JP2008045898A - プローブ - Google Patents

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哲久 山田
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Abstract

【課題】寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能なプローブを実現する。
【解決手段】高周波信号測定に用いるプローブにおいて、被測定対象に接触するプローブヘッドと、プローブヘッドからの信号を伝送する伝送線路と、伝送線路に接続されトランジスタのエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより前記伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取るインピーダンス調整回路と、インピーダンス調整回路の周波数特性を補償する補償回路と、インピーダンス調整回路の出力信号を増幅するアンプとを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、オシロスコープ等に使用するプローブに関し、特に寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能なプローブに関する。
波形信号を測定する代表的な測定器としてオシロスコープが挙げられる。オシロスコープを使用する場合、プローブを活用することで、より効果的な測定を行うことができる。オシロスコープと被測定対象のインターフェースとなるプローブには様々な種類がある。
この中で、アクティブプローブは高周波信号の測定によく使用されている。パッシブプローブと異なり、プローブの先端近くにバッファアンプを置くことで、パッシブプローブよりも高い周波数帯域と、一桁小さい”1pF”前後の入力容量を実現している。
従来のプローブに関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
特開昭58−096425号公報 特開平04−086021号公報 特開平06−008826号公報 特開平07−079231号公報 米国特許登録第6856126号
図4はこのような従来のプローブの一例を示す構成ブロック図である。図4において1及び9は被測定対象に接触するプローブピン、2,5,7,10,13及び15は抵抗、3,8,11及び16はコンデンサ、4,12及び19は同軸ケーブル等の伝送線路、6及び14はトランジスタ、17はトランジスタ6及びトランジスタ14からの信号を増幅する差動アンプである。
抵抗7及びコンデンサ8は補償回路50を構成し、抵抗15及びコンデンサ16は補償回路51を構成している。また、プローブピン1、抵抗2、コンデンサ3、プローブピン9、抵抗10及びコンデンサ11はプローブヘッド100を構成し、抵抗5、トランジスタ6、抵抗13、トランジスタ14、差動アンプ17、補償回路50及び補償回路51はプローブヘッド101を構成している。
プローブピン1の一端は抵抗2の一端及びコンデンサ3の一端にそれぞれ接続され、抵抗2の他端はコンデンサ3の他端及び伝送線路4の一端にそれぞれ接続される。伝送線路4の他端は抵抗5の一端に接続され、抵抗5の他端はトランジスタ6のエミッタ端子に接続される。
トランジスタ6のコレクタ端子は抵抗7の一端、コンデンサ8の一端及び差動アンプ17の非反転入力端子にそれぞれ接続され、トランジスタ6のベース端子は接地される。抵抗7の他端及びコンデンサ8の他端はそれぞれ接地される。
プローブピン9の一端は抵抗10の一端及びコンデンサ11の一端にそれぞれ接続され、抵抗10の他端はコンデンサ11の他端及び伝送線路12の一端にそれぞれ接続される。伝送線路12の他端は抵抗13の一端に接続され、抵抗13の他端はトランジスタ14のエミッタ端子に接続される。
トランジスタ14のコレクタ端子は抵抗15の一端、コンデンサ16の一端及び差動アンプ17の反転入力端子にそれぞれ接続され、トランジスタ14のベース端子は接地される。抵抗15の他端及びコンデンサ16の他端はそれぞれ接地される。
差動アンプ17の出力端子は抵抗18の一端に接続され、抵抗18の他端は伝送線路19の一端に接続される。
ここで、図4に示す従来例の動作を説明する。高密度化する被測定対象へのプロービングを可能とするため、プローブをプローブヘッド100とプローブヘッド101の2つに分離し、その間を伝送線路4及び伝送線路12でつなぐ構成をとっている。
式(1)に示すように、抵抗5の抵抗値”Re1”とトランジスタ6のエミッタ抵抗の抵抗値”re1”を加算し、この抵抗値を伝送線路4の特性インピーダンス”Zo1”に合わせることにより、伝送線路4を整合終端させる。
Figure 2008045898
同様に、式(2)に示すように、抵抗13の抵抗値”Re2”とトランジスタ14のエミッタ抵抗の抵抗値”re2”を加算し、この抵抗値を伝送線路12の特性インピーダンス”Zo2”に合わせることにより、伝送線路12を整合終端させる。
Figure 2008045898
この結果、プローブをプローブヘッド100とプローブヘッド101の2つに分離し、その間を伝送線路4及び伝送線路12でつなぎ、プローブヘッド101内の抵抗5の抵抗値及びトランジスタ6のエミッタ抵抗の抵抗値を加算したものを伝送線路4の特性インピーダンスに合わせ、抵抗13の抵抗値及びトランジスタ14のエミッタ抵抗の抵抗値を加算したものを伝送線路12の特性インピーダンスに合わせることにより、伝送線路4及び伝送線路12がそれぞれ整合終端されるので、高密度化する被測定対象へのプロービング及び波形品位の劣化が少ない高周波信号の測定が可能になる。
しかし、図4に示す従来例では、伝送線路4及び伝送線路12をそれぞれ整合終端させるためには、抵抗5の抵抗値”Re1”及び抵抗13の抵抗値”Re2”が調整可能でなければならない。
具体的には、抵抗5及び抵抗13に半固定抵抗を使用したり、薄膜、若しくは、厚膜抵抗をトリミングして使用する等が考えられる。トリミングの代表例としてレーザトリミングがあるが、これはレーザにより抵抗のパターンをカットし、抵抗値を所望の値に合わせ込む技術である。
しかし、半固定抵抗を使用する場合は、部品サイズが大きく、寄生素子の影響を考慮する必要があり、薄膜、若しくは、厚膜抵抗をトリミングする場合は、レーザトリミング装置等の特別な製造装置を必要とするという問題があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、部品サイズが大きく、寄生素子の影響を考慮する必要がある半固定抵抗や、薄膜、若しくは、厚膜抵抗をトリミングするレーザトリミング装置等の特別な製造装置を使用すること無く、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能なプローブを実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
高周波信号測定に用いるプローブにおいて、
被測定対象に接触するプローブヘッドと、このプローブヘッドからの信号を伝送する伝送線路と、この伝送線路に接続されトランジスタのエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより前記伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取るインピーダンス調整回路と、このインピーダンス調整回路の周波数特性を補償する補償回路と、前記インピーダンス調整回路の出力信号を増幅するアンプとを備えたことにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項2記載の発明は、
請求項1記載のプローブにおいて、
前記インピーダンス調整回路が、
一端が前記伝送線路に接続される抵抗と、エミッタ端子が前記抵抗の他端に接続され、コレクタ端子が前記補償回路に接続されると共にベース端子が接地されるトランジスタと、一端が正電源に接続されると共に他端が前記トランジスタのコレクタ端子に接続される第1の電流源と、一端が前記抵抗の他端及び前記トランジスタのエミッタ端子にそれぞれ接続されると共に他端が負電源に接続される第2の電流源とから構成されることにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項3記載の発明は、
請求項2記載のプローブにおいて、
前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
D/A変換器から構成されることにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項4記載の発明は、
請求項2記載のプローブにおいて、
前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
電圧源と、半固定抵抗とから構成されることにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項5記載の発明は、
請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のプローブにおいて、
前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
温度センサを有し、温度変化によって出力電流を制御することにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせず、さらに、温度が変化した場合においても回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
本発明によれば次のような効果がある。
請求項1の発明によれば、プローブヘッドからの信号を伝送線路を介して伝送し、この伝送線路に接続されたインピーダンス調整回路内のトランジスタのエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより、伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取ることができるので、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項2、請求項3及び請求項4の発明によれば、トランジスタのコレクタ端子及びエミッタ端子に電流源をそれぞれ接続し、これらの電流源によりコレクタ電流を制御してエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより、伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取ることができるので、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
請求項5の発明によれば、温度センサで測定した温度により電流源の電流を制御し、トランジスタのエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせず、さらに、温度が変化した場合においても回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係るプローブの一実施例を示す構成ブロック図である。
図1において1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,50,51及び100は図4と同一符号を付してあり、20,21,22及び23は電流値を可変できる電流源である。
抵抗5、トランジスタ6、電流源20及び電流源21はインピーダンス調整回路52を構成し、抵抗13、トランジスタ14、電流源22及び電流源23はインピーダンス調整回路53を構成している。差動アンプ17、補償回路50、補償回路51、インピーダンス調整回路52及びインピーダンス調整回路53はプローブヘッド102を構成している。
電流源20の一端は正電源”VCC”に接続され、電流源20の他端はトランジスタ6のコレクタ端子、抵抗7の一端、コンデンサ8の一端及び差動アンプ17の非反転入力端子にそれぞれ接続される。電流源21の一端は抵抗5の他端及びトランジスタ6のエミッタ端子にそれぞれ接続され、電流源21の他端は負電源”VEE”に接続される。
電流源22の一端は正電源”VCC”に接続され、電流源22の他端はトランジスタ14のコレクタ端子、抵抗15の一端、コンデンサ16の一端及び差動アンプ17の反転入力端子にそれぞれ接続される。電流源23の一端は抵抗13の他端及びトランジスタ14のエミッタ端子にそれぞれ接続され、電流源23の他端は負電源”VEE”に接続される。その他の接続に関しては図4と同じため、説明を省略する。
ここで、図1に示す実施例の動作を説明する。図1に示す実施例の動作は図4の従来例とほぼ同一であり、異なる点は電流源を用いてトランジスタのエミッタ抵抗を変化させ、伝送線路のインピーダンスの整合を取ることである。
電流源20の電流値”Icq1”及び電流源21の電流値”Ieq1”は、トランジスタ6が飽和せず、電流源20及び電流源21が正常に動作し、プローブ入力電圧定格内でトランジスタ6のコレクタ電圧が差動アンプ17の入力電圧範囲内に収まるように決める。一般に、トランジスタ6の電流利得は十分大きいので、電流源20の電流値”Icq1”及び電流源21の電流値”Ieq1”の関係は式(3)のようになる。
Figure 2008045898
同様に、電流源22の電流値”Icq2”及び電流源23の電流値”Ieq2”は、トランジスタ14が飽和せず、電流源22及び電流源23が正常に動作し、プローブ入力電圧定格内でトランジスタ14のコレクタ電圧が差動アンプ17の入力電圧範囲内に収まるように決める。一般に、トランジスタ14の電流利得は十分大きいので、電流源22の電流値”Icq2”及び電流源23の電流値”Ieq2”の関係は式(4)のようになる。
Figure 2008045898
トランジスタ6のエミッタ抵抗”re1”は、式(5)に示すようになる。ここで、”gm1”は相互コンダクタンス(=qIc1/kT)、”k”はボルツマン定数(1.38e-23[JK-1])、”T”は温度([K])、”q”は電子負荷(1.6e-19[C])、”Ic1”はトランジスタ6のコレクタ電流([A])、”β”は電流利得である。
Figure 2008045898
同様に、トランジスタ14のエミッタ抵抗”re2”は、式(6)に示すようになる。ここで、”gm2”は相互コンダクタンス(=qIc2/kT)、”Ic2”はトランジスタ14のコレクタ電流([A])である。
Figure 2008045898
式(5)より、トランジスタ6のコレクタ電流”Ic1”を変化させるとエミッタ抵抗”re1”が変化することが分かる。すなわち、トランジスタ6のコレクタ電流”Ic1”を大きくすればエミッタ抵抗”re1”が小さくなり、トランジスタ6のコレクタ電流”Ic1”を小さくすればエミッタ抵抗”re1”が大きくなる。
同様に、式(6)より、トランジスタ14のコレクタ電流”Ic2”を変化させるとエミッタ抵抗”re2”が変化することが分かる。すなわち、トランジスタ14のコレクタ電流”Ic2”を大きくすればエミッタ抵抗”re2”が小さくなり、トランジスタ14のコレクタ電流”Ic2”を小さくすればエミッタ抵抗”re2”が大きくなる。
トランジスタ6のエミッタ抵抗”re1”をコレクタ電流”Ic1”を変化させることで調整し、抵抗5の抵抗値”Re1”(固定値)とトランジスタ6のエミッタ抵抗の抵抗値”re1”を加算した抵抗値を伝送線路4の特性インピーダンス”Zo1”に合わせて整合終端させる。
同様に、トランジスタ14のエミッタ抵抗”re2”をコレクタ電流”Ic2”を変化させることで調整し、抵抗13の抵抗値”Re2”(固定値)とトランジスタ14のエミッタ抵抗の抵抗値”re2”を加算した抵抗値を伝送線路12の特性インピーダンス”Zo2”に合わせて整合終端させる。
この結果、トランジスタのコレクタ端子及びエミッタ端子に電流源をそれぞれ接続し、これらの電流源によりコレクタ電流を制御してエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより、伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取ることができるので、寄生素子による影響の考慮及び特別な装置を必要とせずに、回路内に配線された伝送線路のインピーダンスの整合終端が可能になる。
なお、図1に示す実施例において電流源を用いてトランジスタのエミッタ抵抗を変化させているが、この電流源を電流出力のD/A(Digital to Analog)変換器や電圧源と半固定抵抗で構成する等、電流値を変化させる手段が備わっているものであればよい。
また、図1に示す実施例において式(5)及び式(6)より、トランジスタのエミッタ抵抗は温度”T”により変化するが、コレクタ電流を調整することにより、エミッタ抵抗の変化量を打ち消すようにしてもよい。
この場合の具体例を図2に示す。図2は温度に比例した電流を出力する回路の構成ブロック図である。図2において24は温度に比例した電圧を出力する温度センサ、25は電圧を電流に変換する電圧電流変換回路である。温度センサ24の出力端子は電圧電流変換回路25の入力端子に接続され、電圧電流変換回路25は出力電流を出力する。
温度センサ24及び電圧電流変換回路25を図1のプローブヘッド102内に内蔵し、式(5)に示すコレクタ電流”Ic1”及び式(6)に示すコレクタ電流”Ic2”に電圧電流変換回路25から出力される出力電流をそれぞれ加算することで、温度”T”の変化分をコレクタ電流に加算した電圧電流変換回路25の出力電流で打ち消すことができるので、トランジスタ6のエミッタ抵抗”re1”及びトランジスタ14のエミッタ抵抗”re2”は温度に依存せずに一定の値を保つことが可能になる。
また、温度センサ24の具体例を図3を用いて説明する。図3は温度センサ24の回路図である。図3において26は電流源、27,29及び31は抵抗、28及び30はトランジスタ、32は出力端子である。
電流源26の一端は正電源”VCC”に接続され、電流源26の他端は抵抗27の一端、抵抗29の一端及び出力端子32の一端にそれぞれ接続される。抵抗27の他端はトランジスタ28のコレクタ端子、ベース端子及びトランジスタ30のベース端子にそれぞれ接続され、トランジスタ28のエミッタ端子は接地される。
抵抗29の他端はトランジスタ30のコレクタ端子及び出力端子32の他端にそれぞれ接続され、トランジスタ30のエミッタ端子は抵抗31の他端に接続される。抵抗31の他端は接地される。
ここで、図3に示す回路の動作を説明する。トランジスタ28のベース−エミッタ間電圧を”VBE1”、トランジスタ30のベース−エミッタ間電圧を”VBE2”とすると、トランジスタ28及びトランジスタ30のベース−エミッタ間電圧の差である”ΔVBE”は式(7)に示すようになる。”I”は抵抗27に流れる電流、”I”は抵抗29及び抵抗31に流れる電流、”R”は抵抗31の抵抗値である。
Figure 2008045898
式(7)より、”ΔVBE”は温度”T”に比例することが分かる。また、”I”は式(8)のように示されるので、抵抗29の抵抗値を”R”とすると、出力電圧”V”は式(9)に示すようになる。
Figure 2008045898
Figure 2008045898
式(9)より、出力電圧”V”はトランジスタ28及びトランジスタ30のベース−エミッタ間電圧の差である”ΔVBE”が抵抗27の抵抗値”R”と抵抗29の抵抗値”R”の比率分増幅される。
この結果、抵抗27に電流”I”を流し、抵抗29及び抵抗31に電流”I”を流し、トランジスタ28及びトランジスタ30のベース−エミッタ間電圧の差である”ΔVBE”に比例した出力電圧”V”をモニタすることにより、”ΔVBE”が温度”T”に比例しているので、温度を電圧出力で測定することが可能になる。
また、図1に示す実施例において差動プローブの場合を示しているが、必ずしも差動である必要は無く、シングル構成のプローブとしてもよい。この場合、プローブピン9、抵抗10、コンデンサ11、伝送線路12、抵抗13、トランジスタ14、抵抗15、コンデンサ16、電流源22及び電流源23が削除され、差動アンプ17が1入力のアンプになる。
また、図1に示す実施例において電流源20、電流源21、電流源22及び電流源22は電流値が可変できるものを使用しているが、必ずしもこのようにする必要は無く、トランジスタ6及びトランジスタ14の特性に合わせて、予め電流値が固定された電流源を使用してもよい。
本発明に係るプローブの一実施例を示す構成ブロック図である。 温度に比例した電流を出力する回路の構成ブロック図である。 温度センサの回路図である。 従来のプローブの一例を示す構成ブロック図である。
符号の説明
1,9 プローブピン
2,5,7,10,13,15,18,27,29,31 抵抗
3,8,11,16 コンデンサ
4,12,19 伝送線路
6,14,28,30 トランジスタ
17 差動アンプ
20,21,22,23,26 電流源
24 温度センサ
25 電圧電流変換回路
32 出力端子
50,51 補償回路
52,53 インピーダンス調整回路
100,101,102 プローブヘッド

Claims (5)

  1. 高周波信号測定に用いるプローブにおいて、
    被測定対象に接触するプローブヘッドと、
    このプローブヘッドからの信号を伝送する伝送線路と、
    この伝送線路に接続されトランジスタのエミッタ抵抗の抵抗値を調整することにより前記伝送線路の特性インピーダンスに合わせて整合を取るインピーダンス調整回路と、
    このインピーダンス調整回路の周波数特性を補償する補償回路と、
    前記インピーダンス調整回路の出力信号を増幅するアンプと
    を備えたことを特徴とするプローブ。
  2. 前記インピーダンス調整回路が、
    一端が前記伝送線路に接続される抵抗と、
    エミッタ端子が前記抵抗の他端に接続され、コレクタ端子が前記補償回路に接続されると共にベース端子が接地されるトランジスタと、
    一端が正電源に接続されると共に他端が前記トランジスタのコレクタ端子に接続される第1の電流源と、
    一端が前記抵抗の他端及び前記トランジスタのエミッタ端子にそれぞれ接続されると共に他端が負電源に接続される第2の電流源とから構成されることを特徴とする
    請求項1記載のプローブ。
  3. 前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
    D/A変換器から構成されることを特徴とする
    請求項2記載のプローブ。
  4. 前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
    電圧源と、
    半固定抵抗とから構成されることを特徴とする
    請求項2記載のプローブ。
  5. 前記第1の電流源若しくは前記第2の電流源が、
    温度センサを有し、温度変化によって出力電流を制御することを特徴とする
    請求項2乃至請求項4のいずれかに記載のプローブ。
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