JP5775754B2 - パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
(イ)前記膜をKrFエキシマレーザーにて露光する工程と、
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法:
R11、R21、R31、R41、R51は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表し;
R12は、水素原子又は−COOCH3基を表し;
Xは、メチレン基又は酸素原子を表し;
R32、R42、R52は、各々独立に、炭素数1〜4のアルキル基を表し;
mは、0又は1を表し;
nは、1又は2を表す。
本発明のパターン形成方法は、(ア)下記一般式(I)及び(II)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(a)、ならびに下記一般式(III)、(IV)及び(V)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、(イ)前記膜をKrFエキシマレーザーにて露光する工程と、(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含む:
(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。
本発明のパターン形成方法は、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、(エ)有機溶剤を含有するリンス液を用いて、現像された膜を洗浄する工程を更に含んでいてもよい。
リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm〜4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程(Post Bake)を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40〜160℃、好ましくは70〜95℃で、通常10秒〜3分、好ましくは30秒から90秒間行う。
また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程(PEB;Post Exposure Bake)を含むことも好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
本発明のパターン形成方法は、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38%質量の水溶液が望ましい。
また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。
本発明における露光装置に用いられる光源波長は、KrFエキシマレーザー(248nm)であることが好ましい。
反射防止膜としては、たとえば、AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製 AQUATAR−II、AQUATAR−III、AQUATAR−VIIなどが挙げられる。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器(家電、OA・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等)に、好適に、搭載されるものである。
以下、本発明のパターン形成方法において使用し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物について説明する。
本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ネガ型の現像(露光されると現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像)において用いられる。即ち、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、有機溶剤を含む現像液を用いた現像に用いられる、有機溶剤現像用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物とすることができる。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。
樹脂(P)は、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂であり、下記一般式(I)及び(II)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(a)、ならびに下記一般式(III)、(IV)及び(V)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(b)を有する。繰り返し単位(b)は、酸の作用により分解して極性基を生じる基(以下、酸分解性基ともいう)を備えた繰り返し単位であり、酸分解性基は、樹脂(P)の主鎖又は側鎖、あるいは主鎖及び側鎖の両方に位置してよい。繰り返し単位(a)は、ラクトン構造を有する繰り返し単位である。樹脂(P)にラクトン基を備えた繰り返し単位を含有させると、有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解コントラストを更に向上させることができる。また、特定のラクトン構造を用いることで、段差基板上におけるパターン形成性が良好になる。
R52としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基であることがより好ましく、メチル基、エチル基であることが特に好ましい。
樹脂(P)は、繰り返し単位(b)の他に、酸の作用により分解して極性基を生じる基(すなわち、酸分解性基)を有する繰り返し単位をさらに含んでもよい。
樹脂(P)は、繰り返し単位(a)の他に、ラクトン構造を有する繰り返し単位をさらに含んでもよい。
樹脂(P)は、さらに、極性基(例えば、ヒドロキシ基シアノ基、カルボキシル基など)を有する繰り返し単位、極性基を持たない脂環炭化水素構造(例えば、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロテカニル基など)を有し且つ酸分解性を示さない繰り返し単位、付加重合性不飽和結合を1個有する化合物(例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等)を重合して得られる繰り返し単位を含んでもよい。これにより基板密着性、及び現像液親和性が向上する。
また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なお、本発明の効果を損なわない範囲で、上述した樹脂(P)以外の他の樹脂を併用してもよい。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)(以下、「酸発生剤(B)」ともいう)を含有する。酸発生剤(B)としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、或いはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
Rd1は水素原子、アルキル基を表し、結合しているアルキル基、アリール基と環構造を形成してもよい。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。
R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物は、R201〜R203の全てがアリール基でもよいし、R201〜R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基、フルオレン基などのアリール基、インドール残基、ピロール残基、などのヘテロアリール基が好ましく、更に好ましくはフェニル基、インドール残基である。アリールスルホニム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
化合物(ZI−2)は、式(ZI)におけるR201〜R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201〜R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1〜30、好ましくは炭素数1〜20である。
R201〜R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1〜5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
一般式(ZII)、(ZIII)中、R204〜R207は、各々独立に、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基の具体例、好適なものとしては、前記化合物(ZI−1)におけるR201〜R203としてのアリール基として説明したものと同様である。
Z−は、一般式(ZI)に於けるZ−と同義である。
Ar3及びAr4は、各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基を表す。
R208は、一般式(ZV)と(ZVI)で各々独立して、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。発生酸の強度を高める点では、R208はフッ素原子により置換されていることが好ましい。
また、R209とR210とが結合して環構造を形成しても良い。これらの環構造は、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基などを含んでいてもよい。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4〜10)、環を有しても良いモノケトン化合物(好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有していてもよい。
R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基
(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1〜20個のアルキル基を表す。
これら一般式(A)と(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。
これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。
本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくても良い。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0605]〜[0606]に記載のものを挙げることができる
これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。
シクロヘキサノン51.3質量部を窒素気流下、80℃に加熱した。この液を攪拌しながら、下記構造式Aで表されるモノマー27.8質量部、下記構造式Bで表されるモノマー21.0質量部、シクロヘキサノン95.2質量部、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル〔V−601、和光純薬工業(株)製〕1.73質量部の混合溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、80℃で更に2時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチル(質量比:8/2)で再沈殿、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで、本発明の樹脂(P−1)を45.2質量部得た。
酸発生剤としては、以下の化合物(PAG−1)〜(PAG−8)を用いた。
塩基性化合物としては、以下の化合物(N−1)〜(N−4)を用いた。
界面活性剤は、下記(W−1)〜(W−6)から適宜選択して用いた。
W−1: メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素系)
W−2: メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製;フッ素及びシリコン系) W−3: ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製;シリコン系)
W−4: トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
W−5: KH−20(旭硝子(株)製)
W−6: PolyFox PF−6320(OMNOVA Solutions Inc.製;フッ素系)
<溶剤>
溶剤は、下記SL−1〜SL−8から適宜選択して用いた。
(a群)
SL−1: プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
SL−2: プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
SL−3: 2−ヘプタノン
(b群)
SL−4: 乳酸エチル
SL−5: プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
SL−6: シクロヘキサノン
(c群)
SL−7: γ−ブチロラクトン
SL−8: プロピレンカーボネート
<レジスト調製>
下記表2に示す成分を、同表に示す溶剤に固形分で5.10質量%溶解させ、それぞれを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、実施例1〜32の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(レジスト組成物)を調製した。
図1(a)に示す500nmのSiO2膜2を表面に有するSi基板1上に、図1(b)に示すようにポジ型レジスト組成物3(FAiRS−G104;富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)を200nmの膜厚になるように塗布し、100℃で60秒間ベークを行った。その後、幅220nmのラインパターンを180nmの間隔を空けて有するマスクを介し、ArFエキシマレーザー(ASML社製:PAS5500/1100)を用いて露光を行い、95℃で60秒間ベークを行った。該露光されたウェハを2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で30秒間現像し、その後、純水を用いてリンスし、スピン乾燥して、ライン部220nm、スペース部180nmのレジストパターンを得た(図1(c))。
上記のように作成した段差を有する基板上に、上記で作製した実施例1〜32のレジスト組成物4を膜厚が150nmになるように塗布し(図1(f))、100℃で60秒間前加熱工程(PB)を行った。その後、幅400nmのラインパターンを400nmの間隔を空けて有するマスクを介し、KrFエキシマレーザー(ASML社製:PAS−5500/850)を用いて露光を行い、110℃で60秒間露光後のベーク(PEB)を行った。該露光されたウェハについて、有機溶剤(酢酸ブチル)を用いて30秒間現像を行った後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、図1(g)に示すようなパターン形成を試みた。
Claims (7)
- (ア)下記一般式(I)及び(II)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(a)、ならびに下記一般式(III)、(IV)及び(V)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、段差を有する基板上に膜を形成する工程と、
(イ)前記膜をKrFエキシマレーザーにて露光する工程と、
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法:
R11、R21、R31、R41、R51は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表し;
R12は、水素原子又は−COOCH3基を表し;
Xは、メチレン基又は酸素原子を表し;
R32、R42、R52は、各々独立に、炭素数1〜4のアルキル基を表し;
mは、0又は1を表し;
nは、1又は2を表す。 - 樹脂(P)が、繰り返し単位(b)として少なくとも下記一般式(IIIa)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- (ア)下記一般式(I)及び(II)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(a)、ならびに下記一般式(III)、(IV)及び(V)の少なくとも1つで表される少なくとも1種の繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、
(イ)前記膜をKrFエキシマレーザーにて露光する工程と、
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程と
を含み、樹脂(P)が、繰り返し単位(b)として少なくとも下記一般式(IIIa)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とするパターン形成方法:
R 11 、R 21 、R 31 、R 41 、R 51 は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表し;
R 12 は、水素原子又は−COOCH 3 基を表し;
Xは、メチレン基又は酸素原子を表し;
R 32 、R 42 、R 52 は、各々独立に、炭素数1〜4のアルキル基を表し;
mは、0又は1を表し;
nは、1又は2を表す。
- 前記現像液に含まれる有機溶剤は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の溶剤であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記現像液は、有機溶剤として少なくとも酢酸ブチルを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記現像液を用いて膜を現像する工程の後に、(エ)有機溶剤を含有するリンス液を用いて前記膜を洗浄する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
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