JP5769476B2 - 誘導加熱調理器 - Google Patents

Description

本発明は、誘導加熱調理器に関する。

従来、「内部に前記出力制御基板と前記冷却ファンとを収納し側面及び上部が塞がれた樹脂製の基板ケースが設置され、該基板ケースは、前記吸気口と対応した前記上部位置に設けられたケース吸気口と、前記基板ケースの前記上部位置に設けられた複数の冷却口を有し、前記基板ケース内に前記ケース吸気口から前記複数の冷却口に至る風路を形成し、該風路の上流に前記冷却ファンを、下流に前記出力制御基板を配置して前記ケース吸気口から吸い込まれた風が前記出力制御基板を冷却した後前記複数の冷却口から排出されるようにし、該複数の冷却口から排出された風で前記複数の加熱コイルを冷却するようにした」という技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１４９７０４号公報（第２〜第５頁、図２）

上記特許文献１に記載の誘導加熱調理器においては、基板ケース内に取り込んだ冷却風で基板ケース内の制御基板を冷却し、制御基板を冷却した後の冷却風を基板ケースに設けた冷却口から排出して複数の加熱コイルを冷却している。

ところで、窒化ガリウムやＳｉＣ（炭化ケイ素）等のワイドバンドギャップ半導体の耐熱温度は、２５０〜３００度であることが知られている。加熱コイルを駆動させるインバータのスイッチング素子としてワイドバンドギャップ半導体を使用する場合、耐熱性が高いため、例えばＳｉ（ケイ素）等の半導体を用いたスイッチング素子と比較して、ワイドバンドギャップ半導体自体は少ない風量で冷却できる。

しかし、ワイドバンドギャップ半導体を冷却した後の冷却風は、一般的な加熱コイルの耐熱温度である１８０度以上となり、加熱コイルを適切に冷却することができない。このため、ワイドバンドギャップ半導体を冷却した後の冷却風を加熱コイルの冷却に利用しようとすると、ワイドバンドギャップ半導体を加熱コイルの耐熱温度（例えば１８０度）以下となるように冷却しなければならない。すなわち、ワイドバンドギャップ半導体は耐熱性が高く少ない冷却風で冷却可能であるにもかかわらず、冷却風の風量を減らすことができない。

また、スイッチング素子が実装された回路基板内の多くの部品の耐熱温度は約１５０度以下であり、ワイドバンドギャップ半導体を冷却した後の高温の冷却風が耐熱温度の低い部品に接すると、その部品の故障を招く可能性があった。

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、加熱コイルを駆動する駆動回路にワイドバンドギャップ半導体を備えた誘導加熱調理器において、回路基板や加熱コイルを効率的に冷却することを目的としたものである。

本発明に係る誘導加熱調理器は、被加熱物が載置されるトッププレートと、前記被加熱物を加熱するための誘導磁界を発生させる加熱コイルと、ワイドバンドギャップ半導体を含み、前記加熱コイルに高周波電流を供給する加熱コイル駆動回路と、冷却風を送風する送風手段と、前記加熱コイル駆動回路が実装された回路基板に前記冷却風を導く基板冷却風路とを備え、前記基板冷却風路は、前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含む領域に冷却風を導く第一風路と、前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含まない領域に冷却風を導く第二風路とを有し、前記第一風路から流出した冷却風と前記第二風路から流出した冷却風とが混合された冷却風で前記加熱コイルを冷却するようにしたものである。

本発明によれば、回路基板のワイドバンドギャップ半導体を含む領域に冷却風を導く第一風路と、回路基板のワイドバンドギャップ半導体を含まない領域に冷却風を導く第二風路とを設けたので、ワイドバンドギャップ半導体を冷却した後の高温の冷却風が耐熱温度の低い他の回路部品に接触するのを抑制できる。このため、ワイドバンドギャップ半導体の高耐熱性を活かし、ワイドバンドギャップ半導体に供給する冷却風量を低減して効率的に冷却できる。このため、送風手段を低騒音化でき、また、送風手段の小型化が可能となり製造コストを低減できる。また、ワイドバンドギャップ半導体を冷却した後の高温の冷却風は、ワイドバンドギャップ半導体を含まない領域を冷却した後の冷却風と混合して加熱コイルの冷却に用いるようにしたので、回路基板を冷却した後の冷却風で加熱コイルの冷却も行うことができる。

実施の形態１に係る誘導加熱調理器の主要部を分解して示す斜視図である。 実施の形態１に係る誘導加熱調理器の上面模式図である。 実施の形態１に係る誘導加熱調理器の冷却風吹出口４２、４３近傍の断面模式図である。 実施の形態１に係る誘導加熱調理器の加熱コイル駆動回路の一例である。 実施の形態２に係る誘導加熱調理器の上面模式図である。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る誘導加熱調理器の主要部を分解して示す斜視図である。また、図２は、実施の形態１に係る誘導加熱調理器の上面模式図である。なお、図示の関係上、図１では筐体１の形状を二点鎖線で記載しており、また、図２では筐体１の内部を透視するように図示している。

図１に示すように、誘導加熱調理器１００は、上面以外の外郭を構成する筐体１と、誘導加熱調理器１００の上面を構成し鍋などの被加熱物が載置されるトッププレート１１とを備える。トッププレート１１は、全体が耐熱強化ガラスや結晶化ガラス等の材料で構成されており、筐体１の上面開口外周との間にゴム製パッキンやシール材を介して水密状態に固定される。筐体１の内部には、トッププレート１１上に載置された被加熱物を誘導加熱する加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃと、グリル加熱室３と、基板ケース４と、冷却風を発生させる冷却ファン８とを備える。

筐体１は、誘導加熱調理器１００のうち上面以外を構成する外郭である。図１では、上面が開放された略箱形状の筐体１を例示しているが、特にこの形状に限定されるものではない。図１に図示されるように、筐体１の正面から見て左側にグリル加熱室３が設置され、正面から見て右側に基板ケース４が設置されている。なお、グリル加熱室３と基板ケース４の左右の配置は逆でもよい。グリル加熱室３と基板ケース４の上方には、加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃが配置される。

グリル加熱室３は、ほぼ直方体の外郭を有し、引出し可能な前扉を備える。グリル加熱室３の内部には、例えばシーズヒーターなどの加熱手段が設けられており、この加熱手段によりグリル加熱室３内に収容された食材を加熱する。

加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃ（以下、加熱コイル２と総称する場合がある）は、トッププレート１１上に載置される鍋などの被加熱物を誘導加熱する加熱手段である。本実施の形態１では、３つの加熱口のそれぞれに加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃを設けた例を示すが、加熱口及び加熱コイルの数はこれに限定するものではない。また、いずれかの加熱口の加熱手段として、例えばラジエントヒーターなどの電気ヒーターを設けることもできる。加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃは、基板ケース４内に収容された加熱コイル駆動回路基板１８に電気的に接続されており、加熱コイル駆動回路基板１８に実装された加熱コイル駆動回路からそれぞれ高周波電流が供給される。

トッププレート１１の後方（奥側）には、吸気口９と排気口１０とが開口している。筐体１内部の吸気口９の下方には、ファンケース８１内に収容された冷却ファン８が設けられている。ファンケース８１は、吸気口９の下方に設けられたファンケース吸込口８２と、基板ケース４と対面する側に設けられたファンケース吹出口８３とを有している。

基板ケース４は、加熱コイル駆動回路基板１８を収容するためのケースである。この加熱コイル駆動回路基板１８には、加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃに高周波電流を供給するための加熱コイル駆動回路が実装されている。また、加熱コイル駆動回路基板１８には、冷却ファン８駆動用の電源回路や、誘導加熱調理器１００における加熱制御を行う制御手段としてのマイクロコンピュータを含む回路等が実装されている。なお、これらの回路は、一枚の加熱コイル駆動回路基板１８に実装されていてもよいし、複数の基板に分けて実装されていてもよい。
加熱コイル駆動回路基板１８に実装された加熱コイル駆動回路は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体５と、シリコン半導体６とを含んでいる。図１に示すように、本実施の形態において、ワイドバンドギャップ半導体５とシリコン半導体６とは、左右方向に異なる位置に実装されている。

基板ケース４は、加熱コイル駆動回路基板１８を収容するためのケースであると同時に、冷却ファン８により供給される冷却風の風路（基板冷却風路）を兼ねている。基板ケース４は、ファンケース８１からの冷却風を基板ケース４の内部に流入させるための冷却風流入口４１を有している。冷却風流入口４１は、ファンケース吹出口８３に接続されており、ファンケース吹出口８３から吹き出される冷却風が冷却風流入口４１に導入されるようになっている。

基板ケース４の内部には、ワイドバンドギャップ半導体５を含む領域に冷却風を導くための風路として、ダクト７１（第一風路）が設けられている。基板ケース４内に形成される基板冷却風路のうち、ダクト７１を除く部分をダクト７２（第二風路）と称する。ダクト７１がワイドバンドギャップ半導体５を含む領域に冷却風を導くための風路であるのに対し、ダクト７２は、ワイドバンドギャップ半導体５を含まない領域に冷却風を導くための風路である。ダクト７１とダクト７２は、冷却風流入口４１に接続されており、冷却風流入口のうちダクト７１と接続された部分を冷却風流入口４１ａ、ダクト７２と接続された部分を冷却風流入口４１ｂと称する。

基板ケース４の上面には、ダクト７１の出口である冷却風吹出口４２と、ダクト７２の出口である冷却風吹出口４３が設けられている。本実施の形態では、長方形に開口した冷却風吹出口４２の外周三辺を囲むようにして、冷却風吹出口４３が配置されている。冷却風吹出口４２と冷却風吹出口４３の形状及び配置は、図１、図２に示すものに限定されないが、冷却風吹出口４２から流出した冷却風と冷却風吹出口４３から流出した冷却風とが、流出した後にその上部空間において混合されるよう、両者が近接した形状及び配置とする。

図３は、実施の形態１に係る誘導加熱調理器の冷却風吹出口４２、４３近傍の断面模式図である。なお、図３では、冷却風吹出口４２、４３と加熱コイル２ｃとの配置関係を説明することを主な目的としており、各構成部材の形状や大きさは実際のものとは異なる。図３に示すように、冷却風吹出口４２と冷却風吹出口４３の上方には、所定の上部空間をおいて、加熱コイル２ｃが配置されている。この上部空間は、冷却風吹出口４２から流出した冷却風と冷却風吹出口４３から流出した冷却風とを混合する空間として機能するものであり、混合部３０と称する。また、図２に示すように、冷却風吹出口４２と冷却風吹出口４３は、上面から見たときに加熱コイル２ｃの少なくとも一部と重複する位置に設けられている。

図４は、実施の形態１に係る誘導加熱調理器の加熱コイル駆動回路の一例である。図４において、１２は交流電源、６ａはダイオードブリッジ、１３はリアクトル、１４は平滑コンデンサ、２は加熱コイル、１５は共振コンデンサ、５ａ、５ｂはワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子、１６はスイッチング素子を制御する制御回路である。また、図４では、トッププレート１１とその上に載置される被加熱物としての鍋１７を図示している。

交流電源１２から供給される電力は、ダイオードブリッジ６ａ、リアクトル１３、及び平滑コンデンサ１４により直流電力に変換される。制御回路１６は、２つのスイッチング素子５ａ、５ｂを交互にオンオフ制御する。図４における紙面上側のスイッチング素子５ａがオンの場合は、平滑コンデンサ１４から加熱コイル２へ電流が流れるとともに共振コンデンサ１５を充電する。図４における紙面下側のスイッチング素子５ｂがオンのときは、共振コンデンサ１５から加熱コイル２に電流が流れる。このようにスイッチング素子５ａ、５ｂを交互にオンオフすることで、加熱コイル２に高周波の電流が流れ、加熱コイル２から高周波磁束が発生し、この磁束が鍋１７に渦電流を発生させて鍋１７を加熱する。基板ケース４には、図４に示す加熱コイル駆動回路が、加熱コイル２の数（本実施の形態では、加熱コイル２ａ、２ｂ、２ｃの３つ）だけ設けられている。

ここで、スイッチング素子５ａ、５ｂは、ワイドバンドギャップ半導体で構成されており、図１、図２におけるワイドバンドギャップ半導体５に相当する。また、ダイオードブリッジ６ａはシリコン半導体で構成されており、図１、図２におけるシリコン半導体６に相当する。

上記のような構成において、加熱コイル２による加熱が開始されると、これと同時に、図示しない制御手段により冷却ファン８に対して制御信号が出力されて冷却ファン８が駆動され、冷却風による冷却が開始される。

ここで、図２、図３を参照して冷却風の流れについて説明する。
冷却ファン８が動作すると、ファンケース吸込口８２に吸引力が発生し、吸気口９とファンケース吸込口８２を介してファンケース８１内に空気が吸引される（図２の矢印Ｘ１）。ファンケース８１内に吸引された空気は、冷却ファン８により送られてファンケース吹出口８３から吹き出され、ファンケース吹出口８３に接続された冷却風流入口４１ａ、４１ｂから基板ケース４内へと冷却風として流入する（図２の矢印Ｘ２、Ｘ３）。

冷却風流入口４１ａから流入した冷却風（図２の矢印Ｘ２）は、ダクト７１内を進み、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却し、ダクト７１の上面に設けられた冷却風吹出口４２から排気される（図２、図３の矢印Ｘ４）。
一方、冷却風流入口４１ｂから流入した冷却風（図２の矢印Ｘ３）は、ダクト７２内を進み、シリコン半導体６を冷却し、基板ケース４の上面に設けられた冷却風吹出口４３から排気される（図２、図３の矢印Ｘ５）。

ここで、ワイドバンドギャップ半導体５の耐熱温度が約３００度であるのに対し、シリコン半導体６の耐熱温度は約１５０度である。したがって、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却するための冷却風量は、シリコン半導体６よりも相対的に少なくてよい。このため、冷却風流入口４１ａの開口面積及びダクト７１の断面積は、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却するのに必要な最小限の冷却風を通過させることができるように調整されている。

また、耐熱温度の高いワイドバンドギャップ半導体５の特性を活かしてワイドバンドギャップ半導体５の冷却風量を相対的に少なくするため、ワイドバンドギャップ半導体５はシリコン半導体６よりも高温である。したがって、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後で冷却風吹出口４２から排気される冷却風は、シリコン半導体６を冷却した後で冷却風吹出口４３から排気される冷却風よりも高温である。この冷却風吹出口４２から排気された高温の冷却風（便宜上、高温風と称する）と、冷却風吹出口４３から排気された比較的低温の冷却風（便宜上、低温風と称する）は、基板ケース４から出て混合部３０において混ざり合う。この混合部３０において高温風と低温風とが混ざり合った冷却風を、便宜上、混合風と称する（図３の矢印Ｘ６参照）。高温風は、低温風と混ざり合うことで温度が下がる。

そして、高温風と低温風とが混ざり合った混合風の一部が、基板ケース４の上方に配置された加熱コイル２ｃの下面に接して加熱コイル２ｃを冷却する（図３の矢印Ｘ６参照）。また、混合風の一部は、後方に向かって流れつつ加熱コイル２ａや加熱コイル２ｂを冷却する（図２の矢印Ｘ７）。高温風そのものは、加熱コイル２ｃの耐熱温度よりも高温となりうるが、低温風と混ざり合うことで低温化し、加熱コイル２を冷却することができる。また、加熱コイル２を冷却しつつ後方に向かって流れた冷却風は、排気口１０から排気される（図２の矢印Ｘ８参照）。

以上のように、本実施の形態１では、加熱コイル駆動回路はワイドバンドギャップ半導体５とシリコン半導体６とを備えており、ワイドバンドギャップ半導体５とシリコン半導体６を風路を分離してそれぞれを個別に冷却し、冷却後の空気を混合させて加熱コイル２の冷却に用いるようにした。
加熱コイル駆動回路が実装された加熱コイル駆動回路基板１８のうち、耐熱温度の高いワイドバンドギャップ半導体５の冷却風路をダクト７１により分けたので、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後の高温の冷却風が、相対的に耐熱温度の低い部品に接することがない。このため、ワイドバンドギャップ半導体５を、その高耐熱性という特性を活かして高い温度で使用することができる。すなわち、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却するための冷却風量を低減でき、効率的な冷却が行える。冷却ファン８がワイドバンドギャップ半導体５に対して供給すべき冷却風量を低減できるので、冷却ファン８の回転数を下げることができ、低騒音の誘導加熱調理器１００を得ることができる。また、冷却ファン８を小型化することも可能となり、誘導加熱調理器１００の製造コストを低減できる。

また、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後の高温風は、混合部３０において、シリコン半導体６等を冷却した低温風と混合されて低温化される。このため、加熱コイル駆動回路基板１８を冷却した後の冷却風を、ワイドバンドギャップ半導体５よりも耐熱温度の低い加熱コイル２の冷却風として用いることができ、無駄のない冷却を行うことができる。

また、本実施の形態１では、交流電力を直流電力に変換するダイオードブリッジをシリコン半導体６で構成し、直流電力を高周波の電力に変換して加熱コイル２に供給するスイッチング素子をワイドバンドギャップ半導体５で構成した。ダイオードブリッジは、５０／６０Ｈｚという比較的低周波で動作するため相対的に発熱が少ない。一方、スイッチング素子は、２０〜３０ｋＨｚの高周波で駆動されるため、相対的に発熱が多い。このように発熱の少ないダイオードブリッジをシリコン半導体６で構成することで、高価なワイドバンドギャップ半導体を使わなくてすみ、低コスト化することができる。なお、本実施の形態１では、スイッチング素子をワイドバンドギャップ半導体５で構成する例を示したが、他の回路部品をワイドバンドギャップ半導体５で構成することも可能である。

実施の形態２．
図５は、実施の形態２に係る誘導加熱調理器１００の上面模式図である。なお、図５では説明の関係上、筐体１の内部を透視するように図示している。前述の実施の形態１では、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後の高温風と、シリコン半導体６を冷却した後の低温風とを混合した混合風を、加熱コイル２を冷却する冷却風として用いた。本実施の形態２では、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した高温風を、加熱コイル２の冷却風として使用しない構成例を示す。なお、本実施の形態２では、実施の形態１との相違点を中心に説明し、実施の形態１と同様の構成については同一の符号を付す。

図５に示すように、ダクト７１の冷却風の出口である冷却風吹出口４２Ａは、基板ケース４の側壁に設けられている。そして、冷却風吹出口４２Ａと排気口１０とを接続する排気ダクト２０（排気風路）が設けられている。特に限定しないが、本実施の形態２の排気ダクト２０は、グリル加熱室３の上側に配置されている。また、冷却風吹出口４２Ａの配置箇所は、基板ケース４の側壁に限定しないが、ダクト７２の出口である冷却風吹出口４３とは重複しない位置に設ける。

このような構成において、冷却ファン８が動作すると、ファンケース吸込口８２に吸引力が発生し、吸気口９とファンケース吸込口８２を介してファンケース８１内に空気が吸引される（図５の矢印Ｙ１）。ファンケース８１内に吸引された空気は、冷却ファン８により送られてファンケース吹出口８３から吹き出され、ファンケース吹出口８３に接続された冷却風流入口４１ａ、４１ｂから基板ケース４内へと冷却風として流入する（図５の矢印Ｙ２、Ｙ３）。

基板ケース４の冷却風流入口４１ａから流入した冷却風（図５の矢印Ｙ２）は、ダクト７１内を進み、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却して高温となり、基板ケース４の側壁に設けられた冷却風吹出口４２Ａから高温風として排気され、排気ダクト２０内を進む（図５の矢印Ｙ４）。そして、排気ダクト２０内を進んだ高温風は、排気口１０から排気される（図５の矢印Ｙ５）。

一方、基板ケース４の冷却風流入口４１ｂから流入した冷却風（図５の矢印Ｙ３）は、ダクト７２内を進み、シリコン半導体６を冷却し、基板ケース４の上面に設けられた冷却風吹出口４３から、相対的に低温の低温風として排気される（図５の矢印Ｙ６）。そして、低温風の一部が、基板ケース４の上方に配置された加熱コイル２ｃの下面に接して加熱コイル２ｃを冷却し（図５の矢印Ｙ６）、低温風の一部は、後方に向かって流れつつ加熱コイル２ａや加熱コイル２ｂを冷却する（図５の矢印Ｙ７）。加熱コイル２を冷却しつつ後方に向かって流れた冷却風は、排気口１０から排気される（図５の矢印Ｙ８）。このように、ワイドバンドギャップ半導体５を含まない領域を冷却した相対的に低温の低温風のみが、加熱コイル２の下方に吹き出され、加熱コイル２を冷却する。

以上のように、本実施の形態２では、耐熱温度の高いワイドバンドギャップ半導体５を含む領域に冷却風を送るための専用のダクト７１と、ワイドバンドギャップ半導体５を含まない領域に冷却風を送るためのダクト７２とを設けた。
加熱コイル駆動回路が実装された加熱コイル駆動回路基板１８のうち、耐熱温度の高いワイドバンドギャップ半導体５の冷却風路をダクト７１により分けたので、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後の高温の冷却風が、相対的に耐熱温度の低い部品に接することがない。このため、ワイドバンドギャップ半導体５を、その高耐熱性という特性を活かして高い温度で使用することができる。すなわち、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却するための冷却風量を低減でき、効率的な冷却が行える。冷却ファン８がワイドバンドギャップ半導体５に対して供給すべき冷却風量を低減できるので、冷却ファン８の回転数を下げることができ、低騒音の誘導加熱調理器１００を得ることができる。また、冷却ファン８を小型化することも可能となり、誘導加熱調理器１００の製造コストを低減できる。

また、ワイドバンドギャップ半導体５を冷却した後の高温風は、排気ダクト２０を介して排気口１０から排出するようにした。このため、高温風が耐熱温度の低い他の部品に接触することによる部品の故障を抑制することができる。

また、ワイドバンドギャップ半導体５を含まない領域を冷却した後の相対的に低温の冷却風により、加熱コイル２を冷却するので、少ない風量で加熱コイル２を冷却することができる。このように、加熱コイル２の冷却風量を低減できるので、冷却ファン８の騒音や消費電力を低減できる。また、冷却ファン８を小型化することも可能となり、誘導加熱調理器１００の製造コストを低減できる。

１ 筐体、２ 加熱コイル、２ａ 加熱コイル、２ｂ 加熱コイル、２ｃ 加熱コイル、３ グリル加熱室、４ 基板ケース、５ ワイドバンドギャップ半導体、５ａ スイッチング素子、５ｂ スイッチング素子、６ シリコン半導体、６ａ ダイオードブリッジ、８ 冷却ファン、９ 吸気口、１０ 排気口、１１ トッププレート、１２ 交流電源、１３ リアクトル、１４ 平滑コンデンサ、１５ 共振コンデンサ、１６ 制御回路、１７ 鍋、１８ 加熱コイル駆動回路基板、２０ 排気ダクト、３０ 混合部、４１ 冷却風流入口、４１ａ 冷却風流入口、４１ｂ 冷却風流入口、４２ 冷却風吹出口、４２Ａ 冷却風吹出口、４３ 冷却風吹出口、７１ ダクト、７２ ダクト、８１ ファンケース、８２ ファンケース吸気口、８３ ファンケース吹出口、１００ 誘導加熱調理器。

Claims (6)

1. 被加熱物が載置されるトッププレートと、
   前記被加熱物を加熱するための誘導磁界を発生させる加熱コイルと、
   ワイドバンドギャップ半導体を含み、前記加熱コイルに高周波電流を供給する加熱コイル駆動回路と、
   冷却風を送風する送風手段と、
   前記加熱コイル駆動回路が実装された回路基板に前記冷却風を導く基板冷却風路とを備え、
   前記基板冷却風路は、
   前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含む領域に冷却風を導く第一風路と、
   前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含まない領域に冷却風を導く第二風路とを有し、
   前記第一風路から流出した冷却風と前記第二風路から流出した冷却風とが混合された冷却風で前記加熱コイルを冷却するようにした
   ことを特徴とする誘導加熱調理器。
2. 被加熱物が載置されるトッププレートと、
   前記被加熱物を加熱するための誘導磁界を発生させる加熱コイルと、
   ワイドバンドギャップ半導体を含み、前記加熱コイルに高周波電流を供給する加熱コイル駆動回路と、
   冷却風を送風する送風手段と、
   前記加熱コイル駆動回路が実装された回路基板に前記冷却風を導く基板冷却風路とを備え、
   前記基板冷却風路は、
   前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含む領域に冷却風を導く第一風路と、
   前記回路基板の前記ワイドバンドギャップ半導体を含まない領域に冷却風を導く第二風路とを有し、
   前記第一風路から流出した冷却風を誘導加熱調理器本体の外部へ導く排気風路を備え、
   前記第二風路から流出した冷却風で前記加熱コイルを冷却するようにし、
   前記第一風路に送風供給される冷却風量に対し第二風路に送風する冷却風量が多くなるよう構成された
   ことを特徴とする誘導加熱調理器。
3. 前記加熱コイル駆動回路に供給する交流電力を整流するダイオードブリッジは、シリコン半導体である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の誘導加熱調理器。
4. 前記第一風路に送風供給される冷却風量に対し第二風路に送風する冷却風量が多くなるよう構成された
   ことを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の誘導加熱調理器。
5. 前記加熱コイル駆動回路に設けられたスイッチング素子とダイオードのいずれか又は双方は、ワイドバンドギャップ半導体で構成されている
   ことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
6. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである
   ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。

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