JP5827921B2

JP5827921B2 - 炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置及び炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法

Info

Publication number: JP5827921B2
Application number: JP2012090732A
Authority: JP
Inventors: 伊藤　渉; 伊藤　　渉; 崇藍郷; 昭義立川; 泰三星野
Original assignee: Nippon Steel Corp; Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp; Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Priority date: 2012-04-12
Filing date: 2012-04-12
Publication date: 2015-12-02
Anticipated expiration: 2032-04-12
Also published as: JP2013216554A

Description

本発明は、炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置、及び炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法に関し、詳しくは、炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長においてステップバンチングの発生を抑えることができるようにした炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置、及びこれを用いた炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法に関するものである。

炭化珪素(以下、SiCと表記する)は、耐熱性及び機械的強度に優れ、物理的、化学的に安定なことから、耐環境性半導体材料として注目されている。また、近年、高周波高耐圧電子デバイス等の基板としてＳｉＣエピタキシャルウェハの需要が高まっている。

ＳｉＣ単結晶基板（以下、SiC基板という）を用いて、電力デバイス、高周波デバイス等を作製する場合には、通常、ＳｉＣ基板上に熱ＣＶＤ法(熱化学蒸着法；以下、単にCVD法という)と呼ばれる方法を用いてエピタキシャル成長させＳｉＣ薄膜を得る。ＳｉＣ基板上にエピタキシャル成長膜を形成する理由は、キャリア密度が制御された層を使ってデバイスを作り込むためである。

ＭＯＳＦＥＴに代表される電子デバイスでは、表面に金属酸化膜が形成され、その界面に沿って電流が流れるため、表面粗度によってキャリアの散乱等が原因となってデバイスの動作性能や信頼性能を低下させる。従って、エピタキシャルウェハの表面は極力平滑である必要がある。

一方、ＳｉＣのエピタキシャル成長では、４Ｈ−ＳｉＣ以外に３Ｈ−ＳｉＣや６Ｈ−ＳｉＣなどのポリタイプが知られ、これらは同時に形成されやすい。そのため、異種ポリタイプの混入を防ぐために、結晶面に対して微傾斜させた表面を使ってステップフロー成長させることが一般に行われている。この時、テラスの上をＳｉ源及びＣ源となる各原料ガスに由来の吸着粒子（その構造の詳細は不明だがSi-C結合の骨格を持つものと推定される）が移動（マイグレーション）する速度のばらつきが原因で、ステップ端が合体し、所謂、ステップバンチングが発生する。その高さは、数原子層を超えることもある。

ステップバンチングは、経験的に結晶インゴットからＳｉＣ基板を切り出す際の傾斜角度が深いほど出にくく、また、Ｓｉ面よりＣ面の方がやはり出にくいことが知られている。すなわち、傾斜角度が深くなるとステップの密度が高まり、マイグレーション速度のばらつきの影響が出づらくなる。また、Ｃ面上へのエピタキシャル成長では、Ｓｉ原子がまず吸着することになるが、Ｓｉ原子のほうがＣ原子よりマイグレーション速度が高いために、やはりばらつきが出にくいとされている。

しかしながら、一つの結晶インゴットから切り出す時は傾斜角度が浅いほど多くのＳｉＣ基板が取れ、また、これまでに、Ｓｉ面上の方がＣ面上よりエピタキシャル成長の検討が進んで作りやすいという背景から、別途ステップバンチングを抑制する手段を検討する重要性は以前にも増して高まっている。一方で、ステップバンチングが何故発生するのか（発生の起源）の詳細は未だよく分かっていないために、それを抑制するための手法も確立されておらず、経験則に頼っているのが現実である。

例えば、ステップバンチングを抑えるために、特許文献１ではエピタキシャル成長前にプロパン(C₃H₈)を予め流しておく方法を開示している。特許文献２では逆にシラン（SiH₄)を予め流しておく方法を開示している。更に、特許文献３ではエピタキシャル成長前にプロパンとシランを同時供給する方法を開示している。

しかしながら、これらの手法はステップバンチングの詳細な発生原因の特定によってもたらされたものではないため、ステップバンチングを確実に抑制することができる方法について更に検討する必要がある。

ところで、プラズマＣＶＤ法によって絶縁基板表面にシリコン薄膜を形成する際に、基板に直流バイアス電位や交番電位を印加することが知られている（特許文献４、５参照）。これらは、プラズマ特有の強いイオン衝撃によるダメージを緩和するために、基板をプラズマ源から離して位置させておき、該基板に電位を印加して膜中の欠陥を抑制する技術に関する。すなわち、これらの場合では、いずれもガラス等のような熱的にも電気的にも絶縁性を有した絶縁基板に電圧を印加するため、基板内部で電位勾配が形成され、基板表面には印加した電圧に相当する電位が形成されることはない。

特許第4238357号公報特開2005-277229号公報特開2011-49496号公報特開平10-81597号公報特開2002-141292号公報

本発明は、ＳｉＣ基板上へのＳｉＣのエピタキシャル成長において、ステップバンチングの発生を効率よく抑えることができる炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置と、その装置を使ってステップバンチングを抑制しながら炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する方法を提供するものである。

本発明者らは、ステップバンチングについて、テラス上を移動（マイグレーション）する吸着粒子の速度がテラス表面の状態の違いで異なることが原因でもたらされると考えた。そして、極わずかな表面状態の違いがテラス上の移動速度に影響を与えるのは、そもそもステップ端に向かって吸着粒子がテラス上を移動する駆動力が低いことに起因することを突き止め、本発明をなすに至った。

即ち、本発明は、
（１）ＣＶＤ法によって炭化珪素単結晶基板に炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させて炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する装置において、炭化珪素単結晶基板を載置する載置台に電源が接続されて、載置した炭化珪素単結晶基板に電圧が印加されるようにしたことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置。
（２）炭化珪素単結晶基板に印加される電圧が交番電圧であることを特徴とする（１）に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置。
（３）ＣＶＤ法によって炭化珪素単結晶基板に炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させて炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する方法において、炭化珪素単結晶基板に電圧を印加し、原料ガスに対して該基板が１００Ｖ以下の電位差を有するようにしながら、炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（４）炭化珪素単結晶基板に印加する電圧が１００Ｈｚ以下の交番電圧であることを特徴とする（３）に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（５）炭化珪素単結晶基板の電気抵抗率が０．００１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下である（３）又は（４）に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。

本発明の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置、及び炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法によれば、炭化珪素単結晶のエピタキシャル成長においてマイグレーションの駆動力が高まることから、テラス幅の狭い深い傾斜角度へのエピタキシャル成長の場合と同様の成長を実現でき、結果としてステップバンチングを効率よく抑制することができる。すなわち、本発明によれば、ステップバンチングが抑制された高い品質のエピタキシャル成長膜を備えた炭化珪素エピタキシャルウェハを提供することができる。その結果、デバイス化に当たってＳｉＣエピタキシャル膜起因の不良を大幅に減らすことができ、歩留まりの向上によってデバイスを安価に製造することができる。しかも、高い信頼性を有するデバイスの作製を可能にするといった絶大な効果をもたらす。

図１は、本発明における炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置の内部構造を模式的に示す説明図である。図２は、交播電界による成長粒子の引き込みの概念を模式的に示した説明図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
ＳｉＣ基板に電圧を印加しない通常のＣＶＤ法によるエピタキシャル成長では、ＳｉＣ基板自体が電位的に浮遊電位にあるため、例えば２,０００ＫでＳｉＣ基板に到達する粒子のエネルギーは０．１７ｅＶ程度である（絶対温度＝e/ｋ（eは電気素量、ｋはボルツマン定数）を使って計算）。すなわち、初期エネルギーが全てマイグレーションエネルギーに変わったとしても、その駆動力はあまり期待できない。

一方で、本発明のようにＳｉＣ基板を載置する載置台に電源を接続して、ＳｉＣ基板に電圧が印加されるようにしてエピタキシャル成長させると、基板表面に到達する荷電粒子は電界から運動エネルギーを獲得することができる。基板表面において、そのエネルギーは反応エネルギー、熱エネルギーなどに分配され、残った部分がマイグレーションエネルギーとして利用されると考えられる。そして、このマイグレーションエネルギーによって、原料ガス由来の吸着粒子が効率よくステップ端に到達できるようになる。この効果によって、従来はステップバンチングを抑制することが困難であった低オフ角（テラス幅が広い）のＳｉＣ基板、具体的には４°以下のオフ角を有したＳｉＣ基板であっても、容易に平滑な表面を持ったエピタキシャル膜を形成できるようになるのである。

まず、本発明におけるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置の例としてその概略図を図１に示す。本例示では、複数のＳｉＣ基板が縦方向に並んで配置される縦型構造のＣＶＤ装置を形成しており、周りを誘導加熱ヒーター５によって取り囲まれた発熱体１内には、ＳｉＣ基板を１枚ずつ載置することができる基板ホルダー（載置台）２と、各ＳｉＣ基板に対して原料ガスやドーピング元素を含んだガス等を供給するためのノズル４とが配設されている。これらの誘導加熱ヒーター５及び発熱体１は容器（筐体）６に収容されており、また、エピタキシャル成長において成長炉内に供給された各種ガスは、真空ポンプ７を介して容器外に排出される。

そして、本発明においては、各基板ホルダー２に載置されたＳｉＣ基板に対してそれぞれ電圧が印加されるように、電源３が接続されている。また、容器６は接地され、かつ、基板ホルダー２とは電気的に隔離されている。そのため、発熱体１の空間内に導入されたガスは浮遊電位であって、電気的なポテンシャルはほぼゼロであるのに対し、各基板ホルダー２に載置されたＳｉＣ基板には電位差が与えられるようになっている。

基板ホルダー２に対して接続する電源３については、後述するような理由から、好ましくは交番電圧を印加できるものであるのがよい。また、スイッチを介して接続されるようにしてもよく、更には、ＤＣ−ＡＣインバーターによって周波数を任意に可変できる機能を備えた電源を構成するようにしてもよい。エピタキシャル成長は、実際には１４５０℃以上の高温下で行われることから、図１に示したように、ＳｉＣ基板を載置する個別の基板ホルダー２に配線を設けて電源を接続する代わりに、一体構造を有した基板ホルダーに複数のＳｉＣ基板を搭載するようにして、例えば、ホルダー下部の高温にさらされない領域に接点を設けて電源と接続し、電位差を与えられるようにしてもよい。また、図１のような例示のほかに、例えば、横型構造やプラネタリ構造をしたＣＶＤ装置を形成するようにしてもよい。すなわち、平板のサセプター（載置台）にＳｉＣ基板を搭載したような場合も本発明を適用することができ、サセプター自体に電源を接続して、搭載されたＳｉＣ基板に電圧が印加されるようにしてもよい。

図２は、本発明におけるエピタキシャル成長の過程を概念的に図示したものである。ここではシリコン源の原料ガスにＳｉＣｌ₄を用いた場合を例示しているが、この場合、ＳｉＣｌ₄の一部で熱分解が起きるとＳｉはプラスを帯びるので、ＳｉＣ基板（及び成長したSiCエピタキシャル膜）が負の電位にある時にステップ側に引き込まれることになる。シリコン源の原料ガスがＳｉＨ₄の場合では、ＳｉＨ₄の一部で熱分解が起きるとＳｉはマイナスを帯びるので、ＳｉＣ基板（及びSiCエピタキシャル膜）が正の電位にある時に引き込まれる。一方、カーボン源の原料ガスにプロパンを用いたときには、Ｃ₃Ｈ₈の一部で熱分解が起きるとＣはマイナスを帯びるので、ＳｉＣ基板（及びSiCエピタキシャル膜）が正の電位にある時に引き込まれる。

ここで、ＳｉＣ自体は半導体であり、また、ＳｉＣ基板を得るために通常採用される昇華再結晶法（改良レーリー法）では、一般にドーピング元素を添加してＳｉＣ単結晶インゴットを製造するため、ＳｉＣ基板はガラス基板等に比べて抵抗の低い低抵抗基板であるといえる。そのため、このようなＳｉＣ基板に電圧を印加すると基板内部で電荷が移動して電位勾配がなくなり、ＳｉＣ基板の表面に印加した分の電位が形成されると考えられる。すなわち、電位的に浮遊電位にある原料ガス（熱分解前の中性分子、熱分解後の荷電粒子などを含む複数種からなるガス群）に対して、ＳｉＣ基板が所定の電位差を有するようになる。本発明では、好適には、電気抵抗率が０．００１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下、より好適には電気抵抗率が０．０１Ωｃｍ以上１Ωｃｍ以下のＳｉＣ基板を用いるのがよい。また、ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる際には、窒素、Ａｌ、Ｐ等のドーピング元素を１×１０¹⁵（/cm³）以上２×１０¹⁸（/cm³)以下のドーピング密度で添加しながらＳｉＣエピタキシャルウェハを製造するのが好ましい。

このように、例えば１４５０℃を超える高温では原料ガスの一部が熱分解を起こし、その結果荷電粒子が生成する。原料ガスの種類によって、Ｓｉ源、Ｃ源は帯電の極性が異なるが、電圧が印加されるＳｉＣ基板側の電位を正負に交播電界をかけることで、ステップ側に引き込むことが可能となる。すなわち、運動エネルギーを電界から得て、ステップ側面に到達することになる。

従って、理想的にはＳｉＣ基板に交播電界（交番電圧）を印加するのが望ましいが、例えば、ＳｉＨ₄とＣ₃Ｈ₈などの組み合わせで、Ｓｉ源、Ｃ源ともに同じ極性（この場合マイナス）を帯びるときには、必ずしも交播電界とする必要はない。

一方、交播電界の周期が短すぎる場合には、高周波プラズマとして一般に知られているように、軽い電子は交播電界に追随できるが重いイオンは追随できない作用で、エネルギーを得た高速電子が中性粒子を電離し、次第に荷電粒子の密度が高まり、最終的に電極側に負のイオンシースが形成される。こうなると本発明で利用しているような交播電界の効果が使えなくなる。従って、交播電界の周期は０〜１００Ｈｚの範囲であるのが好適である。

更には、ＳｉＣ基板が有する電位差は、好ましくは０Ｖを超えて１００Ｖ以下の範囲であるのがよく、特に３０Ｖ以下がより好ましい。ＳｉＣ基板が発熱体１の空間内に導入されたガスとの間に少しでも電位差を有していれば、原料ガス由来の荷電粒子が運動エネルギーを得てテラス上のマイグレーションエネルギーとして使えるため、効率的なエピタキシャル成長が促される。一方、例えば、１０００Ｐａといった減圧状態では平均自由工程が１０μｍ程度と長くないために、エネルギーを十分に獲得する前に他の粒子と衝突を起こしてしまう。このため、３０Ｖを超えると実質的に電位差を与える効果は小さくなり、１００Ｖを超える電位差ではその効果は期待できなくなる。

また、本発明においては、ＳｉＣ基板のエピタキシャル成長面を鉛直方向下向きにしてエピタキシャル成長させれば、デバイスへの悪影響が大きいといわれているダウンフォールを極めて少なくすることができる。この状態で、本発明の交播電界の効果を合わせることにより、ダウンフォールが極めて少なく、かつステップバンチングのない高品質のＳｉＣエピタキシャルウェハを得ることができる。

エピタキシャル成長の条件については、成長温度が１４５０℃〜１７００℃であるのがよく、また、原料ガス中に含まれる炭素と珪素の原子数比（C/Si比）が０．５〜１．５の範囲であるのがよい。成長温度の範囲は、これよりも低い温度ではＳｉＣはエピタキシャル成長せず、高い場合にも成長速度を上回る昇華速度となるため、結果的にこの場合もエピタキシャル成長しないおそれがある。一方のＣ／Ｓｉ比の範囲は、この範囲にあると成長速度が大きくとれ、生産性改善に繋がる上に、得られるエピタキシャル膜の膜質も高品位なものにすることができる。Ｃ／Ｓｉ比が０．５より小さくなると未反応のＳｉが金属状態で膜に付着（ドロップレット）して欠陥発生の原因となる。逆に、１．５を超えると結晶欠陥が多く生成してしまうおそれがある。

また、Ｃ／Ｓｉ比が０．５〜１．５の範囲を外れると、ドーピング密度にも影響が出る場合がある。例えば、０．５より小さくなるとドーピングが高い効率で起きるため、例えば、窒素を導入しなくても残留不純物としての窒素だけで狙いとするドーピング量を超えてしまうという問題が発生する。反対に１．５を超えると、高いドーピング密度を狙おうとした時に大量の窒素を導入することになるが、それでも狙いとするドーピング密度まで入らない可能性がある。また、大量の窒素を導入することで、膜質そのものへの影響（膜厚のばらつき、成長速度など）が出ることも考えられる。

エピタキシャル成長を開始する前に適度なエッチングを基板表面に施すことも可能である。エッチング量の制御は、圧力及び時間のバランスで行われる。温度も重要なパラメータであるが、エッチング終了後のエピタキシャル成長開始へのスムーズな移行がエピタキシャル成長には重要になるため、エッチング時の温度はエピタキシャル成長温度に揃えるのが望ましい。適度なエッチング条件としては、圧力の範囲として５００Ｐａ〜３０００Ｐａ、時間として１分以上１０分以内の条件を例示することができる。

また、シリコン源の原料ガスはＳｉＨ₄に限定されず、ＳｉＨ₃Ｃｌ、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、ＳｉＨＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄などを好適に用いることができる。一方、カーボン源の原料ガスは、プロパン(C₃H₈)に限定される理由はなく、炭素数が５以下の飽和炭化水素ガスや不飽和炭化水素ガスを好適に用いることができる。

以下、実際のエピタキシャル成長の手順について、一例を例示しながら説明する。
まず、成長炉内を真空排気した後、水素ガスを導入して圧力を６×１０³〜１×１０⁴Ｐａに調整する。その後、圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を上げ、１５００〜１６００℃に達した後、圧力をエピタキシャル成長条件、例えば１０００Ｐａ程度まで低くし、所定時間保持することで成長前のＳｉＣ基板の表面のエッチングを行う。この時の圧力はエッチング効率に大きな影響を持ち、低圧ほどエッチングが進行する。従って、昇温中は圧力が高いためエッチングはほとんど進まず、圧力を下げることでエッチングをスタートさせることができる。

エッチング処理を行った後は、原料ガス（シリコン源及びカーボン源）を導入することでエピタキシャル成長を開始させる。その成長条件は、上述した通りであり、好適には、成長温度１４５０℃〜１７００℃、Ｃ／Ｓｉ比０．５〜１．５の範囲として、エピタキシャル成長を行う。

エピタキシャル膜の膜厚は、その後に作り込むデバイスの種類、仕様によって適宜決められるが、一般的には５μｍ以上、１００μｍ以下の範囲である。

(実施例１)
図１に示したように、容器６内に誘導加熱ヒーター５及び発熱体１が収容されたＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を用いて、以下のようにしてＳｉＣエピタキシャルウェハを作製した。当該製造装置は、複数のＳｉＣ基板が縦方向に並んで配置できるようした縦型構造のＣＶＤ装置を構成しており、一体構造を有した基板ホルダー２の下部側に接点を設けて交流電源３に接続されて、載置したＳｉＣ基板に交番電圧が印加されるようにした。

４インチ(100mm)ウェハ用ＳｉＣ単結晶インゴットから、約４００μｍの厚さでスライスし、粗削りとダイヤモンド砥粒による通常研磨を実施した４Ｈ型のポリタイプを有するＳｉＣ基板を上記製造装置の基板ホルダー２の１箇所に載置し、そのＳｉＣ基板のＳｉ面に対してエピタキシャル成長を実施した。このＳｉＣ基板は、(0001)面からのオフ角が４°である。また、このＳｉＣ基板は厚さが約３００μｍであって、０．０２Ωｃｍの電気抵抗率を有するものである。

成長の手順としては、まず、ＳｉＣ基板を成長面（Si面）が下になるように基板ホルダー２にセットし、成長炉内を真空排気した後、ノズル４から水素ガスを毎分２０リットルの割合で導入しながら圧力を８０００Ｐａに調整した。その後、圧力を一定に保ちながら発熱体１の温度を１５５０℃まで上げた。しかる後、水素ガスを毎分２００リットルまで増量させながら真空排気を行い１０００Ｐａとし、３分間保持後、ＳｉＣｌ₄流量を毎分３００ｃｍ³、Ｃ₃Ｈ₈流量を毎分９０ｃｍ³（C/Si比として0.9）、窒素を毎分５ｃｍ³としてそれぞれノズル４から供給し、成長を開始した。同時に、基板ホルダー２に接続した交流電源３によって電位差−１５Ｖ〜１５Ｖ、１０Ｈｚの交播電界をＳｉＣ基板に印加した。成長時間は２時間とし、ＳｉＣ基板上におよそ１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を成長させた。成長後のドーピング密度は測定の結果、１×１０¹⁶（/cm³）であることを確認した。なお、ＳｉＣ基板の抵抗率やその厚み等を考慮すると、ＳｉＣ基板の表面の電位は印加電圧とほぼ同じであると考えられる。

得られたＳｉＣエピタキシャルウェハは、顕微鏡による５００倍での観察でステップバンチングの存在は認められなかった。また、成長面を下向きにした効果で、ダウンフォールも一切認められなかった。

（実施例２〜１３）
実施例１と同様にしてエピタキシャル成長を行った。但し、用いたＳｉＣ基板の(0001)面からのオフ角度、及び交播電界を表１に示した条件に変更した。得られたＳｉＣエピタキシャル膜のステップバンチングの評価結果も合わせて表中にまとめた。

表１に示した結果から分かるように、本発明によれば、通常ステップバンチングが出やすい低オフ角の基板においても、本発明の範囲でエピタキシャル成長することで、ステップバンチングのない高品質なＳｉＣエピタキシャルウェハとなっていることが分かった。

(比較例１)
実施例１と同様にしてエピタキシャル成長を行った。但し、ＳｉＣ基板の(0001)面からのオフ角度を３．５°とし、また、交播電界は印加せず成長を行った。

このようにして得られたＳｉＣエピタキシャル膜は光学顕微鏡での観察の結果、ウェハ全面でステップバンチングが認められた。

本発明によれば、ステップバンチングのない高品質のＳｉＣエピタキシャルウェハを製造することができ、これを用いることで高信頼性のデバイスを作製することが可能である。また、本発明によって得られたＳｉＣエピタキシャルウェハを用いたデバイス作製では歩留まりが良くなるので、安価なデバイスを作製することができる。

１：発熱体、２：基板ホルダー（載置台）、３：電源、４：ノズル、５：誘導加熱ヒーター、６：容器、７：真空ポンプ。

Claims

ＣＶＤ法によって炭化珪素単結晶基板に炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させて炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する装置において、炭化珪素単結晶基板を載置する載置台に電源が接続されて、載置した炭化珪素単結晶基板に交番電圧が印加されるようにしたことを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造装置。
ＣＶＤ法によって炭化珪素単結晶基板に炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させて炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する方法において、炭化珪素単結晶基板に交番電圧を印加し、原料ガスに対して該基板が１００Ｖ以下の電位差を有するようにしながら、炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
炭化珪素単結晶基板に印加する電圧が１００Ｈｚ以下の交番電圧であることを特徴とする請求項２に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
炭化珪素単結晶基板の電気抵抗率が０．００１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下である請求項２又は３に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。