JP5883433B2 - 複合ニッケルナノ粒子及びその製造方法 - Google Patents
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A)カルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物を、100℃〜165℃の範囲内の温度に加熱して錯化反応液を得る錯化反応液生成工程、
B)該錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱して、該錯化反応液中のニッケルイオンを還元して、1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子のスラリーを得る金属ニッケルナノ粒子スラリー生成工程、
C)1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子スラリーに、硫黄粉末又は被覆1級アミンを置換することが可能な硫黄元素含有有機化合物を添加することによって、前記金属ニッケルナノ粒子の表面が、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄元素含有有機化合物と、により被覆された複合ニッケルナノ粒子を得る複合ニッケルナノ粒子生成工程、
を備えている。
また、本発明方法は、錯化反応液生成工程とは別に、マイクロ波照射による加熱還元の工程を備えているため、還元工程で生成する金属ニッケルナノ粒子の平均粒径を比較的容易に制御することができる。
更に、本発明方法は、配位した1級アミンが、生成する金属ニッケルナノ粒子の表面修飾剤として機能するため、金属ニッケルナノ粒子の凝集を抑制することができる。
そして、本発明方法は、金属ニッケルナノ粒子の表面に1級アミンが配位した状態で、硫黄元素を付着させるか、又は硫黄元素含有有機化合物で配位子交換させることによって、該表面が、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄元素含有有機化合物と、で被覆された複合ニッケルナノ粒子を製造することができる。従って、複合ニッケルナノ粒子の粒径の大きさと分布の適正化を図ることができるとともに、特に、焼結温度が高い複合ニッケルナノ粒子を得ることができる。
A)カルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物を、100℃〜165℃の範囲内の温度に加熱して錯化反応液を得る錯化反応液生成工程、
B)該錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱して、該錯化反応液中のニッケルイオンを還元して、1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子(以下、「ナノ粒子」と略称することがあるが、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄元素含有有機化合物と、により被覆された複合ニッケルナノ粒子とは区別する。)のスラリーを得るナノ粒子スラリー生成工程、
C)1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子スラリーに、硫黄粉末又は前記被覆1級アミンを置換することが可能な硫黄元素含有有機化合物を添加することによって、前記金属ニッケルナノ粒子の表面が、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄元素含有有機化合物と、により被覆された複合ニッケルナノ粒子を得る複合ニッケルナノ粒子生成工程、
を備える。
(カルボン酸ニッケル)
カルボン酸ニッケル(カルボン酸のニッケル塩)は、カルボン酸の種類を限定するものではなく、例えば、カルボキシル基が1つのモノカルボン酸であってもよく、また、カルボキシル基が2つ以上のカルボン酸であってもよい。また、非環式カルボン酸であってもよく、環式カルボン酸であってもよい。このようなカルボン酸ニッケルとして、非環式モノカルボン酸ニッケルを好適に用いることができ、非環式モノカルボン酸ニッケルのなかでも、酢酸ニッケルあるいは酢酸ニッケルよりも直鎖の長いプロピオン酸ニッケル、シュウ酸ニッケル等を用いることがより好ましい。これらの非環式モノカルボン酸ニッケルを用いることによって、例えば、得られるナノ粒子は、その形状のばらつきが抑制され、均一な形状として形成されやすくなる。カルボン酸ニッケルは、無水物であってもよく、また水和物であってもよい。
1級アミンは、ニッケルイオンとの錯体を形成することができ、ニッケル錯体(又はニッケルイオン)に対する還元能を効果的に発揮する。一方、2級アミンは立体障害が大きいため、ニッケル錯体の良好な形成を阻害するおそれがあり、3級アミンはニッケルイオンの還元能を有しないため、いずれも使用できない。1級アミンは、ニッケルイオンとの錯体を形成できるものであれば、特に限定するものではなく、常温で固体又は液体のものが使用できる。ここで、常温とは、20℃±15℃をいう。常温で液体の1級アミンは、ニッケル錯体を形成する際の有機溶媒としても機能する。なお、常温で固体の1級アミンであっても、100℃以上の加熱によって液体であるか、又は有機溶媒を用いて溶解するものであれば、特に問題はない。
すなわち、脂肪族1級アミンは、沸点が180℃以上のものが好ましく、200℃以上のものがより好ましく、また、炭素数は9以上のものが好ましい。ここで、例えば炭素数が9である脂肪族アミンのC9H21N(ノニルアミン)の沸点は201℃である。1級アミンの量は、ニッケル1molに対して2mol以上用いることが好ましく、2.2mol以上用いることがより好ましく、4mol以上用いることが望ましい。1級アミンの量が2mol未満では、得られるニッケルナノ粒子の粒子径の制御が困難となり、粒子径がばらつきやすくなる。また、1級アミンの量の上限は特にはないが、例えば生産性の観点からは20mol以下とすることが好ましい。
錯化反応液生成工程では、均一溶液での反応をより効率的に進行させるために、1級アミンとは別の有機溶媒を新たに添加してもよい。有機溶媒を用いる場合、有機溶媒をカルボン酸ニッケル及び1級アミンと同時に混合してもよいが、カルボン酸ニッケル及び1級アミンを先ず混合し、錯形成した後に有機溶媒を加えると、1級アミンが効率的にニッケル原子に配位するので、より好ましい。使用できる有機溶媒としては、1級アミンとニッケルイオンとの錯形成を阻害しないものであれば、特に限定するものではなく、例えば炭素数4〜30のエーテル系有機溶媒、炭素数7〜30の飽和又は不飽和の炭化水素系有機溶媒、炭素数8〜18のアルコール系有機溶媒等を使用することができる。また、マイクロ波照射による加熱条件下でも使用を可能とする観点から、使用する有機溶媒は、沸点が170℃以上のものを選択することが好ましく、より好ましくは200〜300℃の範囲内にあるものを選択することがよい。このような有機溶媒の具体例としては、例えばテトラエチレングリコール、n−オクチルエーテル等が挙げられる。
本工程では、カルボン酸ニッケルと1級アミンとの錯形成反応によって得られた錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱し、錯化反応液中のニッケルイオンを還元して1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子スラリーを得る。マイクロ波照射によって加熱する温度は、得られるナノ粒子の形状のばらつきを抑制するという観点から、好ましくは180℃以上、より好ましくは200℃以上とすることがよい。加熱温度の上限は特にないが、処理を能率的に行う観点からは例えば270℃以下とすることが好適である。なお、マイクロ波の使用波長は、特に限定するものではなく、例えば2.45GHzである。
錯化反応液にマイクロ波を照射してニッケルイオンを加熱還元させることによって得られた金属ニッケルナノ粒子スラリーは、錯形成反応に使用された1級アミンによって被覆されている。本工程では、この金属ニッケルナノ粒子スラリーに、硫黄粉末、又は金属ニッケルナノ粒子を被覆している1級アミンを置換することが可能な硫黄元素含有有機化合物(以下、「硫黄含有化合物」ともいう。)を添加することによって、金属ニッケルナノ粒子の表面が、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄含有化合物と、により被覆された複合ニッケルナノ粒子を得る。硫黄粉末又は硫黄含有化合物は、錯化反応液のマイクロ波照射による還元反応に続く、金属ニッケルナノ粒子のスラリーの状態で添加してもよい。あるいは、硫黄粉末又は硫黄含有化合物は、還元反応によって得られる金属ニッケルナノ粒子のスラリーから、一旦、金属ニッケルナノ粒子を単離した後に、金属ニッケルナノ粒子を液中に分散させてスラリーの状態としてから、添加してもよい。工程の簡略化の観点から、硫黄粉末又は硫黄含有化合物は、錯化反応液のマイクロ波照射による還元反応に続く、金属ニッケルナノ粒子のスラリーの状態で添加することが好ましい。金属ニッケルナノ粒子の表面に硫黄元素(硫黄含有化合物の状態も含む)を存在させることによって、金属ニッケルナノ粒子の表面活性を低下させ、例えば積層セラミックコンデンサの内部電極の材料として用いる場合の耐焼結性を向上させることができる。
ジチアン、1,1−ビス{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−3,3−ビス(メルカプトメチルチオ)プロパン、1,3−ビス{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−1,3−ビス(メルカプトメチルチオ)プロパン、1−{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−3−{2,2−ビス(メルカプトメチルチオ)エチル}−7,9−ビス(メルカプトメチルチオ)−2,4,6,10−テトラチアウンデカン、1−{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−3−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−7,9−ビス(メルカプトメチルチオ)−2,4,6,10−テトラチアウンデカン、1,5−ビス{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−3−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−2,4−ジチアペンタン、4,6−ビス[3−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−5−メルカプト−2,4−ジチアペンチルチオ]−1,3−ジチアン、4,6−ビス{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−1,3−ジチアン、4−{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−6−{4−(6−メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアニルチオ}−1,3−ジチアン、3−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−7,9−ビス(メルカプトメチルチオ)−1,11−ジメルカプト−2,4,6,10−テトラチアウンデカン、9−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−3,5,13,15−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−1,17−ジメルカプト−2,6,8,10,12,16−ヘキサチアヘプタデカン、3−{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−7,9,13,15−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−1,17−ジメルカプト−2,4,6,10,12,16−ヘキサチアヘプタデカン、3,7−ビス{2−(1,3−ジチエタニル)}メチル−1,9−ジメルカプト−2,4,6,8−テトラチアノナン、4−{3,4,8,9−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−11−メルカプト−2,5,7,10−テトラチアウンデシル}−5−メルカプトメチルチオ−1,3−ジチオラン、4,5−ビス{3,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−6−メルカプト−2,5−ジチアヘキシルチオ}−1,3−ジチオラン、4−{3,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−6−メルカプト−2,5−ジチアヘキシルチオ}−5−メルカプトメチルチオ−1,3−ジチオラン、4−{3−ビス(メルカプトメチルチオ)メチル−5,6−ビス(メルカプトメチルチオ)−8−メルカプト−2,4,7−トリチアオクチル}−5−メルカプトメチルチオ−1,3−ジチオラン、2−[ビス{3,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−6−メルカプト−2,5−ジチアヘキシルチオ}メチル]−1,3−ジチエタン、2−{3,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−6−メルカプト−2,5−ジチアヘキシルチオ}メルカプトメチルチオメチル−1,3−ジチエタン、2−{3,4,8,9−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−11−メルカプト−2,5,7,10−テトラチアウンデシルチオ}メルカプトメチルチオメチル−1,3−ジチエタン、2−{3−ビス(メルカプトメチルチオ)メチル−5,6−ビス(メルカプトメチルチオ)−8−メルカプト−2,4,7−トリチアオクチル}メルカプトメチルチオメチル−1,3−ジチエタン、4,5−ビス[1−{2−(1,3−ジチエタニル)}−3−メルカプト−2−チアプロピルチオ]−1,3−ジチオラン、4−[1−{2−(1,3−ジチエタニル)}−3−メルカプト−2−チアプロピルチオ]−5−{1,2−ビス(メルカプトメチルチオ)−4−メルカプト−3−チアブチルチオ}−1,3−ジチオラン、2−[ビス{4−(5−メルカプトメチルチオ−1,3−ジチオラニル)チオ}]メチル−1、3−ジチエタン、4−{4−(5−メルカプトメチルチオ−1,3−ジチオラニル)チオ}−5−[1−{2−(1,3−ジチエタニル)}−3−メルカプト−2−チアプロピルチオ]−1,3−ジチオラン、さらにこれらのオリゴマー等のジチオアセタールもしくはジチオケタール骨格を有する化合物、トリス(メルカプトメチルチオ)メタン、トリス(メルカプトエチルチオ)メタン、1,1,5,5−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−2,4−ジチアペンタン、ビス[4,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアブチル](メルカプトメチルチオ)メタン、トリス[4,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアブチル]メタン、2,4,6−トリス(メルカプトメチルチオ)−1,3,5−トリチアシクロヘキサン、2,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−1,3,5−トリチアシクロヘキサン、1,1,3,3−テトラキス(メルカプトメチルチオ)−2−チアプロパン、ビス(メルカプトメチル)メチルチオ−1,3,5−トリチアシクロヘキサン、トリス[(4−メルカプトメチル−2,5−ジチアシクロヘキシル−1−イル)メチルチオ]メタン、2,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアシクロペンタン、2−メルカプトエチルチオ−4−メルカプトメチル−1,3−ジチアシクロペンタン、2−(2,3−ジメルカプトプロピルチオ)−1,3−ジチアシクロペンタン、4−メルカプトメチル−2−(2,3−ジメルカプトプロピルチオ)−1,3−ジチアシクロペンタン、4−メルカプトメチル−2−(1,3−ジメルカプト−2−プロピルチオ)−1,3−ジチアシクロペンタン、トリス[2,2−ビス(メルカプトメチルチオ)−1−チアエチル]メタン、トリス[3,3−ビス(メルカプトメチルチオ)−2−チアプロピル]メタン、トリス[4,4−ビス(メルカプトメチルチオ)−3−チアブチル]メタン、2,4,6−トリス[3,3−ビス(メルカプトメチルチオ)−2−チアプロピル]−1,3,5−トリチアシクロヘキサン、テトラキス[3,3−ビス(メルカプトメチルチオ)−2−チアプロピル]メタン等、さらにこれらのオリゴマー等のオルトトリチオ蟻酸エステル骨格を有する化合物、3,3'−ジ(メルカプトメチルチオ)−1,5−ジメルカプト−2,4−ジチアペンタン、2,2'−ジ(メルカプトメチルチオ)−1,3−ジチアシクロペンタン、2,7−ジ(メルカプトメチル)−1,4,5,9−テトラチアスピロ[4,4]ノナン、3,9−ジメルカプト−1,5,7,11−テトラチアスピロ[5,5]ウンデカン、さらにこれらのオリゴマー等のオルトテトラチオ炭酸エステル骨格を有する化合物等が挙げられる。
本実施の形態に係る複合ニッケルナノ粒子の製造方法において、金属ニッケルナノ粒子の粒径を制御するための表面修飾剤として、例えばポリビニルピロリドン(PVP)、ポリエチレンイミン、ポリアクリルアミド等の高分子樹脂、ミリスチン酸、オレイン酸等の長鎖カルボン酸またはカルボン酸塩等を添加することができる。ただし、得られる複合ニッケルナノ粒子の表面修飾量が多いと、ニッケル電極用の導電性ペーストに用いる場合、複合ニッケルナノ粒子をペーストして高温で焼成すると充填密度の減少を招き、層間剥離やクラックを生じる可能性があるため、得られる複合ニッケルナノ粒子を洗浄した後の表面修飾量は可能な限り少ない方が好ましい。表面修飾剤は、工程Aのカルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物の段階で添加してもよく、工程Aで得られる錯化反応液に添加してもよい。
窒素フロー下で、20.0gの酢酸ニッケル四水和物、及び226.0gのオレイルアミンを混合した後、撹拌しながら、120℃で20分間加熱することによって、青色の反応液1を得た。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.05gのデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.16)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子2を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子2の5%の熱収縮における開始温度が約370℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.066gのテトラデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.18)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子3を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子3の5%の熱収縮における開始温度が約385℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.074gヘキサデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径65nm(Cv値;0.17)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子4を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子4の5%の熱収縮における開始温度が約390℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.050のジ−n−デカンジスルフィドを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.19)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子5を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子5の5%の熱収縮における開始温度が約390℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.030gの1,10−デカンジチオールを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.18)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子6を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子6の5%の熱収縮における開始温度が約340℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.058gのtert−ドデシルメルカプタンを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径65nm(Cv値;0.16)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子7を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子7の5%の熱収縮における開始温度が約350℃であることを確認した。複合ニッケルナノ粒子7を得た。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.062gのドデシルメチルスルフィドを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.19)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子8を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子8の5%の熱収縮における開始温度が約395℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.029gのドデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径60nm(Cv値;0.18)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子9を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子9の5%の熱収縮における開始温度が約350℃であることを確認した。複合ニッケルナノ粒子9を得た。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.174gのドデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径65nm(Cv値;0.17)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子10を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子10の5%の熱収縮における開始温度が約395℃であることを確認した。この元素分析の結果、C;0.6、N;0.0018、O;2.3、S;0.43(単位は質量%)であった。結果を表1に示す。この分析結果より、後述する比較例1と比較してオレイルアミンに由来するNが大幅に減少し、ドデカンチオールに由来するSが増加していることから、効果的にアミノ基とメルカプト基の置換反応が進行していることがわかる。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.290gのドデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.19)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子11を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子11の5%の熱収縮における開始温度が約395℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、1.0gのオレイルアミンに0.0092gの硫黄粉末を溶解した溶液を添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径60nm(Cv値;0.18)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子12を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子12の5%の熱収縮における開始温度が約330℃であることを確認した。結果を表1に示す。
実施例1において、ドデカンチオ−ルを使用しなかったこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径100nm(Cv値;0.17)の球状の均一な金属ニッケルナノ粒子を得た。得られた金属ニッケルナノ粒子の5%の熱収縮における開始温度は約295℃であった。この元素分析の結果、C;0.5、N;0.0260、O;2.2、S;0(単位は質量%)であった。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.091gのn−デシルスルフィドを添加したこと以外、実施例1と同様にして、平均粒径70nm(Cv値;0.17)の球状の均一な複合ニッケルナノ粒子を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子の5%の熱収縮における開始温度は約310℃であった。結果を表1に示す。
実施例1における0.058gのドデカンチオ−ルを添加したことの代わりに、0.0087gのドデカンチオ−ルを添加したこと以外、実施例1と同様にして、複合ニッケルナノ粒子を得た。結果を表1に示す。
窒素フロー下で、20.0gの酢酸ニッケル四水和物、及び226.0gのオレイルアミンを混合した後、撹拌しながら、120℃で20分間加熱することによって、青色の反応液を得、得られた反応液をマントルヒーターによって250℃で5分間加熱することによって、金属ニッケルナノ粒子スラリーを得た後、0.058gのドデカンチオ−ルを添加し、再度、マントルヒーターによって250℃で5分間加熱することによって、平均粒径70nm(Cv値;0.37)の球状の複合ニッケルナノ粒子を得た。得られた複合ニッケルナノ粒子の5%の熱収縮における開始温度は約385℃であった。結果を表1に示す。この結果から、通常加熱を用いるとマイクロ波加熱よりも粒度分布が広くなるため好ましくないことがわかる。
Claims (8)
- 次の工程A〜C;
A)カルボン酸ニッケル及び1級アミンの混合物を、100℃〜165℃の範囲内の温度に加熱して錯化反応液を得る錯化反応液生成工程、
B)該錯化反応液を、マイクロ波照射によって170℃以上の温度に加熱して、該錯化反応液中のニッケルイオンを還元して、1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子のスラリーを得る金属ニッケルナノ粒子スラリー生成工程、
C)1級アミンで被覆された金属ニッケルナノ粒子スラリーに、硫黄粉末又は被覆1級アミンを置換することが可能な硫黄元素含有有機化合物を添加することによって、前記金属ニッケルナノ粒子の表面が、1級アミンと、硫黄元素又は硫黄元素含有有機化合物と、により被覆された複合ニッケルナノ粒子を得る複合ニッケルナノ粒子生成工程、
を備えている複合ニッケルナノ粒子の製造方法。 - 前記硫黄元素含有有機化合物が、メルカプト基、ジスルフィド基又はスルフィド基を含有する硫黄元素含有有機化合物である請求項1に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記硫黄元素含有有機化合物が、脂肪族チオール化合物である請求項1に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記脂肪族チオール化合物が、炭素数1〜18の範囲内にある脂肪族チオール化合物である請求項3に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記硫黄元素含有有機化合物が、脂肪族ジスルフィド化合物である請求項1に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記脂肪族ジスルフィド化合物が、炭素数2〜20の範囲内にある脂肪族ジスルフィド化合物である請求項5に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記硫黄元素含有有機化合物が、脂肪族メチルスルフィド化合物である請求項1に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
- 前記脂肪族メチルスルフィド化合物が、炭素数2〜11の範囲内にある脂肪族メチルスルフィド化合物である請求項7に記載の複合ニッケルナノ粒子の製造方法。
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