JP5794300B2 - アンテナ装置および通信端末装置 - Google Patents

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    • H01Q9/285Planar dipole

Description

本発明はアンテナ装置およびアンテナ装置を備えた通信端末装置に関し、特に無線通信、無線LAN、移動体通信システム、衛星信号の受信等で用いられるアンテナ装置および通信端末装置に関する。
機器の筐体内に配置される基板の導体パターンによって放射素子等が構成されたアンテナ装置として特許文献1〜3が開示されている。
特許文献1には、不平衡線路を容量やインダクタ回路を通すことにより平衡モードの信号に変換して、二つのグランド電極をダイポールアンテナとして励振することが示されている。
特許文献2には、不平衡線路(同軸線路)によって、板状のダイポールアンテナに給電を行う構成が示されている。
特許文献3には、グランド電極に設けられたノッチアンテナの根元側に給電が行われ、ノッチの開放端側にノッチを跨ぐようにリアクタンス素子が形成され、多共振特性を得るようにした構成が示されている。
特開2008−270921号公報 特開2010−114797号公報 特開2010−62976号公報
特許文献1〜3に開示されている構成では次のような問題がある。
特許文献1のアンテナ装置においては、モジュールおよび平衡回路部分のグランド電極をそれ以外のグランド電極から分割する必要がある。また、平衡回路を構成する集中定数回路素子のばらつきおよび損失が発生する。
特許文献2のアンテナ装置においては、ホット側の素子とアース側の素子とを分離する必要がある。また、二つの素子間の間隙の精度によって整合特性にばらつきが生じやすい。また、高周波電流の強いエリアに接続された給電ケーブルに漏洩電流が発生しやすい。
特許文献3のアンテナ装置においては、ある程度のノッチの長さが必要になる。ノッチを短くし、装荷容量で共振周波数を強制的に低下しようとすると狭帯域特性になる。また、第1、第2周波数で複共振をもたせるために三つのリアクタンス素子を要し、これらの周波数特性により帯域が狭くなりやすい。さらに、周波数特性が急峻なため、素子ばらつきによる共振周波数ばらつき発生しやすい。
そこで、本発明は、基板の導体パターンによって放射素子等が構成されたアンテナ装置において、上述の問題を解消し、基板上の導体パターンが複雑化せず、広帯域で特性ばらつきの少ないアンテナ装置およびそれを備えた通信端末装置を提供することを目的としている。
(1)本発明のアンテナ装置は、長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路とを備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする。
(2)前記基板の一部または全部は可撓性材料で構成されていることが好ましい。
(3)前記伝送線路は可撓性の同軸ケーブルを含むことが好ましい。
(4)前記伝送線路の少なくとも一部前記基板に形成された導体パターンで構成されていることが好ましい。
(5)前記放射用グランド導体は、前記基板の外縁の一部に沿って、前記基板に形成された主グランド導体とは分離形成されていることが好ましい。
(6)前記基板には前記放射用グランド導体とともに主グランド導体が形成されていて、
前記放射用グランド導体の一部は前記主グランド導体に対してグランド接続部を介して接続されていて、
前記グランド接続部に、適用周波数帯の高周波信号に対して共振する電気長のチョークを備えていることが好ましい。
(7)本発明の通信端末装置は、筐体内にアンテナ装置を備え、
前記アンテナ装置は、長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
伝送線路とを備え、
前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする。
本発明によれば、基板上の導体パターンが複雑化せず、特性ばらつきが少なく、広帯域特性のアンテナ装置およびそれを備えた通信端末装置が得られる。
図1は第1の実施形態のアンテナ装置101の平面図である。 図2は同軸コネクタのレセプタクルを取り付ける前の状態での第1の実施形態のアンテナ装置の部分斜視図である。 図3はアンテナ装置101の等価回路図である。 図4は第1の実施形態のアンテナ装置101の放射用グランド導体11に分布する電流密度を表す図である。 図5(A)は比較対照のアンテナ装置の構造を表す平面図である。図5(B)は、その放射用グランド導体に分布する電流密度を表す図である。 図6は、第1の実施形態のアンテナ装置101および図5に示した比較対照のアンテナ装置の指向性を示す図である。 図7はアンテナ装置101の放射用グランド導体11の長さ寸法Lを変化させたときの指向性の変化を示す図であり、図7(A)はL=50mm、図7(B)はL=60mm、図7(C)はL=70mmの場合の特性である。 図8(A)は放射用グランド導体11の長さ寸法Lをさらに広範囲に変化させたときの放射効率の変化、図8(B)は長さLを変化させたときのリターンロス特性の変化を示す図である。図8(C)は長さLを変化させたときの指向性の変化を示す図である。 図9(A)は放射用グランド導体11の幅寸法Wを変化させたときの放射効率の変化、図9(B)は幅Wを変化させたときのリターンロス特性の変化を示す図である。図9(C)は幅Wを変化させたときの指向性の変化を示す図である。 図10は第2の実施形態のアンテナ装置102の平面図である。 図11は、通信端末装置内の親基板40とアンテナ装置101との位置関係を示す斜視図である。 図12は、通信端末装置内の親基板40とアンテナ装置101との距離dの変化によるリターンロスの変化の例を示す図である。 図13は第4の実施形態のアンテナ装置104を含む回路基板の平面図である。 図14(A)は親基板40の大きさ(主グランド導体41の大きさ)の変化に対するアンテナ装置104のリターンロス特性の変化を示す図である。図14(B)は図13に示したグランド導体分離領域42を設けない場合の特性である。 図15は第5の実施形態のアンテナ装置105を含む回路基板の平面図である。 図16は、チョーク用導体パターン43の有無による効果を示す図であり、図16(A)はチョーク用導体パターン43が有るときの電流密度分布、図16(B)はチョーク用導体パターン43が無いときの電流密度分布をそれぞれ表している。 図17はチョーク用導体パターン43の有無による指向性の違いを示す図である。 図18は第6の実施形態である通信端末装置201の斜視図である。
《第1の実施形態》
第1の実施形態のアンテナ装置について各図を参照して説明する。図1は第1の実施形態のアンテナ装置101の平面図である。図1(A)は同軸ケーブルを取り付ける前の状態、図1(B)は同軸ケーブルを取り付けた状態である。また、図2は同軸コネクタのレセプタクルを取り付ける前の状態での第1の実施形態のアンテナ装置の部分斜視図である。
アンテナ装置101は放射用グランド導体11が形成された基板10を備えている。放射用グランド導体11は長方形状であり、長辺である第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有する。放射用グランド導体11の第1の辺S1に沿って、この第1の辺S1の両端部を除く他の位置(中央位置)にグランド導体非形成領域12が設けられている。グランド導体非形成領域12の第1の辺S1に沿った方向の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路が接続されている。すなわち、前記直列回路がグランド導体非形成領域12を跨ぐように配置されている。このキャパシタンス素子21は放射電極13,14間の間隙容量を構成する。
なお、基板10の裏面には前記放射用グランド導体11に対向するパターンの放射用グランド導体が形成されている。したがって、表面のグランド導体非形成領域12に対向する位置にもグランド導体非形成領域が形成されている。
基板10には同軸コネクタのレセプタクル31が取り付けられている。基板10には、第1端がキャパシタンス素子21の第1端に導通し、第2端が同軸コネクタのレセプタクル31の中心導体の接続部に導通する給電線15が形成されている。同軸コネクタのレセプタクル31の外導体は放射用グランド導体11に接続されている。
図1(B)に表れているように、前記レセプタクル31に同軸コネクタのプラグ32が装着され、同軸ケーブル33は基板10のグランド導体非形成領域から放射用グランド導体の第2の辺S2の中央付近へ引き出されている。そして、基板10に重ならないように外方へ配線されている。
前記レセプタクル31、プラグ32および同軸ケーブルは本発明に係る「伝送線路」に相当する。すなわち、伝送線路の第1端の中心導体(レセプタクル31の中心導体)は給電線15を介してキャパシタンス素子21の第1端に接続されている。また、伝送線路の第1端の外導体(レセプタクル31の外導体)は放射用グランド導体11に接続されている。また、伝送線路の第2端(同軸ケーブル33の引き出された側の先端)は給電回路に接続されている。
なお、図1(A)、図1(B)に示した例では、伝送線路の第1端の中心導体(レセプタクル31の中心導体)は給電線15を介して放射電極13にも接続されている。伝送線路の第1端の中心導体(レセプタクル31の中心導体)は、給電線15を介してキャパシタンス素子21の第1端から離れた位置で放射電極13に接続されていてもよい。
図3は前記アンテナ装置101の等価回路図である。このアンテナ装置101は、グランド導体非形成領域12の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路が接続され、キャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に給電されるように構成された回路である。
このようにキャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に給電することで、放射用グランド導体にダイポールアンテナと同様の(ダイポールアンテナ的な)電流が誘起される。図3中の矢印はその電流を表している。
図4は第1の実施形態のアンテナ装置101の放射用グランド導体11に分布する電流密度を表す図である。また、図5(A)は比較対照のアンテナ装置の構造を表す平面図である。図5(B)は、その放射用グランド導体に分布する電流密度を表す図である。
図5(A)に示した比較対照のアンテナ装置は、基板の角部にグランド導体非形成領域12が設けられ、このグランド導体非形成領域12にヘリカル状の放射電極が形成されたモノポールアンテナチップ22が配置されている。
図4に表れているように、本発明の第1の実施形態のアンテナ装置101では、放射用グランド導体11のキャパシタンス素子21が配置された第1の辺S1側の電流密度が第2の辺S2側よりも高い。一方、図5(B)に表れているように、モノポールアンテナチップ22が基板の角部に配置されたアンテナ装置においては、放射用グランド導体11の第1の辺S1の中央部と第2の辺S2の中央部の電流密度はほぼ均等である。
図6は、第1の実施形態のアンテナ装置101および図5に示した比較対照のアンテナ装置の指向性を示す図である。ここで、0°は放射用グランド導体11の第1の辺S1方向、180°は放射用グランド導体11の第2の辺S2方向である。曲線D1は第1の実施形態のアンテナ装置101の指向性、曲線D2は比較対照のアンテナ装置の指向性を表している。
このように、本発明のアンテナ装置では、放射用グランド導体11の第1の辺S1側の電流密度が第2の辺S2側よりも高いため、第1の辺S1方向(0°方向)への指向性が強い。比較対照のアンテナ装置では0°方向と180°方向の両方にほぼ均等な指向性が表れる。
第1の実施形態によれば、図1(B)に示したように、同軸ケーブル33は基板10のグランド導体非形成領域から放射用グランド導体の第2の辺S2の中央付近へ引き出されている。すなわち電流密度の低い位置から伝送線路が引き出されているので、放射用グランド導体11と同軸ケーブル33との不要な結合が殆ど生じない。そのため、同軸ケーブルを含めた範囲まで電流が分布することがなく、アンテナの放射効率、指向性および給電回路とのインピーダンス整合が同軸ケーブルの引き出し方によっては殆ど変化しない。
次に、放射用グランド導体11の寸法とアンテナの指向性との関係について示す。
図7はアンテナ装置101の放射用グランド導体11の長さ寸法Lを変化させたときの指向性の変化を示す図である。図7(A)はL=50mm、図7(B)はL=60mm、図7(C)はL=70mmの場合の特性である。いずれも放射用グランド導体11の幅寸法Wは10mmとしている。ここで適用周波数は2.45GHz、基板の比誘電率は4.9であり、L=60mmで1/2波長に相当する。このように、放射用グランド導体11の長さ寸法Lが異なっても、放射用グランド導体11の第1の辺S1側の電流密度が第2の辺S2側よりも高いため、第1の辺S1方向(0°方向)への強く放射することがわかる。
図8(A)は前記放射用グランド導体11の長さ寸法Lをさらに広範囲に変化させたときの放射効率の変化、図8(B)は前記長さLを変化させたときのリターンロス特性の変化を示す図である。図8(C)は前記長さLを変化させたときの指向性の変化を示す図である。ここで、各特性曲線と寸法Lとの関係は次のとおりである。
L1:L=20mm
L2:L=40mm
L3:L=60mm
L4:L=80mm
L5:L=100mm
放射効率は、図8(A)に表れているように、長さLが40mmより短くなると低下する。リターンロスについても、図8(B)に表れているように、長さLが40mmより短くなると狭帯域特性となる。さらに、指向性についても、図8(C)に表れているように、長さLが40mmより短くなると前方(0°)方向への利得が低下する。
これらのことから、放射用グランド導体11の長さ寸法Lは、1/2波長共振するダイポールアンテナと同等の性能(指向性・放射効率・リターンロス)を得るために、その電気長がほぼ1/2波長であることが好ましい。
図9(A)は前記放射用グランド導体11の幅寸法Wを変化させたときの放射効率の変化、図9(B)は前記幅Wを変化させたときのリターンロス特性の変化を示す図である。図9(C)は前記幅Wを変化させたときの指向性の変化を示す図である。ここで、各特性曲線と寸法Lとの関係は次のとおりである。
W1:W=10mm
W2:W=30mm
W3:W=50mm
W4:W=70mm
W5:W=90mm
放射効率は、図9(A)に表れているように、幅Wに関わらず殆ど一定である。リターンロスについては、図9(B)に表れているように、幅Wが短いほどリターンロスが小さくなる傾向はあるが殆ど変化しない。指向性については、図9(C)に表れているように、幅Wの変化による前方(0°)方向への利得変化は小さいが、幅Wが小さいほど8の字形状に近くなる。90°〜270°の180範囲で利得を得るためには、幅Wが1/2波長またはそれ以上にすればよいことがわかる。
上述した効果以外に、第1の実施形態によれば次のような効果を奏する。
(1)グランド導体に適用周波数の波長に対してかなり小さい(一辺が1/10波長未満の)グランド導体非形成領域を設けることでダイポール的に動作するアンテ装置を容易に構成できる。グランド導体の形状についても特別な設計を必要としない。
(2)放射用グランド導体の電流密度の相対的に低い側から給電用の伝送線路を取り出すので、通信端末装置などの電子機器へのアセンブリにおいても、伝送線路の配置に構造上の無理が生じにくい。
(3)可撓性を有する(フレキシブルな)同軸ケーブルを用いれば、アンテナにとって条件のよい場所を選択できるため、組み込み先電子機器の電源などのノイズ源から遠ざけることができ、またグランド導体から分離できるため、ノイズの影響が抑制できる。
《第2の実施形態》
図10は第2の実施形態のアンテナ装置102の平面図である。アンテナ装置102は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有する放射用グランド導体11が形成された基板10を備えている。この放射用グランド導体11の第1の辺S1に沿って、この第1の辺S1の両端部を除く他の位置(中央位置)にグランド導体非形成領域12が設けられている。グランド導体非形成領域12の第1の辺S1に沿った方向の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路がグランド導体非形成領域12を跨ぐように配置されている。基板10には、第1端がキャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に導通する給電線15が形成されている。この給電線15とグランド導体との間にインピーダンス整合用のリアクタンス素子24が接続(実装)されている。また、放射電極14とグランド導体11との間にリアクタンス素子23が接続(実装)されている。このリアクタンス素子23のインダクタンス値またはキャパシタンス値によってキャパシタンス素子21および放射電極13,14による回路の共振周波数を所定値に定めるために装荷されたものである。
給電線15の端部には、図1(A)、図1(B)に示したものと同様に同軸コネクタのレセプタクルが設けられ、同軸ケーブルの端部に設けられた同軸コネクタがレセプタクルに装着される。
《第3の実施形態》
第3の実施形態では、通信端末装置内の親基板に対するアンテナ装置の配置および特性の差異について示す。
図11は、通信端末装置内の親基板40とアンテナ装置101との位置関係を示す斜視図である。図11(A)の例では、親基板40に主グランド導体41が形成されていて、アンテナ装置101のグランド導体11と親基板40の主グランド導体41から距離dだけ離れた位置に配置されている。図11(B)は前記距離d=0の例、すなわちアンテナ装置101のグランド導体11が親基板40の主グランド導体41に導通している状態である。
図12は前記距離dの変化によるリターンロスの変化の例を示す図である。図12において、各特性曲線と寸法dとの関係は次のとおりである。
d0:d=0mm
d2:d=2mm
d5:d=5mm
d10:d=10mm
このように、アンテナ装置101のグランド導体11が親基板40の主グランド導体41から離れている限り、リターンロスの変化は小さいが、アンテナ装置101のグランド導体11が親基板40の主グランド導体41に導通しているとリターンロスは大きく低域側へシフトする。このことから、アンテナ装置のグランド導体11は親基板40の主グランド導体41から離れた状態で配置することで、安定したアンテナ性能が得られることがわかる。
《第4の実施形態》
図13は第4の実施形態のアンテナ装置104を含む回路基板の平面図である。この回路基板は親基板40に各種導体パターンおよび各種素子が実装されたものである。アンテナ装置104の放射用グランド導体11は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有する。この放射用グランド導体11は親基板40の外縁の一部に沿って形成されている。親基板40には主グランド導体41が形成されていて、この主グランド導体41と放射用グランド導体11との間にグランド導体分離領域42が設けられている。放射用グランド導体11の一部は主グランド導体41に対してグランド接続部CSを介して接続されている。
アンテナ装置104には、第1の辺S1に沿って、この第1の辺S1の両端部を除く他の位置(中央位置)にグランド導体非形成領域12が設けられている。グランド導体非形成領域12の第1の辺S1に沿った方向の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路がグランド導体非形成領域12を跨ぐように配置されている。親基板40には、第1端がキャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に導通する給電線15が形成されている。
親基板40にはアンテナ装置にとっての給電回路である高周波モジュール34が実装されている。この高周波モジュール34とアンテナ装置104とは給電線15で接続されている。この給電線15はグランド導体とともにコプレーナラインを構成している。
前記コプレーナラインは本発明の係る「伝送線路」に相当し、前記給電線15は本発明に係る「伝送線路」の中心導体に相当する。また、放射用グランド導体11の一部および主グランド導体41の一部は発明に係る「伝送線路」の外導体に相当する。すなわち、伝送線路の第1端の中心導体(給電線15の第1端)は放射電極13に接続されている。また、伝送線路の第1端の外導体は放射用グランド導体11の一部である。また、伝送線路の第2端(給電線15の第2端)は給電回路に接続されている。
図14(A)は主グランド導体41の大きさの変化に対するアンテナ装置104のリターンロス特性の変化を示す図である。
図14(A)において、各特性曲線と各部の寸法との関係は次のとおりである。
A0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
A1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
A2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
ここで、A0は親基板の無い、アンテナ装置単独の(第1の実施形態で示したアンテナ装置101の)特性である。また、A1,A2は図13に示したように親基板40に構成されたアンテナ装置104の特性であり、寸法Lは主グランド導体41の長さ(左右方向の寸法)、寸法Wは主グランド導体41の幅(上下方向の寸法)、寸法tは基板の厚みである。
なお、グランド導体分離領域42で分離された放射用グランド導体11と主グランド導体41との接続部の幅は3mm、グランド導体分離領域42の間隔は5mmとした。
図14(B)は図13に示したグランド導体分離領域42を設けない場合の特性である。すなわち、放射用グランド導体11が親基板40の主グランド導体41と連続している場合の、主グランド導体41の大きさの変化に対するアンテナ装置104のリターンロス特性の変化を示す図である。
図14(B)において、各特性曲線と各部の寸法との関係は次のとおりである。
B0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
B1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
B2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
ここで、寸法Lは放射用グランド導体11の長さ(左右方向の寸法)、寸法Wは放射用グランド導体11の幅(上下方向の寸法)、寸法tは基板の厚みである。
図14(B)から明らかなように、基板サイズの変化に伴って放射用グランド導体11のサイズが変化すると、アンテナの共振周波数が変化してしまう。これに対し、図14(A)に表れているように、アンテナのリターンロス特性は親基板40の主グランド導体41のサイズに殆ど影響を受けないことがわかる。したがって、第4の実施形態で示したアンテナ装置の構造によれば、親基板の導体パターンの影響を受けることなく、アンテナ装置の設計が可能となる。
第4の実施形態によれば、伝送線路部のグランド導体以外は、親基板40の主グランド導体41から放射用グランド導体11が分離されているので、親基板40で生じるノイズの影響を抑制することができる。そのため、親基板に組み込まれるタイプのアンテナ装置としての汎用性も高い。
《第5の実施形態》
図15は第5の実施形態のアンテナ装置105を含む回路基板の平面図である。この回路基板は親基板40に各種導体パターンおよび各種素子が実装されたものである。アンテナ装置105の放射用グランド導体11は、第1の辺S1とこれに対向する第2の辺S2を有し、この放射用グランド導体11が親基板40に形成されている。親基板40には主グランド導体41が形成されていて、この主グランド導体41と放射用グランド導体11との間にグランド導体分離領域42が設けられている。
アンテナ装置105には、第1の辺S1に沿って、この第1の辺S1の両端部を除く他の位置(中央位置)にグランド導体非形成領域12が設けられている。グランド導体非形成領域12の第1の辺S1に沿った方向の両端に、放射電極13,14およびキャパシタンス素子21を含む直列回路がグランド導体非形成領域12を跨ぐように配置されている。親基板40には、第1端がキャパシタンス素子21の第1端(放射電極13)に導通する給電線15が形成されている。
グランド導体分離領域42には、給電線15の近傍にチョーク用導体パターン43が形成されている。このチョーク用導体パターン43の基部SEは親基板40の主グランド導体41側に短絡端として接続されている。チョーク用導体パターン43の先端部OEは開放されていて、且つ給電線15に近接されている。
例えば、チョーク用導体パターン43の線幅は1mm、主グランド導体41との間隔は1mm、折り返された部分の線間は1mm、基部SEから折り返し部までの長さは9mmである。また、給電線15両側のグランド導体とチョーク用導体パターン43の先端部OEとの間隔は0.5mmである。このチョーク用導体パターン43は1/4波長共振するオープンスタブのような形状である。上記寸法のチョーク用導体パターン43の線路長は1/4波長に満たないが、これは、先端部OEとグランド導体との間などに生じる浮遊容量が装荷されるためであるものと考えられる。要は、放射用グランド導体11と主グランド導体との接続部分に、適用周波数帯の高周波信号に対して共振する(チョークとして作用する)電気長のチョークを備えればよい。
図16は、前記チョーク用導体パターン43の有無による効果を示す図であり、図16(A)はチョーク用導体パターン43が有るときの電流密度分布、図16(B)はチョーク用導体パターン43が無いときの電流密度分布をそれぞれ表している。
このように、チョーク用導体パターン43が存在すると、アンテナ装置の放射用グランド導体11から親基板40の主グランド導体41へ流れ込もうとする電流が抑制される。このことにより、親基板40の主グランド導体41による影響をより受けることなく、アンテナ装置105の特性が安定したものとなる。
図17は前記チョーク用導体パターン43の有無による指向性の違いを示す図である。図17において、特性Aは前記チョーク用導体パターン43が有るときの特性、特性Bは前記チョーク用導体パターン43が無いときの特性である。このように、チョーク用導体パターン43が有ると、親基板40の主グランド導体41へ流れ込もうとする電流が抑制されるので、アンテナ装置105側(0°方向)への放射が強くなることがわかる。
《第6の実施形態》
図18は第6の実施形態である通信端末装置201の斜視図である。この通信端末装置201は、ほぼ直方体形状の筐体内に親基板とともにアンテナ装置101Aおよび101Bを備えている。親基板は表示パネル51の背後に、筐体に沿って配置されている。アンテナ装置101Aおよび101Bは、先の実施形態で図11(A)に示したように、親基板40に対して垂直の関係にある。そのため、通信端末装置201の表示パネル51に対して垂直で且つ表示パネル51の前面方向を指向することになる。
なお、アンテナ装置の放射用グランド導体を形成する基板を、可撓性材料で構成されたフレキシブル基板とすることにより、アンテナ装置101Bのように、筐体の角部で二面に亘って屈曲させた状態で配置することも可能となる。
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、キャパシタンス素子21を設けたが、この素子はチップコンデンサであってもよい、また、基板に形成した導体パターンで構成されていてもよい。
また、以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、キャパシタンス素子21の両側に放射電極13,14が設けられた例を示したが、キャパシタンス素子21の第1端を放射用グランド導体11に直接接続し、第2端のみを放射電極に接続するようにしてもよい。
また、以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、給電線15を介して直接給電する例を示したが、給電線15の途中にキャパシタンス素子を直列に挿入するか、基板上の導体パターンによって容量を形成して、容量給電するように構成してもよい。
また、以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、同軸コネクタを用いて給電する例および基板上の導体パターンによって給電する例を示したが、本発明はこれに限らない。フレキシブルな同軸ケーブルの中心導体がキャパシタンス素子の第1端または放射電極に直接接続され、外導体が放射用グランド導体に直接接続されてもよい。
また、以上に示した各実施形態のアンテナ装置では、長方形状の放射用グランド導体の第1の辺に沿って、その第1の辺の中央部にグランド導体非形成領域が設けられた例を示したが、グランド導体非形成領域は第1の辺の中央部でなくてもよい。放射用グランド導体および放射電極にダイポールアンテナと同様の電流が誘起されればよいので、このグランド導体非形成領域は、前記第1の辺の両端部を除く他の位置(両端部から離れた位置)に形成されていればよい。
また、図13に示した例では、基板に放射用グランド導体11とともに主グランド導体41が形成され、放射用グランド導体11の一部が主グランド導体41に対してグランド接続部CSを介して接続された例を示したが、放射用グランド導体11は主グランド導体41とは分離形成されていてもよい。
CS…グランド接続部
S1…第1の辺
S2…第2の辺
SE…基部
10…基板
11…放射用グランド導体
12…グランド導体非形成領域
13,14…放射電極
15…給電線
21…キャパシタンス素子
23,24…リアクタンス素子
31…レセプタクル
32…プラグ
33…同軸ケーブル
34…高周波モジュール
40…親基板
41…主グランド導体
42…グランド導体分離領域
43…チョーク用導体パターン
51…表示パネル
101…アンテナ装置
101A,101B…アンテナ装置
102,104,105…アンテナ装置
201…通信端末装置

Claims (7)

  1. 長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
    前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
    前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
    伝送線路とを備え、
    前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
    前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とするアンテナ装置。
  2. 前記基板の一部または全部が可撓性材料で構成された、請求項1に記載のアンテナ装置。
  3. 前記伝送線路は可撓性の同軸ケーブルを含む、請求項1または2に記載のアンテナ装置。
  4. 前記伝送線路の少なくとも一部前記基板に形成された導体パターンで構成された、請求項1〜3のいずれかに記載のアンテナ装置。
  5. 前記放射用グランド導体は、前記基板の外縁の一部に沿って、前記基板に形成された主グランド導体とは分離形成されている、請求項1〜4のいずれかに記載のアンテナ装置。
  6. 前記基板には前記放射用グランド導体とともに主グランド導体が形成されていて、
    前記放射用グランド導体の一部は前記主グランド導体に対してグランド接続部を介して接続されていて、
    前記グランド接続部に、適用周波数帯の高周波信号に対して共振する電気長のチョークを備えた、請求項1〜4のいずれかに記載のアンテナ装置。
  7. 筐体内にアンテナ装置を備えた通信端末装置において、
    前記アンテナ装置は、長辺である第1の辺と前記第1の辺に対向する第2の辺を有する長方形状の放射用グランド導体が形成された基板と、
    前記第1の辺の両端部を除く他の位置に沿って、前記第1の辺より内側に設けられたグランド導体非形成領域と、
    前記基板内に設けられ、前記グランド導体非形成領域の前記第1の辺に沿った方向の両端に接続され、前記第2の辺よりも前記第1の辺に近い位置で前記グランド導体非形成領域を跨ぐように配置された、放射電極およびキャパシタンス素子を含む直列回路と、
    伝送線路とを備え、
    前記伝送線路の第1端の中心導体は前記キャパシタンス素子の第1端または前記放射電極に接続され、前記伝送線路の第1端の外導体は前記放射用グランド導体の一部であるか、もしくは前記放射用グランド導体に接続され、前記伝送線路の第2端は給電回路に接続され、
    前記伝送線路は前記グランド導体非形成領域から前記放射用グランド導体の前記第2の辺方向へ引き出されたことを特徴とする通信端末装置。
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