JP5770100B2 - スプリアス音響モード抑制を持つ集積回路及びその製造方法 - Google Patents
スプリアス音響モード抑制を持つ集積回路及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5770100B2 JP5770100B2 JP2011541666A JP2011541666A JP5770100B2 JP 5770100 B2 JP5770100 B2 JP 5770100B2 JP 2011541666 A JP2011541666 A JP 2011541666A JP 2011541666 A JP2011541666 A JP 2011541666A JP 5770100 B2 JP5770100 B2 JP 5770100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- integrated circuit
- circuit device
- edges
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001629 suppression Effects 0.000 title description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002592 echocardiography Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000004636 vulcanized rubber Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0644—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element
- B06B1/0662—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element with an electrode on the sensitive surface
- B06B1/0677—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element with an electrode on the sensitive surface and a high impedance backing
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/002—Devices for damping, suppressing, obstructing or conducting sound in acoustic devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
a)"有する"という語は所与の請求項に列挙されたもの以外の要素又は行為の存在を除外しない。
b)ある要素に先行する"a"又は"an"という語はかかる要素の複数の存在を除外しない。
c)請求項における任意の参照符号はその範囲を限定しない。
d)複数の"手段"は、同じ項目又はハードウェア若しくはソフトウェア実装構造若しくは機能によってあらわされ得る。
e)開示された要素のいずれも、ハードウェア部分(例えば離散及び集積電子回路を含む)、ソフトウェア部分(例えばコンピュータプログラミング)、及びそれらの任意の組み合わせを有し得る。
f)ハードウェア部分はアナログ及びデジタル部分の一方又は両方を有し得る。
g)開示された装置又はその一部のいずれも、特に指定のない限り、一緒に組み合わされるか又はさらなる部分に分離されてもよい。
h)特に明示されない限り、行為又はステップの特定の順番は必要とされないことが意図される。
i)"複数の"要素という語は、請求された要素を2つ以上含み、要素の数のいかなる特定の範囲も示唆しない、つまり、複数の要素はわずか2つの要素であってもよく、莫大な数の要素を含んでもよい。
Claims (18)
- 集積回路装置であって、
対向する第1及び第2の主要側面、及び基板の外周を画定する1つ以上のエッジを持つ基板であって、半導体材料を有する基板と、
前記基板の前記第1の主要側面上にある1つ以上のトランスデューサと、
前記基板の前記1つ以上のエッジに形成される減衰パターンとを有し、
前記減衰パターンが前記基板の前記第2の主要側面に形成される溝を有する、集積回路装置。 - 前記減衰パターンが、前記基板の前記1つ以上のエッジのうちの少なくとも1つに形成される面取り、円形、及び鋸歯状パターンのうちの1つ以上を有する、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記減衰パターンが、前記基板の前記第2の主要側面上にメサを画定するトレンチのアレイを有する、請求項1に記載の集積回路装置。
- 隣接するトレンチ又はメサの間の距離が異なる、請求項3に記載の集積回路装置。
- 前記基板が対向する非平行な非隣接側面を有する、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記エッジの1つ以上のうちの少なくとも1つに取り付けられる減衰材をさらに有し、前記減衰材はポリマーを有する、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記基板の前記第1の主要側面と前記1つ以上のトランスデューサの間にある音響層をさらに有する、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記集積回路装置が、半導体材料から形成されるウェハをさらに有し、該ウェハは、前記溝が前記ウェハと前記基板の前記第1の側面の間にあるように前記基板の前記第2の主要側面に重なる、請求項1に記載の集積回路装置。
- トランスデューサを形成するための方法であって、
対向する第1及び第2の主要面を持つ閉領域を画定する半導体基板上の1つ以上のエッジを形成するステップと、
前記半導体基板においてスプリアス信号を減衰させる減衰パターンを形成するために、前記半導体基板の前記1つ以上のエッジの一部分を除去するステップと、
前記半導体基板の前記第1の主要面上にトランスデューサアレイを形成するステップとを有し、
前記半導体基板においてスプリアス信号を減衰させる別の減衰パターンを形成するために前記半導体基板の前記第2の主要面から一部分を除去するステップをさらに有する、方法。 - 前記半導体基板の前記第2の主要面上にウェハを重ねるステップをさらに有する、請求項9に記載の方法。
- 前記1つ以上のエッジの一部分を除去するステップが、対応するエッジに鋸歯状又は曲線形状を形成するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記第2の主要面から一部分を除去するステップが、メサを画定する山又はトレンチを画定する溝を有するボイドを形成するステップを有する、請求項9に記載の方法。
- 集積回路装置であって、
複数の圧電トランスデューサを有するトランスデューサアレイと、
1つ以上のエッジによって画定される、対向する第1及び第2の主要部分を持つ半導体基板であって、前記トランスデューサアレイは前記第1の主要部分上に位置する、半導体基板と、
前記半導体基板の前記1つ以上のエッジ上に位置する減衰パターンであって、前記半導体基板内のスプリアス信号を減衰させる減衰パターンとを有し、
前記減衰パターンが前記基板の前記第2の主要部分に形成される溝を有する、集積回路装置。 - 前記半導体基板の前記第2の主要部分上に重ねられるウェハをさらに有する、請求項13に記載の集積回路装置。
- 前記圧電トランスデューサが容量型微細加工超音波トランスデューサアレイ又は圧電型微細加工超音波トランスデューサアレイを有する、請求項13に記載の集積回路装置。
- 前記半導体基板の1つ以上のエッジが面取り部分を有する、請求項13に記載の集積回路装置。
- 前記減衰パターンが、前記半導体基板の前記第2の主要部分上に位置する交差する溝又はトレンチを有する、請求項13に記載の集積回路装置。
- さらに前記半導体基板の厚さが30乃至100ミクロンである、請求項13に記載の集積回路装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14029308P | 2008-12-23 | 2008-12-23 | |
US61/140,293 | 2008-12-23 | ||
PCT/IB2009/055554 WO2010073162A2 (en) | 2008-12-23 | 2009-12-07 | Integrated circuit with spurrious acoustic mode suppression and mehtod of manufacture thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012513696A JP2012513696A (ja) | 2012-06-14 |
JP5770100B2 true JP5770100B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=42288194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011541666A Active JP5770100B2 (ja) | 2008-12-23 | 2009-12-07 | スプリアス音響モード抑制を持つ集積回路及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110254109A1 (ja) |
EP (1) | EP2382619B1 (ja) |
JP (1) | JP5770100B2 (ja) |
CN (1) | CN102265333B (ja) |
RU (1) | RU2547165C2 (ja) |
WO (1) | WO2010073162A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8324006B1 (en) * | 2009-10-28 | 2012-12-04 | National Semiconductor Corporation | Method of forming a capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) |
US8563345B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-10-22 | National Semiconductor Corporated | Integration of structurally-stable isolated capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) array cells and array elements |
TW201235518A (en) * | 2012-03-06 | 2012-09-01 | Tera Xtal Technology Corp | Sapphire material and production method thereof |
KR101613413B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2016-04-19 | 삼성메디슨 주식회사 | 초음파 프로브 및 그 제조방법 |
JP6141537B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2017-06-07 | オリンパス株式会社 | 超音波振動子アレイ |
TWI669789B (zh) * | 2016-04-25 | 2019-08-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電子封裝件 |
EP3645176A1 (en) | 2017-06-30 | 2020-05-06 | Koninklijke Philips N.V. | Intraluminal ultrasound imaging device comprising a substrate separated into a plurality of spaced-apart segments, intraluminal ultrasound imaging device comprising a trench, and method of manufacturing |
CN110201872B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种检测面板、显示装置、检测面板驱动方法和制作方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR657592A (fr) * | 1963-12-24 | 1929-06-06 | Perfectionnements aux conduits de fumée | |
US4156158A (en) * | 1977-08-17 | 1979-05-22 | Westinghouse Electric Corp. | Double serrated piezoelectric transducer |
JPH0660896B2 (ja) * | 1984-11-02 | 1994-08-10 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子 |
JPH04218765A (ja) * | 1990-03-26 | 1992-08-10 | Toshiba Corp | 超音波プローブ |
US5160870A (en) * | 1990-06-25 | 1992-11-03 | Carson Paul L | Ultrasonic image sensing array and method |
WO1994030030A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated acoustic source and receiver |
JP3530580B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2004-05-24 | オリンパス株式会社 | 超音波探触子の製造方法 |
US5488954A (en) * | 1994-09-09 | 1996-02-06 | Georgia Tech Research Corp. | Ultrasonic transducer and method for using same |
US5648941A (en) * | 1995-09-29 | 1997-07-15 | Hewlett-Packard Company | Transducer backing material |
US6430109B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-08-06 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Array of capacitive micromachined ultrasonic transducer elements with through wafer via connections |
US6493288B2 (en) | 1999-12-17 | 2002-12-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Wide frequency band micromachined capacitive microphone/hydrophone and method |
US6685647B2 (en) | 2001-06-28 | 2004-02-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Acoustic imaging systems adaptable for use with low drive voltages |
US6659954B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-12-09 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Micromachined ultrasound transducer and method for fabricating same |
WO2004052209A1 (en) | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Miniaturized ultrasonic transducer |
WO2004109656A1 (en) | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method for designing ultrasonic transducers with acoustically active integrated electronics |
US7285897B2 (en) * | 2003-12-31 | 2007-10-23 | General Electric Company | Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture |
JP2005303980A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその形成方法 |
CA2607887A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Kolo Technologies, Inc. | Methods for fabricating micro-electro-mechanical devices |
JP4504255B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2010-07-14 | アロカ株式会社 | 超音波探触子及びその製造方法 |
JP4804961B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-11-02 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 超音波振動子及びそれを搭載した体腔内超音波診断装置 |
US8234774B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-08-07 | Sitime Corporation | Method for fabricating a microelectromechanical system (MEMS) resonator |
-
2009
- 2009-12-07 RU RU2011130883/28A patent/RU2547165C2/ru active
- 2009-12-07 US US13/141,853 patent/US20110254109A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-07 WO PCT/IB2009/055554 patent/WO2010073162A2/en active Application Filing
- 2009-12-07 EP EP09804327.6A patent/EP2382619B1/en active Active
- 2009-12-07 JP JP2011541666A patent/JP5770100B2/ja active Active
- 2009-12-07 CN CN200980152096.0A patent/CN102265333B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102265333A (zh) | 2011-11-30 |
JP2012513696A (ja) | 2012-06-14 |
CN102265333B (zh) | 2014-06-18 |
EP2382619B1 (en) | 2018-04-11 |
RU2011130883A (ru) | 2013-01-27 |
WO2010073162A2 (en) | 2010-07-01 |
EP2382619A2 (en) | 2011-11-02 |
RU2547165C2 (ru) | 2015-04-10 |
US20110254109A1 (en) | 2011-10-20 |
WO2010073162A3 (en) | 2011-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5770100B2 (ja) | スプリアス音響モード抑制を持つ集積回路及びその製造方法 | |
EP2688686B1 (en) | Ultrasonic cmut with suppressed acoustic coupling to the substrate | |
US7285897B2 (en) | Curved micromachined ultrasonic transducer arrays and related methods of manufacture | |
JP3655860B2 (ja) | 超音波探触子 | |
JP7376008B2 (ja) | 高周波超音波トランスデューサ | |
US7321181B2 (en) | Capacitive membrane ultrasonic transducers with reduced bulk wave generation and method | |
KR100966194B1 (ko) | 초음파 탐촉자 | |
US6183578B1 (en) | Method for manufacture of high frequency ultrasound transducers | |
KR102633430B1 (ko) | 초음파 변환기 조립체 | |
JP2004188203A (ja) | 超微細加工超音波トランスデューサ装置用バッキング材 | |
JP2003153391A (ja) | 可変の音響インピーダンスを有する超音波変換器ウェハー | |
JPH10304495A (ja) | 結合バッキングブロック及び複合変換器アレー | |
WO2009066184A2 (en) | High frequency piezocomposite and methods for manufacturing same | |
KR101411232B1 (ko) | 초음파 프로브와 초음파 프로브의 제조 방법 | |
JP2007235795A (ja) | 超音波探触子 | |
JP5358078B2 (ja) | 超音波探触子 | |
JP4688484B2 (ja) | 小型素子超音波トランスデューサ・アレイ用の音響裏当て材 | |
JP5377141B2 (ja) | 超音波プローブ | |
JP5230248B2 (ja) | 超音波探触子、超音波探触子の製造方法、および超音波検査装置 | |
JP2015043810A (ja) | バッキング層及びそれを用いてなる超音波探触子 | |
JP2002247696A (ja) | 超音波探触子 | |
Shabanimotlagh et al. | Optimizing the directivity of piezoelectric matrix transducer elements mounted on an ASIC | |
JP2004039836A (ja) | 複合圧電体およびその製造方法 | |
JP5322419B2 (ja) | 超音波探触子及び圧電振動子 | |
JP2017073662A (ja) | 超音波探触子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5770100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |