JP5786047B2 - ヘッド／媒体接触検知に使用するための低分子量潤滑層を有する磁気媒体 - Google Patents

Description

本発明は、磁気記録媒体に関し、特に、ヘッド・媒体接触検知に使用するための低分子量潤滑層を有する磁気記録媒体に関する。

磁石間隔（磁気ヘッド読み取り／書き込み素子と磁気ディスクの磁性層との間の実際の物理的距離）を減少させることは、磁気記憶装置の記録密度の増加のために有用である。隙間（磁気ヘッドの最下点と磁気ディスクの上面との間の間隙距離）を減少させることが、磁石間隔の減少の達成に役立つ。非常に精密な接触検知が、あらゆる場所で１ｎｍ以下の隙間を得るために重要である。従来方法によると、非常に精密な接触検知および隙間制御は、磁気ヘッド上の接触点付近に配置される加熱素子およびヘッド・ディスク界面（ＨＤＩ）接触センサー素子を使用することで実現することができる。しかし、このような方法におけるセンサーは非常に好感度であるので、磁気ヘッドと、磁気ディスクまたは磁気記録媒体の上面に塗布された任意の潤滑剤との間のわずかな相互作用によって、ヘッドとディスクとの間の接触判定の誤りなどの悪影響が生じる。

たとえば、Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製造のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ（商品名）から得られるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）は、従来のディスク潤滑剤として一般に使用されているが、市販の潤滑剤の分子量は、広範囲にわたって分布しており、製造された潤滑剤のロットによってばらつきがある。

したがって、（特許文献１）および（特許文献２）に開示されているように、このより広い範囲全体から好適な範囲内の分子量を有する抽出成分のみを使用することが提案されている。（特許文献３）および（特許文献４）においては、磁気ディスクへの付着を改善するために、異なる末端官能基を有する１種類以上のパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を潤滑剤として使用する潤滑剤の使用が提案されている。さらに、（特許文献５）においては、１分子当たり平均で１．０〜５．０個のヒドロキシル基を有するＰＦＰＥが、潤滑膜の平坦性および磁気ディスクとの強力な付着力を考慮するための潤滑剤として提案されている。

しかし、上記の潤滑剤は、ヘッドとディスクとの間の接触を判定するときに、潤滑剤と磁気ヘッドとの間で強い相互作用が生じ、このことは、接触が誤って検出されることが多く、非常に正確で安定した接触判定の確保が困難であることを意味する。さらに、接触判定に悪影響が生じないレベルまで潤滑膜の厚さを減少させると、磁気ディスクの耐食性などの他の要因のために信頼性が低下する。

他方、（特許文献６）および（特許文献７）には、接触センサー素子が磁気ヘッドに取り付けられる技術が開示されているが、磁気ディスクが考慮される場合には、これらの接触センサーは、接触センサーを効率的に使用するための理想的な組み合わせの提供には有用ではない。

したがって、前述のいずれかの方法が使用される場合、接触センサーを使用する磁気ヘッドと、磁気ディスクの上面上の潤滑剤との間の相互作用を減少させるために、潤滑剤の薄膜が必要となる。ここで言及される薄膜化は、（１）潤滑膜の厚さの単純な７８減少；および（２）三次元構造に関して、潤滑剤分子が、磁気ディスクの表面に低い高さで取り付け／結合が可能な潤滑剤の選択を含んでいる。その結果、ヘッドとディスクとの間の相互作用を制限することができる。

特開平１２−３１５３１４号公報 米国特許第６，０９９，９３７号明細書 特開平９−２８２６４２号公報 特開平１８−２２８４２２号公報 特開平１８−７０１７３号公報 特開２００８−１６１５８号公報 特開２００２−１９２７４２号公報

しかし、上記方法によって実現される薄膜化によって、環境／汚染に対する耐性などのＨＤＩの信頼性に関する危険性、および潤滑性（耐摩耗性）の低下が生じる。

一実施形態によると、磁気ディスクは、非磁性基板の上に配置された記録層と；記録層の上に配置された保護膜層と；保護膜層の上に配置された潤滑層とを含み、潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

別の一実施形態によると、磁気記録媒体に潤滑性を付与するための潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

さらに別の一実施形態によると、磁気ディスクを形成する方法は、非磁性基板の上に記録層を形成するステップと；記録層の上に保護膜層を形成するステップと；保護膜層の上に潤滑層を形成するステップとを含み、潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

これらの実施形態のいずれも、磁気ヘッド、磁気記憶媒体（たとえば、ハードディスク）をヘッド上で通過させるための駆動機構と、ヘッドの動作を制御するためにヘッドに電気的に結合された制御ユニットとを含むことができるディスクドライブシステムなどの磁気データストレージシステムにおいて実施することができる。

本発明の他の態様および利点は、図面とともに考慮した場合に、例として本発明の原理を説明している以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。

磁気記録ディスクドライブシステムの簡略図である。 一実施形態による磁気記録媒体の構造を示す概略図である。 種々の潤滑層材料を使用して磁気ヘッドと磁気記録ディスクとの間の接触が起こるまでの距離の比較を示している。 浮上高隙間が０．２ｎｍとなる場所における接触センサー信号の比較を示している。 一実施形態による方法のフローチャートである。

以下の説明は、本発明の一般的原理を説明する目的で行われており、本明細書において請求される本発明の概念の限定を意味するものではない。さらに、本明細書において記載される個別の特徴は、種々の可能な組み合わせおよび順列のそれぞれにおいて記載される他の特徴と組み合わせて使用することができる。

本明細書において特に定義されない限り、すべての用語は、本明細書から暗示される意味、ならびに当業者によって理解される意味、および／または辞書、学術論文などにおいて定義される意味を含めた可能な最も広い解釈が与えられるべきである。

本明細書および添付の特許請求の範囲において使用される場合、他に明記されない限り、単数形の表記は複数形の指示物を含んでいることも留意する必要がある。

一般的な一実施形態によると、磁気ディスクは、非磁性基板の上に配置された記録層と；記録層の上に配置された保護膜層と；保護膜層の上に配置された潤滑層とを含み、潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

別の一般的な一実施形態によると、磁気記録媒体に潤滑性を付与するための潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

さらに別の一般的な一実施形態によると、磁気ディスクを形成する方法は、非磁性基板の上に記録層を形成するステップと；記録層の上に保護膜層を形成するステップと；保護膜層の上に潤滑層を形成するステップとを含み、潤滑層は、Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、

である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

これより図１を参照すると、本発明の一実施形態によるディスクドライブ１００が示されている。図１に示されるように、少なくとも１つの回転磁気ディスク１１２は、スピンドル１１４上で支持され、ディスクドライブモーター１１８を含むことができる駆動機構によって回転する。各ディスク上の磁気記録は、通常、ディスク１１２上の同心円状のデータトラック（図示せず）の環状パターンの形態である。

少なくとも１つのスライダ１１３がディスク１１２の近くに配置され、各スライダ１１３は１つ以上の磁気読み取り／書き込みヘッド１２１を支持している。ディスクが回転すると、スライダ１１３は、ディスク表面１２２上を半径方向の内側および外側に移動し、それによってヘッド１２１は、所望のデータが記録される、および／または所望のデータを書き込むディスクの異なるトラックにアクセスすることができる。各スライダ１１３は、サスペンション１１５によってアクチュエータアーム１１９に取り付けられる。サスペンション１１５は、スライダ１１３をディスク表面１２２に対して偏らせるわずかなスプリング力を付与する。各アクチュエータアーム１１９は、アクチュエータ１２７に取り付けられる。図１に示されるアクチュエータ１２７は、ボイスコイルモーター（ＶＣＭ）であってよい。ＶＣＭは、固定磁界内で動くことができるコイルを含み、コイルの動く方向および速度は、コントローラ１２９によって供給されるモーター電流信号によって制御される。

ディスクストレージシステムの動作中、ディスク１１２の回転によって、スライダ１１３とディスク表面１２２との間にエアベアリングが生じ、それによってスライダに対して上向きの力すなわち揚力が作用する。このため、通常動作中に、エアベアリングは、サスペンション１１５のわずかなスプリング力と釣り合い、狭く実質的に一定の間隔でディスク表面からはなれたわずかに上方でスライダ１１３を支持する。ある実施形態においては、スライダ１１３はディスク表面１２２に沿ってスライドすることができることに留意されたい。

ディスクストレージシステムの種々の構成素子は、アクセス制御信号および内部クロック信号などのコントローラ１２９が発生する制御信号によって動作が制御される。通常、制御ユニット１２９は、論理制御回路、ストレージ（たとえば、メモリ）、およびマイクロプロセッサを含む。制御ユニット１２９は、ライン１２３上の駆動モーター制御信号、ならびにライン１２８上のヘッド位置およびシーク制御信号などの種々のシステム動作の制御のための制御信号を発生する。ライン１２８上の制御信号は、スライダ１１３をディスク１１２の所望のデータトラック上に最適に移動させ配置するための所望の電流プロファイルを提供する。読み取りおよび書き込みの信号は、記録チャネル１２５によって、読み取り／書き込みヘッド１２１との間で通信される。

典型的な磁気ディスクストレージシステムの以上の説明、および付随する図１の説明は、提示のみを目的としている。ディスクストレージシステムが、多数のディスクおよびアクチュエータを有することができ、各アクチュエータが多数のスライダを支持できることは明らかであろう。

データを送受信するためと、ディスクドライブの動作を制御して、ディスクドライブの状態をホストに伝達するために、ディスクドライブとホスト（内部または外部）との間の通信のためのインターフェイスを提供することもでき、これらすべては当業者には理解されるであろう。

一実施形態によると、図２に示されるように、磁気記録ディスク２００は、非磁性基板２０２の上に配置された記録層２１０、保護膜層２１２、および潤滑層２１４を含む。潤滑層２１４は、１種類以上の潤滑剤を含むことができる。ある方法においては、潤滑剤は、式（Ａ）で表され、約１２００ｇ／ｍｏｌ〜約１７００ｇ／ｍｏｌの間の範囲内の平均分子量を有するパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）であってよい。

（式中、Ｘは

であり、ｍは平均で約４〜約８の範囲内である）

さらなる実施形態においては、磁気記録ディスク２００は、記録層２１０の下に配置される下層２０８、下層２０８の下に配置される１つ以上の軟磁性下層２０６、および１つ以上の軟磁性下層２０６の下に配置される接着層２０４をも含むことができる。これらの層のすべては、一実施形態においてはガラスを含むことができる非磁性基板２０２の上に形成することができる。潤滑層２１４以外の磁気記録ディスク２００の各層は、磁気記録ディスクの個別の層に好適であると当技術分野において知られている材料を含むことができる。

別の一実施形態によると、図１に示される磁気記録ディスクドライブシステム１００などの磁気記録装置は、前述の磁気記録媒体、磁気ヘッド、および磁気媒体を回転させるためのスピンドルモーターを含むことができ、磁気ヘッドは、書き込み素子、読み取り素子、磁気媒体とヘッドとの間の隙間を調節するための加熱素子、および磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の接触を検知するための接触センサー素子を含む。

式（Ａ）で表される潤滑剤の重量平均分子量が約１２００未満である場合、動作条件および磁気記録装置の周囲の環境に依存するのであるが、使用中に温度が上昇すると、潤滑剤が蒸発することがあり、磁気ディスクの回転が約５０００ｒｐｍを超える場合、潤滑剤のスピンオフまたは散乱が起こる可能性があり、潤滑膜の厚さが大きく減少する。

さらに、重量平均分子量が約１７００を超える場合は、磁気ディスク上に存在する潤滑剤は分厚くなり、磁気ヘッドと潤滑剤との間の相互作用が顕著になる。これによって、接触検知に悪影響が生じ、それによって潤滑剤が磁気ヘッドに接着する現象が起こりやすくなる。

本明細書に記載の実施形態によると、磁性層、保護層、および潤滑層をディスク基板上に含む磁気ディスクが使用される磁気記録装置は、磁気ヘッドの浮遊高が約３ｎｍ以下となりうることを特徴とすることができる。この装置は、ヘッド素子の近くまたは内部にヒーターが設けられることによって熱的に浮上高が制御されるヘッドを用いて浮上高が制御される機構と、ヘッドとディスクとの間の接触を判定するために使用される接触センサーがヘッド素子の近くまたは内部に設けられる機構とを含むこともできる。

ある方法によると、式（Ａ）で表され、低分子量を有する潤滑剤は、磁気記録媒体の潤滑層中に使用することができ、その結果、それらの間で磁気ヘッドとの相互作用が減少し、高精度の加熱素子および接触センサー素子を用いて接触が検知され、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の隙間が制御される。さらに、低分子量潤滑剤を使用することによって、磁気ディスク表面の被覆率が増加し、薄膜化による腐食および摩耗の危険性を制限することができ、また、隙間が減少することで磁気記録密度を増加させることができる。

本発明の実施形態を説明する手段としていくつかの実施例を以下に示す。これらの実施例は本発明の限定を意味するものでは決してなく、例示的な目的でのみ提供される。

以下の実施例では以下のものを使用した：式（Ａ）で表されるＤ４０Ｈ ２ｋ（数平均分子量：１５１６ｇ／ｍｏｌ）をＰＦＰＥ（Ｉ）として使用し；Ｄ４０Ｈ ２ｋ（数平均分子量：２０２９ｇ／ｍｏｌ）をＰＦＰＥ（ＩＩ）として使用し；Ｄ４０Ｈ ４ｋ（数平均分子量：３８４３ｇ／ｍｏｌ）をＰＦＰＥ（ＩＩＩ）；式（Ｂ）で表されるＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製造の市販のＺ ＴＥＴＲＡＯＬ（商品名）（数平均分子量：２１５５ｇ／ｍｏｌ）をＰＦＰＥ（ＩＶ）として使用し；式（Ｃ）で表されるＨｉｔａｃｈｉ Ｇｌｏｂａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（ＨＧＳＴ）製造のＺＴＭＤ（商品名）（数平均分子量：２６６１ｇ／ｍｏｌ）をＰＦＰＥ（Ｖ）として使用した。

（式中、Ｘは、

であり、Ｘ＝Ｘ’である）。

（式中Ａは、

であり、
Ｔは、

であり、
Ｚは、

磁気ディスクの場合、図２に示されるような構造を形成するために、直径約２．５インチのガラス基板上にスパッタリングを行うことで連続的に膜が形成され、その後、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜を厚さ約３ｎｍで形成した。浸漬によって上記の５種類のＰＦＰＥ膜をＤＬＣ膜上に形成して、５つの実施例の潤滑層を形成した。

磁気記録媒体上の磁気ヘッドの浮上隙間を測定し、結果を図３に示している。測定は、浮上時に磁気ヘッド中に設けられた加熱素子に常に電圧を印加することによって行い、ヘッドとディスクとの間が接触するまでの距離（タッチダウン隙間）を印加電圧から計算した。磁気ヘッド表面は、ヒーターからの熱のために膨張し、すぐに磁気ディスクの最表面上の潤滑膜まで到達した。電圧を加熱素子に印加すると、相互作用が増加し、多くの振動が発生した。圧電素子センサーを使用して、振動が、０電圧が印加されたときの振動の２倍になる点を接触と定義した。したがって、ヘッドとディスクとの間が接触するまでの距離が長くなると、潤滑膜の厚み（嵩）が低下し、磁気ディスク上の潤滑膜の姿勢（attitude）が低くなり、磁気ヘッドの浮上高が比例して減少しうる。これらの測定中の磁気ディスクの回転速度は５４００ｒｐｍであり、各潤滑剤の膜厚は０．１ｎｍに調節した。

測定結果から明らかなように、低分子量のＰＦＰＥ（Ｉ）である式（Ａ）で表される潤滑剤で最大接触距離が示された。

さらに、接触センサーを用いて、磁気ヘッドと潤滑膜との間の相互作用を調べた。測定では、１．０ｎｍ、０．６ｎｍ、および０．２ｎｍの浮上隙間での接触信号を、同じ磁気ヘッドを使用して比較した。磁気ヘッドと潤滑膜との間にわずかな相互作用が存在すると、接触センサー中に温度変化が生じ、対応する信号ピークが観察された。これらの測定中の磁気ディスクの回転速度は５４００ｒｐｍであり、各潤滑剤の膜厚は約０．１２ｎｍに調節した。図４に示されるように、ＰＦＰＥ（Ｉ）を用いると、磁気ヘッドとディスクとの間の接触点に非常に近い点である約０．２ｎｍの浮上隙間まで接触センサーからの信号は観察されず、相互作用が非常に少ないことが、これらの結果から確認された。この結果から明らかなように、接触センサーによって接触が検知される場合、潤滑剤との相互作用の悪影響を制限することが可能であった。

一方、潤滑膜の薄膜化の場合に問題となる、耐食性および耐摩耗性の低下について調べた。耐食性の場合、磁気ディスクを、６０℃および相対湿度９０％の条件下で規定の時間曝露し、その後、腐食した場所の数を光学表面分析装置（ＯＳＡ）を用いて数えた。磁気ディスク表面上の腐食した場所の数が２０００以上の場合、これを「Ｘ」と評価し、この値未満の場合は「Ｏ」と評価した。

ヘッドおよびディスクが磁気ヘッド中の加熱素子に接触するときの印加電圧よりも高い規定の電圧を印加することによって、磁気ヘッドの摩耗が促進される条件下で耐摩耗性試験を行った。走査型電子顕微鏡下で、試験の１時間後に磁気ヘッド表面を観察することで、摩耗を評価した。磁気ヘッド素子の表面上の保護膜に摩耗の痕跡が見られた場合、これを「Ｘ」と評価し、そのような痕跡が見られなかった場合は「Ｏ」と評価した。

潤滑剤の耐食性および耐摩耗性の評価結果を上の表１に示す。各測定は、±０．１ｎｍのナノメートルの単位で示している。耐食性に関しては、ＰＦＰＥ（Ｉ）では、膜厚がわずか約０．８ｎｍの場合でさえも良好な結果が示された。他方、ＰＦＰＥ（ＩＩＩ）では、膜厚が１．１ｎｍの場合でさえも耐食性が不十分であることが明らかとなった。このことは、式（Ａ）で表される潤滑剤では、耐食性が分子量に依存することを示している。さらに、式（Ａ）で表される潤滑剤を用いたすべての場合で、耐摩耗性に関して良好な結果が見られた。

これらの結果は、式（Ａ）で表される潤滑剤が使用される場合、磁気ディスク表面上の低い位置に潤滑膜が存在し、磁気ヘッドとの相互作用が減少し、被覆率が増加するため耐食性が改善されることを示している。

一実施形態によると、式（Ａ）で表され低分子量を有する潤滑剤が磁気記録媒体の潤滑層中に使用され、その結果、磁気ヘッドとの相互作用が減少し、高精度の熱的浮上高制御（ＴＦＣ）、またはＴＦＣと埋め込み式接触センサー（ＥＣＳ）とを使用して接触が検知され、隙間が制御される。

さらに、低分子量潤滑剤を使用することで、磁気ディスク表面の被覆率が増加することによって、薄膜化による耐食性および耐摩耗性の低下の危険性を制限することができ、隙間が減少するために磁気記録密度を増加させることができる。

図５は、一実施形態による磁気記録媒体を形成する方法５００を示している。選択肢の１つとして、本発明の方法５００は、図１〜４に示すような構造を構成するために実施することができる。しかし当然ながら、この方法５００および本明細書に示される他の方法を、磁気記録に関する場合も関さない場合もある多種多様の装置および／または目的のための磁気構造の形成に使用することができる。さらに、本明細書に示される方法は、あらゆる所望の環境中で行うことができる。前述のあらゆる特徴は、種々の方法により記載されるいずれの実施形態においても使用できることにも留意されたい。

以下に示される動作のいずれにおいても、スパッタリング、めっき、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ気相堆積（ＰＥＣＶＤ）などの当技術分野において周知のあらゆる形成技術を使用して層を形成することができる。さらに、特に記載されない場合、当技術分野において周知のように、磁気データストレージシステム中の磁気記録媒体の動作に好適な厚さで各層を形成することができる。

動作５０２では、非磁性基板の上に記録層が形成される。下層、接着層、平坦化層などの追加層を、記録層の形成前に形成することができる。記録層は、磁性材料、強磁性材料、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＰｔなどのＣｏ系合金、およびその他の好適な材料などの当技術分野において周知のあらゆる好適な材料を含むことができる。

非磁性基板は、ガラス、ケイ素、または当技術分野において周知の他の材料などのあらゆる好適な材料を含むことができる。

動作５０４では、記録層の上に保護膜層が形成される。保護膜は、炭素系合金、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）、ＳｉＮ、およびその他の好適な材料などの当技術分野において周知のあらゆる好適な材料を含むことができる。

動作５０６では、保護膜層の上に潤滑層が形成され、潤滑層は、式（Ａ）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含む。

一実施形態によると、潤滑層の平均分子量は約１０００ｇ／ｍｏｌ〜約１８００ｇ／ｍｏｌの範囲内、さらなる一実施形態においては約１２００ｇ／ｍｏｌ〜約１７００ｇ／ｍｏｌの範囲内、さらに別の一実施形態においては約１４００ｇ／ｍｏｌ〜約１５００ｇ／ｍｏｌの間であってよい。

別の方法では、潤滑層は、約０．８ｎｍ〜約１．１ｎｍの範囲内、たとえば約０．９ｎｍ〜約１．０ｎｍの範囲内の厚さで形成することができる。

種々の実施形態を以上に説明してきたが、これらは例としてのみ提供されたものであり、限定を意味するものではないことを理解されたい。したがって、本発明の一実施形態の広さおよび範囲は、前述の代表的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの均等物によってのみ規定されるべきである。

１００ ディスクドライブ
１１２ 回転磁気ディスク
１１３ スライダ
１１４ スピンドル
１１５ サスペンション
１１８ ディスクドライブモーター
１１９ アクチュエータアーム
１２１ 磁気読み取り／書き込みヘッド
１２２ ディスク表面
１２３ ライン
１２５ 記録チャネル
１２７ アクチュエータ
１２８ ライン
１２９ コントローラ
２００ 磁気記録ディスク
２０２ 非磁性基板
２０４ 接着層
２０６ 軟磁性下層
２０８ 下層
２１０ 記録層
２１２ 保護膜層
２１４ 潤滑層
５００ 磁気記録媒体を形成する方法
５０２ 動作
５０４ 動作
５０６ 動作

Claims (6)

1. 磁気ディスクであって：
   非磁性基板の上に配置された記録層と；
   前記記録層の上に配置された保護膜層と；
   前記保護膜層の上に配置された潤滑層とを含み、
   前記潤滑層は：
   Ｘ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＦ_２−Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、
   

   

   である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含み、
   前記潤滑層が約１２００ｇ／ｍｏｌ〜約１７００ｇ／ｍｏｌの範囲内の平均分子量を有する、磁気ディスク。
2. 前記潤滑層が約０．８ｎｍ〜約１．１ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載の磁気ディスク。
3. 磁気データストレージシステムであって：
   書き込み素子および読み取り素子を少なくとも１つ含む少なくとも１つの磁気ヘッドと；
   磁気ディスクと；
   前記少なくとも１つの磁気ヘッドの上に前記磁気ディスクを通過させるための駆動機構と；
   前記少なくとも１つの磁気ヘッドと前記磁気ディスクとの間の隙間を調節するための加熱素子と；
   前記少なくとも１つの磁気ヘッドと前記磁気ディスクとの間の接触を検知するための接触センサー素子と；
   前記少なくとも１つの磁気ヘッドの動作を制御するための、前記少なくとも１つの磁気ヘッドに電気的に結合したコントローラと、
   を含み、
   前記磁気ディスクは：
   非磁性基板の上に配置された記録層と；
   前記記録層の上に配置された保護膜層と；
   前記保護膜層の上に配置された潤滑層とを含み、
   前記潤滑層は：
   Ｘ−ＣＦ _２ ＣＦ _２ Ｏ（Ｃ _３ Ｆ _６ Ｏ） _ｍ ＣＦ _２ ＣＦ _２ −Ｘ（式中、ｍは平均で４〜８の範囲内であり、Ｘは、
   

   

   である）で表されるパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）を含み、
   前記潤滑層が約１２００ｇ／ｍｏｌ〜約１７００ｇ／ｍｏｌの範囲内の平均分子量を有する
   ことを特徴とする磁気データストレージシステム。
4. 前記磁気ディスクの上の前記磁気ヘッドの浮上高が約３ｎｍ以下である、請求項３に記載の磁気データストレージシステム。
5. 前記接触センサー素子が埋め込み式接触センサー（ＥＣＳ）である、請求項３に記載の磁気データストレージシステム。
6. 前記加熱素子が熱的浮上高制御（ＴＦＣ）素子である、請求項３に記載の磁気データストレージシステム。

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