性剤を併用する場合、活性剤の少なくとも１種が固体であればよく、全てが固体である必要はない。なお、固体成分の活性剤は、室温（２５℃）で固体であればよいが、活性剤の融点は９０℃以上であることが好ましい。

図５に金属粉の一例を厚み方向に切断した断面図を示す。図６に、金属粉の一例の外観を上面図（ａ）及び正面図（ｂ）により示す。図示例の金属粉２２０は、第１金属成分のコア２２１と、コア２２１の表面を被覆する第２金属成分のコーティング層２２２とを有する。第１金属成分は、例えば、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＩｎおよびＢｉよりなる群から選択される少なくとも１種であり、第２金属成分は、例えば、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄよりなる群から選択される少なくとも１種である。

金属粉２２０は、長軸Ｌａ、長軸Ｌａに垂直な短軸Ｌｂ及び厚さＬｃを有する。長軸Ｌａは、金属粉２２０の最大径であり、短軸Ｌｂは、長軸Ｌａの中間点における直径であり、厚さＬｃは、長軸Ｌａと短軸Ｌｂとの交点Ｐｘにおける厚さである。厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖと、活性剤の平均粒子径Ｄａとは、活性剤とバンプとの接触をより確実に確保する観点からは、０．８×Ｄａ≧Ｌｃａｖという関係を満たすことが好ましく、０．６×Ｄａ≧Ｌｃａｖという関係を満たすことがより好ましい。

次に、図７を参照して、フラックスの製造方法の一例について説明する。
まず、原料である、ベース剤などの樹脂成分、溶剤、活性剤、チキソ性付与剤、及び金属粉を準備する（Ｓ１）。次に、それらの原料を予備攪拌する（Ｓ２）。その後、加熱攪拌機等を使用して、上記の原料を、５０〜２００℃の所定温度にまで加熱しながら、ベース剤及び活性剤が全て溶解するまで攪拌する（Ｓ３）。なお、加熱温度は、ベース剤及び活性剤が溶解しやすい温度に、適宜設定することができる。

ベース剤及び活性剤が全て溶解すると、加熱攪拌後の原料を徐冷する徐冷工程を実施する（Ｓ４）。この徐冷工程においては、０．１〜１０℃／分の冷却速度で攪拌後の原料を冷却することが好ましい。より好ましくは、０．２〜８℃／分であり、さらに好ましくは、０．３〜６℃／分である。そのような原料の冷却速度は、原料を容れた容器の周りを断熱材で覆ったり、２５〜６０℃の範囲の適宜温度の水により原料を冷却したりすることで達成することができる。

上記のように加熱攪拌後の原料を徐冷することで、活性剤を再結晶させることが可能となる。これにより、所望の粒径の活性剤の結晶を得ることもできる。なお、従来、フラックスが活性剤の比較的大きな結晶を含むことは好ましくないと考えられていた。このため、従来、加熱攪拌後の原料は、通常、１０℃／分よりも速い冷却速度（例えば１５〜４０℃／分）で冷却していた。

これに対して、本実施形態のフラックスでは、活性剤を一度完全に溶解した後で再結晶化するように、加熱攪拌後の原料を徐冷している。そのように活性剤を再結晶化することで、比較的大きくかつ均一なサイズの結晶を得ることができ、均一なサイズの活性剤の固形成分を得ることができる。また、活性剤の結晶を単に他の成分とともに攪拌するよりも、活性剤の固形成分をフラックスに均一に分散することができる。

次に、徐冷した後の混合物について、粘度、チキソ性、異物の有無などを検査する（Ｓ５）。そして、検査結果に応じて、溶剤を追加したり、金属粉を追加したりするなどの成分の調節を行う（Ｓ６）。その後、混合物を低温（例えば０〜１０℃）で所定期間（例えば１〜１０日）静置する（Ｓ７）。これにより、活性剤の結晶の成長を促すことができる。

以下、図８のフローチャート、並びに図９及び図１０の説明図を参照しながら、基板１０１に第１電子部品２００と第２電子部品２１０とを搭載する場合を例にとって、電子部品実装構造体の製造方法について説明する。

基板１０１には、図９（ａ）に示すように、第１電子部品２００のバンプ２０４と接続される第１電極１０２ａ及び第２電子部品２１０の端子２１１と接続される第２電極１０２ｂが設けられている。そのような基板１０１を、所定の電子部品実装装置に供給する（Ｓ１１）。そして、基板１０１上の第１電極１０２ａの位置を、カメラ画像等を使用して認識する（Ｓ１２）。

なお、必要に応じて、第１電極１０２ａをマスクで遮蔽するなどして、事前に、第２電極１０２ｂに、スクリーン印刷などの手法により、図９（ｂ）に示すように、クリーム半田１０３を塗布してもよい。また、図９（ｃ）に示すように、基板の第１搭載領域の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂１０５を補強用樹脂として塗布してもよい。このとき、熱硬化性樹脂１０５は、第１電子部品２００を基板１０１上の所定の位置に載置したときに、熱硬化性樹脂１０５の少なくとも頂部が部品内基板１０２の周縁部と接触する位置（補強位置１０４）に塗布されるのが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂１０５を熱硬化させた硬化樹脂により、部品内基板２０１の周縁部を基板１０１と接合することが可能となる。

熱硬化性樹脂１０５の塗布方法としては、所定の樹脂塗布装置に設置されている様々な方向に移動可能な塗布ヘッドを利用して、ディスペンス方式で行うことが好ましい。塗布ヘッド３２３は、熱硬化性樹脂１０５を吐出する塗布ノズル３２３ｄ（図１８参照）を具備する。ただし、塗布方法は特に限定されず、可能な場合には、スクリーン印刷装置により熱硬化性樹脂を第１搭載領域に塗布してもよい。

次に、第１電子部品２００を、吸着ヘッド等により吸着し（Ｓ１３）、その状態で、バンプ２０４の位置を、カメラ画像等を使用して認識する（Ｓ１４）。そして、後で詳しく説明するように、フラックス転写装置において、フラックスの塗膜を形成する（Ｓ１５）。なお、フラックスの塗膜を形成するタイミングは特に限定されない。また、フラックスの塗膜の面積は、一回の塗膜形成により複数の電子部品のバンプにフラックスを転写できるような大きさに設定することが、実装工程の効率化の観点から望ましい。

次に、図１０（ａ）に示すように、そのフラックスの塗膜を転写することで、吸着ヘッドが具備する吸引ノズル３２４ｄにより吸着された第１電子部品２００の複数のバンプ２０４にフラックス２０６を付与する（Ｓ１６）。なお、複数のバンプ２０４にフラックス２０６を付与する方法は、これに限定されるものではない。

次に、カメラ画像等を使用して、各バンプ２０４にフラックスが良好に付与されているかを検査し（Ｓ１７）、フラックスが良好に付与されていなければ、フラックスの再転写を行う。フラックスが良好に付与されていれば、カメラ画像等を使用して、各バンプ２０４の位置を再度認識する（Ｓ１８）。そして、その認識結果に基づいて、図１０（ｂ）に示すように、第１電子部品２００を基板１０１の第１搭載領域に搭載する（Ｓ１９）。このとき、第１電子部品２００の下面（主面）の周縁部が補強位置１０４に塗布された熱硬化性樹脂１０５と接触する。

次に、必要に応じて、図１０（ｃ）に示すように、第２電子部品２１０が基板１０１に搭載される。なお、第２電子部品２１０の搭載は、第１電子部品２００の搭載の前後のいずれに行ってもよい。

その後、第１電子部品２００及び第２電子部品２１０を搭載した基板１０１は、リフロー装置で加熱される（Ｓ２０）。後述の理由で、リフロー時には全てのバンプ２０４と第１電極１０２ａがフラックス２０６で十分に濡れた状態になるため、溶融したバンプは基板のランド１０２ａに十分に濡れ広がることができる。従って、半田接合部における導通と十分な接合強度が確保される。また、リフロー時には、同時に、クリーム半田１０３中の半田成分も溶融し、第２電極１０２ｂに濡れ広がる。リフロー工程が終了すると、図１０（ｄ）に示すように、半田は冷却されて固化し、第１電子部品２００及び第２電子部品２１０の各々の端子が基板１０１の対応する電極に接合される。熱硬化性樹脂１０５は、硬化して、樹脂補強部１０５ａを形成する。

次に、フラックスを転写によりバンプに付与するフラックス付与工程を更に詳しく説明する。図１１に、フラックスを転写によりバンプに付与するためのフラックス転写装置を上面図により示す。図１２及び図１３に、フラックス転写装置を、側方から見た断面図により示す。

フラックス転写装置３２０は、水平に配置されたベーステーブル３２０ａを有する。ベーステーブル３２０ａの上には、長方形の水平な内底面３２１ａを有する皿状の転写テーブル３２１が設置されている。転写テーブル３２１の上方には、スキージユニット３２２が配置されている。スキージユニット３２２は、転写テーブルの幅とほぼ等しい長さを有する第１スキージ部材３２２ａと第２スキージ部材３２２ｂとを備え、これらはそれぞれ一定の間隔をあけて平行に配置されている。各スキージ部材は、スキージユニット３２２に内蔵された昇降機構によって昇降自在、すなわち転写テーブル３２１に形成される塗膜に対して進退自在となっている。

図１２及び図１３に示す例では、転写テーブル３２１の内底面３２１ａと、一方のスキージ部材である第２スキージ部材３２２ｂの先端との間隔を一定の間隔Ｌ１に保って、スキージユニット３２２を、矢印の方向（図の左方向）に、内底面３２１ａの一端側（図の右端側）から所定幅だけ水平に移動させている。その結果、第２スキージ部材３２２ｂにより、転写テーブル３２１内のフラックス２０６が薄く引き延ばされ、所定幅のフラックス２０６の塗膜が形成されている。その後、図１３に示すように、第１電子部品２００の半田バンプ２０４をフラックス２０６の塗膜に接触させ、半田バンプ２０４にフラックス２０６を転写する。なお、フラックス転写装置３２０では、他方のスキージ部材である第１スキージ部材３２２ａの先端と、転写テーブル３２１の内底面３２１ａとの間隔を一定の間隔Ｌ１に保って、スキージユニット３２２を、矢印と逆の方向（図の右方向）に、内底面３２１ａの他端側から所定幅だけ水平に移動させることで、所定幅のフラックス２０６の塗膜を形成する動作も行われる。

図１４に、上記のようなスキージングで形成される塗膜の詳細を模式的に示す。図１５及び図１６に、半田バンプに付着したフラックスの詳細を模式的に示す。
塗膜２０６ａは、上記の間隔Ｌ１を適宜に設定することで、第２スキージ部材３２２ｂの動きにより、鱗片状または薄片状の金属粉２２０が塗膜２０６ａの中で水平に寝た状態とすることができる。その状態でフラックスの塗膜２０６ａをバンプ２０４に転写すると、図１５及び図１６に示すように、バンプ２０４に付着したフラックス２０６の内部でも金属粉が水平に寝た状態となり易い。

その結果、図１５に示すように、バンプとランドとの間のギャップが比較的大きい場合にも、先に沈降する金属粉２２０の上から活性剤３３０の結晶が沈降する。このとき、活性剤３３０の結晶の平均粒径Ｄａが、金属粉２２０の平均厚みＬｃａｖよりも大きいことから、少なくとも一部の活性剤３３０の結晶は、金属粉２２０上に載るような形で、バンプ２０４の近傍に残る。そして、比較的小さな活性剤３３０の結晶は金属粉２２０の間に入り込んで、ランドの近辺まで到達する。これにより、ランド及びバンプ２０４の両方の酸化被膜を有効に除去することが可能となる。

また、図１６に示すように、バンプとランドとの間のギャップが比較的小さい場合には、活性剤３３０の比較的大きな結晶が、バンプ２０４とランドとの間に挟み込まれる形となる。これにより、ランド及びバンプ２０４の両方に活性剤３３０が有効に作用して、両電極の酸化被膜を有効に除去することができる。

次に、電子部品実装装置の一例である実装ラインの構成について図１７を参照して説明する。
電子部品実装ライン３００は、複数の装置を基板搬送コンベアで連結したものであり、連結した基板搬送コンベアによって基板を上流から下流へ移動させながら基板へのクリーム半田印刷、電子部品搭載、リフロー等を順次行うものである。

電子部品実装ライン３００は、（i）第１電子部品２００を搭載する第１搭載領域及び第２電子部品２１０を搭載する第２搭載領域を有する基板１０１を供給する基板供給装置３０１と、（ii）基板供給装置３０１から供給された基板１０１の第２搭載領域の第２電極１０２ｂに、スクリーン印刷によりクリーム半田を塗布するスクリーン印刷装置３０２と、（iii）基板１０１の第１搭載領域の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂１０５を塗布する樹脂塗布装置３０３と、（iv）樹脂塗布装置３０３から搬送された基板１０１の第１搭載領域に、ＢＧＡ型の第１電子部品２００を搭載する第１電子部品搭載装置３０４と、（v）クリーム半田が塗布された第２電極１０２ｂに第２電子部品２１０を搭載する第２電子部品搭載装置３０５と、（vi）第１電子部品及び第２電子部品を搭載した基板１０１を加熱して半田を溶融させることにより第１電子部品２００及び第２電子部品２１０を基板１０１に半田接合するリフロー装置３０６と、（vii）基板回収装置３０７と、を具備する。

ここで、樹脂塗布装置３０３は、熱硬化性樹脂を第１搭載領域に供給する塗布ヘッドを具備し、第１電子部品搭載装置は、ＢＧＡ型の第１電子部品を供給する部品供給部と、基板を保持して位置決めする基板保持部と、フラックスの塗膜を供給する転写ユニットと、第１電子部品を移動させる搭載ヘッドとを具備する。搭載ヘッドは、吸引ノズルによって第１電子部品をピックアップし、保持するとともに、吸引を解除してリリースすることが可能であり、かつ部品供給部、基板保持部及び転写ユニットの上方を移動可能である。

図１８は、電子部品実装ライン３００の一部分である、樹脂塗布装置３０３と、第１電子部品搭載装置３０４と、第２電子部品搭載装置３０５と、を接続した構成を上方から見た構成図である。
樹脂塗布装置３０３と第１電子部品搭載装置３０４とは、各装置のステージを形成する基台に設けられた基板搬送コンベア３０９ａ，３０９ｂを連結することで、スクリーン印刷装置３０２から搬送されてきた基板１０１を搬送するためのラインを構成している。基板搬送コンベア３０９ａ，３０９ｂは、各装置において、電子部品の搭載や樹脂の塗布を行う作業位置まで基板を搬送して位置決めするための基板保持部として機能する。
なお、図１８中の矢印は、電子部品実装ライン３００の上流から下流への進行方向を示す。

樹脂塗布装置３０３は、中央部に配置された基板搬送コンベア３０９ａと、熱硬化性樹脂１０５を吐出する塗布ノズル３２３ｄを有する塗布ヘッド３２３を備えている。樹脂塗布装置３０３は、基板保持部３１０ａに位置決めされた基板１０１の第１搭載領域の少なくとも一部に、熱硬化性樹脂１０５を塗布する。塗布ヘッド３２３はＸＹＺ移動機構（図示せず）に支持されており、所定の制御部によるＸＹＺ移動機構の制御によって、基板搬送コンベア３０９ａの上方空間を、水平方向ならびに上下方向へ移動する。塗布ヘッド３２３の移動及び塗布ノズル３２３ｄからの熱硬化性樹脂１０５の吐出などの動作は、制御部からの指令により制御される。

第１電子部品搭載装置３０４は、中央部に配置された基板搬送コンベア３０９ｂと、第１部品供給部３１４と、搭載ヘッド３２４と、図１１〜１３に示したようなフラックスの塗膜を形成する転写ユニット３２０とを備える。第１電子部品搭載装置３０４は、樹脂塗布装置３０３から搬送され、基板保持部３１０ｂに位置決めされた基板１０１の第１搭載領域に、第１電子部品２００を搭載する。第１電子部品搭載装置３０４は、基板搬送コンベア３０９ｂを樹脂塗布装置３０３の基板搬送コンベア３０９ａに連結した状態で配置、すなわち樹脂塗布装置３０３の下流に隣接配置されている。このため、樹脂塗布装置３０３で熱硬化性樹脂の塗布を終えた基板は、直ちに第１電子部品搭載装置へ搬送され、第１電子部品が搭載される。第１部品供給部３１４はトレイフィーダであり、複数の第１電子部品２００を収納したトレイが配置されている。搭載ヘッド３２４はＸＹ移動機構（図示せず）に支持されており、所定の制御部によるＸＹ移動機構の制御によって、第１部品供給部３１４から基板搬送コンベア３０９ｂの上方空間を移動する。

第２電子部品搭載装置３０５は、中央部に配置された基板搬送コンベア３０９ｃと、基板搬送コンベア３０９ｃの側方に配置された第２部品供給部３１５と、搭載ヘッド３２５とを備える。第２部品供給部３１５には、第２電子部品２１０を供給するためのテープフィーダが複数個配置されている。搭載ヘッド３２５はＸＹ移動機構（図示せず）に支持されており、所定の制御部によるＸＹ移動機構の制御によって、第２部品供給部３１５から基板搬送コンベア３０９ｃの上方空間を移動する。

搭載ヘッド３２４、３２５は、内蔵された昇降機構によって昇降動作を行う吸引ノズル３２４ｄ、３２５ｄを備えており、吸引ノズルの昇降動作と吸引とによって各部品供給部から各電子部品をピックアップする。搭載ヘッド３２４は、第１電子部品２００をピックアップした後、転写ユニット３２０でフラックスを半田バンプに転写し、その後、基板１０１の第１搭載領域の上方からの昇降動作と吸引解除（真空破壊）によって第１電子部品２００を基板１０１に搭載する。

なお、上記各装置の配置は一例に過ぎず、様々な別の配置を有するラインを構成してもよいし、複数の装置の機能を有する複合型の装置を用いてもよい。例えば、第２電子部品搭載装置３０５は、スクリーン印刷装置３０２と樹脂塗布装置３０３との間に配置してもよい。また、樹脂塗布装置３０３と第１電子部品搭載装置３０４は、一体化されたユニット装置であってもよい。このようなユニット装置においては、塗布ヘッドと搭載ヘッドとが共通の空間を移動できるように一体化されており、より効率的な実装が可能である。また、第１電子部品搭載装置３０４と第２電子部品搭載装置３０５とが一体化されたユニット装置であってもよい。更に、樹脂塗布装置３０３と第１電子部品搭載装置３０４と第２電子部品搭載装置３０５とが一体化されたユニット装置であってもよい。このようなユニット装置においては、塗布ヘッドと搭載ヘッドとが共通の空間を移動できるように一体化されているだけでなく、１つの搭載ヘッドにより、第１電子部品と第２電子部品を基板へ搭載することができる。

さらに、本発明の実装装置は、第１電子部品を回路部材の搭載領域に搭載した後、第１電子部品２００を回路部材に加圧しながら加熱するボンダーの機能を備えてもよい。このような実装装置は、例えば、実装ヘッドと、実装ヘッドに取り付けられて電子部品を保持する実装ツールと、実装ヘッドを移動する実装ヘッド移動機構と、回路部材の電極に電子部品のバンプを接合する間、回路部材を保持する実装ステージと、実装ステージ移動機構（例えばＸＹテーブル）とを含む。実装ヘッドは、公知の超音波発振器、加圧手段、トランスデューサー、超音波ホーン等を含む超音波ヘッドであってもよく、所定の加熱装置、加圧手段等を含む加熱ヘッドであってもよい。実装ツールは、電子部品を吸着して保持するとともに任意の方向に電子部品を移動させ、回路部材に搭載し、回路部材に半田接合する処理を行う。

次に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

《実施例１》
まず、ＦＲ４基板の所定箇所に、第１電極として３０個のランドを形成した。ランドは、１０個ずつ平行に３列に並べて形成した。真ん中の列のランドは、両側の列のランドよりも若干厚みを小さくした。一方、第１電子部品であるフリップチップＢＧＡ型電子部品に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田で構成された３０個のバンプ（融点約２２０℃）を、ランドと対応する配置で、３列に形成した。真ん中の列のバンプは、両側の列のバンプよりも若干高さを小さくした。

転写テーブルにスキージを用いて下記フラックスＡの塗膜を形成し、その塗膜をＢＧＡ型電子部品の３０個のバンプに転写した。その後、バンプが対応するランドに着地するように、ＢＧＡ型電子部品を基板に搭載し、基板に対して電子部品を押し付けた。その際、真ん中の列のバンプとランドとの間に平均で５０μｍ程度のギャップが生じるように、ＢＧＡ型電子部品を基板に押し付ける力を調節した。その後、ＢＧＡ型電子部品を搭載した基板をリフロー装置で２４０℃〜２５０℃で加熱して半田接合を行った。

次に、半田接合を終了したＢＧＡ型電子部品を基板から剥がして、ランドにバンプが十分に付着しているかどうかを観察したところ、ランドの全てにバンプの残渣が十分に付着していた。

＜フラックスＡ＞
ベース剤として４０重量部のロジンを準備した。溶剤として、１５重量部のブチルカルビトールを準備した。チキソ性付与剤として、４重量部のステアリン酸アミドを準備した。活性剤として、６重量部のグルタル酸を準備した。金属粉として、Ｓｎのコアを有し、Ａｇからなるコーティングが施された３５重量部の鱗片状の金属粉を準備した。顕微鏡により、３０個の金属粉をランダムに抽出し、それらの厚さＬｃを測定したところ、その平均値Ｌｃａｖは３．４μｍであった。

上記の原料をアズワン株式会社製のスリーワンモーター、攪拌棒、丸底フラスコ、マントルヒーターを組み合わせて作製した加熱攪拌装置により、１１０℃まで加熱しながら攪拌することで、ベース剤及び活性剤を完全に溶剤に溶解した。その後、０．３℃／分の冷却速度で、加熱攪拌された混合物を、２５℃まで徐冷した。以上のようにして調製したフラックスを、５℃の恒温室の内部で、容器に密閉して７日間放置した。以上により、平均粒子径Ｄａが５．９μｍである活性剤の結晶を含むフラックスＡを作製した。フラックスＡに含まれる金属粉は、３５質量％であり、フラックスＡに含まれる活性剤は、６質量％である。

《比較例１》
実施例１と同じ原料及び同じ加熱攪拌機を使用して、同じ条件で原料を加熱及び攪拌することで、溶剤にベース剤及び活性剤を完全に溶解させた。その後、加熱及び攪拌した混合物を、１７℃／分の冷却速度で２５℃まで急冷した。これにより、平均粒子径が０．９μｍ以下である、小さな活性剤の結晶だけしか含まないフラックスＢを作製した。なお、フラックスＢの金属粉及び活性剤の含有量はフラックスＡと同等である。上記のフラックスＢを用いたこと以外は、実施例１と同様の手順で、ＢＧＡ型電子部品を基板に実装した。

次に、半田接合を終了したＢＧＡ型電子部品を基板から剥がして、ランドにバンプが十分に付着しているかどうかを観察したところ、真ん中の列のランドの一部（２つのランド）では、バンプの残渣の付着量が、他のランドと比較すると明らかに少なくなっていた。

以上の実施例１及び比較例１の結果から、本発明によれば、半田バンプとランドとの間にギャップがある場合にも、活性剤を上方の電極（上記の実施例では半田バンプ）の近辺にも存在させることが可能となる。その結果、上方の電極の酸化被膜も、下方の電極の酸化被膜と同様に有効に除去することができる。よって、十分な強度及び耐久性を有する半田接合部を形成することが可能となる。

本発明の電子部品実装構造体の製造方法及び電子部品実装装置では、複数のバンプを有する電子部品を基板に接合する場合に、フラックスに含ませた活性剤を各電極に有効に作用させることができ、かつ確実な電気的導通と十分な接合強度の確保を可能とするものである。従って、本発明は、ＢＧＡ型電子部品の表面実装の分野において極めて有用である。

１０１・・・基板、１０２ａ・・・第１電極、２００・・・第１電子部品（ＢＧＡ型電子部品）、２０１・・・部品内基板、２０１ｓ・・・主面、２０２・・・半導体素子、２０３・・・封止樹脂、２０４・・・バンプ、２０６・・・フラックス、２０６ａ・・・フラックスの塗膜、３０１・・・基板供給装置、３０２・・・スクリーン印刷装置、３０３・・・樹脂塗布装置、３０４・・・第１電子部品搭載装置、３０５・・・第２電子部品搭載装置、３０６・・・リフロー装置、３０７・・・基板回収装置、３０９ａ，３０９ｂ，３０９ｃ・・・基板搬送コンベア、３１４・・・第１部品供給部、３１５・・・第２部品供給部、３２０・・・転写ユニット、３２０ａ・・・ベーステーブル、３２１・・・転写テーブル、３２２・・・スキージユニット、３２２ａ・・・第１スキージ部材、３２２ｂ・・・第２スキージ部材、３２４,３２５・・・搭載ヘッド、３２４ｄ,３２５ｄ・・・吸引ノズル

Claims (9)

1. 樹脂成分と、前記樹脂成分を溶解する溶剤と、金属酸化物を還元する作用を有する活性剤と、薄片状または鱗片状の金属粉と、を含むフラックス原料の混合物を調製する工程を有し、
   前記混合物を調製する工程は、加熱により前記活性剤を前記樹脂成分または前記溶剤の少なくとも一部に溶解させた後、徐冷により前記活性剤を再結晶化させる工程を含み、
   前記再結晶化により、前記金属粉の厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖより大きい平均粒子径Ｄａを有する前記活性剤の結晶を生成させる、半田接合用フラックスの製造方法。
2. 前記溶剤および前記金属粉の少なくとも一部を、前記再結晶化の後に、前記原料の他の成分と混合する、請求項１に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
3. 前記徐冷を０．１℃／分〜１０℃／分の冷却速度で行う、請求項１または２に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
4. さらに、前記混合物を、０〜１０℃で静置する工程、を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
5. 前記平均粒子径Ｄａが、１〜５０μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
6. 前記金属粉が、第１金属成分のコアと、前記コアの表面を被覆する第２金属成分のコーティング層とを有し、
   前記第１金属成分は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、ＩｎおよびＢｉよりなる群から選択される少なくとも１種であり、
   前記第２金属成分は、Ａｕ、ＡｇおよびＰｄよりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
7. 前記活性剤が、融点９０℃以上の有機酸である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
8. 前記有機酸が、アビエチン酸、安息香酸、グルタル酸、シュウ酸およびピコリン酸よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項７に記載の半田接合用フラックスの製造方法。
9. 前記金属粉が、長軸Ｌａ、前記長軸に垂直な短軸Ｌｂおよび厚さＬｃを有し、
   前記長軸Ｌａは、前記金属粉の最大径であり、
   前記短軸Ｌｂは、前記長軸Ｌａの中間点における直径であり、
   前記厚さＬｃは、前記長軸Ｌａと前記短軸Ｌｂとの交点における厚さであり、
   前記厚さＬｃの平均値Ｌｃａｖと前記活性剤の平均粒子径Ｄａとが、０．８×Ｄａ≧Ｌｃａｖを満たす、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半田接合用フラックスの製造方法。

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