JP5883510B2 - 基板にチップをボンディングするための圧力伝達器 - Google Patents

基板にチップをボンディングするための圧力伝達器 Download PDF

Info

Publication number
JP5883510B2
JP5883510B2 JP2014537522A JP2014537522A JP5883510B2 JP 5883510 B2 JP5883510 B2 JP 5883510B2 JP 2014537522 A JP2014537522 A JP 2014537522A JP 2014537522 A JP2014537522 A JP 2014537522A JP 5883510 B2 JP5883510 B2 JP 5883510B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
pressing
substrate
pressure transmitter
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014537522A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014534636A (ja
Inventor
ヴィンプリンガー マークス
ヴィンプリンガー マークス
ズィーグル アルフレート
ズィーグル アルフレート
Original Assignee
エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー filed Critical エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2014534636A publication Critical patent/JP2014534636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5883510B2 publication Critical patent/JP5883510B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75315Elastomer inlay
    • H01L2224/75316Elastomer inlay with retaining mechanisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75317Removable auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/75318Shape of the auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75314Auxiliary members on the pressing surface
    • H01L2224/7532Material of the auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75703Mechanical holding means
    • H01L2224/75704Mechanical holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75723Electrostatic holding means
    • H01L2224/75724Electrostatic holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757Means for aligning
    • H01L2224/75743Suction holding means
    • H01L2224/75744Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758Means for moving parts
    • H01L2224/75821Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822Rotational mechanism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758Means for moving parts
    • H01L2224/75821Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822Rotational mechanism
    • H01L2224/75823Pivoting mechanism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758Means for moving parts
    • H01L2224/75821Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75824Translational mechanism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/9205Intermediate bonding steps, i.e. partial connection of the semiconductor or solid-state body during the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

本発明は、請求項1に記載の、基板に多数のチップをボンディングするための圧力伝達器、及び請求項8に記載の、基板に多数のチップをボンディングするためのボンディング装置に関する。
半導体工業分野には、種々様々な機能ユニットを互いに結合する、特にボンディング(接合)する複数の手段が存在する。これらの手段の1つがチップ・ツー・ウェハ(C2W)方法であり、この方法では個々のチップを基板に個別にボンディングする。別の重要な方法はいわゆる「アドバンスト・チップ・ツー・ウェハ」(AC2W)方法であり、この方法ではチップをまず最初に、仮に(一時的に)基板に接合し、永久接合は、1接合段階で一緒に行われる。その際、全てのチップが同時に、基板に永久接合される。この接合段階においてチップを基板に対して押圧する間(接合力)、チップと基板は加熱される。
前記押圧及び加熱過程に基づき、特にますます小型化しているパターンにおいては、例えば加熱中の熱膨張による技術的な問題が生じる。
したがって、本発明の課題は、前記方法を最適化することができ、接合時の廃棄物が最小限に抑えられる、圧力伝達器若しくはボンディング装置を提供することにある。
この課題は、請求項1及び8に記載の特徴により解決される。本発明の有利な改良は、従属請求項に記載されている。本発明の枠内には、明細書、請求項及び/図面に記載された複数の特徴のうちの少なくとも2つから成る、あらゆる組み合わせも含まれる。記載された値の範囲では、述べられた限界値内に位置する値も、限界値として開示されたものであり、任意の組み合わせにおいて用いることができる。
本発明の基本思想は、多数のチップを1つの基板にボンディングするための圧力伝達器を、ボンディング方向Bに対して横方向での押圧体の滑動を可能にするように形成する、という点にある。但し、ボンディング方向Bに対して横方向での滑動を制限するための制限手段が、特に圧力伝達器を保持体にボンディング方向Bで位置固定するための位置固定手段の形態で設けられていると、有利である。特に有利には、本発明はAC2W方法と共に用いられ、この方法では複数のチップを一時的に基板に接合してから、圧力伝達器を用いて1接合プロセスで接合する。この場合、本発明では、接合温度まで加熱する過程が、圧力伝達前に少なくとも概ね終了していると有利である。これにより、押圧体は、ボンディング方向Bに接合力が加えられる場合よりも自由に、ボンディング方向Bに対して横方向に滑動することができる。
基板としては、特に半導体、有利にはウェハが考慮される。
本発明により、ボンディングの際に生じる、圧力伝達器とチップ表面との間の熱応力の問題は、少なくとも概ね解決される。それというのも、押圧体は本発明による滑り層によって、滑り層とは反対の側の全ての構成部材から、ボンディング方向Bに対して横方向で少なくとも概ね分離されているので、押圧体自体の応力しか関係しなくなるからである。つまり、滑り層は、該滑り層に接する構成部材の、ほぼ完全に摩擦無しの相対運動を可能にする。本発明では、滑り層は特に、有利には主に炭素を含む固体として形成されている。有利には材料として、基底面が特に少なくとも概ねボンディング方向Bに対して垂直に向けられたグラファイトが選択される。
本発明の有利な構成では、前記位置固定手段が、ボンディング方向Bに対して横方向に弾性的に形成されている。つまり、これらの位置固定手段は、圧力伝達器をボンディング方向Bで保持すると同時に、押圧体がボンディング方向Bに対して横方向に滑動できるようにするために働く。このようにして位置固定手段は同時に、上述した制限手段として働き、延いては本発明による複数の機能を果たすようになっている。
この場合、位置固定手段が、押圧体を保持体の方向で、特に押圧体と保持体との間に配置された滑り層と共に緊締するための緊締部材として形成されていると、特に有利である。この構成は、特に簡単且つ省スペースに実現可能であり、前記の複数の機能を満たすものである。
本発明の改良では、押圧体が、特に材料及び/又は寸法に関して、押圧体の熱膨張特性が少なくともボンディング方向Bに対して横方向で、製品用基板の熱膨張特性に対応するように選択される。有利には、前記材料として、基板及び/又はチップの材料が選択される。特に本発明では、押圧体の寸法が、特にボンディング方向Bに対して横方向で、基板の寸法にほぼ合致していると、有利である。前記熱膨張特性には特に、押圧体及び/又は基板及び/又はチップの熱膨張係数が含まれる。排他的ではないが、特に金属、セラミック、プラスチック又は複合材料等の材料クラスが使用可能である。特にSi、CTE適合ガラス、つまり熱膨張係数が製品用基板の熱膨張係数に適合されたガラス、低CTE金属等である。CTE適合ガラス及び低CTE金属は、"CTE matched glass" 及び"low CTE metals" という英語の名称でも知られている。とりわけ熱伝導率の極めて高い材料が好ましい。ケイ素の熱膨張係数は、例えば約2.6*10−6−1である。製品用基板の熱膨張係数と、本発明による構成の熱膨張係数との差の絶対値は、100*10−6−1未満、有利には10*10−6−1未満、より有利には1*10−6−1未満、最も有利には0.1*10−6−1未満、極めて有利には0.01*10−6−1未満、最も理想的なのは、0K−1である。
少なくともボンディング方向Bに弾性的な、特にチップの中間空間において少なくとも部分的に中断された層が、圧力を相殺(補償)するために設けられていることにより、圧力伝達器によってボンディング方向Bでの延伸、応力及び高さの差が相殺され、その結果、均一な押圧が可能になる。つまり、前記弾性層は補償層として働く。特に、弾性層は、1MPa〜100GPa、有利には1MPa〜10GPa、更に有利には1MPa〜1GPaの弾性係数を有している。好適な材料はポリマである。弾性係数の比較値としては、約1MPaの有効等方弾性係数を有するゴムが用いられる。繊維強化されたポリマは、好適には約100GPaの、繊維長手方向軸線に沿った有効弾性係数を有している。これは弾性材料の上限を画すものである。
本発明の別の有利な構成では、押圧体とチップとの間に、特にチップの中間空間において少なくとも部分的に中断された硬質層が、チップに対する直接的な圧力伝達のために設けられている。この硬質層は、前記弾性層よりも(特に2倍)大きな弾性係数を有しており、この場合、硬質層は保護層として用いられる。特に硬質層は、特に10μm未満、有利には1μm未満、更に有利には100nm、最も有利には10nm未満の平均表面粗さを有する、平坦な表面を形成するためにも役立つ。有利には、硬質層は超硬質層として形成される。好適な材料は、金属及びセラミック、特に鉄材、非鉄金属、超硬合金、窒化物層、カーバイド層、ホウ化物層、酸化物セラミックである。硬質層のボンディング方向Bの厚さは、10mm未満、有利には5mm未満、更に有利には2mm未満、最も有利には500μm未満、極めて有利には100μm未満である。
別の有利な構成では、押圧体が、第1の押圧面の周面に配置された位置固定箇所を、特に有利には環状の凹部の形態で有している。このようにして、押圧体を保持体に省スペースで位置固定することが可能であり、この場合は、ボンディングに際して生じ得る、保持体から接合すべきチップまでの熱伝達に基づいて、ボンディング方向Bにできるだけ薄い圧力伝達器の構成が有利である。
本発明によるボンディング装置には、説明した圧力伝達器の特徴が相応に当てはまる。
本発明の別の利点、特徴及び詳細は、好適な実施形態の説明並びに図面に基づき明らかである。
本発明によるボンディング装置の概略的な側面図である。 本発明によるボンディング装置の第1実施形態を詳細に示した図である。 本発明による圧力伝達器の別の実施形態の概略図である。 本発明による圧力伝達器の更に別の実施形態の概略的な側面図である。 本発明によるボンディング装置の別の実施形態を詳細に示した図である。 本発明による圧力伝達器の更に別の実施形態の概略的な側面図である。 本発明による圧力伝達器の更に別の実施形態の概略的な側面図である。
以下に、本発明の実施形態を図面につき詳しく説明する。
図面において同一の、又は同一作用を有する構成部材には、同一の符号を付してある。
図1に著しく簡略化されて概略的に図示された、ボンディング室16を取り囲むケーシング11を備えたボンディング装置は、ドア(図示せず)により閉鎖可能な開口(図示せず)を介して装填及び取出可能である。ボンディング室16内では、規定された雰囲気及び温度が調節可能であり、そのために相応の供給部及び導出部、若しくは加熱手段が設けられていてよい。加熱手段としては、特に保持体9及び/又は取付け部10が用いられる。
ボンディング室16の底部には、製品用基板14を取り付けるための取付け部10が設けられており、この場合、製品用基板14の位置固定は、真空経路、機械的な緊締、又は静電気によって行うことができる。
製品用基板14は、取付け部10に載置されて該取付け部10に位置固定される基板12から成っており、この基板12には、一時的に複数のチップ13が位置固定されていて、これらのチップ13を永久に位置固定するために、ボンディング装置が設けられている。
取付け部10の上側には保持体9が設けられており、この場合、保持体9は取付け部10に対して、X方向、Y方向及びZ方向に相対運動するようになっている。保持体9は、有利にはX軸線、Y軸線及びZ軸線を中心として回動可能であり、これにより、ウェッジエラーを相殺するか、又は表面相互の方向付けを改善することができるようになっている。前記相対運動は、有利には保持体9を運動させることにより行われる一方で、取付け部10は固定であるか、若しくは何ら自由度を有しない。
ボンディング室16に製品用基板14を装填して、圧力伝達器1を保持体9の下面9uに取り付けた後で、圧力伝達器1は製品用基板14に対して位置合わせされて、圧力伝達器1の、製品用基板14に面した側1uが当接するまで降下され、ボンディング方向Bでの運動を相応に制御することにより、規定された接合力が、チップ13のチップ表面13oに加えられる。同時に、又は次いで、製品用基板14が、所定の接合温度に加熱される。このプロセスは、所定の制御装置によって制御される。
図2aには、圧力伝達器1及び製品用基板14が詳細に示されており、図示の部分の関係は、描写上の目的から著しく概略化されており、特にチップ13は、実際の状況に対応していない。
図2aに示した第1の実施形態において、圧力伝達器1は、全ての実施形態が有する押圧体2の他に、付加的に保持体4を有していて、この保持体4は押圧体2と共に、該押圧体2及び保持体4の周囲に固定された複数の緊締部材(クリップ)の形態の位置固定手段8を介して緊締されている。
押圧体2と保持体4との間には滑り層3が、特に全面的に設けられていて、この滑り層3により、ボンディング方向Bに対して横方向での押圧体2の滑動が可能になる。
押圧体2と保持体4とは、(滑り層3に対して)特にほぼ鏡像的に形成されている。
ボンディング装置の保持体9には、圧力伝達器1が、位置固定手段8の、特に緊締部材と一体成形されたアーム8aによって位置固定される。択一的又は付加的に、保持体4は保持体9に、真空経路を介して位置固定され得る。
位置固定手段8は、U字形の部分8uを有していて、このU字形の部分8uのアームの間で、押圧体2が保持体4と共に緊締される。つまり、U字形の部分8uは、押圧体2及び保持体4の周面の一部を取り囲んでいる。U字形の部分8uを係合させるために、押圧体2の第1の押圧面2oに複数の位置固定箇所17が、特に押圧体2の周面に設けられた、特に有利には環状の凹部の形態で配置されている。ボンディング方向Bに対して横方向で、前記位置固定箇所17に遊び18が設けられており、これにより、ボンディング方向Bに対して横方向での押圧体2の滑動が可能になる。
前記U字形の部分8uの反対側のアームは、保持体4の対応する位置固定箇所に係合しており、この場合、有利には遊び無しの位置固定部が設けられている。
押圧体2の、滑り層3とは反対の側の第1の押圧面2oには、X方向及びY方向に沿った、つまり第1の押圧面2oに沿った基板12上のチップ13に対応する位置に、複数の押圧部材5が取り付けられている。これらの押圧部材5は、それぞれチップ13の間の中間空間15に対応して中断されている弾性層6と、この弾性層6にそれぞれ付与された硬質層7とから成っている。この硬質層7も弾性層6と同様に、中間空間15の領域内で中断されているので、チップ13の押圧時に場合によっては生じ得る、ボンディング方向に対して横方向に延在する横方向力が最小限に抑えられることになる。
チップ13が、ここでは硬質層7の表面7oに設けられた押圧面1uにより押圧されると、その都度押圧部材5の重心5sは、個々のチップ13の重心13sに対してセンタリングされるように位置合わせされている。押圧体2及び基板12の、類似の又は同一の熱膨張係数に基づき、且つ押圧体2のボンディング方向Bに対して横方向の、概ね摩擦無しの相対運動に基づき、押圧部材5はチップ13に正確に追従するので、横方向ずれ及び横方向力が惹起されることはない。
図2bにおいて設けられた、簡略化された位置固定手段8′では、押圧体2及び保持体4の位置固定が、専ら押圧体2の位置固定箇所のみで位置固定して、保持体4では位置固定しない、変更された位置固定手段8′により行われているので、位置固定は、押圧体2と保持体9との間でボンディング方向Bに行われることになる。遊び18を介した、押圧体2及び滑り層3の運動機構は、図2aに示した通りである。これにより、より簡単な構成に変更された圧力伝達器1′が得られる。それというのも、位置固定手段8′と保持体4′とが、より簡単に形成されているからである。
図2cに示した実施形態では、保持体4が省略されて、滑り層3は、押圧体2と保持体9との間に直接に設けられる。上述した圧力伝達器1,1′よりも簡単に形成されている、変更された圧力伝達器1″が得られる。それというのも、保持体4,4′が省略可能であるからであり、その結果、当該圧力伝達器1″をより薄型に形成することができ、且つ熱が保持体9から発生される場合には、熱をより良好に伝達するようになっている。
これに対して図3aに示した実施形態では、図2a〜図2cに示した押圧部材5が省かれているので、押圧体2の第1の押圧面2oが、硬質層7の機能を引き受けている。弾性層6′は、押圧体2と保持体4との間に設けられている。弾性層6′と押圧体2との間の境界面に滑り層3が設けられている一方で、位置固定手段8は、図2aに示した位置固定手段8に相当する。これにより、変更された実施形態の圧力伝達器1′″が得られる。
第1の押圧面2oは、この実施形態では、チップ13のチップ表面13oに圧力を加える押圧面1u′として働く。
図3bに示した実施形態では、図2bに示した実施形態に相応して、保持体4′との係合を省いた位置固定手段8′が設けられている。これにより、変更された実施形態の圧力伝達器1″″が得られる。
図3cに示した圧力伝達器1′″″の構成では、図2cで説明した構成に相応して、保持体4,4′が省かれる。これに相応して位置固定手段も、位置固定手段8″と類似のものが使用される。
1,1′,1″,1′″,1″″ 圧力伝達器
1u,1u′ 押圧面
2 押圧体
2o 第1の押圧面
2f 第2の押圧面
3 滑り層
4,4′ 保持体
5 押圧部材
6,6′ 弾性層
7 硬質層
8,8′,8″ 位置固定手段
8a アーム
8u U字形の部分
9 保持体
9u 下面
10 取付け部
11 ケーシング
12 基板
13 チップ
13o チップ表面
13s 重心
14 製品用基板
15 中間空間
16 ボンディング室
17 位置固定箇所
18 遊び
B ボンディング方向

Claims (7)

  1. 基板(12)に多数のチップ(13)をボンディングするための圧力伝達器であって、
    ンディング方向(B)に作用する接合力でもってチップ(13)を押圧する押圧体(2)であって、該押圧体(2)は、前記ボンディング方向(B)に対して横方向に延在する第1の押圧面(2o)と反対側の第2の押圧面(2f)とを有する、押圧体(2)と
    記圧力伝達器(1)の周囲に取付け可能な位置固定手段(8,8′,8″)であって、前記圧力伝達器(1)において保持体(9)前記ボンディング方向(B)で位置固定する、位置固定手段(8,8′,8″)と
    記押圧体(2)を前記ボンディング方向(B)に対して横方向に滑動させるための滑り層(3)を備え、
    前記位置固定手段(8,8′,8″)は、
    イ)前記ボンディング方向(B)に対して横方向に弾性的に形成されており、且つ/又は
    ロ)前記押圧体(2)を前記保持体(9)の方向で、記押圧体(2)と前記保持体(9)との間に配置された前記滑り層(3)と共に緊締するための緊締部材として形成されている
    ことを特徴とする、基板(12)に多数のチップ(13)をボンディングするための圧力伝達器。
  2. 少なくとも前記ボンディング方向(B)に弾性的で、記チップ(13)の中間空間(15)において間欠された層(6)が、圧力補償用に設けられている、請求項1記載の圧力伝達器。
  3. 前記押圧体(2)と前記チップ(13)との間に、記チップ(13)の中間空間(15)において間欠された硬質層(7)が、前記チップ(13)に対する直接的な圧力伝達のために設けられている、請求項1又は2記載の圧力伝達器。
  4. 前記押圧体(2)は、前記第1の押圧面(2o)の周面に配置された位置固定箇所を、状の凹部の形態で有している、請求項1から3までのいずれか1項記載の圧力伝達器。
  5. 基板(12)に多数のチップ(13)をボンディングするためのボンディング装置であって、
    求項1から4までのいずれか1項記載の圧力伝達器(1)と、
    持体(9)と、
    記基板(12)を取り付けるための取付け部(10)と、
    記チップ(13)及び前記基板(12)を加熱するための加熱手段と、
    記保持体(9)をボンディング方向(B)に移動させることにより接合力を発生させる駆動手段とが設けられている
    ことを特徴とする、基板(12)に多数のチップ(13)をボンディングするためのボンディング装置。
  6. 請求項1から4までのいずれか1項記載の圧力伝達器(1)又は請求項5記載のボンディング装置を用いて、基板(12)に多数のチップ(13)をボンディングするための方法。
  7. 前記押圧体(2)は、材料及び/又は寸法に関して、該押圧体(2)の熱膨張特性が少なくとも前記ボンディング方向(B)に対して横方向で、前記基板(12)の熱膨張特性に対応するように選択されている、請求項6記載の方法。
JP2014537522A 2012-03-16 2012-03-16 基板にチップをボンディングするための圧力伝達器 Active JP5883510B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2012/054650 WO2013135302A1 (de) 2012-03-16 2012-03-16 Druckübertragungseinrichtung zum bonden von chips auf ein substrat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014534636A JP2014534636A (ja) 2014-12-18
JP5883510B2 true JP5883510B2 (ja) 2016-03-15

Family

ID=45992183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014537522A Active JP5883510B2 (ja) 2012-03-16 2012-03-16 基板にチップをボンディングするための圧力伝達器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9305813B2 (ja)
EP (1) EP2826064B1 (ja)
JP (1) JP5883510B2 (ja)
KR (1) KR101562755B1 (ja)
CN (1) CN104303281B (ja)
SG (1) SG2014009377A (ja)
TW (1) TWI600100B (ja)
WO (1) WO2013135302A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014111634A1 (de) * 2014-08-14 2016-02-18 Atv Technologie Gmbh Vorrichtung zum insbesondere thermischen Verbinden mikro-elektromechanischer Bauteile
FR3063832B1 (fr) 2017-03-08 2019-03-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede d'auto-assemblage de composants microelectroniques
TWI836192B (zh) * 2020-03-04 2024-03-21 日商Tdk股份有限公司 元件陣列的加壓裝置、製造裝置及製造方法
DE102022123324A1 (de) 2022-09-13 2024-03-14 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337509B2 (en) * 1998-07-16 2002-01-08 International Business Machines Corporation Fixture for attaching a conformal chip carrier to a flip chip
DE10140133A1 (de) * 2001-08-16 2003-03-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer klebenden Verbindung zwischen einer Halbleiterscheibe und einer Trägerplatte
JP3767812B2 (ja) 2002-07-11 2006-04-19 三菱電機株式会社 電子部品製造装置および電子部品製造方法
JP4696110B2 (ja) * 2005-03-17 2011-06-08 パナソニック株式会社 電子部品の実装方法及び電子部品実装装置
US20060292823A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Shriram Ramanathan Method and apparatus for bonding wafers
JP4925669B2 (ja) * 2006-01-13 2012-05-09 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 圧着装置及び実装方法
WO2007142802A2 (en) 2006-05-23 2007-12-13 Vladimir Vaganov Method of wafer-to-wafer bonding
JP2009123577A (ja) 2007-11-16 2009-06-04 Ulvac Japan Ltd 基板加熱装置
JP2011009357A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Fujitsu Ltd 実装装置
JP2011253940A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Sony Chemical & Information Device Corp ウエハのダイシング方法、接続方法及び接続構造体

Also Published As

Publication number Publication date
TWI600100B (zh) 2017-09-21
US20150303082A1 (en) 2015-10-22
KR101562755B1 (ko) 2015-10-22
KR20140087001A (ko) 2014-07-08
SG2014009377A (en) 2014-06-27
EP2826064A1 (de) 2015-01-21
CN104303281A (zh) 2015-01-21
EP2826064B1 (de) 2015-10-21
JP2014534636A (ja) 2014-12-18
US9305813B2 (en) 2016-04-05
WO2013135302A1 (de) 2013-09-19
TW201351531A (zh) 2013-12-16
CN104303281B (zh) 2017-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5883510B2 (ja) 基板にチップをボンディングするための圧力伝達器
JP5229780B2 (ja) 基板載置台
JP6153200B2 (ja) ヒータを備え急速に温度変化する基板支持体
JP2011508419A5 (ja) 半導体真空処理装置用のコンポーネント・アセンブリ、アセンブリを結合する方法、及び、半導体基板を処理する方法
JP2020023088A (ja) 複合部材および接着剤組成物
US20170040205A1 (en) High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer
KR20080031096A (ko) 조립체 및 히터 조립체
US20030178638A1 (en) Semiconductor mounting system
KR20170041267A (ko) 마이크로 전기기계 부품들을 특히 열에 의해 결합하는 장치
EP3280566B1 (en) Article having diamond-only contact surfaces
JP4040254B2 (ja) 吸引装置
JP2002192394A (ja) 無機基板のプレス加工法およびプレス装置
JP6572788B2 (ja) 静電チャック装置
TW432435B (en) Wafer holder of ion implantation apparatus
US9631128B2 (en) Bonding material and semiconductor supporting device
WO2009149275A3 (en) Improved multilayer electrostatic chuck wafer platen
JP6112236B2 (ja) 静電チャック装置
JP6597437B2 (ja) 静電チャック装置
US11390566B2 (en) Bonded ceramic and manufacturing method therefor
JP5081423B2 (ja) 種結晶固定装置
WO2008058270A3 (en) A susceptor and method of forming a led device using such susceptor
CN106449379A (zh) 用于直接键合硅与硅或碳化硅与碳化硅的方法
JP7509814B2 (ja) 保持装置
US11575335B2 (en) Electrostatic chuck device
JP2003273049A (ja) ウエハの真空貼付装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150413

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150602

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5883510

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250