JP5848729B2 - 磁気記憶装置、ヘッド駆動制御装置及びヘッド駆動制御方法 - Google Patents
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また、本発明の磁気ヘッド駆動制御方法の一例を挙げるならば、磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドを駆動するヘッド駆動制御方法であって、前記記録磁極への通電を開始する前の非記録時に、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に定常電流を通電し、その後、前記記録磁極への通電を行って、記録動作を行うことを特徴とするものである。
(最適化方法及び効果)
本発明の特徴である、漏洩磁界、及び記録ヘッド120や高周波発振素子140の製造プロセスばらつきに起因する性能ばらつきを補償するための、記録ヘッド120(コイル123)への記録電流IW、高周波発振素子140の動作電流144、ならびに熱膨張素子TFC102によるクリアランス補正の方法とその効果について、以下に説明する。
以上の知見をもとに発明された、本発明のヘッド駆動制御装置による磁気記憶装置調整のフローチャートを図5に示す。
なお、ハードディスク装置(HDD)のような磁気記憶装置では、記録と再生の切り替え時間は50ns程度であり、本実施例ではこの時間内に切り替えが完了し、更に高周波発振素子駆動回路の起動完了時期が記録ヘッド駆動回路の再生から記録への切り替え時期よりも少なくとも0.1ns以上前になるようにして、それぞれの起動タイミングを調整した。なおそれぞれの回路系の立ち上り時間は10ns程度であった。
101:磁気ヘッドと磁気記録媒体のクリアランス
102:熱膨張素子部(TFC)
102a,b:熱膨張素子部(TFC)
102c,d:熱膨張素子部(TFC)
110:再生ヘッド部
111:シールド層
112:センサ素子
113:磁気シールド
114:下部磁気シールド
120:記録ヘッド部
121:記録磁界
122:記録磁極(主磁極)
123:コイル
124:補助磁極
125:記録ギャップ部
126:発振制御磁界
130:磁気記録媒体
131:潤滑層
132:保護層
133:第2の磁性層
134:第1の磁性層
135:軟磁性下地層
136:非磁性基板
137:磁気記録媒体に記録された上向き磁化
138:磁気記録媒体に記録された下向き磁化
140:高周波発振素子部(STO)
141:高周波磁界発生層(FGL)
142:中間層
143:スピン注入固定層
144:STO駆動用直流電源
145:高周波磁界
146:スピン注入固定層の磁化
147:高周波磁界発生層(FGL)の磁化
148:高周波磁界発生層(FGL)の磁化の回転方向
149:STO駆動電流
150:スライダ
151:ヘッド保護膜
152:磁気記録再生ヘッド浮上面(ABS)
200:スピンドルモータ
201:磁気記録媒体
202:アーム
203:磁気記録再生素子搭載スライダ
204:サスペンション
205:HGA
206:アクチュエータ
207:STOを駆動するための駆動信号
208:ヘッドアンプ集積回路(R/W−IC)
209:信号処理回路(R/Wチャネル)
210:マイクロプロセッサ(CPU)
211:ディスクコントローラ(HDC)
212:システム集積回路
Claims (17)
- 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドと、
前記磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生ヘッドと、
前記磁気記録ヘッドの記録動作、前記磁気再生ヘッドの再生動作を制御・処理する手段とを備え、
前記記録磁極への通電を開始する前の非記録時に、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に定常電流を通電し、その後、前記記録磁極への通電を行って、記録動作を行うことを特徴とする磁気記憶装置。 - 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドと、
前記磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生ヘッドと、
前記磁気記録ヘッドの記録動作、前記磁気再生ヘッドの再生動作を制御・処理する手段とを備え、
記録動作時には、前記記録磁極への通電に所定の期間先んじて、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に単一の値の電流値を通電することを特徴とする磁気記憶装置。 - 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドと、
前記磁気記録媒体から情報を読み取る磁気再生ヘッドと、
前記磁気記録ヘッドの記録動作、前記磁気再生ヘッドの再生動作を制御・処理する手段とを備え、
前記記録磁極への通電を開始する前の非記録時に、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に単一の値の電流値を通電し、その後、前記記録磁極への通電を行って、記録動作を行い、シーク時には、前記高周波磁界発振素子への通電を停止することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記マイクロ波アシスト磁気記録ヘッドは、記録磁極と補助磁極を有し、かつこれらの間のギャップ部に前記高周波磁界発振素子を有することを特徴とする請求項1乃至3何れか1つに記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気記憶装置の記録再生特性が最適化されるように調整された前記高周波磁界発振素子への通電と前記記録磁極への通電のタイミングが、前記磁気記憶装置の動作の制御に用いられるレジスタに格納されていることを特徴とする請求項1乃至4何れか1つに記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気記憶装置は、更に、前記高周波磁界発振素子と前記磁気記録媒体とのクリアランスを制御する手段を備え、前記磁気記憶装置の記録再生特性が最適化されるように調整されたクリアランスの値をレジスタに格納されていることを特徴とする請求項1乃至5何れか1つに記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気記憶装置の環境が変化した場合に、前記高周波発振素子への通電のタイミングを再調整すること特徴とする請求項5または6に記載の磁気記憶装置。
- 前記記録再生特性が再生出力もしくはエラーレートであることを特徴とする請求項6または7に記載の磁気記憶装置。
- 前記環境の変化は、温度変化であることを特徴とする請求項7に記載の磁気記憶装置。
- 前記環境の変化は、気圧変化であることを特徴とする請求項7に記載の磁気記憶装置。
- 前記磁気記録媒体は、パターン媒体であることを特徴とする請求項1乃至10何れか1つに記載の磁気記憶装置。
- 磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドを駆動するヘッド駆動制御装置であって、
記録信号を供給する記録信号供給手段と、
前記高周波磁界発振素子に駆動信号を供給する駆動制御手段と、
前記記録磁極への通電を開始する前の非記録時に、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に定常電流を通電し、その後、前記記録磁極への通電を行って、記録動作を行うように制御する手段とを有することを特徴とするヘッド駆動制御装置。 - 前記駆動制御手段は、オーバシュート量を調整する手段を含むことを特徴とする請求項12に記載のヘッド駆動制御装置。
- 前記駆動制御手段は、正、負の極性を切り換える駆動手段を含むことを特徴とする請求項12に記載のヘッド駆動制御装置。
- 前記高周波磁界発振素子と前記磁気記録媒体とのクリアランスを制御する手段を、更に有することを特徴とする請求項12に記載のヘッド駆動制御装置。
- 更に、前記駆動信号の値、前記オーバシュート量の値、前記記録信号供給信号の値、これらの動作タイミングの値を保持するレジスタを有することを特徴とする請求項13に記載のヘッド駆動制御装置。
- 磁気記録媒体に書き込むための記録磁界を発生する記録磁極と、高周波磁界を発生する高周波磁界発振素子と、前記高周波磁界発振素子に通電する手段とを有するマイクロ波アシスト磁気記録ヘッドを駆動するヘッド駆動制御方法であって、
前記記録磁極への通電を開始する前の非記録時に、前記高周波磁界発振素子に通電する手段により前記高周波磁界発振素子に定常電流を通電し、その後、前記記録磁極への通電を行って、記録動作を行うことを特徴とするヘッド駆動制御方法。
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