JP5765086B2 - テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 - Google Patents
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Description
このテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置は、サブp秒(数百f秒)程度のパルス幅をもつ光パルス(パルス光)を発生する光源装置と、光源装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを有している(例えば、特許文献1参照)。なお、従来のテラヘルツ波発生装置では、1つの光源装置から、アンテナの1対の電極の電極間に光パルスを照射するようになっている。
しかしながら、前記従来のテラヘルツ波発生装置では、一定の周波数分布を有するテラヘルツ波のみしか発生することができないという欠点がある。
本発明のテラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、テラヘルツ波の周波数分布を調整することができる。
これにより、容易かつ確実に、テラヘルツ波の周波数分布を調整することができる。
本発明のテラヘルツ波発生装置では、前記第1の光源および前記第2の光源は、それぞれ半導体レーザーであることが好ましい。
これにより、小型で簡易なテラヘルツ波発生装置を提供することができる。
本発明のテラヘルツ波発生装置では、前記第1の光源と前記第2の光源とが一体化されていることが好ましい。
これにより、テラヘルツ波発生装置の小型化を図ることができる。
前記第1の光源、前記第2の光源、前記第3の光源および前記第4の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された第1の1対の電極と、第2の1対の電極とを有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記第1の1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成され、
前記第3の光源および前記第4の光源は、前記第2の1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成され、
前記第1の光源から発せられるパルス光と前記第2の光源から発せられるパルス光との少なくとも一方と、前記第3の光源から発せられるパルス光と前記第4の光源から発せられるパルス光との少なくとも一方との位相が異なることを特徴とする。
これにより、容易かつ確実に、テラヘルツ波の周波数分布を調整することができ、また、テラヘルツ波の出射方向を変更することができる。
これにより、容易かつ確実に、テラヘルツ波の周波数分布を調整することができる。
これにより、容易かつ確実に、テラヘルツ波の出射方向を変更することができる。
これにより、小型で簡易なテラヘルツ波発生装置を提供することができる。
本発明のテラヘルツ波発生装置では、前記第1の光源と、前記第2の光源と、前記第3の光源と、前記第4の光源とが一体化されていることが好ましい。
これにより、テラヘルツ波発生装置の小型化を図ることができる。
本発明のテラヘルツ波発生装置では、前記第1の1対の電極の一方と前記第2の1対の電極の一方とが電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、簡易なテラヘルツ波発生装置を提供することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有するカメラを提供することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有するイメージング装置を提供することができる。
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、前記本発明の効果を有する計測装置を提供することができる。
<第1実施形態>
図1は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第1実施形態を摸式的に示斜視図、図2は、図1に示すテラヘルツ波発生装置の光源装置の断面斜視図、図3は、図2中のA−A線での断面図、図4は、図2中のB−B線での断面図である。なお、図1では、一点鎖線で囲った部分を拡大して示す。
また、1対の電極22の電極間距離dは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、1μm以上10μm以下であることが好ましい。
また、アンテナ2の寸法は、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、100μm以上10mm以下×100μm以上10mm以下であることが好ましい。
また、光源ユニット10の光パルスを出射する部位とアンテナ2との間の距離Lは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、0.5μm以上50mm以下であることが好ましい。
これは、テラヘルツ波発生装置1に対して、予め、照射タイミングのずれ量と、テラヘルツ波の周波数分布との関係を示す演算式やテーブル等の検量線、または、照射タイミングのずれ量およびα1/α2と、テラヘルツ波の周波数分布との関係を示す演算式やテーブル等の検量線を実験的に求め、テラヘルツ波発生装置1の図示しない記憶部に記憶し、必要時にそれを読み出して使用するように構成することで実現することができる。
光源ユニット10は、第1の光源である光源装置3aと、第2の光源である光源装置3bとを有している。光源装置3aと光源装置3bとは同様であるので、以下、代表的に、光源装置3aについて説明する。
図2〜図4に示すように、光源装置3aは、本実施形態では、光パルスを発生する光パルス発生部4と、光パルス発生部4で発生した光パルスに対し、パルス圧縮を行う第1のパルス圧縮部5と、第1のパルス圧縮部5でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、パルス圧縮を行う第2のパルス圧縮部7と、光パルスを増幅する増幅部6とを有している。
また、光パルス発生部4は、例えば、DBRレーザー、DFBレーザー、モード同期レーザー等、いわゆる半導体レーザーを用いることができる。この光パルス発生部4で発生する光パルスのパルス幅は、特に限定されないが、1p秒以上100p秒以下であることが好ましい。
また、第2のパルス圧縮部7は、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第2のパルス圧縮部7は、群速度分散補償媒体、本実施形態では、結合導波路構造を有しており、その結合導波路構造により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。
具体的には、光源装置3aは、半導体基板である基板31と、基板31上に設けられたクラッド層32と、クラッド層32上に設けられた活性層33と、活性層33上に設けられた導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34上に設けられたクラッド層35と、クラッド層35上に設けられたコンタクト層36と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層34上に設けられた絶縁層37と、基板31の表面に設けられたクラッド層32側の電極38と、コンタクト層36および絶縁層37の表面に設けられたクラッド層35側の電極391、392、393、394および395とを有している。また、光パルス発生部4の導波路構成プロセス用エッチングストップ層34と、クラッド層35との間には、回折格子30が設けられている。なお、導波路構成プロセス用エッチングストップ層は、活性層の直上に限らず、例えば、クラッド層の中に設けられていてもよい。
なお、光源装置3aの全体形状は、図示の構成では、直方体をなしているが、これに限定されないことは、言うまでもない。
また、光源装置3aの寸法は、特に限定されないが、例えば、1mm以上10mm以下×0.5mm以上5mm以下×0.1mm以上1mm以下とすることができる。
テラヘルツ波発生装置1では、まず、光源ユニット10の光源装置3a、3bの光パルス発生部4で、それぞれ、光パルスを発生する。以下、代表的に1つの光源装置3aについて説明する。光パルス発生部4で発生した光パルスのパルス幅は、目標のパルス幅に比べて大きい。その光パルス発生部4で発生した光パルスは、導波路を通り、第1のパルス圧縮部5、増幅部6、第2のパルス圧縮部7をこの順序で順次通過する。
以上説明したように、このテラヘルツ波発生装置1によれば、容易かつ確実に、テラヘルツ波の周波数分布を調整することができる。
なお、光源ユニット10の光源装置の数は、2つには限定されず、3つ以上であってもよい。
また、アンテナ2の1対の電極22の数は、1つには限定されず、2つ以上であってもよい。
図5は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第2実施形態を摸式的に示す斜視図、図6は、図5に示すテラヘルツ波発生装置の光源装置の断面斜視図である。なお、図5では、単位ユニット8a、8bの互いの境界を破線で示す。
以下、第2実施形態について、前述した第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
なお、この第2実施形態は、後述する第4実施形態、第5実施形態および第6実施形態にも適用することができる。
図7は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第3実施形態を摸式的に示す斜視図である。なお、図7では、単位ユニット8a、8b、8c、8dの互いの境界を破線で示す。
以下、第3実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、電極22a、22bのピッチpは、特に限定されず、諸条件に応じて適宜設定されるものであるが、10μm以上1mm以下であることが好ましい。
これは、テラヘルツ波発生装置1に対して、予め、照射タイミングのずれ量と、テラヘルツ波の出射方向との関係を示す演算式やテーブル等の検量線を実験的に求め、テラヘルツ波発生装置1の図示しない記憶部に記憶し、必要時にそれを読み出して使用するように構成することで実現することができる。
なお、光源ユニット10の単位ユニット(光源装置)の数は、4つには限定されず、5つ以上であってもよい。
また、アンテナ2の1対の電極22の数は、2つには限定されず、3つ以上であってもよい。
なお、この第3実施形態は、後述する第4実施形態、第5実施形態および第6実施形態にも適用することができる。
図8は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第4実施形態における光源装置を摸式的に示す平面図である。なお、図8では、導波路91を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
以下、第4実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、第1のパルス圧縮部5は、図8中下側に位置し、また、増幅部6は、図8中上側に位置している。そして、第1のパルス圧縮部5および増幅部6において、それぞれ導波路91が複数回折り曲げられている。また、光パルス発生部4と第1のパルス圧縮部5との境界部、増幅部6と第2のパルス圧縮部7との境界部において、それぞれ導波路91が1回折り曲げられている。
なお、光源装置3aの光パルスの出射部93には、反射膜92は設けられていない。また、出射部93には、反射防止膜(図示せず)を設けてもよい。
このテラヘルツ波発生装置1によれば、光源装置3aの導波路91が複数回折り曲げられているので、光路長、すなわち、導波路91の直線距離を長くすることができ、これにより、光源装置3aの長さを短くすることができ、さらに小型化を図ることができる。
図9は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第5実施形態における光源装置を模式的に示す平面図である。なお、図9では、導波路を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
図9に示すように、第4実施形態のテラヘルツ波発生装置1の光源装置3aでは、導波路91が3回、交互に折り曲げられており、増幅部6においては、導波路91は、1回だけ折り曲げられている。
なお、増幅部6を第1のパルス圧縮部5の前段に設ける場合は、第1のパルス圧縮部5において、導波路91は、1回だけ折り曲げられる。
図10は、本発明のテラヘルツ波発生装置の第6実施形態における光源装置を摸式的に示す平面図である。なお、図10では、導波路を破線で示し、また、第1のパルス圧縮部5、増幅部6および第2のパルス圧縮部7をそれぞれ破線で囲って示す。
以下、第6実施形態について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
また、導波路91の折り曲げ部分における図10に示す角度θは、臨界角以上に設定されている。これにより、導波路91の折り曲げ部分に反射膜92を設けることなく、光パルスを反射させることができ、構造を簡素化することができる。
また、光源装置3aの光パルスの出射部93に反射防止膜94が設けられている。これにより、出射部93から光パルスを出射させることができる。
なお、この第6実施形態は、前記第4実施形態にも適用することができる。
図11は、本発明のイメージング装置の実施形態を示すブロック図である。図12は、図11に示すイメージング装置のテラヘルツ波検出装置を示す平面図である。
図11に示すように、イメージング装置100は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物150を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11と、テラヘルツ波検出装置11の検出結果に基づいて、対象物150の画像、すなわち、画像データを生成する画像形成部12とを備えている。
また、テラヘルツ波検出装置11としては、例えば、目的の波長のテラヘルツ波を通過させるフィルター15と、フィルター15を通過した前記目的の波長のテラヘルツ波を熱に変換して検出する検出部17とを備えたものを用いる。また、検出部17としては、例えば、テラヘルツ波を熱に変換して検出するもの、すなわち、テラヘルツ波を熱に変換し、そのテラヘルツ波のエネルギー(強度)を検出し得るものを用いる。このような検出部としては、例えば、焦電センサー、ボロメーター等が挙げられる。なお、テラヘルツ波検出装置11としては、前記の構成のものに限定されないことは、言うまでもない。
また、各画素16は、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、通過させるテラヘルツ波の波長(以下、「通過波長」とも言う)が互いに異なる複数の領域を有している。なお、図示の構成では、各画素16は、第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を有している。
まず、分光イメージングの対象となる対象物150は、3つの物質A、BおよびCで構成されている。イメージング装置100は、この対象物150の分光イメージングを行う。また、ここでは、一例として、テラヘルツ波検出装置11は、対象物150を反射したテラヘルツ波を検出することとする。
テラヘルツ波検出装置11のフィルター15の各画素16においては、第1の領域161および第2の領域162を使用する。
また、第1の領域161の通過波長をλ1、第2の領域162の通過波長をλ2とし、対象物150で反射したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度をα1、波長λ2の成分の強度をα2としたとき、その強度α2と強度α1の差分(α2−α1)が、物質Aと物質Bと物質Cとで、互いに顕著に区別できるように、前記第1の領域161の通過波長λ1および第2の領域162の通過波長λ2が設定されている。
また、物質Bにおいては、強度α2と強度α1の差分(α2−α1)は、零となる。
また、物質Cにおいては、強度α2と強度α1の差分(α2−α1)は、負値となる。
なお、イメージング装置100の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像形成部12において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。
図15は、本発明の計測装置の実施形態を示すブロック図である。
以下、計測装置の実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図15に示すように、計測装置200は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11と、テラヘルツ波検出装置11の検出結果に基づいて、対象物160を計測する計測部13とを備えている。
計測装置200により、対象物160の分光計測を行う際は、まず、テラヘルツ波発生装置1により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物160に照射する。そして、対象物160を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置11で検出する。この検出結果は、計測部13に送出される。なお、この対象物160へのテラヘルツ波の照射および対象物160を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物160の全体に対して行う。この場合、前記対象物160へのテラヘルツ波の照射は、光源ユニット10により、各1対の電極22間に、互いにタイミングをずらして光パルスを照射し、その光パルスの照射タイミングのずれ量を変更することにより、テラヘルツ波の出射方向を変更して行う。
計測部13においては、前記検出結果から、フィルター15の第1の領域161、第2の領域162、第3の領域163および第4の領域164を通過したテラヘルツ波のそれぞれの強度を把握し、対象物160の成分およびその分布の分析等を行う。
図16は、本発明のカメラの実施形態を示すブロック図である。
以下、カメラの実施形態について、前述したイメージング装置の実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図16に示すように、カメラ300は、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置1と、テラヘルツ波発生装置1から出射し、対象物170を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置11とを備えている。
カメラ300により、対象物170を撮像する際は、まず、テラヘルツ波発生装置1により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物170に照射する。そして、対象物170を透過または反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出装置11で検出する。この検出結果は、記憶部14に送出され、記憶される。なお、この対象物170へのテラヘルツ波の照射および対象物170を透過または反射したテラヘルツ波の検出は、対象物170の全体に対して行う。この場合、前記対象物170へのテラヘルツ波の照射は、光源ユニット10により、各1対の電極22間に、互いにタイミングをずらして光パルスを照射し、その光パルスの照射タイミングのずれ量を変更することにより、テラヘルツ波の出射方向を変更して行う。また、前記検出結果は、例えば、パーソナルコンピューター等の外部装置に送信することもできる。パーソナルコンピューターでは、前記検出結果に基づいて、各処理を行うことができる。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
なお、本発明では、光源装置(光源ユニット)において、光パルス発生部が別体になっていてもよい。
Claims (13)
- パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記第1の光源および前記第2の光源は、
光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対しパルス圧縮を行うパルス圧縮部と、をそれぞれ有し、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 前記パルス光の照射タイミングのずれ量は、該パルス光のパルス幅よりも小さい請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の光源および前記第2の光源は、それぞれ半導体レーザーである請求項1または2に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の光源と前記第2の光源とが一体化されている請求項1ないし3のいずれかに記載のテラヘルツ波発生装置。
- パルス光を発生する第1の光源、第2の光源、第3の光源および第4の光源と、
前記第1の光源、前記第2の光源、前記第3の光源および前記第4の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記第1の光源、前記第2の光源、前記第3の光源および前記第4の光源は、
光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対しパルス圧縮を行うパルス圧縮部と、をそれぞれ有し、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された第1の1対の電極と、第2の1対の電極とを有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記第1の1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成され、
前記第3の光源および前記第4の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第3の光源および前記第4の光源は、前記第2の1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成され、
前記第1の光源から発せられるパルス光と前記第2の光源から発せられるパルス光との少なくとも一方と、前記第3の光源から発せられるパルス光と前記第4の光源から発せられるパルス光との少なくとも一方との位相が異なることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 前記第1の1対の電極間に照射されるパルス光の照射タイミングのずれ量は、該パルス光のパルス幅よりも小さく、前記第2の1対の電極間に照射されるパルス光の照射タイミングのずれ量は、該パルス光のパルス幅よりも小さい請求項5に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の光源から発せられるパルス光および前記第2の光源から発せられるパルス光と、前記第3の光源から発せられるパルス光および前記第4の光源から発せられるパルス光との互いに位相が異なるパルス光同士のずれは、該パルス光のパルス幅よりも小さい請求項5または6に記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の光源、前記第2の光源、前記第3の光源および前記第4の光源は、それぞれ半導体レーザーである請求項5ないし7のいずれかに記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の光源と、前記第2の光源と、前記第3の光源と、前記第4の光源とが一体化されている請求項5ないし8のいずれかに記載のテラヘルツ波発生装置。
- 前記第1の1対の電極の一方と前記第2の1対の電極の一方とが電気的に接続されている請求項5ないし9のいずれかに記載のテラヘルツ波発生装置。
- テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記第1の光源および前記第2の光源は、
光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対しパルス圧縮を行うパルス圧縮部と、をそれぞれ有し、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とするカメラ。 - テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記第1の光源および前記第2の光源は、
光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対しパルス圧縮を行うパルス圧縮部と、をそれぞれ有し、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とするイメージング装置。 - テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生装置と、
前記テラヘルツ波発生装置から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出装置と、
前記テラヘルツ波検出装置の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部とを備え、
前記テラヘルツ波発生装置は、パルス光を発生する第1の光源および第2の光源と、
前記第1の光源および前記第2の光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、
前記第1の光源および前記第2の光源は、
光パルスを発生する光パルス発生部と、
前記光パルス発生部で発生した光パルスに対しパルス圧縮を行うパルス圧縮部と、をそれぞれ有し、
前記アンテナは、ギャップを介して対向配置された1対の電極を有しており、
前記第1の光源および前記第2の光源には、それぞれ異なる駆動信号が入力され、
前記第1の光源および前記第2の光源は、前記1対の電極間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されていることを特徴とする計測装置。
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