JP5775936B2 - 基板上のナノ粒子堆積方法、及び高エネルギー密度素子製作 - Google Patents
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Description
本願は、2011年10月24日に出願された米国仮特許出願第61/550,893号、2011年6月10日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第61/495,626号、及び2010年11月30日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第61/418,232号の優先権を主張するものである。
圧電気は、ある種の固体材料構造において機械的応力のために生じる特定の電荷蓄積状態である。一般に、圧電効果は、反転対称性のない結晶性材料において機械的状態と電気的状態の直線的電気機械的相互作用であると実験的に判断された。圧電効果は、加えられた機械力に起因する電荷の内部発生を印加電場に起因する機械的ひずみの内部発生に転換することができるような可逆過程である。
半導体においては、ひずみに起因する原子間隔の変化は、半導体固有のバンドギャップに影響を及ぼして、伝導帯への電子の励起が容易に(又は材料及びひずみによっては困難に)なる。半導体材料の圧電効果は、金属における類似の幾何学的効果よりも数桁大きくなることがあり、ゲルマニウム、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、炭化シリコン及び単結晶シリコンのような材料で存在する。
シリコン及びゲルマニウムの抵抗は、応力誘発性の形状変化に帰因するだけでなく、材料の応力依存性の抵抗率に帰因しても変化し得る。n型シリコン(電気伝導を担う主な電荷担体は電子である)の抵抗は、主に、結晶の3個の異なる導電性頂点のシフトに帰因して変化する。シフトは、移動度の異なる頂点間の担体の再分布を引き起こす。これによって、電流の流れ方向に応じて移動度が変化する。軽微な効果は、単結晶シリコンにおける谷の頂点の原子間隔の変化による変形に関連した有効質量変化に帰因する。p型シリコン(電気伝導を担う主な電荷担体は正孔である)においては、現在研究されている現象は、より複雑であり、質量及び正孔移動の変化も示す。
圧電効果の性質は、固体における電気双極子モーメントの発生に起因する。電気双極子モーメントは、電荷の大きさと電荷間距離の積に等しいベクター量である。固体における電気双極子モーメントは、タンタル酸リチウム、チタン酸ジルコン酸鉛などの非対称電荷環境のような結晶格子サイト上のイオンに対して誘発することができ、有機糖分子などの分子群によって直接保有することができる。分極化を引き起こす双極子密度は、結晶単位格子の単位体積当たりの双極子モーメントの合計である。電気双極子はベクトル量(特定の大きさ及び方向の幾何学的対象)であるので、双極子密度Pもベクトル量である。互いに近い双極子は、ワイスドメインと称する領域に整列する傾向がある。個々の粒子間のこれらの整列領域においては、粒子は一体で作用し、したがって電圧の電位及び極性並びに電流の大きさ及び方向は、固体全体を構成する個々の粒子すべての合計に等しい。
結晶性材料における対称操作の32通りの可能な組合せである32の結晶族がある。各結晶族は、結晶族の対称性を一義的に規定する結晶面を含む。32の結晶族のうち21は(対称中心を持たない)非中心対称であり、そのうち20は直接的圧電気を示す。そのうち10は、極性結晶族を含み、その結晶構造に固有な非対称に付随したゼロにならない電気双極子モーメントのために、機械的応力を加えなくても自発的に分極する。極性結晶の場合、双極子密度の合計P≠0は機械的負荷を加えなくても維持され、圧電効果は、Pの大きさ若しくは方向又はその両方を変えることによって発現する。換言すれば、内部応力を有するように製造することができる極性結晶は、機械的負荷を加えなくても圧電効果を示す。
ナノ結晶における量子閉じ込めは、理解すべき重要な概念である。ナノ結晶における量子閉じ込めは、粒子の物理的サイズがその特徴的な励起子ボーア半径未満であるときに起こる。励起子ボーア半径は、負に帯電した電子を、励起中に取り残されたその正に帯電した正孔から分離する物理的距離である。粒子の物理的サイズが、励起中に電子が移動しなければならない距離未満であるときには、材料は量子閉じ込め状態であるとみなされる。例えば、ゲルマニウムの励起子ボーア半径は24.3nmであるが、直径1ナノメートルのゲルマニウムナノ結晶を合成することができる。この特徴的な距離よりも小さいナノ粒子を作製することによって、ナノ粒子の電子的性質を、粒径を調節することによって離散的エネルギー準位に調整することができる。したがって、ボーア半径よりも小さい粒子でできた凝集体は、エネルギー密度が大きく増加する。粒子がボーア励起子半径とほぼ同じサイズである場合、又は少し大きい場合でも、粒子すべてが励起子ボーア半径よりも小さい場合と同じ程度ではないにしろ、粒子の凝集体はエネルギー密度が増加する。
増幅圧電効果は、チタン酸ジルコン酸鉛、窒化ガリウム、及び窒化インジウムガリウムなどの量子閉じ込めナノ結晶25において認めることができる。本新規技術の一実施形態においては、素子100は、所定のひずみの状態で合成された量子閉じ込めシリコン及びゲルマニウムナノ結晶25における増幅圧電効果を利用する(図4〜図22参照)。
一実施形態においては、図14に示されるように、本新規技術は、シリコン及びゲルマニウムナノ結晶25の独特の性質を利用した電池100に関する。約1nmから約1000nmのサイズの高純度シリコン又はゲルマニウムナノ結晶25は、電気泳動法(EPD:electrophoretic deposition)を使用して導電性基板45上に堆積される。シリコン及び/又はゲルマニウムナノ結晶25の密に詰められた薄膜10は、膜10の所望の性質に応じて、約100nmから約2000nmの厚さとすることができる。アルミニウム、金、銀などの導電性金属背面接触部115は、半導体ナノ結晶25の薄膜10に約50nmから約500nmの厚さ範囲で施される。熱蒸着、電子線蒸着、スパッタコーティング、電気めっきなどを使用して、金属背面接触部115を施与することができる。
Claims (28)
- 半導体ナノ粒子の層を基板上に周囲温度及び圧力条件で成膜させる方法であって、
a)複数の超高純度内部ひずみ半導体シリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ粒子を非水系極性溶媒に懸濁させて懸濁液を生成する工程、
b)導電性基板を第1の電極に接続する工程、
c)第2の電極を前記懸濁液と導通状態にする工程、
d)前記導電性基板を前記懸濁液に浸漬する工程、
e)第1の電荷を前記懸濁ナノ粒子上に与える工程、
f)第2の反対電荷を前記基板上に与える工程、
g)半導体ナノ粒子の均一な層を前記基板上に制御下で堆積させて、被覆基板を形成する工程、及び
h)前記被覆基板を前記懸濁液から周囲圧力にある空気中に取り出す工程
を含み、
前記懸濁液の温度が約100℃未満に維持され、
前記ナノ粒子が1000ナノメートル未満の寸法を有する、
方法。 - 前記半導体ナノ粒子の均一な層の前記半導体ナノ粒子の粒径分布が、3ナノメートルから10ナノメートルである、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体ナノ粒子の均一な層が、厚さ500ナノメートルから800ナノメートルである、請求項1に記載の方法。
- i)h)工程後に、導電層を前記半導体ナノ粒子の層上に施与する工程、及び
j)電気接触部を前記導電層に接続する工程
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 電場が前記第1と第2の電極間に生成されたときに、前記堆積の速度が前記電場の強さの増加とともに増加し、前記半導体ナノ粒子の均一な層の前記半導体ナノ粒子が平均粒径及び粒径分布を有したときに、前記平均粒径及び前記粒径分布が前記電場の強さによって支配される、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体ナノ粒子が圧電性であり、前記半導体ナノ粒子がそれぞれの双極子モーメントに従って自己整列し、前記半導体ナノ粒子の均一な層が統合ワイスドメインを画定する、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体ナノ粒子の均一な層にリチウムをインターカレートする工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 周囲温度及び圧力における電着方法であって、
a)複数の超高純度内部ひずみシリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ粒子を極性非水溶媒に懸濁させて、懸濁液を規定する工程、
b)導電性基板を前記懸濁液に浸漬する工程、
c)第1の表面電荷を前記懸濁ナノ粒子上に与える工程、
d)第2の反対表面電荷を前記基板上に与える工程、
e)半導体ナノ粒子の均一な層を前記基板上に堆積させて、被覆基板を作製する工程、及び
f)前記被覆基板を前記懸濁液から大気中に取り出す工程、及び
g)導電性金属層を前記被覆基板上に形成する工程
を含み、
前記懸濁液の温度が100℃未満に維持される、
方法。 - 前記複数の超高純度ナノ粒子が寸法約3ナノメートルから約10ナノメートルのサイズであり、前記複数の超高純度ナノ粒子の均一な層が厚さ500ナノメートルから800ナノメートルである、請求項8に記載の方法。
- 前記複数の超高純度ナノ粒子が二モード(bimodal)の粒径分布を有し、前記複数の超高純度ナノ粒子が、より小さい粒子の第1の副層を、より大きい粒子の第2の副層の上の間隙に配置させている、請求項8に記載の方法。
- ナノ粒子を基板上に電着させる方法であって、
a)複数の双極性内部ひずみ半導体シリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ粒子の非水系極性懸濁液を30℃から100℃の温度に加熱する工程、
b)前記基板を前記懸濁液に入れる工程、
c)電場を前記懸濁液中に設定する工程、
d)反対の表面電荷を前記複数の双極性半導体粒子上及び前記基板上に与える工程、
e)双極性半導体粒子の均一な膜を前記基板上に形成して、被覆基板を規定する工程、
f)前記被覆基板を前記懸濁液から空気中に取り出す工程、及び
g)前記双極性半導体粒子の膜を導電性金属層で被覆する工程
を含み、
前記複数の双極性半導体粒子が、堆積中に自己配向して統合ワイスドメインを画定する、
方法。 - 前記双極性半導体粒子の膜が圧電電圧源を規定する、請求項11に記載の方法。
- 前記双極性半導体粒子が非真性ドープされた、請求項11に記載の方法。
- 導電性基板、及び
前記導電性基板の導電層上に成膜された内部ひずみ半導体シリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ結晶の層
を含み、
前記内部ひずみ半導体ナノ結晶が実質的にさしわたし2ナノメートルから50ナノメートルであり、
前記内部ひずみ半導体ナノ結晶が実質的に圧電性であり、
前記内部ひずみ半導体ナノ結晶が、配向双極子モーメントに従って配列して、統合ワイスドメインを画定し、
前記層が厚さ200ナノメートルから1500ナノメートルである、
発電素子。 - 前記内部ひずみ半導体ナノ結晶の層上に成膜された導電性金属層をさらに含む、請求項14に記載の素子。
- 前記内部ひずみ半導体ナノ結晶が、99.999999パーセントを超える純度である、請求項14に記載の素子。
- 前記内部ひずみ半導体ナノ結晶の層が、1Vから18Vの電力電圧及び10μΑから50mAの短絡電流(shorted current)を発生する、請求項14に記載の素子。
- 前記内部ひずみ半導体ナノ結晶の層上に堆積したZnOナノワイヤのアレイをさらに含む、請求項14に記載の素子。
- 前記それぞれの内部ひずみ半導体ナノ結晶が、リチウムで実質的にインターカレートされた、請求項14に記載の素子。
- 導電性表面部分を有する基板と、
前記導電性部分上に位置する内部ひずみ半導体シリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ粒子の第1の膜であって、
第1の複数の間隙を画定する、前記半導体ナノ粒子の第1の複数の最密な第1の球状ナノ粒子、及び
前記複数の間隙を実質的に満たす第2の複数の第2のより小さい球状粒子
をさらに含む、第1の膜と、
前記第1の膜上に堆積した導電性金属の第1のコーティングと
を含む、電気変換(electrically transductive)素子
。 - 前記導電性第1コーティング上に位置する前記半導体ナノ粒子の第2の膜、及び
前記第2の膜上に成膜された導電性金属の第2のコーティング
をさらに含む、請求項20に記載の電気変換素子。 - 前記基板と前記導電性表面部分がどちらも透明である、請求項20に記載の電気変換素子。
- 導電性表面を有する基板と、
前記導電性表面と導通状態で配置された圧電シリコン若しくはゲルマニウム又は両方のナノ粒子の膜と、
前記導電性表面に対向する面とは反対側の前記圧電ナノ粒子の膜の面に配置され、前記圧電ナノ粒子の膜と導通状態にされた導電性金属層と
を含む、電気機械素子。 - 前記圧電ナノ粒子が球状であり、前記圧電ナノ粒子の直径が2から50ナノメートルであり、前記膜が厚さ500ナノメートルから800ナノメートルである、請求項23に記載の電気機械素子。
- 前記膜が、
直径8ナノメートルから10ナノメートルの第1の複数の球状の圧電ナノ粒子と、
直径24ナノメートルから26ナノメートルの第2の複数の球状のナノ粒子と
をさらに含む、請求項23に記載の電気機械素子。 - 前記膜が、多モード(multimodal)分布の前記圧電ナノ粒子をさらに含み、それぞれのモードを規定する前記圧電ナノ粒子の95パーセント超が前記それぞれのモードの2ナノメートル以内にある、請求項23に記載の電気機械素子。
- 前記圧電ナノ粒子が他の原子のインターカレーションによってさらにひずんだ、請求項23に記載の電気機械素子。
- 前記懸濁液にpH緩衝液を添加する工程、及び/又は
前記懸濁液にイオン性液体を添加する工程
をさらに含む、請求項1、8、11のいずれか1項に記載の方法。
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