JP5782824B2 - 高周波特性測定装置 - Google Patents
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Description
本願の発明に係る他の高周波特性測定回路は、実装前のデバイスにプローブ針を当てて高周波特性を測定する高周波特性測定装置であって、入力整合回路が形成された入力整合回路基板と、該入力整合回路基板と電気的に接続された第1同軸コネクタと、該入力整合回路基板と電気的に接続された複数の第1プローブ針と、出力整合回路が形成された出力整合回路基板と、該出力整合回路基板と電気的に接続された第2同軸コネクタと、該出力整合回路基板と電気的に接続された複数の第2プローブ針と、凹部が形成された第1プレートと、凹部が形成された第2プレートと、を備え、該入力整合回路基板は、該入力整合回路基板の入力整合回路が形成された面が該第1プレートの凹部に対向するように該第1プレートに固定され、該出力整合回路基板は、該出力整合回路基板の出力整合回路が形成された面が該第2プレートの凹部に対向するように該第2プレートに固定されたことを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置10は、入力部分12と出力部分32を備えている。入力部分12は、第1プレート14を備えている。第1プレート14は、表面をメタルで覆われたプレートである。第1プレート14には第1接続基板16が固定されている。第1接続基板16には複数のパッド18が形成されている。複数のパッド18はそれぞれが導電性の材料で形成されている。パッド18には、第1プローブ針20が固定されている。第1プローブ針20は複数形成されている。そして、1つのパッド18には1つの第1プローブ針20が固定されている。このように、第1接続基板16のパッド18には第1プローブ針20が固定されている。
図4は、本発明の実施の形態2に係る高周波特性測定装置を示す図である。実施の形態1にて説明済みの部分については同一の符号を付して再度の説明を省略する。今後説明する図についても同様である。
図6は、本発明の実施の形態3に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置60は、第1プレート14と第2プレート34を1枚のプレート62の上に形成している。
図8は、本発明の実施の形態4に係る高周波特性測定装置の断面図である。図8に示さない構成は図1と同様である。図8Aについて説明する。第1プレート14には凹部14aが形成されている。そして、入力整合回路基板22は、入力整合回路が形成された面22aが凹部14aに対向するように第1プレート14に固定されている。
図9は、本発明の実施の形態5に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置100は、DCバイアス印加用回路基板102が第1プレート14に固定されたことを特徴とする。
図10は、本発明の実施の形態6に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置110の入力整合回路は、デバイスの特性を測定するために最適化された第1プリマッチ回路112で形成されている。また、出力整合回路は、デバイスの特性を測定するために最適化された第2プリマッチ回路114で形成されている。
図11は、本発明の実施の形態7に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置120は、パッド18が入力整合回路基板122と直接接続され、パッド38が出力整合回路基板124に直接接続されている。
図12は、本発明の実施の形態8に係る高周波特性測定装置を示す図である。高周波特性測定装置130は、整合回路部分をSPNTスイッチ132、及び134で構成したことが特徴である。そして、SPNTスイッチ132には第1群プローブ針132aと第2群プローブ針132bが固定されている。SPNTスイッチ134には第1群プローブ針134aと第2群プローブ針134bが固定されている。
Claims (7)
- 実装前のデバイスにプローブ針を当てて高周波特性を測定する高周波特性測定装置であって、
入力整合回路が形成された入力整合回路基板と、
前記入力整合回路基板と電気的に接続された第1同軸コネクタと、
前記入力整合回路基板と電気的に接続された複数の第1プローブ針と、
出力整合回路が形成された出力整合回路基板と、
前記出力整合回路基板と電気的に接続された第2同軸コネクタと、
前記出力整合回路基板と電気的に接続された複数の第2プローブ針と、
凹部が形成されたプレートとを備え、
前記入力整合回路基板と前記出力整合回路基板は、前記入力整合回路基板の入力整合回
路が形成された面、及び前記出力整合回路基板の出力整合回路が形成された面が前記凹部
に対向するように前記プレートに固定されたことを特徴とする高周波特性測定装置。 - 実装前のデバイスにプローブ針を当てて高周波特性を測定する高周波特性測定装置であって、
入力整合回路が形成された入力整合回路基板と、
前記入力整合回路基板と電気的に接続された第1同軸コネクタと、
前記入力整合回路基板と電気的に接続された複数の第1プローブ針と、
出力整合回路が形成された出力整合回路基板と、
前記出力整合回路基板と電気的に接続された第2同軸コネクタと、
前記出力整合回路基板と電気的に接続された複数の第2プローブ針と、
凹部が形成された第1プレートと、
凹部が形成された第2プレートと、を備え、
前記入力整合回路基板は、前記入力整合回路基板の入力整合回路が形成された面が前記第1プレートの凹部に対向するように前記第1プレートに固定され、
前記出力整合回路基板は、前記出力整合回路基板の出力整合回路が形成された面が前記第2プレートの凹部に対向するように前記第2プレートに固定されたことを特徴とする高周波特性測定装置。 - 前記入力整合回路基板のスルーホールに形成された第1金属パターンと、
前記出力整合回路基板のスルーホールに形成された第2金属パターンと、
前記第1金属パターンにより、前記入力整合回路と前記複数の第1プローブ針が電気的に接続され、
前記第2金属パターンにより、前記出力整合回路と前記複数の第2プローブ針が電気的に接続されたことを特徴とする請求項2に記載の高周波特性測定装置。 - DCバイアス印加用回路基板を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波特性測定装置。
- 前記入力整合回路は、前記デバイスの特性を測定するために最適化された第1プリマッチ回路で構成され、
前記出力整合回路は、前記デバイスの特性を測定するために最適化された第2プリマッチ回路で構成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波特性測定装置。 - 前記複数の第1プローブ針は、前記入力整合回路基板に直接接続されたパッドに固定され、
前記複数の第2プローブ針は、前記出力整合回路基板に直接接続されたパッドに固定されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波特性測定装置。 - 前記入力整合回路と前記出力整合回路は、信号を伝送するプローブ針を切替えるスイッチを含むように構成されたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波特性測定装置。
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