JP5833333B2 - 光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 - Google Patents
光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5833333B2 JP5833333B2 JP2011093157A JP2011093157A JP5833333B2 JP 5833333 B2 JP5833333 B2 JP 5833333B2 JP 2011093157 A JP2011093157 A JP 2011093157A JP 2011093157 A JP2011093157 A JP 2011093157A JP 5833333 B2 JP5833333 B2 JP 5833333B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- resin composition
- weight
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は互いに独立に、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基から選ばれる基である。また、nは5〜500の整数が好ましく、100程度であるものがより好ましい。なお、置換基としてフェニル基を有するものは、比較的高温下において成型、硬化を行う必要があり、また、フェニル基は400nm以下の波長領域を吸収する特性を有するため、LEDなどの光半導体からの光によって劣化しやすいため好ましくない。
粘度が100mPa・sである両末端に水酸基を有するジメチルオルガノポリシロキサン(ポリシロキサンA)20重量部、粘度が1000mPa・sである両末端に水酸基を有するジメチルオルガノポリシロキサン(ポリシロキサンB)50重量部、粘度が15,000mPa・sである側鎖に水酸基を有するジメチルオルガノポリシロキサン(ポリシロキサンC)20重量部、粘度が30,000mPa・sである末端および側鎖に水酸基を有するジメチルオルガノポリシロキサン(ポリシロキサンD)10重量部、平均粒子径が0.3μmである二酸化チタン180重量部、平均粒子径が20μmであるアルミナ620重量部、溶融球状シリカ50重量部、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、商品名 KBM903)30重量部、以上をA剤とした。また、ジブチル錫ジラウリレート1重量部を触媒とした。
実施例1で用いた配合材料の他、触媒としてジイソプロポキシビス(アセチルアセトネート)チタンを用い、表1記載の配合とした。
A剤に記載した各材料を混練しながら120℃、100Pa下で1時間加熱することによって脱水し、常温常圧に戻すことにより、A剤を調製した。調製したA剤および触媒を混合攪拌脱泡機に投入して混合することにより、シリコーン樹脂組成物を得た。幅30mm、深さ2mm、長さ150mmの溝を有し、フッ素樹脂で被覆処理された金属枠にシリコーン樹脂組成物を流し込んだ後、23℃雰囲気下6時間、80℃雰囲気下1時間または100℃雰囲気下15分間のそれぞれの条件で硬化させ、硬化状態を確認した。完全に硬化したものを○、表面や内部にタックがあったり、半流動状態のものは×と評価した。
前記硬化性の評価において、23℃雰囲気下6時間で硬化させた皮膜を使用し、表面および深さ方向に切断した断面について、目視ならびに50倍の拡大鏡を用いて充填材の分散状態を確認した。均一に分散されているものを○、不均一になっているものを×と評価した。
前記硬化性の評価において、23℃雰囲気下6時間で硬化させた皮膜を使用し、分光側色計(コニカミノルタ社製、商品名 CM−700d)を用いて表面の反射率を測定した。そのまま測定したものを初期とし、180℃雰囲気下で24時間放置した後に測定したものを耐熱とし、UV照射(365nmにピークを有し、出力100mW/cm2の高圧水銀灯を使用)を行った後に測定したものを耐光性とした。
Claims (2)
- 下記式(1)で表されるシラノール基を有するポリシロキサン(a)、二酸化チタン(b)、アルミナ(c)、溶融球状シリカ(d)、硬化触媒(e)を含有し、
組成物全体に対して、二酸化チタン(b)の含有量が5〜25重量%であり、アルミナ(c)の含有量が50〜90重量%であり、溶融球状シリカ(d)の含有量が0.2〜10重量%であることを特徴とする光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物。
(式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は互いに独立に、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基から選ばれる基であり、nは5〜500整数である。) - 100℃以下の条件で成型、硬化が可能であることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011093157A JP5833333B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011093157A JP5833333B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012224736A JP2012224736A (ja) | 2012-11-15 |
JP5833333B2 true JP5833333B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=47275280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011093157A Expired - Fee Related JP5833333B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5833333B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY151065A (en) * | 2003-02-25 | 2014-03-31 | Kaneka Corp | Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device |
JP2009021394A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
JP2010018786A (ja) * | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
JP2010106243A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物 |
-
2011
- 2011-04-19 JP JP2011093157A patent/JP5833333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012224736A (ja) | 2012-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4563977B2 (ja) | 加熱硬化型シリコーン組成物及びそれを用いた発光ダイオード素子 | |
TWI557181B (zh) | 可交聯之聚矽氧組合物及其交聯產品 | |
US9803062B2 (en) | Heat resistant silicone rubber composition | |
WO2019078140A1 (ja) | 硬化性粒状シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法 | |
JPWO2008047892A1 (ja) | 硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 | |
KR20150065672A (ko) | 광반도체 소자 밀봉용 실리콘 조성물 및 광반도체 장치 | |
WO2017122762A1 (ja) | 縮合反応型シリコーン組成物及び硬化物 | |
TW201631044A (zh) | 硬化性聚矽氧樹脂組成物及其硬化物 | |
JP6533387B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、並びに半導体装置 | |
KR101454798B1 (ko) | 발광 다이오드 소자의 봉지재용 실록산 가교제 | |
JPWO2018047633A1 (ja) | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置 | |
JP2011178888A (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 | |
TW201544548A (zh) | 硬化性樹脂組成物及其硬化物 | |
JPWO2017122712A1 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、封止材、及び半導体装置 | |
JP7108432B2 (ja) | 付加型シリコーン樹脂組成物及びこれを使用した光半導体装置 | |
JP2021042332A (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物、光反射材、及び、光半導体装置 | |
WO2015178475A1 (ja) | 分岐鎖状ポリオルガノシロキシシルアルキレン、その製造方法、硬化性樹脂組成物、及び半導体装置 | |
JP6228284B1 (ja) | 硬化性樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 | |
JP5833333B2 (ja) | 光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物 | |
KR20160099548A (ko) | 선택적 광 차단 광학-물리적 재료 및 그러한 선택적 광 차단 광학-물리적 재료를 포함하는 광학 장치 | |
JP2020147750A (ja) | 二成分型室温縮合硬化性オルガノポリシロキサン組成物 | |
TWI634160B (zh) | 有機矽金屬複合物、包括其之可固化有機聚矽氧烷組合物及包括此組合物的光學材料 | |
JP6509526B2 (ja) | オルガノポリシロキサン、ハイドロジェンオルガノポリシロキサン、及びそれらを用いた熱硬化性樹脂組成物、光半導体用封止材、光半導体用ダイボンド材、並びに、半導体パッケージ | |
JP5644800B2 (ja) | 2液混合型オルガノポリシロキサン組成物 | |
JP5829466B2 (ja) | 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150319 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5833333 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |