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Description

本発明は、リフレクタ付基板の製造方法に関する。
従来より、表面実装型LEDとしては、セラミックスをパッケージ材料としたものが一般的に知られている。図8に、従来のセラミックスパッケージにLEDチップを実装した状態の構造を示す模式断面図を示す。201は基板、202は基板に巻きかけられた外部接続用配線である。LEDチップ203は、外部接続用配線202bの上に固着されるとともに、外部接続用配線202aと金線等のワイヤ204で接続されている。LEDを搭載すべきキャビティーは、セラミックスケース205a、205bの側面部で包囲されている。このセラミックスケースによって、LEDからの発光を前方へ効率的に出光させている。
近時、放熱性、材料コスト、小型化に対する要求から、セラミックスをパッケージ材料としたLEDにかわり、例えば、例えば銅などの金属からなるリードフレーム基板上に、熱可塑性樹脂、或いは熱硬化性樹脂からなるリフレクタが設けられたLEDが知られている。特許文献1には、射出成型されたキャビティー枠を有する樹脂製のリフレクタ部を備えた反射体が開示されている。
特開2010−280747号公報
しかしながら、上記特許文献1に開示がされているように、樹脂製のリフレクタは、射出成型やトランスファー成型により一体的に成型されるのが一般的であり、このような、方法で成型されたリフレクタは、リードフレームと、リフレクタの樹脂との線膨脹係数の違いによってリードフレームに反りが生じてしまう。また、リフレクタの形状や寸法を変更するたびに金型を製作し直す必要があり、金型の製造コストがかかることとなる。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、リードフレームに反りが生ずることがなく、且つリフレクタの形状や寸法を変更した場合であっても、金型を製作する必要がなく製造コストに優れたリフレクタ付基板の製造方法を提供することを主たる課題とする。
上記課題を解決するための本発明の方法は、リードフレームと、該リードフレーム上に設けられたリフレクタとから構成され、リードフレームとリフレクタとによって発光素子を収容するキャビティーが形成されたリフレクタ付基板の製造方法であって、リフレクタの前駆体であるシート状樹脂を打ち抜いて、前記キャビティーを形成するための1又は複数の貫通孔を形成する打ち抜き工程と、前記打ち抜き工程で打ち抜かれた貫通孔に、テーパー面をもつ加熱部材を挿入し、該貫通孔の内壁面を溶融させながら押し広げることで、該貫通孔の内壁面に発光素子の出光側に向かって広がるテーパー面を形成するテーパー形成工程と、前記テーパー形成工程後、リードフレーム上に、内壁面にテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を接着する接着工程と、を有することを特徴とする。
また、前記加熱部材が、超音波振動によって貫通孔の内壁面を溶融させる加熱部材であってもよい。
本発明によれば、リードフレームに反りが生じないリフレクタ付基板を製造することができる。さらに、リフレクタの成型に金型を必要とせず、設計変更に低コストで容易に対応することが可能となる。
本発明の製造方法に用いられる製造装置の一例である。 打ち抜き工程を説明するための図であり、(a)は、貫通孔が形成されたシート状樹脂の概略断面図であり、(b)は、貫通孔が形成されたシート状樹脂の概略上面図である。 テーパー形成工程を説明するための概略断面図である。 加熱部材の形状の一例を示す図である。 接着工程を説明するための概略断面図である。 表面実装型LEDの一例を示す概略断面図である。 表面実装型LEDの製造方法の一例を示す概略断面図である。 従来の表面実装型LEDの一例を示す概略断面図である。
本発明は、リードフレームと、該リードフレーム上に設けられたリフレクタとから構成され、リードフレームとリフレクタとによって発光素子を収容するキャビティーが形成されたリフレクタ付基板の製造方法であって、リフレクタの前駆体であるシート状樹脂を打ち抜いて、キャビティーを形成するための1又は複数の貫通孔を形成する打ち抜き工程と、打ち抜き工程で打ち抜かれた貫通孔に、挿入方向と反対方向に広がるテーパー面を有する加熱部材を挿入し、該貫通孔の内壁面を溶融させながら押し広げることで、該貫通孔の内壁面に発光素子の出光側に向かって広がるテーパー面を形成するテーパー形成工程と、テーパー形成工程後、リードフレーム上に、内壁面にテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を接着する接着工程と、を有することを特徴とする。以下、本発明の製造方法の各工程について添付の図面を参照して具体的に説明する。
(打ち抜き工程)
打ち抜き工程は、図2(a)、(b)に示すようにリフレクタの前駆体であるシート状樹脂50を打ち抜いて、キャビティーを形成するための1又は複数の貫通孔51を形成する工程である。なお、図2(a)は、貫通孔51が形成されたシート状樹脂の概略断面図であり、図中の符号(A)は打ち抜かれた部分である。図2(b)は、貫通孔51が形成されたシート状樹脂の上面図である。
当該工程でシート状樹脂50に形成される貫通孔51の内壁面は、発光素子からの光を反射するリフレクタとしての機能を奏する。したがって、本願明細書では、貫通孔51が形成されたシート状樹脂50をリフレクタと定義する。つまり、当該工程においてシート状樹脂50に貫通孔51を形成することで、テーパー面形成前のリフレクタ80が得られる。
貫通孔51の形成方法について特に限定はなく、プレス装置や、パンチング金型等を用いて形成することができる。また、当該工程で形成される貫通孔51は1つであってもよく、複数であってもよい。
貫通孔51の形状についても特に限定はなく、図示するような略四角柱の形状であってもよく、略円柱状の形状であってもよく、或いはこれ以外の形状であってもよい。なお、この貫通孔51の内壁面には、後述するテーパー形成工程によって、テーパー面が形成される。また、貫通孔51の大きさについてもいかなる限定もされず、リードフレームとリフレクタによって形成されるキャビティーの大きさに応じて適宜設定することができる。
貫通孔51を形成するためのシート状樹脂50は、後述する加熱部材によって加熱をした際に溶融する樹脂からなるものであればよくその材料について特に限定はない。例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が使用可能である。これらの樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いることもできる。
また、シート状樹脂には、樹脂のほか、鉄、ニッケル、チタン等の金属、或いはこれらの金属酸化物等も併せて使用可能である。特に、酸化チタンは、シート状樹脂を白色化、すなわちリフレクタを白色化させることができ反射率を向上させることができる点で、上記樹脂とともに、好ましく使用することができる。
シート状樹脂50の厚みについても特に限定はなく、リフレクタ付基板におけるキャビティーの深さに応じて適宜設定することができ、通常500μm〜1500μm程度である。
(テーパー形成工程)
テーパー形成工程は、図3(a)〜(c)に示すように上述した打ち抜き工程で打ち抜かれた貫通孔51に、テーパー面52aを有する加熱部材52を加熱させながら挿入し、該貫通孔51の内壁面を溶融させながら押し広げることで、図3(d)に示すように該貫通孔51の内壁面に発光素子の出光側に向かって広がるテーパー面53を形成する工程である。換言すれば、テーパー面を有するリフレクタ85を形成する工程である。
加熱部材52は、挿入方向と反対方向に広がるテーパー面52aを有するものであればよく、例えば、図4(a)に示す略四角錐形状、図4(b)に示す略円錐台形状、図4(c)に示す略円錐形状、図4(d)に示す略円錐台形状等の対称形状のものを好適に使用可能である。なお、図4の矢印方向は挿入方向である。
また、加熱部材52のテーパー角度は10°〜45°の範囲内であることが好ましい。加熱部材52のテーパー角度をこの範囲に設定することで、貫通孔51のテーパー角度もこの範囲内となり、テーパー面53を有する貫通孔51(キャビティー)内に収容される発光素子が発光する光を効果的に外部に放出することが可能となる。なお、貫通孔51のテーパー角度とは、リードフレームの底面に対する法線と、貫通孔の内壁面とでなされる角である。
また、加熱部材52は、(i)それ自体が発熱する発熱体として機能し貫通孔の内壁面の樹脂を溶融させることができるものや、(ii)それ自体が発熱体として機能しなくとも結果として貫通孔の内壁面の樹脂を溶融させることができるものを挙げることができる。(i)の加熱部材52としては、従来公知の発熱体を挙げることができ、(ii)の加熱部材52としては、超音波振動が可能なホーン等を挙げることができる。また、発熱体の温度や、超音波振動の振動条件については、シート状樹脂の材料等に応じて適宜設定することができる。
貫通孔51への加熱部材52の挿入速度についても特に限定はなく、加熱部材52の形状に応じた、テーパー面53を貫通孔51の内壁面に形成することができる範囲内で適宜設定可能である。
(接着工程)
接着工程は、図5に示すように、テーパー形成工程後、リードフレーム60上に、内壁面にテーパー面53が形成された貫通孔51を有するシート状樹脂を接着する工程である。換言すれば、リードフレーム60上に、テーパー面を有するリフレクタ85を接着する工程である。
リードフレーム60としては、従来公知のリードフレーム、例えば、金属の平板をプレス金型でプレス抜きし、これを立体的に所定形状に成型してなる金属リードフレーム等を使用することができる。また、図示する形態では、リードフレーム60は、バックテープ70上に所定の間隔をあけて配されている。
接着方法としては、例えば、貫通孔51を形成する前、或いは貫通孔51を形成した後のシート状樹脂50の、リードフレームとの接着面に粘着シートを張り合わせ、リードフレーム60と、内壁面にテーパー面53が形成された貫通孔51を有するシート状樹脂とを重ね合わせた後に加熱する方法を挙げることができる。また、粘着シートにかえて、従来公知の粘着剤を塗布することとしてもよい。
以上説明した、リフレクタ付基板の製造方法によれば、リフレクタを形成した後にリードフレームと接着することから、リフレクタ付基板の製造時にリードフレームにかかる負荷を低減させることができ、リードフレームと、リフレクタの材料とで線膨脹係数が大きく異なる場合であっても、リードフレームの反りを防止することができる。また、本発明の製造方法によれば、簡便な方法でリフレクタの内壁面にテーパー面を形成することができ、反射効率を向上させることができる。
また、上記では、内壁面にテーパー面53を有する複数の貫通孔51(複数のキャビティー)が設けられたリフレクタ付基板を中心に説明を行ったが、複数の貫通孔51を有するリフレクタ付基板をダイシングすることで、1つの貫通孔51(1つのキャビティー)を有するリフレクタ付基板とすることができる。また、ダイシングは発光素子等の搭載後に行ってもよく、発光素子等の搭載前に行ってもよい。
次に、図1を参照しながら、本発明のリフレクタ付基板の製造方法の一実施形態を説明する。なお、本発明は、この実施形態によって限定されるものではない。
図1は、本発明のリフレクタ付基板の製造方法に用いられる装置図であり、樹脂貯留部101、熱ロール102、オーブン103、粘着シート104、切断機105、プレス装置106、超音波ホーン107、アーム108を備える。
図示する装置では、樹脂貯留部101に貯留された樹脂を、熱ロール102で引き延ばしロール状の樹脂板に成形する。次いで、ロール状の樹脂板をロール送りしオーブン103内で加熱することで、ロール状の樹脂板を硬化する。
次いで、硬化したロール状の樹脂板と、粘着シート104とを張り合わせる。粘着剤が張り合わされたロール状の樹脂板を、切断機105によってシート状に切断する。これにより、リフレクタの前駆体であるシート状樹脂が準備される。なお、シート状樹脂は、図示しないグリッパーでシート固定されている。
シート状樹脂を図示しないグリッパーによって間欠送りし、プレス装置106に搬送する。プレス装置106は、図2に示すような所定形状でシート状樹脂に貫通孔を打ち抜く。
打ち抜かれた貫通孔に、テーパー面を有する超音波ホーン107を超音波振動させながら挿入し、貫通孔の内壁面にテーパー面を形成する。
テーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂をアーム108でピックアップし、該シート状樹脂をバックテープ70上に所定の間隔をあけて配されたリードフレーム60上に搭載する。リードフレーム60上にテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を搭載後、加熱処理を行い、リードフレーム60とテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を接着する。これによりリフレクタ付基板が製造される。
(表面実装型LED)
次に本発明の製造方法で製造されたリフレクタ付基板を用いて製造される表面実装型LED、及び表面実装型LEDの製造方法について図6、図7を用いて説明する。なお、図6は、本発明の製造方法で製造されたリフレクタ付基板を用いて製造される表面実装型LEDの概略断面図であり、図7は、表面実装型LEDの製造方法の一例を示す概略断面図である。
図6に示すように、一実施形態の表面実装型LED100は、バックテープ70上に所定の間隔をあけて配されたリードフレーム60a、60bと、該リードフレーム上にそれぞれ設けられたリフレクタ85a、85bと、リードフレーム60b上に、該リードフレーム60bと電気的に接続するように搭載されたLED55(発光素子55)とからなる。また、LED55は、リードフレーム60aと配線用ワイヤ65等によって接続されており、リードフレーム60a、60bと、リフレクタ85a、85bとで形成されるキャビティー90は、透明樹脂75によって埋められている。
上記実施形態の表面実装型LED100の製造方法の一例について説明する。まずはじめにリフレクタ付基板を準備する。リフレクタ付基板は、上記本発明のリフレクタ付基板の製造方法に従って製造することができ、ここでの説明は省略する。
次いで、図7(a)に示すように、リードフレーム60上にダイアタッチ等により、あらかじめ準備されたLED55を電気的に接続するように搭載し、ワイヤボンディング等によって、このLED55を隣接するリードフレーム60と配線用ワイヤ65等により接続する。
次いで、図7(b)に示すように、バックテープ70上に所定の間隔をあけて配されたリードフレーム60とリフレクタ85によって形成されるキャビティー90を透明樹脂75で充填させる。透明樹脂75としては、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂等を使用することができる。次いで、図7(b)の破線部をダイシングすることで、図6に示す表面実装型LEDが製造される。
以上説明した一実施形態の表面実装型LEDの製造方法によれば、リフレクタ付基板が、本発明の製造方法にしたがって形成されていることから、リードフレームに反りが生じない表面実装型LEDを提供することができる。さらに、リフレクタの成型に金型を必要とせず、表面実装型LEDの設計変更に低コストで容易に対応することが可能となる。
50 シート状樹脂
51 貫通孔
52 加熱部材
52a 加熱部材のテーパー面
53 貫通孔の内壁面に形成されたテーパー面
55 LED(発光素子)
60、60a、60b リードフレーム
65 配線用ワイヤ
70 バックテープ
75 透明樹脂
80 テーパー面形成前のリフレクタ
85、85a、85b テーパー面形成後のリフレクタ
90 キャビティー
100 表面実装型LED
101 樹脂貯留部
102 熱ロール
103 オーブン
104 粘着シート
105 切断機
106 プレス装置
107 超音波ホーン
108 アーム

Claims (2)

  1. リードフレームと、該リードフレーム上に設けられたリフレクタとから構成され、リードフレームとリフレクタとによって発光素子を収容するキャビティーが形成されたリフレクタ付基板の製造方法であって、
    リフレクタの前駆体であるシート状樹脂を打ち抜いて、前記キャビティーを形成するための1又は複数の貫通孔を形成する打ち抜き工程と、
    前記打ち抜き工程で打ち抜かれた貫通孔に、テーパー面をもつ加熱部材を挿入し、該貫通孔の内壁面を溶融させながら押し広げることで、該貫通孔の内壁面に発光素子の出光側に向かって広がるテーパー面を形成するテーパー形成工程と、
    前記テーパー形成工程後、リードフレーム上に、内壁面にテーパー面が形成された貫通孔を有するシート状樹脂を接着する接着工程と、
    を有するリフレクタ付基板の製造方法。
  2. 前記加熱部材が、超音波振動によって貫通孔の内壁面を溶融させる加熱部材であることを特徴とする請求項1に記載のリフレクタ付基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4309897B2 (ja) * 2005-04-25 2009-08-05 日本特殊陶業株式会社 配線基板
JP2006339362A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP2007013066A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Element Denshi:Kk 発光装置
JP3963923B2 (ja) * 2005-07-04 2007-08-22 株式会社エレメント電子 リフレクタ付き実装基板の製造方法
JP2007149811A (ja) * 2005-10-26 2007-06-14 Kyocera Corp 発光素子用配線基板及び発光装置
JP2008172125A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Citizen Electronics Co Ltd チップ型led発光装置及びその製造方法
JP4917120B2 (ja) * 2008-03-03 2012-04-18 昭和電工パッケージング株式会社 配線基板の表裏導通方法
JP5241537B2 (ja) * 2009-01-27 2013-07-17 京セラ株式会社 電子部品搭載用基板および電子装置ならびに電子部品搭載用基板の製造方法
JP2010280747A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Mitsubishi Plastics Inc 反射体及びled搭載用基板

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