JP2013007679A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013007679A5 JP2013007679A5 JP2011141089A JP2011141089A JP2013007679A5 JP 2013007679 A5 JP2013007679 A5 JP 2013007679A5 JP 2011141089 A JP2011141089 A JP 2011141089A JP 2011141089 A JP2011141089 A JP 2011141089A JP 2013007679 A5 JP2013007679 A5 JP 2013007679A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pulse compression
- pulse
- substrate
- cladding layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
また、第１のパルス圧縮部５は、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第１のパルス圧縮部５は、可飽和吸収体を有しており、その可飽和吸収体により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。
また、第２のパルス圧縮部７は、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第２のパルス圧縮部７は、群速度分散補償媒体、本実施形態では、結合導波路構造を有しており、その結合導波路構造により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。
また、第２のパルス圧縮部７は、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行うものである。すなわち、第２のパルス圧縮部７は、群速度分散補償媒体、本実施形態では、結合導波路構造を有しており、その結合導波路構造により、光パルスを圧縮し、そのパルス幅を減少させる。
また、光源装置３ａの光パルス発生部４と、第１のパルス圧縮部５と、増幅部６と、第２のパルス圧縮部７とは、一体化、すなわち同一基板上に集積されている。
具体的には、光源装置３ａは、半導体基板である基板３１と、基板３１上に設けられたクラッド層３２と、クラッド層３２上に設けられた活性層３３と、活性層３３上に設けられた導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４上に設けられたクラッド層３５と、クラッド層３５上に設けられたコンタクト層３６と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４上に設けられた絶縁層３７と、基板３１の表面に設けられたクラッド層３２側の電極３８と、コンタクト層３６および絶縁層３７の表面に設けられたクラッド層３５側の電極３９１、３９２、３９３、３９４および３９５とを有している。また、光パルス発生部４の導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４と、クラッド層３５との間には、回折格子３０が設けられている。なお、導波路構成プロセス用エッチングストップ層は、活性層の直上に限らず、例えば、クラッド層の中に設けられていてもよい。
具体的には、光源装置３ａは、半導体基板である基板３１と、基板３１上に設けられたクラッド層３２と、クラッド層３２上に設けられた活性層３３と、活性層３３上に設けられた導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４上に設けられたクラッド層３５と、クラッド層３５上に設けられたコンタクト層３６と、導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４上に設けられた絶縁層３７と、基板３１の表面に設けられたクラッド層３２側の電極３８と、コンタクト層３６および絶縁層３７の表面に設けられたクラッド層３５側の電極３９１、３９２、３９３、３９４および３９５とを有している。また、光パルス発生部４の導波路構成プロセス用エッチングストップ層３４と、クラッド層３５との間には、回折格子３０が設けられている。なお、導波路構成プロセス用エッチングストップ層は、活性層の直上に限らず、例えば、クラッド層の中に設けられていてもよい。
画像形成部１２においては、前記検出結果に基づいて、フィルター１５の第２の領域１６２を通過したテラヘルツ波の波長λ２の成分の強度α２と、第１の領域１６１を通過したテラヘルツ波の波長λ１の成分の強度α１の差分（α２−α１）を求める。そして、対象物１５０のうち、前記差分が正値となる部位を物質Ａ、前記差分が零となる部位を物質Ｂ、前記差分が負値となる部位を物質Ｃと判断し、特定する。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011141089A JP5765086B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| US13/494,240 US8859970B2 (en) | 2011-06-24 | 2012-06-12 | Terahertz wave generating device, camera, imaging device, and measurement device |
| CN2012102109955A CN102842839A (zh) | 2011-06-24 | 2012-06-20 | 太赫兹波产生装置、相机、成像装置和测量装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011141089A JP5765086B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013007679A JP2013007679A (ja) | 2013-01-10 |
| JP2013007679A5 true JP2013007679A5 (ja) | 2014-07-31 |
| JP5765086B2 JP5765086B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=47360956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011141089A Expired - Fee Related JP5765086B2 (ja) | 2011-06-24 | 2011-06-24 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8859970B2 (ja) |
| JP (1) | JP5765086B2 (ja) |
| CN (1) | CN102842839A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5799538B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-10-28 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置、計測装置および光源装置 |
| JP2014235146A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| JP2014235145A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
| CN103368042A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-23 | 中国科学院半导体研究所 | 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 |
| JP2015159176A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、カメラ、イメージング装置、および計測装置 |
| JP6457803B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2019-01-23 | 公立大学法人大阪府立大学 | 光伝導素子、テラヘルツ波発生装置、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波発生方法およびテラヘルツ波検出方法 |
| US11804839B1 (en) * | 2020-01-28 | 2023-10-31 | Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated trigger photoconductive semiconductor switch |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348683B1 (en) * | 1998-05-04 | 2002-02-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Quasi-optical transceiver having an antenna with time varying voltage |
| JP3919344B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2007-05-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | テラヘルツ波発生装置 |
| GB2359716B (en) * | 2000-02-28 | 2002-06-12 | Toshiba Res Europ Ltd | An imaging apparatus and method |
| JP2004055626A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パルス幅制御装置並びにそれを用いたＴＨｚ電磁波発生装置及び発生方法 |
| JP2005317669A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | テラヘルツ波発生装置及びそれを用いた計測装置 |
| JP2006010319A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テラヘルツ電磁波発生・検出装置 |
| DE102006014801A1 (de) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Rwth Aachen University | THz-Antennen-Array, System und Verfahren zur Herstellung eines THz-Antennen-Arrays |
| JP2007324310A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Osaka Univ | 電磁波発生装置 |
| JP4978515B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-07-18 | ソニー株式会社 | プローブ装置及びテラヘルツ分光装置 |
-
2011
- 2011-06-24 JP JP2011141089A patent/JP5765086B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-12 US US13/494,240 patent/US8859970B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-20 CN CN2012102109955A patent/CN102842839A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013007679A5 (ja) | ||
| Schuler et al. | Controlled generation of ap–n junction in a waveguide integrated graphene photodetector | |
| Tanzid et al. | Combining plasmonic hot carrier generation with free carrier absorption for high-performance near-infrared silicon-based photodetection | |
| Zhang et al. | Towards photodetection with high efficiency and tunable spectral selectivity: graphene plasmonics for light trapping and absorption engineering | |
| Casalino et al. | Vertically illuminated, resonant cavity enhanced, graphene–silicon Schottky photodetectors | |
| Wang et al. | High-responsivity graphene-on-silicon slot waveguide photodetectors | |
| Gui et al. | Nonlinear refractory plasmonics with titanium nitride nanoantennas | |
| Tong et al. | Antenna enhanced graphene THz emitter and detector | |
| Piper et al. | Broadband absorption enhancement in solar cells with an atomically thin active layer | |
| JP2015513067A5 (ja) | ||
| JP2013148421A5 (ja) | ||
| ATE449318T1 (de) | Spektroskopische polarimetrie | |
| WO2009016709A1 (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| WO2012123645A9 (en) | Thin film photovoltaic cell structure, nanoantenna, and method for manufacturing | |
| WO2009047888A1 (ja) | 固体レーザー装置及び画像表示装置 | |
| JP2013140854A5 (ja) | ||
| Zhou et al. | A centimeter-scale sub-10 nm gap plasmonic nanorod array film as a versatile platform for enhancing light–matter interactions | |
| Guo et al. | Broadband absorption enhancement of graphene in the ultraviolet range based on metal-dielectric-metal configuration | |
| Vangelidis et al. | Unbiased plasmonic-assisted integrated graphene photodetectors | |
| JP2013055988A5 (ja) | 光音響装置及び信号処理方法 | |
| WO2014045658A1 (ja) | 波長変換素子、光源装置、及び波長変換素子の製造方法 | |
| WO2014174866A1 (ja) | 光検出器 | |
| JP2015002210A5 (ja) | ||
| CN104614796A (zh) | 一种基于双缝干涉的超小宽带偏振分束器 | |
| Chen et al. | GaN-based light emitting diodes with micro-and nano-patterned structures by femtosecond laser nonlinear decomposition |