CN103563173B - 天线装置及通信终端装置 - Google Patents

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CN103563173B CN201280025156.4A CN201280025156A CN103563173B CN 103563173 B CN103563173 B CN 103563173B CN 201280025156 A CN201280025156 A CN 201280025156A CN 103563173 B CN103563173 B CN 103563173B
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Abstract

天线装置(101)具备形成了辐射用接地导体(11)的基板(10),该辐射用接地导体具有第1边(S1)及与其对置的第2边(S2)。沿着该辐射用接地导体(11)的第1边(S1),在该第1边(S1)的除了两端部以外的其他位置设置有接地导体非形成区域(12)。在接地导体非形成区域(12)的沿着第1边(S1)的方向的两端,以跨越接地导体非形成区域(12)的方式配置有包括辐射电极(13、14)及电容元件(21)在内的串联电路。同轴线缆(33)从基板(10)的接地导体非形成区域(12),向辐射用接地导体(11)的第2边(S2)的中央附近被引出。

Description

天线装置及通信终端装置
技术领域
本发明涉及天线装置及具备了天线装置的通信终端装置,尤其涉及无线通信、无线LAN、移动体通信系统、卫星信号的接收等所采用的天线装置及通信终端装置。
背景技术
专利文献1~3公开了由配置于设备的框体内的基板的导体图案构成了辐射元件等的天线装置。
专利文献1中公开了:使不平衡线路通过电容或电感电路,由此变换成平衡模式的信号并将2个接地电极作为偶极天线进行激励。
专利文献2中公开了:利用不平衡线路(同轴线路)向板状的偶极天线进行供电的构成。
专利文献3中公开了以下构成:向设置于接地电极的切口天线的根部侧进行供电,在切口的开放端侧以跨越切口的方式形成电抗元件,由此获得多谐振特性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2008-270921号公报
专利文献2:JP特开2010-114797号公报
专利文献3:JP特开2010-62976号公报
发明内容
-发明所要解决的课题-
在专利文献1~3所公开的构成中存在如下问题。
在专利文献1的天线装置中,需要将模块及平衡电路部分的接地电极和除此以外的接地电极分割开来。再有,也会产生构成平衡电路的集中常数电路元件的偏差及损耗。
在专利文献2的天线装置中,需要将火线(hot)侧的元件与地线(earth)侧的元件分离开。再有,由于2个元件间的间隙的精度而容易在匹配特性上产生偏差。还有,与高频电流强的区域相连接的供电线缆容易产生漏电流。
在专利文献3的天线装置中,需要某种程度的切口的长度。若缩短切口并想利用充电电容强制性地降低谐振频率,则变为窄频带特性。再有,为了在第1、第2频率下具备多谐振而需要3个电抗元件,因这些频率特性容易使得频带变窄。进而,由于频率特性陡峭,故容易产生元件偏差带来的谐振频率偏差。
因而,本发明的目的在于:在由基板的导体图案构成了辐射元件等的天线装置中解决上述问题,并提供一种不会使基板上的导体图案复杂化而宽频带且特性偏差少的天线装置及具备了该天线装置的通信终端装置。
-用于解决课题的手段-
(1)本发明的天线装置,其特征在于,具备:
基板,其形成有长方形的辐射用接地导体,该辐射用接地导体具有作为长边的第1边及与所述第1边对置的第2边;
接地导体非形成区域,沿着所述第1边的除了两端部以外的其他位置,在所述第1边的内侧设置该接地导体非形成区域;
包括辐射电极及电容元件的串联电路,其与所述接地导体非形成区域的沿着所述第1边的方向的两端连接且被配置为跨越所述接地导体非形成区域;和
传输线路,
所述传输线路的第一端的中心导体和所述电容元件的第一端或所述辐射电极连接,所述传输线路的第一端的外导体是所述辐射用接地导体的一部分或者与所述辐射用接地导体连接,所述传输线路的第二端与供电电路连接,
所述传输线路从所述接地导体非形成区域,向所述辐射用接地导体的第2边(中央附近)方向被引出。
(2)优选所述基板的一部分或全部由可挠性材料构成。
(3)优选所述传输线路包括可挠性的同轴线缆。
(4)优选所述传输线路由形成于所述基板的导体图案构成。
(5)优选所述辐射用接地导体沿着所述基板的外缘的一部分而与形成于所述基板的主接地导体分离地形成。
(6)优选所述基板形成有所述辐射用接地导体和主接地导体,
所述辐射用接地导体的一部分经由接地连接部而与所述主接地导体连接,
所述接地连接部具备针对适用频带的高频信号进行谐振的电气长的扼流圈(choke)。
(7)本发明的通信终端装置,在框体内具备天线装置,其特征在于,所述天线装置具备:
基板,其形成有长方形的辐射用接地导体,该辐射用接地导体具有作为长边的第1边及与所述第1边对置的第2边;
接地导体非形成区域,沿着所述第1边的除了两端部以外的其他位置,在所述第1边的内侧设置该接地导体非形成区域;
包括辐射电极及电容元件的串联电路,其与所述接地导体非形成区域的沿着所述第1边的方向的两端连接且被配置为跨越所述接地导体非形成区域;和
传输线路,
所述传输线路的第一端的中心导体和所述电容元件的第一端或所述辐射电极连接,所述传输线路的第一端的外导体是所述辐射用接地导体的一部分或者与所述辐射用接地导体连接,所述传输线路的第二端与供电电路连接,
所述传输线路从所述接地导体非形成区域,向所述辐射用接地导体的第2边方向被引出。
-发明的效果-
根据本发明,能获得不会使基板上的导体图案复杂化且特性偏差少、宽频带特性的天线装置及具备该天线装置的通信终端装置。
附图说明
图1是第1实施方式的天线装置101的俯视图。
图2是安装同轴连接器的插座前的状态下的第1实施方式的天线装置的局部立体图。
图3是天线装置101的等效电路图。
图4是表示分布于第1实施方式的天线装置101的辐射用接地导体11中的电流密度的图。
图5(A)是表示比较对照的天线装置的构造的俯视图。图5(B)是表示分布于其辐射用接地导体中的电流密度的图。
图6是表示第1实施方式的天线装置101及图5中示出的比较对照的天线装置的指向性的图。
图7是表示使天线装置101的辐射用接地导体11的长度尺寸L发生了变化时的指向性的变化的图,图7(A)是L=50mm、图7(B)是L=60mm、图7(C)是L=70mm的情况下的特性。
图8(A)是表示进一步使辐射用接地导体11的长度尺寸L在宽范围内发生了变化时的辐射效率的变化的图,图8(B)是表示使长度L发生了变化时的回波损耗(returnloss)特性的变化的图。图8(C)是表示使长度L发生了变化时的指向性的变化的图。
图9(A)是表示使辐射用接地导体11的宽度尺寸W发生了变化时的辐射效率的变化的图,图9(B)是表示使宽度W发生了变化时的回波损耗特性的变化的图。图9(C)是表示使宽度W发生了变化时的指向性的变化的图。
图10是第2实施方式的天线装置102的俯视图。
图11是表示通信终端装置内的母基板40和天线装置101的位置关系的立体图。
图12是表示通信终端装置内的母基板40和天线装置101的距离d的变化引起的回波损耗的变化的例子的图。
图13是第4实施方式的包括天线装置104的电路基板的俯视图。
图14(A)是表示与母基板40的大小(主接地导体41的大小)的变化对应的天线装置104的回波损耗特性的变化的图。图14(B)是未设置图13中示出的接地导体分离区域42的情况下的特性。
图15是第5实施方式的包括天线装置105的电路基板的俯视图。
图16是表示有无扼流圈用导体图案43所带来的效果的图,图16(A)表示有扼流圈用导体图案43时的电流密度分布、图16(B)表示无扼流圈用导体图案43时的电流密度分布。
图17是表示有无扼流圈用导体图案43所带来的指向性的差异的图。
图18是第6实施方式的通信终端装置201的立体图。
具体实施方式
《第1实施方式》
参照各图来说明第1实施方式的天线装置。图1是第1实施方式的天线装置101的俯视图。图1(A)是安装同轴线缆前的状态、图1(B)是安装了同轴线缆的状态。再有,图2是安装同轴连接器的插座前的状态下的第1实施方式的天线装置的局部立体图。
天线装置101具备形成有辐射用接地导体11的基板10。辐射用接地导体11是长方形的,具有作为长边的第1边S1及与其对置的第2边S2。沿着辐射用接地导体11的第1边S1,在除了该第1边S1的两端部之外的其他位置(中央位置)设置有接地导体非形成区域12。在接地导体非形成区域12的沿着第1边S1的方向的两端,连接着包括辐射电极13、14及电容元件21在内的串联电路。即,所述串联电路配置为跨越接地导体非形成区域12。该电容元件21构成辐射电极13、14间的间隙电容。
另外,基板10的背面形成有与所述辐射用接地导体11对置的图案的辐射用接地导体。因此,在表面的与接地导体非形成区域12对置的位置上也形成有接地导体非形成区域。
基板10上安装着同轴连接器的插座31。基板10上形成有第一端与电容元件21的第一端导通且第二端与同轴连接器的插座31的中心导体的连接部导通的供电线15。同轴连接器的插座31的外导体与辐射用接地导体11连接。
如图1(B)所示,同轴连接器的插头32被安装到所述插座31,同轴线缆33被从基板10的接地导体非形成区域向辐射用接地导体的第2边S2的中央附近引出。而且,以不与基板10重叠的方式向外方布线。
所述插座31、插头32及同轴线缆相当于本发明涉及的“传输线路”。即,传输线路的第一端的中心导体(插座31的中心导体)经由供电线15而被连接至电容元件21的第一端。再有,传输线路的第一端的外导体(插座31的外导体)与辐射用接地导体11连接。还有,传输线路的第二端(同轴线缆33的被引出侧的前端)与供电电路连接。
另外,在图1(A)、图1(B)示出的例子中,传输线路的第一端的中心导体(插座31的中心导体)经由供电线15也被连接至辐射电极13。传输线路的第一端的中心导体(插座31的中心导体)也可以经由供电线15而在自电容元件21的第一端离开的位置处与辐射电极13连接。
图3是所述天线装置101的等效电路图。该天线装置101是如下构成的电路:在接地导体非形成区域12的两端连接包括辐射电极13、14及电容元件21在内的串联电路且向电容元件21的第一端(辐射电极13)供电。
这样,通过向电容元件21的第一端(辐射电极13)供电,从而在辐射用接地导体感应出与偶极天线同样的(偶极天线性的)电流。图3中的箭头表示该电流。
图4是表示分布于第1实施方式的天线装置101的辐射用接地导体11中的电流密度的图。再有,图5(A)是表示比较对照的天线装置的构造的俯视图。图5(B)是表示分布于该辐射用接地导体中的电流密度的图。
图5(A)中示出的比较对照的天线装置在基板的角部设置接地导体非形成区域12,且在该接地导体非形成区域12配置形成有螺旋状的辐射电极的单极天线芯片22。
如图4所示,在本发明第1实施方式的天线装置101中,辐射用接地导体11的配置了电容元件21的第1边S1侧的电流密度比第2边S2侧更高。另一方面,如图5(B)所示,在单极天线芯片22被配置于基板角部的天线装置中,辐射用接地导体11的第1边S1的中央部和第2边S2的中央部的电流密度基本均衡。
图6是表示第1实施方式的天线装置101及图5中示出的比较对照的天线装置的指向性的图。在此,0°是辐射用接地导体11的第1边S1方向、180°是辐射用接地导体11的第2边S2方向。曲线D1表示第1实施方式的天线装置101的指向性、曲线D2表示比较对照的天线装置的指向性。
这样,在本发明的天线装置中,由于辐射用接地导体11的第1边S1侧的电流密度比第2边S2侧更高,故向第1边S1方向(0°方向)的指向性强。在比较对照的天线装置中0°方向与180°方向双方表现出基本均衡的指向性。
根据第1实施方式,如图1(B)中示出的,同轴线缆33从基板10的接地导体非形成区域而被引出至辐射用接地导体的第2边S2的中央附近。即,由于从电流密度低的位置引出传输线路,故几乎不会产生辐射用接地导体11与同轴线缆33的非必要的耦合。为此,电流不会分布到包含同轴线缆在内的范围,天线的辐射效率、指向性及与供电电路的阻抗匹配几乎都不会因同轴线缆的引出方法而发生变化。
接着,示出辐射用接地导体11的尺寸与天线的指向性的关系。
图7是表示使天线装置101的辐射用接地导体11的长度尺寸L发生了变化时的指向性的变化的图。图7(A)是L=50mm、图7(B)是L=60mm、图7(C)是L=70mm时的特性。均将辐射用接地导体11的宽度尺寸W设为101nm。在此,适用频率为2.45GHz、基板的相对介电常数为4.9、L=60mm,相当于1/2波长。这样,可知:即便辐射用接地导体11的长度尺寸L不同,但由于辐射用接地导体11的第1边S1侧的电流密度比第2边S2侧更高,故会向第1边S1方向(0°方向)更强地辐射。
图8(A)是表示进一步使所述辐射用接地导体11的长度尺寸L在宽范围内发生了变化时的辐射效率的变化的图、图8(B)是表示使所述长度L发生了变化时的回波损耗特性的变化的图。图8(C)是表示使所述长度L发生了变化时的指向性的变化的图。在此,各特性曲线和尺寸L的关系如下。
L1:L=20mm
L2:L=40mm
L3:L=60mm
L4:L=80mm
L5:L=100mm
如图8(A)所示,若长度L变得比40mm短,则辐射效率降低。对于回波损耗而言,也如图8(B)所示,若长度L变得比40mm短,则变成窄频带特性。进而,对于指向性而言,也如图8(C)所示,若长度L变得比40mm短,则向前方(0°)方向的增益降低。
根据这些情况,为了获得与进行1/2波长谐振的偶极天线同等的性能(指向性·辐射效率·回波损耗),优选辐射用接地导体11的长度尺寸L的电气长基本为1/2波长。
图9(A)是表示使所述辐射用接地导体11的宽度尺寸W发生了变化时的辐射效率的变化、图9(B)是表示使所述宽度W发生了变化时的回波损耗特性的变化的图。图9(C)是表示使所述宽度W发生了变化时的指向性的变化的图。在此,各特性曲线与尺寸L的关系如下。
W1:W=10mm
W2:W=30mm
W3:W=50mm
W4:W=70mm
W5:W=90mm
如图9(A)所示,辐射效率与宽度W无关,几乎是恒定的。关于回波损耗,如图9(B)所示,虽然存在宽度W越短、则回波损耗变得越小的倾向,但几乎不发生变化。关于指向性,如图9(C)所示,虽然宽度W的变化引起的向前方(0°)方向的增益变化小,但宽度W越小则越接近8字形状。可知:为了在90°~270°的180范围内获得增益,只要使宽度W为1/2波长或该值以上即可。
除了上述的效果以外,根据第1实施方式还起到如下效果。
(1)可容易地构成通过在接地导体设置相对于适用频率的波长而言非常小的(一边低于1/10波长的)接地导体非形成区域,由此以偶极的方式动作的天线装置。对于接地导体的形状而言也无需特别的设计。
(2)由于从辐射用接地导体的电流密度相对低的一侧取出供电用的传输线路,故即便在向通信终端装置等电子设备的装配中,在传输线路的配置方面也难以产生构造上的不合理。
(3)由于如果利用具有可挠性的(flexible)同轴线缆,则对于天线来说可选择条件较佳的场所,故可远离组装目标电子设备的电源等噪声源,因为可自接地导体分离,所以还可抑制噪声的影响。
《第2实施方式》
图10是第2实施方式的天线装置102的俯视图。天线装置102具备形成有辐射用接地导体11的基板10,该辐射用导体具有第1边S1及与其对置的第2边S2。沿着该辐射用接地导体11的第1边S1,在该第1边S1的除了两端部以外的其他位置(中央位置)设置接地导体非形成区域12。在接地导体非形成区域12沿着第1边S1的方向的两端,包括辐射电极13、14及电容元件21在内的串联电路被配置为跨越接地导体非形成区域12。基板10上形成第一端与电容元件21的第一端(辐射电极13)导通的供电线15。在该供电线15与接地导体之间连接(安装)着阻抗匹配用的电抗元件24。再有,在辐射电极14与接地导体11之间连接(安装)有电抗元件23。为了根据该电抗元件23的电感值或电容值,将电容元件21及辐射电极13、14构成的电路的谐振频率确定为规定值而进行充电。
在供电线15的端部,与图1(A)、图1(B)中示出的结构同样地设置同轴连接器的插座,设置于同轴线缆端部的同轴连接器被安装在插座上。
《第3实施方式》
在第3实施方式中,示出通信终端装置内的天线装置对母基板的配置及特性的差异。
图11是表示通信终端装置内的母基板40与天线装置101的位置关系的立体图。在图11(A)的例子中,在母基板40形成主接地导体41,天线装置101的接地导体11被配置在离开母基板40的主接地导体41距离d的位置处。图11(B)是所述距离d=0的例子、即天线装置101的接地导体11与母基板40的主接地导体41导通的状态。
图12是表示所述距离d的变化引起的回波损耗的变化的例子的图。图12中,各特性曲线与尺寸d的关系如下。
d0:d=0mm
d2:d=2mm
d5:d=5mm
d10:d=10mm
这样,虽然只要天线装置101的接地导体11离开母基板40的主接地导体41,回波损耗的变化就小,但若天线装置101的接地导体11与母基板40的主接地导体41导通,则回波损耗大且向低频侧转移。由此可知:通过在离开母基板40的主接地导体41的状态下配置天线装置的接地导体11,从而能获得稳定的天线性能。
《第4实施方式》
图13是第4实施方式的包括天线装置104在内的电路基板的俯视图。该电路基板足在母基板40上安装了各种导体图案及各种元件的结构。天线装置104的辐射用接地导体11具有第1边S1及与其对置的第2边S2。该辐射用接地导体11沿着母基板40外缘的一部分形成。母基板40上形成有主接地导体41,在该主接地导体41与辐射用接地导体11之间设置有接地导体分离区域42。辐射用接地导体11的一部分经由接地连接部CS而与主接地导体41连接。
天线装置104中,沿着第1边S1,在该第1边S1的除了两端部以外的其他位置(中央位置)设置有接地导体非形成区域12。在接地导体非形成区域12的沿着第1边S1的方向的两端,包括辐射电极13、14及电容元件21在内的串联电路被配置为跨越接地导体非形成区域12。母基板40上形成有第一端与电容元件21的第一端(辐射电极13)导通的供电线15。
母基板40上安装着对于天线装置而言为供电电路的高频模块34。利用供电线15来连接该高频模块34与天线装置104。该供电线15与接地导体一起构成共面线。
所述共面线相当于本发明涉及的“传输线路”,所述供电线15相当于本发明涉及的“传输线路”的中心导体。再有,辐射用接地导体11的一部分及主接地导体41的一部分相当于发明涉及的“传输线路”的外导体。即,传输线路的第一端的中心导体(供电线15的第一端)与辐射电极13连接。还有,传输线路的第一端的外导体是辐射用接地导体11的一部分。另外,传输线路的第二端(供电线15的第二端)与供电电路连接。
图14(A)是表示与主接地导体41的大小的变化对应的天线装置104的回波损耗特性的变化的图。
在图14(A)中,各特性曲线与各部尺寸的关系如下。
A0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
A1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
A2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
在此,A0是无母基板的天线装置单独的(第1实施方式中示出的天线装置101的)特性。再有,A1、A2是如图13中示出的构成于母基板40上的天线装置104的特性,尺寸L是主接地导体41的长度(左右方向的尺寸)、尺寸W是主接地导体41的宽度(上下方向的尺寸)、尺寸t是基板的厚度。
其中,被接地导体分离区域42分离开的辐射用接地导体11与主接地导体41的连接部的宽度为3mm,将接地导体分离区域42的间隔设为5mm。
图14(B)是并未设置图13中示出的接地导体分离区域42的情况的特性。即,是表示辐射用接地导体11与母基板40的主接地导体41连续着时的、主接地导体41的大小的变化所对应的天线装置104的回波损耗特性的变化的图。
图14(B)中,各特性曲线与各部尺寸的关系如下。
B0:L=41mm,W=10mm,t=1mm
B1:L=80mm,W=40mm,t=1mm
B2:L=120mm,W=70mm,t=1mm
在此,尺寸L是辐射用接地导体11的长度(左右方向的尺寸)、尺寸W是辐射用接地导体11的宽度(上下方向的尺寸)、尺寸t是基板的厚度。
根据图14(B)可知,伴随着基板尺寸的变化,若辐射用接地导体11的尺寸发生变化,则天线的谐振频率也会变化。与此相对,如图14(A)所示,可知天线的回波损耗特性几乎不会受到母基板40的主接地导体41的尺寸的影响。因此,根据第4实施方式示出的天线装置的构造,能够不会受到母基板的导体图案的影响地设计天线装置。
根据第4实施方式,由于除了传输线路部的接地导体以外,辐射用接地导体11也与母基板40的主接地导体41分离开,故可抑制母基板40中产生的噪声的影响。为此,作为被组装到母基板的类型的天线装的通用性也高。
《第5实施方式》
图15是第5实施方式的包括天线装置105在内的电路基板的俯视图。该电路基板是在母基板40上安装了各种导体图案及各种元件的构造。天线装置105的辐射用接地导体11具有第1边S1及与其对置的第2边S2,该辐射用接地导体11形成于母基板40。在母基板40上形成有主接地导体41,在该主接地导体41与辐射用接地导体11之间设置着接地导体分离区域42。
在天线装置105中,沿着第1边S1,在该第1边S1的除了两端部以外的其他位置(中央位置)设置有接地导体非形成区域12。在接地导体非形成区域12的沿着第1边S1的方向的两端,按照跨越接地导体非形成区域12的方式配置有包括辐射电极13、14及电容元件21在内的串联电路。在母基板40上形成有第一端与电容元件21的第一端(辐射电极13)导通的供电线15。
在接地导体分离区域42内,在供电线15的近旁形成扼流圈用导体图案43。该扼流圈用导体图案43的基部SE作为短路端而与母基板40的主接地导体41侧连接。扼流圈用导体图案43的前端部OE被开放且与供电线15接近。
例如,扼流圈用导体图案43的线宽为1mm、与主接地导体41的间隔为1mm、被折返的部分的线间为1mm、从基部SE到折返部的长度为9mm。再有,供电线15两侧的接地导体和扼流圈用导体图案43的前端部OE的间隔为0.5mm。该扼流圈用导体图案43是进行1/4波长谐振的开路短线的形状。虽然上述尺寸的扼流圈用导体图案43的线路长并未满足1/4波长,但这被认为是因为前端部OE与接地导体之间等产生的寄生电容被充电。总之,只要辐射用接地导体11与主接地导体的连接部分具备针对适用频带的高频信号进行谐振的(作为扼流圈起作用的)电气长的扼流圈即可。
图16是表示有无所述扼流圈用导体图案43所带来的效果的图,图16(A)表示有扼流圈用导体图案43时的电流密度分布、图16(B)表示无扼流圈用导体图案43时的电流密度分布。
这样,若存在扼流圈用导体图案43,则能抑制从天线装置的辐射用接地导体11流入母基板40的主接地导体41的电流。由此,不会进一步受到母基板40的主接地导体41造成的影响,天线装置105的特性变得稳定。
图17是表示有无所述扼流圈用导体图案43所带来的指向性的差异的图。图17中,特性A足有所述扼流圈用导体图案43时的特性、特性B是无所述扼流圈用导体图案43时的特性。这样,若有扼流圈用导体图案43,则能抑制流入母基板40的主接地导体41的电流,因此可知向天线装置105侧(0°方向)的辐射变得更强。
《第6实施方式》
图18是第6实施方式的通信终端装置201的立体图。该通信终端装置201在基本呈长方体形状的框体内具备母基板以及天线装置101A及101B。在显示面板51的背后,沿着框体而配置有母基板。天线装置101A及101B如之前的实施方式中图11(A)所示出的,与母基板40处于垂直的关系。为此,与通信终端装置201的显示面板51垂直且指向显示面板51的前面方向。
其中,通过将天线装置的形成辐射用接地导体的基板设为由可挠性材料构成的可挠性基板,从而如天线装置101B那样也能以遍及两面弯曲的状态在框体的角部进行配置。
《其他实施方式》
在以上示出的各实施方式的天线装置中,虽然设置了电容元件21,但该元件既可以是芯片电容器,还可以由形成于基板的导体图案构成。
再有,在以上示出的各实施方式的天线装置中,虽然示出在电容元件21的两侧设置了辐射电极13、14的例子,但也可以将电容元件21的第一端直接连接至辐射用接地导体11且仅将第二端连接至辐射电极。
再有,在以上示出的各实施方式的天线装置中,虽然示出经由供电线15而直接供电的例子,但也可以构成为在供电线15的中途串联地插入电容元件或由基板上的导体图案形成电容并进行电容供电。
还有,在以上示出的各实施方式的天线装置中,虽然示出利用同轴连接器进行供电的例子及由基板上的导体图案进行供电的例子,但本发明并未限于此。也可以将可挠性的同轴线缆的中心导体直接连接至电容元件的第一端或辐射电极且将外导体直接连接至辐射用接地导体。
另外,在以上示出的各实施方式的天线装置中,虽然示出沿着长方形的辐射用接地导体的第1边而在该第1边的中央部设置了接地导体非形成区域的例子,但接地导体非形成区域也可以不位于第1边的中央部。由于只要辐射用接地导体及辐射电极可感应与偶极天线同样的电流即可,故该接地导体非形成区域只要形成于所述第1边的除了两端部以外的其他位置(自两端部离开的位置)即可。
此外,在图13示出的例子中,虽然示出在基板上形成辐射用接地导体11及主接地导体41且辐射用接地导体11的一部分经由接地连接部CS而与主接地导体41连接的例子,但辐射用接地导体11也可以与主接地导体41分离地形成。
-符号说明-
CS...接地连接部
S1...第1边
S2...第2边
SE...基部
10...基板
11...辐射用接地导体
12...接地导体非形成区域
13、14...辐射电极
15...供电线
21...电容元件
23、24...电抗元件
31...插座
32...插头
33...同轴线缆
34...高频模块
40...母基板
41...主接地导体
42...接地导体分离区域
43...扼流圈用导体图案
51...显示面板
101...天线装置
101A、101B...天线装置
102、104、105...天线装置
201...通信终端装置

Claims (10)

1.一种天线装置,其特征在于,具备:
基板,其形成有长方形的辐射用接地导体,该辐射用接地导体具有作为长边的第1边及与所述第1边对置的第2边;
接地导体非形成区域,沿着所述第1边的除了两端部以外的其他位置,在所述第1边的内侧设置该接地导体非形成区域;
串联电路,其包括辐射电极及电容元件,并与所述接地导体非形成区域的沿着所述第1边的方向的两端连接,且被配置为跨越所述接地导体非形成区域;和
传输线路,
所述传输线路的第一端的中心导体和所述电容元件的第一端或所述辐射电极连接,所述传输线路的第一端的外导体是所述辐射用接地导体的一部分或者与所述辐射用接地导体连接,所述传输线路的第二端与供电电路连接,
所述传输线路从所述接地导体非形成区域,向所述辐射用接地导体的第2边方向被引出。
2.根据权利要求1所述的天线装置,其中,
所述基板的一部分或全部由可挠性材料构成。
3.根据权利要求1所述的天线装置,其中,
所述传输线路包括可挠性的同轴线缆。
4.根据权利要求2所述的天线装置,其中,
所述传输线路包括可挠性的同轴线缆。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的天线装置,其中,
所述传输线路由形成于所述基板的导体图案构成。
6.根据权利要求1~4中任一项所述的天线装置,其中,
所述辐射用接地导体沿着所述基板的外缘的一部分而与形成于所述基板的主接地导体分离地形成。
7.根据权利要求5所述的天线装置,其中,
所述辐射用接地导体沿着所述基板的外缘的一部分而与形成于所述基板的主接地导体分离地形成。
8.根据权利要求1~4中任一项所述的天线装置,其中,
所述基板形成有所述辐射用接地导体和主接地导体,
所述辐射用接地导体的一部分经由接地连接部而与所述主接地导体连接,
所述接地连接部具备针对适用频带的高频信号进行谐振的电气长的扼流圈。
9.根据权利要求5所述的天线装置,其中,
所述基板形成有所述辐射用接地导体和主接地导体,
所述辐射用接地导体的一部分经由接地连接部而与所述主接地导体连接,
所述接地连接部具备针对适用频带的高频信号进行谐振的电气长的扼流圈。
10.一种通信终端装置,其在框体内具备天线装置,该通信终端装置的特征在于,
所述天线装置具备:
基板,其形成有长方形的辐射用接地导体,该辐射用接地导体具有作为长边的第1边及与所述第1边对置的第2边;
接地导体非形成区域,沿着所述第1边的除了两端部以外的其他位置,在所述第1边的内侧设置该接地导体非形成区域;
串联电路,其包括辐射电极及电容元件,并与所述接地导体非形成区域的沿着所述第1边的方向的两端连接,且被配置为跨越所述接地导体非形成区域;和
传输线路,
所述传输线路的第一端的中心导体和所述电容元件的第一端或所述辐射电极连接,所述传输线路的第一端的外导体是所述辐射用接地导体的一部分或者与所述辐射用接地导体连接,所述传输线路的第二端与供电电路连接,
所述传输线路从所述接地导体非形成区域,向所述辐射用接地导体的第2边方向被引出。
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