JP5882727B2 - 多数個取り配線基板 - Google Patents

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Description

本発明は、コイルが埋設された複数の配線基板領域を有する多数個取り配線基板に関するものである。
従来、コイルを内蔵した配線基板は、検査のために電流を流してコイルのインダクタンス値を測定する場合がある。コイルのインダクタンス値は、配線基板の電極にインダクタンス測定装置のプローブを当接させて、プローブからコイルに電流を流すことによって測定する(例えば、特許文献1を参照。)。
特開−号公報
近年、配線基板が小型化されてきており、配線基板の電極も小型化されていることから、インダクタンス測定装置のプローブを電極に配置することが困難であった。このような配線基板のコイルのインダクタンス値を測定する際に、複数の配線基板を個別に測定すると、インダクタンス値の測定に時間がかかっていた。
本発明の一つの態様による多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域を含んでいる母基板と、母基板に埋設されているコイルと、母基板に設けられている配線導体とを有しており、配線導体が複数のコイルの端部同士を電気的に接続するとともに、複数の配線基板領域の外周において母基板から露出されている。母基板は複数の配線基板領域のそれぞれに磁性領域および非磁性領域を含んでいる。コイルは磁性領域の内部に設けられている。配線導体は非磁性領域に設けられている。
本発明の一つの態様による多数個取り配線基板によれば、複数の配線基板領域を含んでいるとともに、複数の配線基板領域のそれぞれに磁性領域および非磁性領域を含んでいる
母基板と、複数の配線基板領域において、磁性領域の内部に設けられているコイルと、複数の配線基板領域において、非磁性領域に設けられている配線導体とを有しており、配線導体が、複数のコイルの端部同士電気的に接続するとともに、複数の配線基板領域の外周において母基板から露出されていることから、複数のコイルのインダクタンス値を同時に測定できるので、インダクタンス値の測定回数を低減でき、インダクタンス値の測定時間を短縮できる。
本発明の第1の実施形態における多数個取り配線基板を示す斜視図である。 図1のA部における配線基板領域の分解斜視図である。 本発明の第2の実施形態における多数個取り配線基板の配線基板領域の一部を示す分解斜視図である。
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1および図2に示された例のように、本発明の第1の実施形態における多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域11を含んでいる母基板1と、母基板1に埋設されているコイル2と、母基板1に設けられている配線導体3とを有している。図1および図2におい
て、多数個取り配線基板は、仮想のxyz空間内に設けられており、以下便宜的に「上方」とは仮想のz軸の正方向のことをいう。
母基板1は複数の配線基板領域11のそれぞれに磁性領域12および非磁性領域13を含んでいる。また、母基板1は複数の層1a〜1eを含んでおり、層1aおよび1bは、磁性体からなる磁性領域12である。以下、層1aおよび1bを磁性体層1aおよび1bという。層1cは磁性体層1aおよび1bの間に設けられている非磁性領域13であり、層1dは磁性体層1aの上方に設けられており、層1eは磁性体層1bの下方に設けられている。以下、層1c〜1eを非磁性体層1c〜1eという。磁性体層1aおよび1bは、例えば、ZnFe,MnFe,FeFe,CoFe,NiFe
BaFe,SrFeまたはCuFe等のフェライト材料から成る。非磁性体層1c〜1eは、磁性体層1aおよび1bよりも高い絶縁性を有しており、例えば低温同時焼成セラミックス(LTCC)等の絶縁材料から成る。
母基板1は、例えば複数の配線基板領域11とダミー領域14とを含んでいる。配線基板領域11は多数個取り配線基板が分割された後、配線基板となる領域である。ダミー領域14は多数個取り配線基板の分割後に廃棄される領域である。複数の配線基板領域11は、例えば縦方向または横方向に配列されており、図1に示す例では、母基板1は縦方向および横方向にそれぞれ5個ずつの合計25個の配線基板領域11が設けられている。ダミー領域14は、例えば複数の配線基板領域11の周囲を取り囲むように母基板1の外周側に設けられている。ダミー領域14は配線導体3を母基板1から露出するための領域である。
コイル2は、複数の配線基板領域11の磁性領域12のそれぞれに1つずつ埋設されており、複数の導体パターン2aおよび2bを含んでいる。複数の導体パターン2aおよび2bは、上下方向において隣接するように互いに異なる高さ位置に配置されており、上下方向に延びる仮想軸2xを囲むような形状を有している。図1において、仮想軸2xが二点鎖線によって示されている。導体パターン2aが磁性体層1aの上面に設けられており、導体パターン2bが磁性体層1bの上面に設けられている。導体パターン2aおよび2bは、非磁性体層1cを貫通して設けられたビア導体によって電気的に接続されている。コイル2は、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)または銀合金等の金属材料から成る。図1において、導体パターン2aおよび2bの電気的な接続関係が点線によって示されている。
複数の配線基板領域11に設けられたコイル2は、配線導体3によって電気的に接続されており、本実施形態において、コイル2同士は直列接続されている。
配線導体3は、複数のコイル2同士を電気的に接続するとともに、複数の配線基板領域11の外周において母基板1から露出されている。また、配線導体3は非磁性領域13に設けられており、複数の配線パターン3aおよび3bを含んでいる。複数の配線パターン3aおよび3bは、非磁性体層1c〜1eの層間および内部に設けられており、隣接する配線基板領域11に設けられたコイル2間を相互に電気的に接続している。配線導体3の材料は、例えばAg,Ag−Pd合金またはAg−Pt合金等のAgを含む材料を用いることができる。
配線導体3は非磁性領域13に設けられていることから、配線導体3が磁性領域に設けられている場合に比べて、配線導体3に生じる磁束を低減できるので、配線導体3のインダクタンス値を低減できる。
配線パターン3aは、非磁性体層1dの内部に設けられている。配線パターン3bは、非磁性体層3bの内部に設けられている。異なる配線基板領域11に設けられた配線パター
ン3a同士または配線パターン3b同士が電気的に接続されている。例えば、第1の配線基板領域11に設けられた配線パターン3aと、第1の配線基板領域11に隣接する第2の配線基板領域11に設けられた配線パターン3aとが電気的に接続されている。また、配線基板領域11において、平面視で配線パターン3aと対向するように配線パターン3bが設けられており、例えば第2の配線基板領域11に設けられた配線パターン3bと第3の配線基板領域11に設けられた配線パターン3bとが電気的に接続されている。
配線パターン3aまたは配線パターン3bは、ダミー領域14において母基板1の上面に露出した露出部3cを含む貫通導体に電気的に接続されている。配線導体3の露出部3cは、コイル2のインダクタンス値を測定するための部分であり、露出部3cにインダクタンス測定装置のプローブを当接させる部分である。露出部3cはダミー領域14に設けられており、ダミー領域14は多数個取り配線基板の分割後に廃棄される領域なので、露出部3cの面積を大きくするのに有効である。
なお、配線基板領域11には、上面および下面に設けられた表面電極4が設けられている。また、配線基板領域11の内部には、非磁性体層1dおよび1eにコイル2と表面電極4とを電気的に接続するための内部配線5が設けられている。また、内部配線5は複数の配線基板領域11にまたがって設けられているめっき用配線を含んでいる。
めっき用配線は表面電極4に電解めっき法によってめっき層を形成するためのものである。複数の配線基板領域11に設けられためっき用配線は、ダミー領域14にまで引き回されているとともに、ダミー領域14において互いに電気的に接続されている。本実施形態において、めっき用配線は、非磁性体層1dまたは1eに埋設されて、コイル2に電気的に接続されている。
本実施形態においては、導体パターン2aおよび2bの間の絶縁性を確保しつつ距離を小さくするために、導体パターン2aおよび2bの間に磁性体層1aおよび1bよりも絶縁性の高い非磁性体層1cが設けられている。非磁性体層1cは、上記したように、例えば低温同時焼成セラミックス(LTCC)等の絶縁材料から成る。母基板1が複数の導体パターン2aおよび2bの間に設けられた非磁性体層1cを含んでいることによって、複数の導体パターン2aおよび2bの間に磁性体層が設けられているものに比べて、複数の導体パターン2aおよび2bの間の距離を低減させることができる。したがって、複数の導体パターン2aおよび2bの間の電磁的結合が増大されて、コイル2全体のインダクタンス値が確保されている。また、導体パターン2aおよび2bの距離が低減されていることによって、多数個取り配線基板において低背化が図られている。
本実施形態の多数個取り配線基板は、複数の配線基板領域11を含んでいる母基板1と、母基板1に埋設されているコイル2と、母基板1に設けられている配線導体3とを有しており、配線導体3が複数のコイル2同士を電気的に接続するとともに、複数の配線基板領域11の外周において母基板1から露出されている。母基板1は複数の配線基板領域11のそれぞれに磁性領域12および非磁性領域13を含んでいる。コイル2は磁性領域12の内部に設けられている。配線導体3は非磁性領域13に設けられている。本実施形態の多数個取り配線基板が上記構成であることによって、コイル2同士が電気的に接続されていることから、複数のコイル2のインダクタンス値を同時に測定できるので、インダクタンス値の測定回数を低減でき、インダクタンス値の測定時間を短縮できる。
また、配線導体3が非磁性領域13に設けられていることから、配線導体3が磁性領域に設けられている場合に比べて、配線導体3に生じる磁束を低減できるので、配線導体3のインダクタンス値を低減できる。したがって、コイル2のインダクタンス値を正確に測定できる。
また、本実施形態の多数個取り配線基板は、ダミー領域14において母基板1から配線導体3の露出した露出部3cを有していることから、露出部3cを大きくできるので、露出部3cとプローブとが接触する面積を大きくして、プローブと露出部3cとの接触抵抗を低減できる。
また、複数の配線基板領域11に設けられたコイル2同士は、配線導体3によって直列接続されていることによって、複数のコイル2のインダクタンス値を足しあわせた合計インダクタンス値を測定できるので、合計インダクタンス値から各コイル2のインダクタンス値を容易に算出できる。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態の多数個取り配線基板において、第1の実施形態の多数個取り配線基板と異なる構成は、複数のコイル2同士が並列接続されていることである。第2の実施形態におけるその他の構成は、第1の実施形態の構成と同様である。
コイル2同士が並列接続されている場合には、めっき用配線である内部配線5を配線導体3として利用できる。すなわち、配線パターン3aまたは3bのいずれかをめっき用配線と共通のものとできる。したがって、第1の実施形態に比べて、配線パターン3aおよび3bを設ける面積を小さくできるので、配線基板領域11における内部配線2の引き回しの自由度を高めることができる。
第2の実施形態における多数個取り配線基板は、例えば、めっき用配線である内部配線5が非磁性層1dに設けられており、非磁性層1eに配線パターン3bが設けらている。このような場合には、めっき用配線である内部配線5と配線パターン3bとがダミー領域14において、母基板1から露出されており、この露出部を用いてインダクタンス値を測定できる。
なお、本発明は上記の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、コイル2は磁性領域12および非磁性領域13にもうけられていてもよい。
1・・・母基板
1a、1b・・・磁性体層
1c〜1e・・・非磁性体層
11・・・配線基板領域
12・・・磁性領域
13・・・非磁性領域
14・・・ダミー領域
2・・・コイル
2a、2b・・・導体パターン
3・・・配線導体
3a、3b・・・配線パターン
3c・・・露出部
4・・・表面電極
5・・・内部配線

Claims (2)

  1. 複数の配線基板領域を含んでいるとともに、前記複数の配線基板領域のそれぞれに磁性領域および非磁性領域を含んでいる母基板と、
    前記複数の配線基板領域において、前記磁性領域の内部に設けられているコイルと、
    前記複数の配線基板領域において、前記非磁性領域に設けられている配線導体とを備えており、
    前記配線導体が、複数の前記コイルの端部同士を電気的に接続するとともに、前記複数の配線基板領域の外周において前記母基板から露出されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
  2. 前記複数の前記コイル同士が、前記配線導体によって直列接続されていることを特徴とする請求項1に記載の多数個取り配線基板。
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