JP5821429B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す上面図である。図2は、図1のI−Iに沿った断面図である。図3は、図1のII−IIに沿った断面図である。図4は、図2のII−IIの高さでの上面図である。
図17は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態では、半導体基板1内部に設けられたエピ抵抗層21により、ドレイン配線5とドレイン電極パッド12が接続されている。なお、エピ抵抗層21に限らず、注入抵抗層など、不純物が添加された半導体層であればよい。
図18は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置を示す断面図である。本実施の形態では、半導体基板1内部に埋め込まれた金属層23により、ドレイン配線5とドレイン電極パッド12が接続されている。なお、図示は省略するが、ゲート電極4に接続されたゲート配線とゲート電極パッド13も同様に接続されている。その他の構成は実施の形態2と同様であり、実施の形態2と同様の効果を得ることができる。
図19は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置を示す上面図である。図20は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置を示す下面図である。図21は、図19のI−Iに沿った断面図である。図22は、図21のII−IIの高さでの上面図である。実施の形態1と異なる部分のみ説明する。
図23は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置を示す断面図である。主表面の外周領域に、半導体基板1とオーミック接合したオーミック金属層31が設けられている。メッキ給電層25及びAuメッキ層26はオーミック金属層31を介して半導体基板1と接合されている。その他の構成は実施の形態4と同様である。
図24は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置を示す上面図である。図25は、図24のI−Iに沿った断面図である。図26は、図25のII−IIの高さでの上面図である。
図27は、本発明の実施の形態7に係る半導体装置を示す上面図である。図28は、本発明の実施の形態7に係る半導体装置を示す下面図である。図29は、図27のI−Iに沿った断面図である。図30は、図29のII−IIの高さでの上面図である。
図31は、本発明の実施の形態8に係る半導体装置の内部を示す上面図である。図32は、本発明の実施の形態8に係る半導体装置を示す下面図である。
2 ドレイン電極(電極、第1の電極)
3 ソース電極(第2の電極)
4 ゲート電極(電極、第1の電極)
5 ドレイン配線(金属配線)
8 メッキ給電層(空隙形成膜、空隙形成金属膜)
9 Auメッキ層(空隙形成膜、空隙形成金属膜)
10 空隙
11 開口部
12 ドレイン電極パッド(電極パッド)
14 ポリイミド膜
15 撥液膜
17 メッキ給電層(金属膜)
18 Auメッキ層(金属膜)
21 エピ抵抗層(導電層)
23 金属層(導電層)
25 メッキ給電層(第1の金属膜)
26 Auメッキ層(第1の金属膜)
27,28 Auメッキ層(第2の金属膜)
29,30,36 バイアホール
31 オーミック金属層
32,33,35 Auメッキ層(第3の金属膜)
Claims (4)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記主表面上の素子領域内に設けられた電極と、
前記主表面上に設けられ、一端が前記電極に接続された金属配線と、
前記主表面上の素子領域外に設けられ、前記金属配線とは離間した電極パッドと、
前記金属配線の一端と前記電極を内包し開口部を有する空隙が前記主表面の一部との間に形成されるように前記主表面上に設けられた空隙形成膜と、
前記開口部を閉塞し、前記電極パッドを覆うことなく、前記金属配線の他端を覆う硬化された樹脂と、
前記空隙の内面に設けられ、液状状態の前記樹脂の接触角を前記半導体基板及び前記空隙形成膜よりも大きくする物性を有する撥液膜と、
硬化された前記樹脂に設けられた開口を介して前記金属配線と前記電極パッドを接続する金属膜とを備え、
前記金属配線の他端は前記樹脂から出ていないことを特徴とする半導体装置。 - 前記金属膜は前記開口部の直上を完全に覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属膜はエアブリッジ金属配線であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の主表面上の素子領域内に電極を形成する工程と、
前記主表面上に前記電極に一端が接続された金属配線を形成する工程と、
前記主表面上の素子領域外に、前記金属配線とは離間した電極パッドを形成する工程と、
前記金属配線の一端と前記電極を内包し開口部を有する空隙が前記主表面の一部との間に形成されるように前記主表面上に空隙形成膜を形成する工程と、
液状状態の樹脂により、前記開口部を閉塞し、前記金属配線の他端を覆い、前記樹脂を硬化させる工程と、
前記樹脂を形成する前に、液状状態の前記樹脂の接触角を前記半導体基板及び前記空隙形成膜よりも大きくする物性を有する撥液膜を前記空隙の内面に形成する工程と、
硬化された前記樹脂に開口を形成する工程と、
前記開口を介して前記金属配線の他端と前記電極パッドを接続する金属膜を形成する工程とを備え、
前記金属配線の他端は前記樹脂から出ていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011190751A JP5821429B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
US13/545,046 US8878333B2 (en) | 2011-09-01 | 2012-07-10 | Semiconductor device having improved RF characteristics and moisture resistance and method for manufacturing the same |
CN201210317464.6A CN102969289B (zh) | 2011-09-01 | 2012-08-31 | 半导体装置及其制造方法 |
US14/504,463 US9159654B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-10-02 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011190751A JP5821429B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015198658A Division JP2016012737A (ja) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013055126A JP2013055126A (ja) | 2013-03-21 |
JP5821429B2 true JP5821429B2 (ja) | 2015-11-24 |
Family
ID=47752496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011190751A Active JP5821429B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8878333B2 (ja) |
JP (1) | JP5821429B2 (ja) |
CN (1) | CN102969289B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6233236B2 (ja) | 2014-08-08 | 2017-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105206590B (zh) * | 2015-09-17 | 2017-11-03 | 浙江大学 | 空气桥侧引的pHEMT微波功放管芯横向结构及pHEMT |
JP6810350B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-01-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 |
US10319668B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit having contact jumper |
KR102177894B1 (ko) * | 2017-04-04 | 2020-11-12 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2019229802A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7034105B2 (ja) | 2019-01-18 | 2022-03-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置の製造方法、電力用半導体装置および電力変換装置 |
KR102564086B1 (ko) * | 2019-03-06 | 2023-08-07 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
CN110491830B (zh) * | 2019-07-18 | 2022-08-19 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种空气桥制作方法及具有该空气桥的器件 |
CN110429060A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-11-08 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种制作空气桥的方法及其结构和应用 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61199655A (ja) | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH02199835A (ja) | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10107076A (ja) | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその実装方法 |
JP3600544B2 (ja) | 2001-03-30 | 2004-12-15 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE60326962D1 (de) * | 2002-08-06 | 2009-05-14 | Ricoh Kk | Durch ein halbleiterherstellungsverfahren gebildetes elektrostatisches stellglied |
US7262444B2 (en) * | 2005-08-17 | 2007-08-28 | General Electric Company | Power semiconductor packaging method and structure |
JP2009184067A (ja) | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 中空構造を有する装置およびその製造方法 |
JP2010258202A (ja) | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-01 JP JP2011190751A patent/JP5821429B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-10 US US13/545,046 patent/US8878333B2/en active Active
- 2012-08-31 CN CN201210317464.6A patent/CN102969289B/zh active Active
-
2014
- 2014-10-02 US US14/504,463 patent/US9159654B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102969289B (zh) | 2015-04-08 |
JP2013055126A (ja) | 2013-03-21 |
US20150054137A1 (en) | 2015-02-26 |
US8878333B2 (en) | 2014-11-04 |
US20130056875A1 (en) | 2013-03-07 |
US9159654B2 (en) | 2015-10-13 |
CN102969289A (zh) | 2013-03-13 |
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US20220077124A1 (en) | Semiconductor device |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150706 |
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