JP5838648B2 - シリコンウェハーのブレイクパターン、シリコンウェハー、および、シリコン基板 - Google Patents
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Description
Luminescence)ディスプレイ、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ(生物化学素子)の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等がある。
該切断予定線上にシリコンウェハーを厚さ方向に貫通した貫通孔を複数列設し、
該貫通孔は、第1の(111)面と、
第1の(111)面と交差すると共に前記(110)面に直交する第2の(111)面と、
該第2の(111)面と第1の(111)面とに交差すると共に前記(110)面に対して傾斜する第3の(111)面と、を有し、
第2の(111)面と第3の(111)面の端縁との交差点を、隣り合う貫通孔に最も近接する点とし、
第1の(111)面に直交する方向における前記交差点の位置を、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の相対する第1の(111)面の間に設定したことを特徴とする。
なお、切断予定線とは、シリコンウェハーを個々のパーツに分割する際の目標とする切断位置(想定される切断位置)を示す仮想線を意味し、第1の(111)面に直交する方向に対し、貫通孔を超えない範囲で多少の幅を有する。
また、上記目的を達成するために提案される本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンは、以下の構成を備えたものであってもよい。
すなわち、表面を(110)面としたシリコンウェハーに、該(110)面上であって、該(110)面に直交する第1の(111)面の面方向に切断予定線を設定し、
該切断予定線を含み前記シリコンウェハーを厚さ方向に貫通した貫通孔を複数形成し、
該貫通孔は、前記第1の(111)面と、
前記第1の(111)面と交差すると共に前記(110)面に直交する第2の(111)面と、
該第2の(111)面と前記第1の(111)面とに交差すると共に前記(110)面に対して傾斜する第3の(111)面と、
前記第1の(111)面と相対して対を成す第1の(111)面と、を有し、
前記第2の(111)面と、前記第3の(111)面の端縁と、の交差点を、隣り合う貫通孔に最も近接する点とし、
前記第1の(111)面に直交する方向における前記交差点の位置が、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の対を成す第1の(111)の間に設定されたことを特徴とする。
本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンによれば、第2の(111)面と第3の(111)面の端縁との交差点から切断予定線に沿った仮想線上に隣り合う貫通孔が配置されるため、切断予定線に沿って切断することができる。また、エッチングがばらついたとしても、切断予定線に沿って切断することができ、安定して基板を切断することができる。
上記構成において、前記交差点は、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の第2の(111)面に対向させた構成を採用することが望ましい。
本発明のシリコンウェハーのブレイクパターンによれば、切断予定線の位置を第2の(111)面を通る位置に絞り込むことができ、より正確に切断することができる。これにより、より安定して基板を切断することができる。
また、本発明のシリコンウェハーは、上記何れかの構成のブレイクパターンが形成されたことを特徴とする。
さらに、本発明のシリコン基板は、上記シリコンウェハーを切断してなるシリコン基板であって、
前記(110)面と交差する切断面には、凹部が形成され、
前記凹部の底面が、前記(110)面と直交する前記第1の(111)面、または、前記第1の(111)面と対をなす第1の(111)面であることを特徴とする。
図5(a)〜(e)は、図4のブレイクパターンにおける貫通孔40の形成過程を説明する状態遷移図、図6(a)〜(e)は、図5の各状態におけるA−A線断面図である。上記ブレイクパターンを作製するためには、まず、熱酸化処理によって、シリコンウェハー38の表面39(表側と裏側の(110)面)に、厚さ1μm〜2μm程度のシリコン酸化膜(SiO2)49(以下、単に酸化膜49という。)を形成する。酸化膜49を形成する方法としては、例示したものには限らず、他の方法、例えば、CVD(化学蒸着法)やイオン注入法などを採用することもできる。また、シリコン酸化膜には限らず、ホウ素やガリウム原子を添加した所謂p型シリコン膜や、ヒ素やアンチモン原子を添加したn型シリコン膜などを形成しても良い。その後、樹脂レジストを用いて、貫通孔40に対応する部分が開口したレジストパターンを設け、フッ化水素酸(所謂フッ酸)水溶液などのエッチング溶液によって、開口部に露出した酸化膜49を除去することで、図5(a)、図6(a)に示すように、エッチングに対するマスクパターンを形成する。
Claims (4)
- 表面を(110)面としたシリコンウェハーに、該(110)面上であって、該(110)面に直交する第1の(111)面の面方向に切断予定線を設定し、
該切断予定線を含み前記シリコンウェハーを厚さ方向に貫通した貫通孔を複数形成し、
該貫通孔は、前記第1の(111)面と、
前記第1の(111)面と交差すると共に前記(110)面に直交する第2の(111)面と、
該第2の(111)面と前記第1の(111)面とに交差すると共に前記(110)面に対して傾斜する第3の(111)面と、
前記第1の(111)面と相対して対を成す第1の(111)面と、を有し、
前記第2の(111)面と、前記第3の(111)面の端縁と、の交差点を、隣り合う貫通孔に最も近接する点とし、
前記第1の(111)面に直交する方向における前記交差点の位置が、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の対を成す第1の(111)の間に設定されたことを特徴とするシリコンウェハーのブレイクパターン。 - 前記交差点は、隣り合う貫通孔の当該交差点に近接する側の第2の(111)面に対向させたことを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェハーのブレイクパターン。
- 請求項1または請求項2に記載のブレイクパターンが形成されたことを特徴とするシリコンウェハー。
- 請求項3に記載のシリコンウェハーを切断してなるシリコン基板であって、
前記(110)面と交差する切断面には、凹部が形成され、
前記凹部の底面が、前記(110)面と直交する前記第1の(111)面、または、前記第1の(111)面と対をなす第1の(111)面であることを特徴とするシリコン基板。
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