JP5801681B2 - ハニカム触媒体、及び、ハニカム触媒体の製造方法 - Google Patents
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Description
ハニカム構造体を構成する多孔質セラミックとしては、例えば、耐熱性及び化学耐久性の観点から、炭化ケイ素が使用されている。
特許文献1には、ハニカム構造体を800〜1600℃で5〜100時間加熱して酸化処理を行うことにより、シリカ層を形成することが記載されている。
尿素SCR装置では、ハニカム構造体にゼオライト等の触媒が担持されたハニカム触媒体を備えた排ガス浄化装置内に、例えば、尿素水を噴霧する。そして、尿素の熱分解によってアンモニアを発生させて、ゼオライトに吸着させてNOxを還元させる。
また、本発明は、上記ハニカム触媒体の製造方法を提供することを目的とする。
主に炭化ケイ素粒子からなり、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質のハニカム焼成体を含むハニカム構造体と、
上記ハニカム構造体に担持された、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒とを備えたハニカム触媒体であって、
上記炭化ケイ素粒子の表面には、シリカ層が形成されており、
上記触媒は、上記炭化ケイ素粒子の表面に、上記シリカ層を介して担持されており、
X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した上記シリカ層の厚さは、5〜100nmであり、
上記酸化物セラミック又は上記ゼオライトは、50g/L以上担持されていることを特徴とする。
炭化ケイ素粒子の表面に酸化物層が形成されていると、触媒が均一に担持される。
X線光電子分光法(XPS)を用いて測定したシリカ層の厚さ(以下、単に「シリカ層の厚さ」ともいう)が5〜100nmの範囲にあると、以下の理由により、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒が、炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持されやすくなると考えられる。炭化ケイ素粒子の間には、ネック部分(2つの粒子が連結されたときに生じるくびれた部分)が存在する。5〜100nmの厚さを有するシリカ層が上記ネック部分に形成されると、ネック部分に深い谷部が存在しなくなる。このような状態では、炭化ケイ素粒子の表面に触媒が担持しやすくなるため、ネック部分の谷部に触媒が偏析することがなくなる。その結果、炭化ケイ素粒子の表面に一定の厚さを有する触媒を担持することができると考えられる。
シリカ層の厚さが5nm未満である場合には、ハニカム触媒体を尿素SCR装置に用いた場合におけるNOx浄化率が充分な値とならない。これは、シリカ層の厚さが5nm未満であると、触媒が、炭化ケイ素粒子間のネック部分にたまってしまうため、触媒が炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持されないことが原因であると考えられる。
一方、シリカ層の厚さが100nmを超える場合にも、ハニカム触媒体を尿素SCR装置に用いた場合におけるNOx浄化率が充分な値とならない。これは、シリカ層の厚さが100nmを超えると、セル壁の気孔が埋まってしまうためであると考えられ、その結果、ハニカム焼成体のセル壁のガスの流れが不均一となり、NOx浄化率が低くなると考えられる。
上述した通り、請求項1に記載のハニカム触媒体では、酸化物セラミック又はゼオライトが、炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持されている。しかしながら、酸化物セラミック又はゼオライトの担持量が50g/L未満であると、ハニカム触媒体を尿素SCR装置に用いた場合に充分なNOx浄化率が得られない。もしくは、ハニカム触媒体のサイズを大きくしなければならなくなる。
酸化物セラミック又はゼオライトが、ハニカム焼成体のセル壁の内部に担持されることにより、セル壁上に多量の触媒が担持されることを防ぎ、ハニカム触媒体の圧力損失の上昇を防止することができる。また、セル壁を通過する排ガスの流速に対して、ゼオライト等の触媒と排ガスとの接触距離を充分にとることができるため、ゼオライト等の触媒が触媒機能を発揮することができる。
主に炭化ケイ素粒子からなり、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質のハニカム焼成体を含むハニカム構造体と、上記ハニカム構造体に担持された、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒とを備えたハニカム触媒体の製造方法であって、
上記ハニカム焼成体を含むハニカム構造体を、酸化雰囲気下において、700〜1100℃、1〜10時間熱処理して酸化する酸化工程と、
上記酸化工程の後、上記ハニカム構造体に、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒を担持する担持工程とを含み、
上記酸化工程では、上記ハニカム焼成体に含まれる炭化ケイ素粒子の表面に、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した厚さが5〜100nmであるシリカ層を形成し、
上記担持工程では、上記酸化物セラミック又は上記ゼオライトを50g/L以上担持することを特徴とする。
酸化雰囲気中の酸素濃度が5容量%未満であると、炭化ケイ素粒子の表面の酸化が不安定となり、所望の厚さのシリカ層を形成することが困難となる。また、酸化雰囲気中の酸素濃度が5容量%未満であると、長時間熱処理を行う必要があり、製造効率が低下しやすくなる。一方、酸化雰囲気中の酸素濃度が21容量%を超えると、酸素ガスを準備する等、酸化雰囲気を生成する工程が必要となり、製造効率が低下しやすくなる。
しかしながら、上記の方法で作製したハニカム触媒体では、尿素SCR装置に用いた場合におけるNOx浄化率が充分な値ではなかった。この結果は、上記の方法で作製したハニカム触媒体では、ゼオライトが不均一に担持されることにより生じたものであると考えられる。
また、特許文献2の記載のように、炭化ケイ素粒子の表面に1〜10重量%の酸素濃度(酸素に換算した含有量)を有するシリカ層を形成しても、シリカ層が厚すぎることで、ゼオライト(触媒)が不均一に担持されることが分かった。
以下、本発明のハニカム触媒体、及び、ハニカム触媒体の製造方法の一実施形態である第一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第一実施形態のハニカム触媒体を構成するハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
図2(a)は、図1に示したハニカム構造体を構成するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、図2(b)は、図2(a)に示したハニカム焼成体のA−A線断面図である。
このような、ハニカム焼成体が複数個結束されてなるハニカム構造体は、集合型ハニカム構造体ともいう。
また、ハニカム焼成体20は、図2(a)及び図2(b)に示す形状を有している。
なお、ハニカム焼成体及びハニカム構造体の表面のうち、セルが開口している面を端面といい、端面以外の面を側面という。
また、ハニカム焼成体は、炭化ケイ素を60重量%以上含む限り、炭化ケイ素以外の他の成分を含んでいてもよい。例えば、ハニカム焼成体は、40重量%以下のケイ素を含んでいてもよい。ハニカム焼成体の構成材料の主成分は、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたケイ素含有炭化ケイ素であってもよいし、ケイ素又はケイ酸塩化合物で結合された炭化ケイ素であってもよい。なお、ハニカム焼成体が金属ケイ素等のケイ素を含む場合には、これらのケイ素の表面にも、シリカ層が形成されていることになる。
これらの中でも、ハニカム焼成体は、炭化ケイ素を98重量%以上含んでいるか、又は、炭化ケイ素と金属ケイ素とを98重量%以上含んでいることが好ましい。
図3は、本発明の第一実施形態のハニカム触媒体の一例を模式的に示す部分拡大図である。
図3に示すように、ハニカム焼成体を構成する炭化ケイ素粒子31は、互いにネック31aを介して結合されている。また、炭化ケイ素粒子31の表面には、シリカ(SiO2)層32が形成されている。そして、触媒33が、シリカ層32を介して、炭化ケイ素粒子31の表面に担持されている。
本発明の実施形態に係るハニカム触媒体において、シリカ層の厚さは、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定することができる。X線光電子分光法(XPS)は、サンプル表面にX線を照射し、生じる光電子のエネルギーをエネルギーアナライザーと呼ばれる装置で測定する分析法である。X線光電子分光法(XPS)により、サンプルの構成元素とその電子状態を分析することができる。また、X線光電子分析とイオンスパッタリングを交互に繰り返すことにより、サンプルの深さ方向(厚さ方向)の組成の変化を知ることができる。
また、炭化ケイ素粒子の表面に形成されたシリカ層の厚さは、8〜95nmであることがより好ましい。
上記重量増加率は、0.06〜0.49重量%が好ましい。この場合、シリカ層を一定の厚さにすることができる。
触媒の主成分は、酸化物セラミック又はゼオライトである。触媒は、酸化物セラミック又はゼオライト以外に、貴金属成分又はアルカリ土類金属等のその他の成分を含有していてもよい。
なお、ゼオライトは、酸化物セラミックの一種と考えることもできるが、本明細書においては、ゼオライトは酸化物セラミックに含まれないとして区別することとする。また、ゼオライトは、アルミノケイ酸塩であるゼオライトだけでなく、アルミノリン酸塩、アルミノゲルマニウム酸塩等のゼオライト類縁体も含むこととする。
上記セラミックの中では、Al2O3又はCeO2からなるセラミックが好ましい。
上記ゼオライトの中では、β型ゼオライト、ZSM−5型ゼオライト、又は、SAPOが好ましい。また、SAPOの中では、SAPO−5、SAPO−11、又は、SAPO−34が好ましく、SAPO−34がより好ましい。そして、MeAPOの中では、MeAPO−34が好ましい。
金属イオンとしては、銅イオン、鉄イオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、マンガンイオン、コバルトイオン、銀イオン、又は、バナジウムイオン等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
上記金属イオンの中では、NOx浄化率の観点から、銅イオン又は鉄イオンが好ましい。
酸化物セラミック又はゼオライトの担持量が50g/L未満であると、触媒量が少ないため、ハニカム触媒体を尿素SCR装置に用いた場合に充分なNOx浄化率が得られない。もしくは、ハニカム触媒体のサイズを大きくしなければならなくなる。一方、酸化物セラミック又はゼオライトの担持量が150g/Lを超えると、触媒量が多すぎるため、ハニカム焼成体の気孔径が小さくなり、ハニカム構造体の圧力損失が上昇してしまう。
本明細書において、ハニカム構造体に担持された酸化物セラミック又はゼオライトの量とは、ハニカム構造体の見掛けの体積1リットル当たりの酸化物セラミック又はゼオライトの重量をいう。
なお、ハニカム構造体の見掛けの体積は、接着材層及び/又はコート層の体積を含むこととする。
セル壁の内部に酸化物セラミック又はゼオライトが担持されることにより、セル壁上に多量の触媒が担持されることを防ぎ、ハニカム触媒体の圧力損失の上昇を防止することができる。また、セル壁を通過する排ガスの流速に対して、ゼオライト等の触媒と排ガスとの接触距離を充分にとることができるため、ゼオライト等の触媒が触媒機能を発揮することができる。
触媒の平均粒子径が0.5μm未満である場合、炭化ケイ素粒子間のネック上に触媒が溜まりやすくなり、浄化性能が悪くなる。一方、触媒の平均粒子径が5μmを超える場合、排ガスと触媒との接触が悪くなったり、触媒の分散が悪くなったりする。
本実施形態のハニカム触媒体の製造方法は、
主に炭化ケイ素粒子からなり、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質のハニカム焼成体を含むハニカム構造体と、上記ハニカム構造体に担持された、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒とを備えたハニカム触媒体の製造方法であって、
上記ハニカム焼成体を含むハニカム構造体を、酸化雰囲気下において、700〜1100℃、1〜10時間熱処理して酸化する酸化工程と、
上記酸化工程の後、上記ハニカム構造体に、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒を担持する担持工程とを含み、
上記酸化工程では、上記ハニカム焼成体に含まれる炭化ケイ素粒子の表面に、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した厚さが5〜100nmであるシリカ層を形成し、
上記担持工程では、上記酸化物セラミック又は上記ゼオライトを50g/L以上担持することを特徴とする。
まず、セラミック原料を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設されたハニカム成形体を作製する成形工程を行う。
具体的には、まず、セラミック粉末としての平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末、有機バインダ、液状の可塑剤、潤滑剤、及び、水を混合することにより、ハニカム成形体製造用のセラミック原料(湿潤混合物)を調製する。
続いて、上記湿潤混合物を押出成形機に投入する。上記湿潤混合物を押出成形することにより所定の形状のハニカム成形体を作製する。
ここで、封止材ペーストとしては、上記セラミック原料(湿潤混合物)を用いることができる。
なお、セルの端部に充填された封止材ペーストは、加熱により焼成され、封止材となる。
また、切断工程、乾燥工程、封止工程、脱脂工程及び焼成工程の条件は、従来からハニカム焼成体を作製する際に用いられている条件を適用することができる。
まず、ハニカム焼成体のそれぞれの所定の側面に、接着材ペーストを塗布して接着材ペースト層を形成する。そして、この接着材ペースト層の上に、順次他のハニカム焼成体を積層する工程を繰り返す。このような方法により、ハニカム焼成体の側面に接着材ペーストが塗布されてなるハニカム焼成体の集合体を作製する。
続いて、ハニカム焼成体の集合体を乾燥機等を用いて加熱して、接着材ペーストを乾燥固化させることによって、複数のハニカム焼成体が接着材層を介して接着されてなるセラミックブロックを作製する。
なお、接着材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機粒子とからなるものを使用する。また、上記接着材ペーストは、さらに無機繊維及び/又はウィスカを含んでいてもよい。
具体的には、セラミックブロックに対して、ダイヤモンドカッターを用いて切削加工を施すことにより、外周が円柱状に加工されたセラミックブロックを作製する。
なお、コート材ペーストとしては、上記接着材ペーストを使用することができる。
以上の工程により、ハニカム構造体を作製することができる。
酸化工程は、酸素を含む雰囲気下において行うものであり、コスト面から考えると、大気雰囲気下で行うことが好ましい。
酸化雰囲気中の酸素濃度(酸素に換算した含有量)は特に限定されないが、5〜21容量%であることが好ましい。コスト面から考えると、空気を用いることが好ましい。
酸化雰囲気中の酸素濃度が5容量%未満であると、ハニカム焼成体の炭化ケイ素粒子の表面の酸化が不安定となり、所望の厚さのシリカ層を形成することが困難となる。また、酸化雰囲気中の酸素濃度が5容量%未満であると、長時間熱処理を行う必要があり、製造効率が低下しやすくなる。一方、酸化雰囲気中の酸素濃度が21容量%を超えると、酸素ガスを準備する等、酸化雰囲気を生成する工程が必要となり、製造効率が低下しやすくなる。
熱処理温度が700℃未満であると、所望の厚さのシリカ層を形成することが難しくなる。また、目的の厚さのシリカ層を形成するために長時間熱処理を行う必要がある。一方、熱処理温度が1100℃を超えると、熱処理温度をコントロールすることが難しい。
具体的には、熱処理温度が、700℃以上850℃未満、850℃以上950℃未満、950℃以上1100℃未満である場合、熱処理時間は、それぞれ、3〜12時間、2〜10時間、0.5〜4.5時間であることが好ましい。特に、1000〜1100℃、1〜4時間で酸化工程を行うことが好ましい。
熱処理時間が下限値よりも短いと、目的の厚さのシリカ層を形成することが困難となる。一方、熱処理時間が上限値を超えると、目的の厚さよりも厚いシリカ層が形成されてしまう。その結果、後述する担持工程において、ハニカム構造体に触媒を均一に担持することが困難となる。
本明細書において、熱処理時間とは、目的の熱処理温度まで昇温した後、その熱処理温度を保持する時間のことをいう。従って、酸化工程全体においてハニカム構造体を加熱している時間は、上記熱処理時間の他に、昇温及び降温のために必要な時間が含まれる。
ハニカム構造体に担持する触媒としては、本実施形態のハニカム触媒体で説明した触媒を用いることができる。
ハニカム構造体に触媒を担持する方法としては、例えば、酸化物セラミック又はゼオライトを含むスラリーにハニカム構造体を浸漬した後、引き上げて加熱する方法等が挙げられる。
酸化物セラミック又はゼオライトの担持量の調整は、例えば、スラリーにハニカム構造体を浸漬する工程及び加熱する工程を繰り返す方法、又は、スラリー濃度を変更する方法等により行うことができる。
また、酸化工程を行うハニカム構造体としては、上記の工程で作製するハニカム構造体に限定されず、任意の集合型ハニカム構造体を用いることができる。例えば、コート層が形成されていないハニカム構造体に対して酸化工程を行ってもよい。
(1)本実施形態のハニカム触媒体、及び、ハニカム触媒体の製造方法では、ハニカム構造体を構成するハニカム焼成体の炭化ケイ素粒子の表面に、シリカ層が形成されている。そして、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒が、炭化ケイ素粒子の表面に、シリカ層を介して担持されている。
炭化ケイ素粒子の表面に酸化物層が形成されていると、触媒が均一に担持される。
X線光電子分光法(XPS)を用いて測定したシリカ層の厚さが5〜100nmの範囲にあると、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒が、炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持されやすくなる。
本実施形態のハニカム触媒体では、酸化物セラミック又はゼオライトが、ハニカム焼成体の炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持されている。そして、酸化物セラミック又はゼオライトの担持量が50g/L以上であるため、ハニカム触媒体を尿素SCR装置に用いた場合に充分なNOx浄化率が得ることができる。
(ハニカム触媒体の作製)
(1)ハニカム構造体の作製工程
平均粒子径22μmの炭化ケイ素の粗粉末52.8重量%と、平均粒子径0.5μmの炭化ケイ素の微粉末22.6重量%とを混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂2.1重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日油社製 ユニルーブ)2.8重量%、グリセリン1.3重量%、及び、水13.8重量%を加えて混練して湿潤混合物を得た。そして、湿潤混合物を押出成形した後、切断することにより、図2(a)及び図2(b)に示した形状と同様の形状であって、セルを封止していない生のハニカム成形体を作製した。
そして、16個のハニカム焼成体を用いて、ハニカム焼成体の側面に接着材ペーストを塗布し、この接着材ペーストを介してハニカム焼成体を縦4個、横4個の計16個接着させることにより、ハニカム焼成体の集合体を作製した。
次に、外周が円柱状に加工されたセラミックブロックの外周面にコート材ペーストを塗布し、コート材ペースト層を形成した。そして、このコート材ペースト層を120℃で乾燥固化させてコート層を形成することにより、外周にコート層が形成された直径143.8mm×長さ150mmの円柱状のハニカム構造体を作製した。
この際、コート材ペーストとしては、上記接着材ペーストを使用した。
作製したハニカム構造体を、空気雰囲気下において、室温から昇温速度300℃/時間で700℃まで昇温し、700℃で3時間保持した後、降温速度100℃/時間で4時間かけて300℃まで降温した後、室温(25℃)に取り出した。
上記酸化工程により、ハニカム構造体を構成するハニカム焼成体の表面が酸化される。具体的には、ハニカム焼成体の炭化ケイ素粒子の表面にシリカ層が形成される。
酸化工程を行ったハニカム構造体のセル壁に、触媒として下記ゼオライトを担持させた。
まず、銅イオン交換ゼオライト粉末(平均粒子径2μm)を充分量の水と混合して攪拌し、ゼオライトスラリーを作製した。このゼオライトスラリー中にハニカム構造体を一方の端面を下にして浸漬し、1分間保持した。続いて、このハニカム構造体を110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに700℃で1時間焼成する焼成工程を行って、ゼオライト担持層を形成した。
このとき、ゼオライト担持層の形成量が、ハニカム構造体の見掛けの体積1リットルあたり100gとなるように、ゼオライトスラリーへの浸漬、乾燥工程を繰り返し行った。
以上により、ゼオライトが100g/L担持されているハニカム触媒体を作製した。
酸化工程における熱処理温度及び熱処理時間を表1に示すように変更した他は、実施例1と同様にしてハニカム触媒体を作製した。
実施例2〜6における熱処理温度及び熱処理時間は、それぞれ、900℃で10時間、1000℃で3時間、1100℃で1時間、1100℃で3時間、及び、1100℃で4時間である。
酸化工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にしてハニカム触媒体を作製した。
酸化工程における熱処理温度を1100℃、熱処理時間を5時間に変更した他は、実施例1と同様にしてハニカム触媒体を作製した。
(1)重量増加率の測定
実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体について、ハニカム触媒体を構成するハニカム焼成体の重量増加率を測定した。
重量増加率の測定にあたっては、実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体から、ダイヤモンドカッターを使用することにより1個のハニカム焼成体(34.3mm×34.3mm×150mm)を切り出し、それぞれ酸化工程を行ったハニカム焼成体の重量M1を測定した。また、各実施例及び比較例で作製した酸化工程を行う前(ハニカム焼成体の集合体を作製する前)のハニカム焼成体の重量M0を測定し、以下の式から重量増加率を測定した。
重量増加率(重量%)=[(M1−M0)/M0]×100
重量増加率の測定の結果を表1に示す。
実施例1〜6における重量増加率は、それぞれ、0.06重量%、0.20重量%、0.25重量%、0.30重量%、0.33重量%及び0.49重量%であった。また、比較例1及び2における重量増加率は、それぞれ、0重量%及び0.56重量%であった。
実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体について、X線光電子分光法(XPS)により、ハニカム焼成体のシリカ層の厚さを測定した。
XPS測定用サンプルとして、実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体から、2cm×2cm×0.25mmの大きさの炭化ケイ素部分を切り出した。そして、XPS測定用サンプルの破断面ではない表面を観察した。
XPS装置としては、ULVAC−PHI社製のQuantera SXMを用い、X線源としては、モノクロ化されたAl−Kα線(Monochromated Al−Kα)を用いた。測定条件は、電圧:15kV、出力:25W、測定領域:100μmφとした。イオンスパッタ条件は、イオン種:Ar+、電圧:1kV(実施例1〜4及び比較例1)又は2kV(実施例5、6及び比較例2)、スパッタレート(SiO2換算):1.5nm/min(実施例1〜4及び比較例1)又は5.4nm/min(実施例5、6及び比較例2)とした。
上記XPS装置を用いて、各XPS測定用サンプルの定性分析(ワイドスキャン)、及び、C、O、Siについての深さ方向分析を行った。深さ方向分析の結果より、SiO2プロファイルの最高強度と最低強度の中間となる強度の時間と、各XPS測定用サンプルのスパッタレート(SiO2換算)からシリカ層の厚さを算出した。
X線光電子分光法(XPS)によるシリカ層の厚さの測定の結果を表1に示す。
実施例1〜6におけるシリカ層の厚さは、それぞれ、8nm、26nm、36nm、45nm、65nm及び95nmであった。また、比較例1及び2におけるシリカ層の厚さは、それぞれ、4nm未満及び109nmであった。
実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体について、NOx浄化率を測定した。
NOx浄化率の測定にあたっては、実施例1〜6及び比較例1、2で作製したハニカム触媒体から、ダイヤモンドカッターを使用することにより1個のハニカム焼成体(34.3mm×34.3mm×150mm)を切り出し、切り出したハニカム焼成体をさらに切断してφ1インチ(25.4mm)×3インチ(76.2mm)の円柱短尺体を作製した。
次に、上述した封止工程及び脱脂工程と同様に、作製した短尺体のセルのいずれか一方の端部が封止されるように短尺体のセルを接着材ペーストで封止し、セルが封止された短尺体を400℃で脱脂することによりNOx浄化率測定用サンプルを作製した。
NOx浄化率の測定は、NOx浄化率測定装置(堀場製作所製 触媒評価装置SIGU−2000)を用いて行った。
NOx浄化率測定装置は、ガス発生部と反応部とからなり、ガス発生部で発生させた擬似排ガス及びアンモニアを、NOx浄化率測定用サンプルをセットした反応部に流通させた。
擬似排ガスの組成(体積比)は、NO2:350ppm(NO2/NOx=0.25)、O2:14%、H2O:10%、N2:balanceであり、また、NH3/NOx=1である。各ガスの流量を流量調節器を用いて調節することにより上記組成とした。
また、反応部の温度を200℃で一定とした。そして、ゼオライトと擬似排ガス及びアンモニアとが接触する条件として、空間速度(SV)を70000hr−1に設定した。
擬似排ガスがNOx浄化率測定用サンプルを流通する前のNOx濃度N0、及び、擬似排ガスがNOx浄化率測定用サンプルを通過した後のNOx濃度N1を測定し、以下の式からハニカム触媒体のNOx浄化率を測定した。
NOx浄化率(%)=[(N0−N1)/N0]×100
NOx浄化率の測定結果を表1に示す。
実施例1〜6におけるNOx浄化率は、それぞれ、62%、66%、70%、74%、68%及び60%であった。また、比較例1及び2におけるNOx浄化率は、それぞれ、48%及び52%であった。
また、実施例1〜6及び比較例1、2におけるシリカ層の厚さ、及び、NOx浄化率の測定結果から、実施例及び比較例におけるシリカ層の厚さとNOx浄化率との関係を図4のグラフに示した。
また、X線光電子分光法(XPS)によるシリカ層の厚さの測定結果より、酸化工程を行った実施例1〜6及び比較例2のハニカム触媒体では、シリカ層の厚さは、8〜109nmであり、それぞれシリカ層が形成されていることが分かる。一方、酸化工程を行わなかった比較例1のハニカム触媒体では、シリカ層の厚さは、4nm未満であり、有効なシリカ層が形成されていないことが分かる。図4では、比較例1におけるシリカ層の厚さを便宜的に0nmとしている。
以上より、酸化工程による重量増加率は、ハニカム焼成体中のシリカ層の重量割合と考えられる。
以上より、シリカ層の厚さを所定の範囲(5〜100nm、好ましくは8〜95nm)に制御することによって、NOx浄化率を向上させることができることが分かる。これらの結果より、シリカ層の厚さを所定の範囲に制御することによって、ゼオライトを、炭化ケイ素粒子の表面に均一に担持させることができ、NOx浄化率を向上させることができると考えられる。
そのため、ゼオライトを用いたNOx浄化率の向上と同様にして、酸化物セラミックを用いて、さらにこれらの酸化物セラミックに貴金属又はアルカリ土類金属等を担持することにより、排ガス中に含まれるCO、HC等の有害成分の浄化率を向上させることができると考えられる。
以下、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本実施形態では、ハニカム触媒体を構成するハニカム構造体が、1つのハニカム焼成体からなる。このような、1つのハニカム焼成体からなるハニカム構造体は、一体型ハニカム構造体ともいう。
また、ハニカム焼成体は、炭化ケイ素を60重量%以上含む限り、炭化ケイ素以外の他の成分を含んでいてもよい。例えば、ハニカム焼成体は、40重量%以下のケイ素を含んでいてもよい。ハニカム焼成体の構成材料の主成分は、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたケイ素含有炭化ケイ素であってもよいし、ケイ素又はケイ酸塩化合物で結合された炭化ケイ素であってもよい。
本発明の第一実施形態と同様、ハニカム焼成体を構成する炭化ケイ素粒子の表面に、シリカ層が形成されている。そして、触媒は、シリカ層を介して、炭化ケイ素粒子の表面に担持されている。
また、酸化工程を行うハニカム構造体としては、上記の工程で作製するハニカム構造体に限定されず、任意の一体型ハニカム構造体を用いることができる。例えば、コート層が形成されていないハニカム構造体に対して酸化工程を行ってもよい。
集合型ハニカム構造体を用いてハニカム触媒体を製造する場合、本発明の第一実施形態では、ハニカム構造体に酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒を担持させているが、ハニカム焼成体に上記触媒を担持させた後、上記触媒を担持させたハニカム焼成体を接着材層を介して複数接着させてもよい。
ハニカム焼成体の気孔率が35%未満であると、ハニカム焼成体がパティキュレート(PM)の目詰まりを起こしやすくなる。一方、ハニカム焼成体の気孔率が70%を超えると、ハニカム焼成体の強度が低下して容易に破壊されやすくなる。
ハニカム焼成体の平均気孔径が5μm未満であると、パティキュレートが容易に目詰まりを起こしやすくなる。一方、ハニカム焼成体の平均気孔径が30μmを超えると、パティキュレートがセル壁の気孔を通り抜けてしまい、パティキュレートを捕集することができず、フィルタとしての機能が不充分となる。
セル壁の厚さが0.12mm未満であると、セル壁の厚さが薄くなり、ハニカム焼成体の強度を保つことができなくなる。一方、セル壁の厚さが0.40mmを超えると、ハニカム構造体の圧力損失の上昇を引き起こしやすくなる。
例えば、以下のような断面形状が異なる3種類のハニカム焼成体を作製してもよい。第1のハニカム焼成体は、断面形状が2本の直線と1本の円弧とで囲まれた形状である。第2のハニカム焼成体は、断面形状が3本の直線と1本の円弧とで囲まれた形状である。第3のハニカム焼成体は、断面形状が4本の直線で囲まれた形状(四角形)である。断面形状の異なるこれら3種類のハニカム焼成体は、押出形成において用いるダイスの形状を変更することにより作製することができる。そして、第1のハニカム焼成体を8個、第2のハニカム焼成体及び第3のハニカム焼成体をそれぞれ4個ずつ組み合わせることにより、円柱状のハニカム構造体を作製することができる。
また、湿潤混合物に含まれる潤滑剤としては、特に限定されず、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレン系化合物等が挙げられる。
潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
なお、可塑剤、潤滑剤は、場合によっては、湿潤混合物に含まれていなくてもよい。
さらに、湿潤混合物中には、成形助剤が添加されていてもよい。
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらの中では、アルミナバルーンが好ましい。
係る必須の構成要素に、本発明の第一実施形態、第二実施形態、及び、その他の実施形態で詳述した種々の構成(例えば、ハニカム焼成体の構成材料、触媒の種類、酸化工程の条件等)を適宜組み合わせることにより所望の効果を得ることができる。
11 接着材層
20 ハニカム焼成体
21a、21b、51a、51b セル
23、53 セル壁
31 炭化ケイ素粒子
32 シリカ層
33 触媒(酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒)
Claims (7)
- 炭化ケイ素粒子からなり、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質のハニカム焼成体を含むハニカム構造体と、
前記ハニカム構造体に担持された、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒とを備えた、尿素SCR装置においてNOxを浄化するために用いられるハニカム触媒体であって、
前記炭化ケイ素粒子の表面には、シリカ層が形成されており、
前記触媒は、前記炭化ケイ素粒子の表面に、前記シリカ層を介して担持されており、
X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した前記シリカ層の厚さは、30〜60nmであり、
前記酸化物セラミック又は前記ゼオライトは、50g/L以上担持されていることを特徴とするハニカム触媒体。 - 前記酸化物セラミック又は前記ゼオライトが、前記ハニカム焼成体のセル壁の内部に担持されている請求項1に記載のハニカム触媒体。
- 前記ハニカム構造体は、1つのハニカム焼成体からなる請求項1又は2に記載のハニカム触媒体。
- 前記ハニカム構造体は、複数のハニカム焼成体が接着材層を介して結束されてなる請求項1又は2に記載のハニカム触媒体。
- 炭化ケイ素粒子からなり、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された多孔質のハニカム焼成体を含むハニカム構造体と、前記ハニカム構造体に担持された、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒とを備えた、尿素SCR装置においてNOxを浄化するために用いられるハニカム触媒体の製造方法であって、
前記ハニカム焼成体を含むハニカム構造体を、酸化雰囲気下において、1000〜1100℃、1〜3時間熱処理して酸化する酸化工程と、
前記酸化工程の後、前記ハニカム構造体に、酸化物セラミック又はゼオライトを含む触媒を担持する担持工程とを含み、
前記酸化工程では、前記ハニカム焼成体に含まれる炭化ケイ素粒子の表面に、X線光電子分光法(XPS)を用いて測定した厚さが30〜60nmであるシリカ層を形成し、
前記担持工程では、前記酸化物セラミック又は前記ゼオライトを50g/L以上担持することを特徴とするハニカム触媒体の製造方法。 - 前記酸化工程において、前記酸化雰囲気中の酸素濃度は、5〜21容量%である請求項5に記載のハニカム触媒体の製造方法。
- 複数のハニカム焼成体を接着材層を介して接着させる接着工程をさらに含む請求項5又は6に記載のハニカム触媒体の製造方法。
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