JP5846780B2 - 真空処理装置及び真空処理方法、リチウムイオン二次電池の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、真空処理装置であって、前記第二の真空処理を行う処理部に接続された仕込取出室と、前記搬出入室とは、対面する位置に配置された真空処理装置である。
本発明は、長手方向を有する形状に形成された移動室と、前記移動室の前記長手方向の一端に接続された搬入室と、前記移動室の前記長手方向の他端に接続された搬出室と、少なくとも一部が前記移動室内に位置し、前記搬入室側から前記搬出室側へ基板を移動させる移動機構と、前記基板の移動方向の、搬入室が接続された位置と前記搬出室が接続された位置との間で、第一〜第三の仕込取出室を介して前記移動室に接続された第一〜第三の処理部と、前記基板を前記移動室内に搬出入する搬出入室と、前記移動機構とは別に、前記基板を前記搬出入室から前記移動室を介して前記第二の仕込取出室に移動させる二度処理用搬送部と、を有する真空処理装置を用いた真空処理方法であって、前記搬出入室から搬入した前記基板を前記二度処理用搬送部によって前記第二の処理部に移動させ、前記第二の処理部内で、第二の真空処理を行った後、前記搬出入室から前記第二の真空処理が行われた基板を大気に取り出し、次いで、前記搬入室から前記第二の真空処理が行われた基板を搬入して前記第一の処理部内で第一の真空処理を行う真空処理方法である。
本発明は、真空処理方法であって、前記第一の真空処理を行った後、前記第二の処理部内で第四の真空処理を行う真空処理方法である。
本発明は、リチウムイオン二次電池の製造方法であって、前記第二の真空処理は前記基板上に正極集電体膜を成膜する処理であり、前記第一の真空処理は前記正極集電体膜上に正電極膜を成膜する処理である真空処理方法でリチウムイオン二次電池を製造するリチウムイオン二次電池の製造方法である。
本発明は、リチウムイオン二次電池の製造方法であって、前記第一の真空処理を行った後、前記第二の処理部内で負極集電体膜を成膜する処理である第四の真空処理を行うリチウムイオン二次電池の製造方法である。
生産装置を短くすることができる。
移動機構は、少なくとも一部が移動室2内に配置されており、移動室2内部に位置する基板を搬入室31側から搬出室32側へ移動させるように構成されている。
搬入室31と、搬出室32と、搬出入室36は、それぞれ開閉自在な扉を有しており、搬入室31の内部雰囲気と搬出室32の内部雰囲気と搬出入室36の内部雰囲気と、移動室2の内部雰囲気との間とを遮断して扉を開けると、移動室2の内部を所望のガスの雰囲気に維持しながら、搬入室31の内部雰囲気と搬出室32の内部雰囲気と搬出入室36の内部雰囲気とを、大気に接続して大気との間で基板70の搬出又は搬入ができるようになっている。
搬入室31と、搬出室32と、搬出入室36には、それぞれガス導入装置55と同じガスを導入することができるガス導入系513〜515が接続されており、移動室2の内部雰囲気から遮断した状態では、搬入室31と、搬出室32と、搬出入室36とを、大気雰囲気から移動室2の内部と同じガスの雰囲気にすることができる。
搬入室31と搬出室32を移動室2と同じガス雰囲気にすると、搬入室31から移動室2への基板70の搬入と、搬出室32への移動室2からの基板70の搬出を行うことができる。
上記真空処理装置30で基板を真空処理する際、移動室2を所望のガス雰囲気にし、第一〜第三の仕込取出部33〜35の内部を真空雰囲気にしておく。
そして、第二の処理部4内で真空処理をし、第二の仕込取出部34に戻す。
処理された基板は真空処理装置30の外部で搬入室31の方向に移動させ、移動室2と遮断された搬入室31内に搬入する。
ここで、第一の搬送部44によって、搬入した基板を第一の仕込取出部33に移動させる。上述した第二の仕込取出室34と第二の処理部4との間の処理及び搬出入と同様に、第一の仕込取出室33から第一の処理部3に移動させ、第一の処理部3内で基板に真空処理を行った後、第一の仕込取出部33に戻し、移動室2に移動させる。
ここでの真空処理は、第一の処理部3で真空処理を行う前に第二の処理部4によって行った真空処理と同じ内容の真空処理であってもよいし、異なる内容の真空処理であってもよい。
この基板は搬出室32から大気に取り出すこともできるが、ここでは、第三の仕込取出部35を介して第三の処理部5に移動させ、第三の処理部5内で、更に、真空処理を行うことができる。
第三の処理部5内で真空処理が終了した基板は、第三の仕込取出部35を介して移動室2に移動させ、搬出室32から大気に取り出すことができる。
図2の符号1は、リチウムイオン二次電池量産装置の一例であり、移動室2と、第一〜第三の処理部3〜5と、第一〜第三の仕込取出室33〜35を有している。移動室2の、第一の仕込取出室33と対面する位置には、アニール装置6が接続されている。ガス導入装置や真空排気装置の図示は省略した。
負極形成装置10の円形搬送装置26には、処理基板71を反転した状態で真空処理が行える機能が備えられている。
アニール室29の内部には、ヒータ28が配置され、ヒータ28に通電すると、ヒータ28は赤外線を放出し、発熱するように構成されている。
ガス導入装置55により水分を含まないアルゴン等の希ガスを移動室2内に導入し、移動室2内をアルゴンガス雰囲気にする。
成膜後の基板は、処理基板71として説明する。仕込取出室23へ搬送された処理基板71を搬出入室36に戻し、処理基板71を搬出入室36の外部に取り出す。
正電極膜82が形成された処理基板71は、正極形成室8に接続された仕込取出室23を通って移動室2内へ移動させる。
アニール室29の内部でヒータ28によって処理基板71を加熱し、正電極膜82を結晶化させる。
結晶化後、挿入抜去装置37によって処理基板71を移動室2の内部に移動させる。
ここでは、保護膜86は、Al2O3膜、Al膜、Al2O3膜の三層が積層された膜であり、この順序で、負電極膜84側から形成されている。
最表層に保護膜86が形成された処理基板71を搬出室32へ移動させ、搬出室32外部に取り出す。
図10の符号50は、リチウムイオン二次電池量産装置の他の例であり、ここでは、第一の処理部3は、正極形成装置8と、電解質膜形成装置9とを有し、第二の処理部4は、負極形成装置10を有している。第三の処理部5は、集電体形成装置7と、保護膜形成装置11とを有している。
正極集電体膜91を成膜後、処理基板71を搬出入室36に戻し、大気中に取り出す。
上述した処理装置は成膜装置に限定されず、エッチング、CVD、表面改質等が行える装置でもよい。
また、負極集電体膜85と負電極膜84の形成順序は逆であっても良いし、正極集電体薄膜81と正電極膜82の形成順序も逆であっても良い。
なお、本発明によれば、移動室2内に搬入された後、大気に搬出されるまでは、基板は大気に曝されることはない。
3〜5……第一〜第三の処理部
7……集電体形成装置
8……正電極膜形成装置
9……電解質膜形成装置
10……負極形成装置
11……保護膜形成装置
36……搬出入室
81……正極集電体薄膜
82……正電極膜
83……電解質膜
84……負電極膜
85……負極集電体膜
Claims (6)
- 長手方向を有する形状に形成された移動室と、
前記移動室の前記長手方向の一端に接続された搬入室と、
前記移動室の前記長手方向の他端に接続された搬出室と、
少なくとも一部が前記移動室内に位置し、前記搬入室側から前記搬出室側へ基板を移動させる移動機構と、
前記基板の移動方向の、前記搬入室が接続された位置と前記搬出室が接続された位置との間で、第一〜第三の仕込取出室を介して前記移動室に接続された第一〜第三の処理部と、
前記基板を前記移動室内に搬出入する搬出入室と、
前記移動機構とは別に、前記基板を前記搬出入室から前記移動室を介して前記第二の仕込取出室に移動させる二度処理用搬送部を有し、
前記第二の処理部内で、第二の真空処理を行い、前記搬出入室から前記第二の真空処理が行われた前記基板を大気に取り出した後、前記搬入室から前記第二の真空処理が行われた前記基板を搬入して、前記第一の処理部内で第一の真空処理を行えるように構成された真空処理装置。 - 前記第二の真空処理を行う処理部に接続された仕込取出室と、前記搬出入室とは、対面する位置に配置された請求項1記載の真空処理装置。
- 長手方向を有する形状に形成された移動室と、
前記移動室の前記長手方向の一端に接続された搬入室と、
前記移動室の前記長手方向の他端に接続された搬出室と、
少なくとも一部が前記移動室内に位置し、前記搬入室側から前記搬出室側へ基板を移動させる移動機構と、
前記基板の移動方向の、搬入室が接続された位置と前記搬出室が接続された位置との間で、第一〜第三の仕込取出室を介して前記移動室に接続された第一〜第三の処理部と、
前記基板を前記移動室内に搬出入する搬出入室と、
前記移動機構とは別に、前記基板を前記搬出入室から前記移動室を介して前記第二の仕込取出室に移動させる二度処理用搬送部と、
を有する真空処理装置を用いた真空処理方法であって、
前記搬出入室から搬入した前記基板を前記二度処理用搬送部によって前記第二の処理部に移動させ、
前記第二の処理部内で、第二の真空処理を行った後、前記搬出入室から前記第二の真空処理が行われた基板を大気に取り出し、
次いで、前記搬入室から前記第二の真空処理が行われた基板を搬入して前記第一の処理部内で第一の真空処理を行う真空処理方法。 - 前記第一の真空処理を行った後、前記第二の処理部内で第四の真空処理を行う請求項3記載の真空処理方法。
- 前記第二の真空処理は前記基板上に正極集電体膜を成膜する処理であり、前記第一の真空処理は前記正極集電体膜上に正電極膜を成膜する処理である請求項3記載の真空処理方法でリチウムイオン二次電池を製造するリチウムイオン二次電池の製造方法。
- 前記第一の真空処理を行った後、前記第二の処理部内で負極集電体膜を成膜する処理である第四の真空処理を行う請求項5記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
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