JP5876973B2 - 測色ユニット - Google Patents
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Description
(項目1) 検査される表面(9)上に光を放射する放射デバイス(2)を含む測色ユニット(1)であって、該放射デバイスは、少なくとも1つの半導体ベースの光源(6)と、該表面(9)によって散乱された光の少なくとも一部を受光し、この光の信号特性を出力する放射検出デバイス(12)とを含み、該放射検出デバイス(12)は、そこに入射する光のスペクトル分析を可能にし、
該測色ユニット(1)は、該光源(6)の少なくとも1つの電気パラメータを決定する少なくとも1つのセンサデバイス(10)と、さらに、この測定されたパラメータから、該放射デバイス(2)によって放射された光の特徴を示す少なくとも1つの値(UD,ID)を出力するプロセッサデバイス(14)とを含むことを特徴とする、測色ユニット(1)。
(項目2) 上記値は、上記放射デバイスによって放射された光の異なるスペクトル成分と関連する複数の成分を含むことを特徴とする、項目1に記載の測色ユニット(1)。
(項目3) 装置は、複数の電気パラメータがそれらと関連する値とともに保存されるメモリデバイスを含むことを特徴とする、項目1に記載の測色ユニット(1)。
(項目4) 上記電気パラメータが上記光源(6)の順方向電圧(UD)または順方向電流(ID)であることを特徴とする、項目1〜3のうちの少なくとも1項に記載の測色ユニット(1)。
(項目5) 上記光源(6)が白色発光ダイオードであることを特徴とする、項目1〜4のうちの少なくとも1項に記載の測色ユニット(1)。
(項目6) 上記放射デバイス(2)は、上記白色発光ダイオードに加えてさらなる光源を含むことを特徴とする、項目5に記載の測色ユニット(1)。
(項目7) 上記測色ユニット(1)は、複数の放射検出デバイス(12)を含むことを特徴とする、項目1〜6のうちの少なくとも1項に記載の測色ユニット(1)。
(項目8) 検査される表面(9)上に光を放射する放射デバイス(2)と、該表面(9)によって散乱された光の少なくとも一部を受光し、この光の信号特性を出力する放射検出デバイス(12)とを含む測色ユニット(1)であって、該放射検出デバイス(12)は、そこに入射する光のスペクトル分析を可能にし、
可動の光偏向素子(6)は、該放射デバイス(2)と該表面(9)との間に提供され、そこに入射する光が該放射検出デバイス(12)の方向に偏向されるような方法で、該放射デバイス(2)と該表面(9)との間を走るビーム経路内に移動することができることを特徴とする、測色ユニット(1)。
(項目9) 測色ユニット(1)および特に項目1から8のうちの少なくとも1項に記載の測色ユニット(1)を較正する装置であって、該測色ユニット(1)が収容され得る検査領域(30)と、所定の温度範囲内で該検査領域(30)の温度制御を可能にする加熱デバイスと、該測色ユニット(1)の放射デバイスによって放射された光を分離し、そこに入射する光のスペクトル分析を可能にする色分析デバイス(32)に該光を供給する光分離デバイスとを含む、装置。
(項目10) 上記装置は、上記測色ユニットの光源の少なくとも1つの電気パラメータを決定する少なくとも1つのセンサデバイス(25)を含むことを特徴とする、項目9に記載の装置。
(項目11) 上記装置は、複数の電気パラメータ(UD,ID)が保存されることができるメモリデバイス(27)を含むことを特徴とする、上記項目9から10のうちの少なくとも1つに記載の装置。
(項目12) 上記色分析デバイス(32)は、上記検査領域(30)の外側に配置されることを特徴とする、上記項目9から11のうちの少なくとも1項に記載の装置。
(項目13) 上記光分離デバイスは、上記検査領域(30)の外に通じる光ファイバ(34)を含むことを特徴とする、上記項目9から12のうちの少なくとも1項に記載の装置。
(項目14) 表面の色特性を検査する方法であって、
−光源(6)を用いて、検査される表面(9)上に光を放射するステップと、
−該表面(9)上に放射され、この表面(9)によって散乱および/または反射される光の少なくとも一部を検出するステップと、
−該光のスペクトル特性に関して光を分析するステップと
を含み、
該光源(6)の少なくとも1つの電気パラメータ(UD,ID)は、センサデバイス(10)を用いて測定され、このパラメータ(UD,ID)に基づいて、該表面上に放射される光の特徴を示す少なくとも1つの値が使用されることを特徴とする、方法。
(項目15) このパラメータ(UD,ID)に基づいて、上記表面(9)上に放射された光の所定の決定されたスペクトル分布が使用されることを特徴とする、項目14に記載の方法。
(項目16) 上記光源(6)の複数の電気パラメータに対する較正過程において、それと関連する複数のスペクトル分布が、該光源(6)によって放射された光に対して決定されることを特徴とする、項目14に記載の方法。
(摘要)
測色ユニット(1)は、検査される表面(9)上に光を放射する放射デバイス(2)を含み、該放射デバイス(2)は、少なくとも1つの半導体ベースの光源(6)と、該表面によって散乱された該光の少なくとも一部を受光し、この光の信号特性を出力する放射検出デバイス(12)とを含み、該放射検出デバイス(12)は、そこに入射する該光のスペクトル分析を可能にする。本発明によれば、該測色ユニットは、該光源(6)の少なくとも1つの電気パラメータを決定する少なくとも1つのセンサデバイス(10)と、また、該放射デバイス(2)によって放射された該光の特徴を示す少なくとも1つの値をこの測定されたパラメータから出力するプロセッサデバイス(14)とを含む。
2 放射デバイス
5 ハウジング
6 光源
9 表面
10 センサデバイス
11 光ファイバ
12 放射検出デバイス
14 プロセッサデバイス
15 開口部
16 メモリデバイス
18 表示デバイス
21 測色ユニットを較正するための装置
25 検出デバイス
27 メモリデバイス
30 検査領域
31 加熱デバイス
λ 波長
λP 最大強度の波長
UD 順方向電圧
ID 順方向電流
TH 半値全幅
I 強度
Claims (12)
- 測色ユニット(1)を較正する装置であって、該装置は、
測色ユニット(1)であって、
検査される表面(9)上に光を放射する放射デバイス(2)であって、該放射デバイスは、少なくとも1つの半導体ベースの光源(6)を含む、放射デバイス(2)と、
該表面(9)によって散乱された光の少なくとも一部を受光し、この光の信号特性を出力する放射検出デバイス(12)であって、該放射検出デバイス(12)は、そこに入射する光のスペクトル分析を可能にする、放射検出デバイス(12)と
を含み、該測色ユニット(1)は、該光源(6)の電気パラメータ(U D )を決定する少なくとも1つのセンサデバイス(10)と、さらに、この測定されたパラメータから、該放射デバイス(2)によって放射された光の特徴を示す少なくとも1つの値を出力するプロセッサデバイス(14)とを含むことを特徴とし、該装置は、複数の電気パラメータがそれらと関連する値とともに保存されるメモリデバイスを含むことを特徴とし、該値は、少なくとも、半値全幅および最大強度の波長に関連する、測色ユニット(1)と、
該測色ユニット(1)が収容される検査領域(30)と、
所定の温度範囲内で該検査領域(30)の温度制御を可能にする加熱デバイスと、
該測色ユニット(1)の該放射デバイスによって放射された光を分離し、そこに入射する光のスペクトル分析を可能にする色分析デバイス(32)に該光を供給する光分離デバイスと
を含む、装置。 - 前記測色ユニットは、前記放射デバイスによって放射された光の異なるスペクトル成分と関連する複数の成分を前記値が含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記測色ユニットは、前記電気パラメータが前記光源(6)の順方向電圧(UD)であることを特徴とする、請求項1〜2のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 前記測色ユニットは、前記光源(6)が白色発光ダイオードであることを特徴とする、請求項1〜3のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 前記測色ユニットは、前記放射デバイス(2)が前記白色発光ダイオードに加えてさらなる光源を含むことを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 前記測色ユニットは、前記測色ユニット(1)が複数の放射検出デバイス(12)を含むことを特徴とする、請求項1〜5のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 前記装置は、前記測色ユニットの光源の少なくとも1つの電気パラメータを決定する少なくとも1つのセンサデバイス(25)を含むことを特徴とする、請求項1〜6のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 前記装置は、複数の電気パラメータ(UD,ID)が保存されることができるメモリデバイス(27)を含むことを特徴とする、請求項1〜7のうちの少なくとも1つに記載の装置。
- 前記色分析デバイス(32)は、前記検査領域(30)の外側に配置されることを特徴とする、請求項1〜8のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 前記光分離デバイスは、前記検査領域(30)の外に通じる光ファイバ(34)を含むことを特徴とする、請求項1〜9のうちの少なくとも1項に記載の装置。
- 表面の色特性を検査する方法であって、
−光源(6)を用いて、検査される表面(9)上に光を放射するステップと、
−該表面(9)上に放射され、この表面(9)によって散乱および/または反射される光の少なくとも一部を検出するステップと、
−該光のスペクトル特性に関して光を分析するステップと
を含み、
該光源(6)の少なくとも1つの電気パラメータ(UD,ID)は、センサデバイス(10)を用いて測定され、このパラメータ(UD,ID)に基づいて、該表面上に放射される光の特徴を示す少なくとも1つの値が使用されることを特徴とし、
請求項1から10のうちの少なくとも1項に記載の装置を使用して、該光源(6)の複数の電気パラメータに対して、較正過程において、それと関連する複数のスペクトル分布が、該光源(6)によって放射された光に対して決定される、方法。 - このパラメータ(UD,ID)に基づいて、前記表面(9)上に放射された光の所定の決定されたスペクトル分布が使用されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
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