JP5762185B2 - Die bonding equipment - Google Patents

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Description

本発明は、ダイボンディング装置の構造に関する。   The present invention relates to a structure of a die bonding apparatus.

半導体チップをリードフレーム等の基板に接合し、半導体チップの各電極と基板の電極或いはリードフレームのリードとを接続する半導体装置の製造の後工程においては、半導体チップを基板等に接合するためのダイボンディング装置や、基板等に接合した半導体チップの電極とリードフレームのリードとをワイヤで接続するワイヤボンディング装置等のボンディング装置が用いられる(例えば、特許文献1参照)。また、μGBA・ICの製造においては、TABテープのインナーリードを半導体の電極に圧着するシングルポイントボンディング装置等が用いられる(例えば、特許文献2参照)。   A semiconductor chip is bonded to a substrate such as a lead frame, and in a post-process of manufacturing a semiconductor device that connects each electrode of the semiconductor chip and the electrode of the substrate or the lead of the lead frame, the semiconductor chip is bonded to the substrate or the like. A die bonding apparatus or a bonding apparatus such as a wire bonding apparatus that connects the electrodes of a semiconductor chip bonded to a substrate or the like and the leads of the lead frame with wires is used (see, for example, Patent Document 1). Further, in the manufacture of μGBA · IC, a single point bonding apparatus or the like that presses an inner lead of a TAB tape to a semiconductor electrode is used (for example, see Patent Document 2).

このようなワイヤボンディング装置、或いはシングルポイントボンディング装置では、ボンディングツールであるキャピラリやシングルポイントボンディングツール等を半導体チップの電極に対して接離する方向に移動させて、ワイヤ或いは、インナーリードを半導体チップの電極に圧接させるとともに超音波加振によってワイヤ或いは、インナーリードを半導体チップの電極に接合する。このため、各ボンディング装置には、それぞれボンディングツールを半導体チップの面に対して垂直方向に移動させることが必要となる。このような従来技術のボンディング装置では、例えば、特許文献1の図7に記載されているように、ボンディングツールが取り付けられたアームを回転させて、アーム先端に取り付けられているボンディングツールを半導体チップの電極表面に対して略垂直に接離させる構造が用いられていた。   In such a wire bonding apparatus or a single point bonding apparatus, a capillary or a single point bonding tool, which is a bonding tool, is moved in a direction to be in contact with or separated from the electrode of the semiconductor chip, and the wire or inner lead is moved to the semiconductor chip. The wire or the inner lead is bonded to the electrode of the semiconductor chip by ultrasonic contact with the electrode. For this reason, it is necessary for each bonding apparatus to move the bonding tool in a direction perpendicular to the surface of the semiconductor chip. In such a conventional bonding apparatus, for example, as shown in FIG. 7 of Patent Document 1, the arm to which the bonding tool is attached is rotated, and the bonding tool attached to the tip of the arm is used as the semiconductor chip. A structure in which the electrode surface is contacted and separated substantially perpendicularly is used.

しかし、この構造では、アームの長さを長くしてもボンディングツール先端は円弧状の移動をするため、半導体チップの電極に対して常に垂直方向にボンディングツールを移動させることが困難であった。   However, in this structure, even if the arm length is increased, the tip of the bonding tool moves in an arc shape, so that it is difficult to always move the bonding tool in a direction perpendicular to the electrodes of the semiconductor chip.

そこで、特許文献1の図3に示すように、回転するアームの先端にボンディングツールを取り付けることに代えて、ボンディングツールを2枚の平行ばねによって支持し、キャピラリを半導体チップに対して垂直方向に接離させることが提案されている。また、特許文献2の図7に示すように、2枚の板を平行に配置し、その中央部分を挟み板によって挟んで剛性を高くし、2枚の板の各両端にそれぞれ1つずつ、合計4つの回転ヒンジを形成し、この4つの回転ヒンジによってシングルポイントボンディングツールを半導体チップの電極面に対して垂直方向に移動させる平行リンク構造が提案されている。   Therefore, as shown in FIG. 3 of Patent Document 1, instead of attaching the bonding tool to the tip of the rotating arm, the bonding tool is supported by two parallel springs and the capillary is perpendicular to the semiconductor chip. It has been proposed to make contact and separation. In addition, as shown in FIG. 7 of Patent Document 2, two plates are arranged in parallel, and the rigidity is increased by sandwiching the central portion between the two plates, one at each end of each of the two plates, There has been proposed a parallel link structure in which a total of four rotary hinges are formed and a single point bonding tool is moved in a direction perpendicular to the electrode surface of the semiconductor chip by the four rotary hinges.

特開2001−127097号公報JP 2001-127097 A 特開2000−323522号公報JP 2000-323522 A

ところで、半導体チップを基板等に接合するためのダイボンディング装置は、ダイシングされたウェハから半導体チップをピックアップし、ピックした半導体チップを基板またはリードの上にボンディングして接合するものである。このダイボンディング装置は半導体チップを吸着してピックアップするツールであるコレットが取り付けられたボンディングヘッドを半導体チップの表面に対して垂直方向に移動させるため、垂直方向に移動するスライダを用いていることが多い。半導体チップをピックアップする際或いは半導体チップを基板等の上にボンディングする際には、コレットをある程度の押圧荷重で半導体チップに押しつける必要がある。しかし、半導体チップに大きな押圧力が掛ってしまうと半導体チップが破損してしまうことから、コレットとボンディングヘッドとの間にはボンディングヘッドの下降距離によってコレットの半導体チップへの押圧力を調整できるような荷重ばねを取り付け、半導体チップをピックアップ或いは基板等の上にボンディングする際に過剰な押圧力が半導体チップに加わらないように構成しているものが多い。   By the way, a die bonding apparatus for bonding a semiconductor chip to a substrate or the like picks up a semiconductor chip from a diced wafer and bonds the picked semiconductor chip on a substrate or a lead for bonding. This die bonding apparatus uses a slider that moves in the vertical direction in order to move the bonding head attached with a collet, which is a tool for picking up and picking up the semiconductor chip, in a direction perpendicular to the surface of the semiconductor chip. Many. When picking up a semiconductor chip or bonding the semiconductor chip onto a substrate or the like, it is necessary to press the collet against the semiconductor chip with a certain pressing load. However, if a large pressing force is applied to the semiconductor chip, the semiconductor chip is damaged, so that the pressing force of the collet to the semiconductor chip can be adjusted between the collet and the bonding head by the descending distance of the bonding head. Many load springs are attached so that an excessive pressing force is not applied to the semiconductor chip when the semiconductor chip is bonded to a pickup or a substrate.

一方、近年、半導体チップの厚さは非常に薄く、その強度が低くなってきている。また、ガリウムヒ素等の脆い素材を用いた半導体チップも多く用いられるようになってきている。このため、従来の様なピックアップ荷重が加わるとこのような薄い或いは脆い半導体チップが破損する場合があるという問題があった。しかし、半導体のピックアップ荷重を低減するために荷重ばねを弱くすると、コレットをボンディングヘッドに対して上下方向にスライドさせるZ方向ガイドの摩擦力のために適切な押圧荷重をかけることができない場合やZ方向ガイドに引っ掛かりなどが発生して一時的に過剰な押圧荷重がかかってしまうという問題があった。また、このZ方向ガイドに代えて、例えば、特許文献1,2に記載されている様な平行ばねや平行リンクを用いた場合、平行ばねや平行リンク自体の曲げ剛性が大きいことから、ボンディングヘッドが下降すると荷重ばねの反力と平行リンク等の変形反力がコレットの半導体チップへの押圧力として掛ってしまう。このため、ボンディングヘッドの下降距離によって半導体チップへの押圧力を適切に調整することができず、薄い或いは脆い半導体チップをピックアップ或いは基板等の上にボンディングする際に必要な小さな押圧荷重をかけられず、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップして基板等の上にボンディングすることが難しいという問題があった。   On the other hand, in recent years, the thickness of a semiconductor chip is very thin, and its strength is decreasing. In addition, a semiconductor chip using a brittle material such as gallium arsenide has also been widely used. For this reason, there has been a problem that such a thin or fragile semiconductor chip may be damaged when a conventional pickup load is applied. However, if the load spring is weakened to reduce the pick-up load of the semiconductor, an appropriate pressing load cannot be applied due to the frictional force of the Z-direction guide that slides the collet up and down with respect to the bonding head. There has been a problem in that an excessive pressing load is temporarily applied due to the hooking of the direction guide. Further, instead of this Z direction guide, for example, when a parallel spring or parallel link as described in Patent Documents 1 and 2 is used, the bending stiffness of the parallel spring or the parallel link itself is large. When the pressure falls, the reaction force of the load spring and the deformation reaction force of the parallel link or the like are applied as the pressing force of the collet to the semiconductor chip. For this reason, the pressing force on the semiconductor chip cannot be properly adjusted depending on the descending distance of the bonding head, and a small pressing load necessary for bonding a thin or fragile semiconductor chip on a pickup or a substrate cannot be applied. However, there is a problem that it is difficult to appropriately pick up a thin or fragile semiconductor chip and bond it onto a substrate or the like.

本発明は、ダイボンディング装置において、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップしてボンディングすることを目的とする。   An object of the present invention is to appropriately pick up and bond a thin or fragile semiconductor chip in a die bonding apparatus.

本発明のダイボンディング装置は、半導体チップをピックアップしてボンディングするボンディングツールが先端に取り付けられるシャフトと、少なくとも1つの平板リンクを介してシャフトが取り付けられ、シャフトの延びる方向に沿って直線移動するボンディングヘッドと、を備えるダイボンディング装置であって、平板リンクは、シャフトの延びる方向と交差する面に沿って延び、外縁の対向する2つ固定点でボンディングヘッドに固定される環状板と、環状板と同一面に配置され、環状板の各固定点を結ぶ方向と直交する方向に延びて環状板の内側にある中空部分を渡り、その中央にシャフトが取り付けられる渡り板と、を含み、環状板は渡り板を挟んで対向する2つの半環状板で構成され、各固定点は各半環状板の中央にそれぞれ配置されていること、を特徴とする。 The die bonding apparatus according to the present invention includes a shaft on which a bonding tool for picking up and bonding a semiconductor chip is attached to the tip, and a shaft that is attached via at least one flat plate link and moves linearly along the extending direction of the shaft. A flat plate link extending along a surface intersecting with the direction in which the shaft extends, and an annular plate fixed to the bonding head at two opposing fixed points on the outer edge, and the annular plate They are arranged on the same plane as, Ri pass the hollow portion of extending in a direction perpendicular to the direction connecting the fixed point of the annular plate to the inside of the annular plate includes a footplate that the shaft is mounted in the center thereof, a circular The plate is composed of two semi-annular plates facing each other with a jumper plate, and each fixing point is at the center of each semi-annular plate. That it is location, characterized by.

本発明のダイボンディング装置において、渡り板は、シャフトの接続される中央から環状板に接続される両端に向かって幅が小さくなること、しても好適であるし、環状板は、各固定点から渡り板に接続される両端に向かって幅が小さくなっていること、としても好適であるし、環状板は、略四角環状で、各固定点が対向する2辺の中央にそれぞれ配置されていること、としても好適である。 A die bonding apparatus of the present invention, passed Riita is the width becomes smaller toward both ends connected to the annular plate from the center of the connection sheet Yafuto, and also to be suitable, the annular plate, It is also preferable that the width is reduced from each fixed point toward both ends connected to the jumper plate, and the annular plate is a substantially quadrangular ring and arranged at the center of the two sides where each fixed point faces each other. This is also suitable.

本発明のダイボンディング装置において、シャフトは、離間して平行に配置された2つの平板リンクによってボンディングヘッドに取り付けられていること、としても好適である。   In the die bonding apparatus of the present invention, it is also preferable that the shaft is attached to the bonding head by two flat plate links spaced apart in parallel.

本発明のダイボンディング装置において、回転ガイドによってボンディングヘッドに回転自在に取り付けられ、一端がシャフトに接続され、他端にボンディングツールを半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリングが接続されるレバーを含み、回転ガイドは、2枚の板ばねを十字型に交差させた十字板ばねであること、としても好適であるし、十字板ばねは、4つの端点を有し、そのうちの1つの端点は、レバーに接続され、他の3つの端点は、それぞれボンディングヘッドに取り付けられていること、としても好適である。   The die bonding apparatus of the present invention includes a lever that is rotatably attached to the bonding head by a rotation guide, one end is connected to the shaft, and the other end is connected to a spring that applies a pressing load that presses the bonding tool against the semiconductor chip. The rotation guide is also preferably a cross leaf spring in which two leaf springs are crossed in a cross shape, and the cross leaf spring has four end points, and one of the end points is: It is also preferable that the other three end points connected to the lever are respectively attached to the bonding head.

本発明は、ダイボンディング装置において、薄い或いは脆い半導体チップを適切にピックアップしてボンディングすることができるという効果を奏する。   The present invention has an effect that a thin or fragile semiconductor chip can be appropriately picked up and bonded in a die bonding apparatus.

本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の構造を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the die-bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the flat plate link of the die bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の半導体チップをピックアップする前の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state before picking up the semiconductor chip of the die bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の半導体チップをピックアップする状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which picks up the semiconductor chip of the die-bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクの変形状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the deformation | transformation state of the flat link of the die-bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクの変形状態を示す側面図である。It is a side view which shows the deformation | transformation state of the flat link of the die-bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるダイボンディング装置のボンディングヘッドの沈み込み量に対する押圧荷重の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the press load with respect to the sinking amount of the bonding head of the die-bonding apparatus in embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す平面図である。It is a top view which shows the flat plate link of the die bonding apparatus in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態におけるダイボンディング装置の平板リンクを示す平面図である。It is a top view which shows the flat plate link of the die bonding apparatus in other embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1に示す様に、本実施形態のダイボンディング装置100は、図示しないXY方向への移動装置に取り付けられたリニアガイド62と、リニアガイド62に沿ってZ方向に移動するスライダ61と、スライダ61に固定され、スライダ61と共にZ方向に移動するボンディングヘッド50とを備えている。ボンディングヘッド50は、スライダ61に固定される本体51と、本体51からY方向に延びる一対の下アーム52と一対の上アーム53と、下アーム52にブッシュ55を介してボルト54によって固定された下平板リンク20と、上アーム53にブッシュ55を介してボルト54によって固定された上平板リンク30と、下平板リンク20と上平板リンク30とにそれぞれ固定されたシャフト12と、シャフト12の下側の先端に取り付けられている半導体チップを吸着するボンディングツール11とを備えている。下平板リンク20と上平板リンク30とは平行に配置されている。シャフト12の上端にはシャフト12よりも外径の大きなエンドブロック13が取り付けられており、エンドブロック13の本体51側の下面は、上アーム53にボルト54で固定された逆U字型のストッパ56の上面に当たるよう構成されている。なお、図1においては、Z方向は垂直方向であり、XY方向は互いに直交する水平面を示す。以下説明する他の図面においても同様である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the die bonding apparatus 100 of the present embodiment includes a linear guide 62 attached to an XY-direction moving device (not shown), a slider 61 that moves in the Z direction along the linear guide 62, and a slider A bonding head 50 that is fixed to 61 and moves in the Z direction together with the slider 61 is provided. The bonding head 50 is fixed to the main body 51 fixed to the slider 61, a pair of lower arms 52 extending in the Y direction from the main body 51, a pair of upper arms 53, and the lower arms 52 with bolts 54 via bushes 55. The lower flat plate link 20, the upper flat plate link 30 fixed to the upper arm 53 by a bolt 54 via a bush 55, the shaft 12 fixed to the lower flat plate link 20 and the upper flat plate link 30, respectively, And a bonding tool 11 for adsorbing a semiconductor chip attached to the tip on the side. The lower flat link 20 and the upper flat link 30 are arranged in parallel. An end block 13 having an outer diameter larger than that of the shaft 12 is attached to the upper end of the shaft 12. The lower surface of the end block 13 on the main body 51 side is an inverted U-shaped stopper fixed to the upper arm 53 with a bolt 54. It is comprised so that it may hit 56 upper surfaces. In FIG. 1, the Z direction is a vertical direction, and the XY direction is a horizontal plane orthogonal to each other. The same applies to other drawings described below.

また、本体51の上部には回転ガイドである十字板ばね45を介してレバー40がボンディングヘッド50に対して回転自在に取り付けられている。レバー40の先端部41(シャフト12側或いはY方向プラス側)とシャフト12のエンドブロック13とは連結板49によって連結されている。また、レバー40の後端部(スライダ61側あるいはY方向マイナス側)にはバランスウェイト48がボルト42によって固定されている。バランスウェイト48の下側の本体51に設けられた穴57にはボンディングツール11を半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリング58が取り付けられている。スプリング58の上端はバランスウェイト48に接触している。   A lever 40 is rotatably attached to the bonding head 50 via a cross leaf spring 45 that is a rotation guide. The distal end portion 41 (the shaft 12 side or the Y direction plus side) of the lever 40 and the end block 13 of the shaft 12 are connected by a connecting plate 49. A balance weight 48 is fixed to the rear end portion of the lever 40 (on the slider 61 side or the Y direction minus side) by bolts 42. A spring 58 for applying a pressing load for pressing the bonding tool 11 against the semiconductor chip is attached to a hole 57 provided in the lower main body 51 of the balance weight 48. The upper end of the spring 58 is in contact with the balance weight 48.

十字板ばね45は、水平ばね板46と、垂直ばね板47とを十字に組み合わせたもので、水平ばね板46の後端(スライダ61側あるいはY方向マイナス側)はボンディングヘッド50の本体51にボルト42によって固定され、先端(シャフト12側あるいはY方向プラス側)は、レバー40の中央ブロック44の下面にボルト42によって固定されている。また、垂直ばね板47の下端はボルト42によってボンディングヘッド50の本体51の上部に固定されており、その上端は、レバー40の中央ブロック44の垂直面にボルト42によって固定されている。このように、十字板ばね45は水平ばね板46の先端と後端、垂直ばね板47の上端と下端との4つの端部を有しており、隣接する水平ばね板46の後端と垂直ばね板47の下端とはボンディングヘッド50の本体51に固定され、水平ばね板46の先端と垂直ばね板47の上端とはレバー40の中央ブロック44に固定されている。そして、水平ばね板46と垂直ばね板47との交差するX方向に延びる線が回転軸となり、十字板ばね45はレバー40をX軸周りに回転自在に支持する。   The cross leaf spring 45 is a combination of a horizontal spring plate 46 and a vertical spring plate 47 in a cross shape, and the rear end (the slider 61 side or the Y direction minus side) of the horizontal spring plate 46 is connected to the main body 51 of the bonding head 50. The front end (the shaft 12 side or the Y direction plus side) is fixed by a bolt 42, and is fixed to the lower surface of the central block 44 of the lever 40 by the bolt 42. The lower end of the vertical spring plate 47 is fixed to the upper portion of the main body 51 of the bonding head 50 by a bolt 42, and the upper end is fixed to the vertical surface of the central block 44 of the lever 40 by the bolt 42. As described above, the cross leaf spring 45 has four ends, that is, a front end and a rear end of the horizontal spring plate 46 and an upper end and a lower end of the vertical spring plate 47, and is perpendicular to the rear end of the adjacent horizontal spring plate 46. The lower end of the spring plate 47 is fixed to the main body 51 of the bonding head 50, and the tip of the horizontal spring plate 46 and the upper end of the vertical spring plate 47 are fixed to the central block 44 of the lever 40. A line extending in the X direction intersecting the horizontal spring plate 46 and the vertical spring plate 47 serves as a rotation axis, and the cross plate spring 45 supports the lever 40 rotatably around the X axis.

図2を参照しながら上平板リンク30の構造の詳細について説明する。図2に示す様に、上平板リンク30は、薄いステンレス鋼やバネ鋼などを加工したもので、シャフト12の延びるZ方向と垂直なXY面内に沿って延びている。上平板リンク30は、環状板31と、環状板31の内側の中空部分34をY方向に渡る渡り板32とを備えている。環状板31と渡り板32とは同一平内に配置されている。環状板31は、略四角環状で各辺は、X方向とY方向とに延びている。そして、Y方向に延びる一対の第1の辺31aの長手方向の中央はブッシュ55を介してボルト54によって上アーム53の上面に固定されている。このボルト54によって上アーム53に固定されている第1の辺31aの部分はそれぞれ上平板リンク30の固定点33である。また、環状板31のX方向に延びる一対の第2の辺31bの各中央は渡り板32によってY方向に接続されている。そして、渡り板32の中央にはシャフト12が固定されている。図2に示す様に、渡り板32の中心線72はシャフト12の中心線71を通る線である。シャフト12が渡り板32に取り付けられる部分はリング14によって補強されている。図2に示す様に、渡り板32はシャフト12の中心線71を通ってY方向に延び、シャフト12が固定されている中央部分は幅が広く、環状板31と接続される端部に向ってその幅が小さくなるテーパー形状となっている。また、Y方向に延びる一対の第1の辺31aはボルト54によって固定される固定点33の部分は幅が広く、第2の辺31bに向うにつれて第1の辺31aの幅が小さくなるように構成されている。そして、2つの固定点33とシャフト12とは、一つの直線73の上に配置され、X方向に一列に並んでいる。以上、上平板リンク30の構造について説明したが、下平板リンク20の構造も上平板リンク30と同様の構造である。   Details of the structure of the upper flat plate link 30 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the upper flat link 30 is obtained by processing thin stainless steel, spring steel, or the like, and extends along the XY plane perpendicular to the Z direction in which the shaft 12 extends. The upper flat plate link 30 includes an annular plate 31 and a transition plate 32 that crosses the hollow portion 34 inside the annular plate 31 in the Y direction. The annular plate 31 and the crossing plate 32 are arranged in the same plane. The annular plate 31 is a substantially square ring, and each side extends in the X direction and the Y direction. The center in the longitudinal direction of the pair of first sides 31 a extending in the Y direction is fixed to the upper surface of the upper arm 53 by a bolt 54 via a bush 55. The portions of the first side 31a fixed to the upper arm 53 by the bolts 54 are fixing points 33 of the upper flat plate link 30, respectively. Further, the centers of the pair of second sides 31 b extending in the X direction of the annular plate 31 are connected in the Y direction by the crossing plate 32. The shaft 12 is fixed at the center of the transition plate 32. As shown in FIG. 2, the center line 72 of the crossover plate 32 is a line passing through the center line 71 of the shaft 12. The portion where the shaft 12 is attached to the bridge plate 32 is reinforced by the ring 14. As shown in FIG. 2, the bridge plate 32 extends in the Y direction through the center line 71 of the shaft 12, and the central portion to which the shaft 12 is fixed has a wide width toward the end connected to the annular plate 31. The taper has a smaller width. The pair of first sides 31a extending in the Y direction is such that the portion of the fixing point 33 fixed by the bolt 54 is wide, and the width of the first side 31a becomes smaller toward the second side 31b. It is configured. The two fixed points 33 and the shaft 12 are arranged on one straight line 73 and are arranged in a line in the X direction. The structure of the upper flat link 30 has been described above, but the structure of the lower flat link 20 is the same as that of the upper flat link 30.

以上説明したように構成される本実施形態のダイボンディング装置100によって半導体チップをピックアップする際の動作について説明する。図1,2を参照して説明した部分には同様の符号を付してその説明は省略する。図3に示す様に、ピックアップしようとする半導体チップ90は、裏面にダイシングテープ83が貼り付けられた状態でピックアップステージ81の上に吸着固定されている。ダイシングテープ83は、周囲に向って引っ張られた状態で、各半導体チップ90の間には微小な隙間ができている。ダイボンディング装置100は、図示しないXY移動装置によってボンディングヘッド50を移動させ、シャフト12の下端に取り付けられたボンディングツール11の位置をピックアップしようとする半導体チップ90の真上にもってくる。   An operation when picking up a semiconductor chip by the die bonding apparatus 100 of the present embodiment configured as described above will be described. The parts described with reference to FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. As shown in FIG. 3, the semiconductor chip 90 to be picked up is adsorbed and fixed on the pick-up stage 81 with a dicing tape 83 attached to the back surface. In the state where the dicing tape 83 is pulled toward the periphery, minute gaps are formed between the semiconductor chips 90. The die bonding apparatus 100 moves the bonding head 50 by means of an XY moving apparatus (not shown) so that the position of the bonding tool 11 attached to the lower end of the shaft 12 is directly above the semiconductor chip 90 to be picked up.

次に、図4に示す様に、ダイボンディング装置100は、図示しない制御部の指令によって、ボンディングヘッド50が取り付けられているスライダ61をZ方向下向きに降下させる。そして、制御部はボンディングツール11の先端が半導体チップ90の表面に接してから更に、高さΔZだけスライダ61及びボンディングヘッド50を降下させる。すると、図4に示す様に、シャフト12は、2つの平板リンク20,30にガイドされてボンディングヘッド50に対して高さΔZだけ上方に移動し、シャフト12の上端のエンドブロック13も高さΔZだけ上方に移動する。そして、エンドブロック13に連結板49によって接続されているレバー40の先端部41も高さΔZだけ上方に移動する。レバー40は、十字板ばね45の水平ばね板46と垂直ばね板47との交差する線に沿ってX軸周りに回転し、レバー40の後端部43は下向きに高さΔZだけ移動する。すると、スプリング58がZ方向に長さΔZだけ縮み、その反力によってレバー40の後端部43を押し上げ、レバー40の先端部41に連結板49を介して接続されているエンドブロック13、シャフト12に対して下向きに力Fを加える。ボンディングツール11の内部は、図示しない真空装置によって真空となっているので、この力Fによってボンディングツール11が半導体チップ90の表面に押し付けられると、ボンディングツール11は半導体チップ90を吸着する。その後、図示しない制御部によってスライダ61が上昇すると、ボンディングツール11は半導体チップ90をピックアップする。 Next, as shown in FIG. 4, the die bonding apparatus 100 lowers the slider 61 to which the bonding head 50 is attached downward in the Z direction according to a command from a control unit (not shown). The control unit further lowers the slider 61 and the bonding head 50 by the height ΔZ 0 after the tip of the bonding tool 11 contacts the surface of the semiconductor chip 90. Then, as shown in FIG. 4, the shaft 12 is guided by the two flat plate links 20 and 30 and moves upward by a height ΔZ 0 with respect to the bonding head 50, and the end block 13 at the upper end of the shaft 12 is also high. Move upward by ΔZ 0 . Then, only the tip portion 41 height ΔZ also 0 of lever 40 connected by a connecting plate 49 to the end block 13 moves upward. Lever 40 is rotated around the X-axis along a line that intersects with the horizontal spring plate 46 of the cross plate spring 45 and the vertical spring plate 47, the rear end portion 43 of the lever 40 is moved by a height [Delta] Z 5 downwards . Then, the spring 58 contracts in the Z direction by a length ΔZ 5 , the reaction force pushes up the rear end portion 43 of the lever 40, and the end block 13 connected to the front end portion 41 of the lever 40 via the connecting plate 49, A force F 0 is applied downward with respect to the shaft 12. Since the inside of the bonding tool 11 is evacuated by a vacuum device (not shown), when the bonding tool 11 is pressed against the surface of the semiconductor chip 90 by this force F 0 , the bonding tool 11 sucks the semiconductor chip 90. Thereafter, when the slider 61 is raised by a control unit (not shown), the bonding tool 11 picks up the semiconductor chip 90.

図5、図6を参照して、ボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接した後、ボンディングヘッド50が更に高さΔZだけ降下した際の上平板リンク30の変形とシャフト12の移動について詳細に説明する。ボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接した後、ボンディングヘッド50が更に高さΔZだけ降下すると、図5に示す様に、上平板リンク30を固定している上アーム53もボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接した際の高さよりも高さΔZだけ降下するので、上平板リンク30の固定点33もボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接した際の高さよりも高さΔZだけ降下する。一方、シャフト12は先端のボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接しているので、それ以上降下しないので、上平板リンク30のシャフト12を固定している渡り板32の中央と、2つの固定点33との間にはΔZだけ高さの差ができることとなる。上平板リンク30の固定点33によって中央が上アーム53に固定されている各第1の辺31aは、図5及び図6(a)に示す様に、固定点33から第2の辺31bに向かって上方に湾曲していく。また、図5、図6(b)に示す様に、第2の辺31bの間を渡っている渡り板32は、第2の辺31bからシャフト12の取り付けられている中央部が盛り上がるように上方に向って変形する。更に、図5、図6(b)に示す様に、第2の辺31bは渡り板32が接続されている中央部分が第1の辺31aに接続されている両端から盛り上がるように上に向って変形する。図6(a)に示すように、第1の辺31aの上方への湾曲により、固定点33と第1の辺31aの両端或いは第2の辺31bとの間には、ΔZだけの高さの差ができる。また、図6(b)に示す様に、第2の辺31bの盛り上がり変形によって第1の辺31aの両端と第2の辺31bの中央部との間には、ΔZの高さの差ができる。更に、図6(b)に示すように、渡り板32の盛り上がり変形によって第2の辺31bの中央とシャフト12の取り付けられている渡り板32の中央との間には、ΔZだけの高さの差ができる。そして、この高さの差ΔZ,ΔZ,ΔZの合計が高さΔZとなる。つまり、ΔZ+ΔZ+ΔZ=ΔZ、となる。 5 and 6, after the bonding tool 11 contacts the surface of the semiconductor chip 90, the deformation of the upper plate link 30 and the movement of the shaft 12 when the bonding head 50 is further lowered by the height ΔZ 0. This will be described in detail. After the bonding tool 11 is in contact with the surface of the semiconductor chip 90, the bonding head 50 is lowered further by the height [Delta] Z 0, as shown in FIG. 5, even the upper arms 53 that hold the upper flat link 30 bonding tool 11 Is lowered by a height ΔZ 0 from the height when contacting the surface of the semiconductor chip 90, so that the fixing point 33 of the upper flat plate link 30 is also higher than the height when the bonding tool 11 contacts the surface of the semiconductor chip 90. is ΔZ 0 only drops. On the other hand, since the bonding tool 11 at the tip of the shaft 12 is in contact with the surface of the semiconductor chip 90, the shaft 12 does not descend any further, so that the center of the transition plate 32 that fixes the shaft 12 of the upper plate link 30 and two fixing points. A difference in height from that of 33 can be obtained by ΔZ 0 . As shown in FIGS. 5 and 6A, each first side 31a whose center is fixed to the upper arm 53 by the fixing point 33 of the upper flat plate link 30 extends from the fixing point 33 to the second side 31b. It curves upwards. Moreover, as shown in FIG. 5 and FIG. 6B, the crossing plate 32 that extends between the second sides 31 b is located upward so that the central portion to which the shaft 12 is attached rises from the second side 31 b. Deforms toward Furthermore, as shown in FIG. 5 and FIG. 6B, the second side 31b faces upward so that the central part to which the crossover plate 32 is connected rises from both ends connected to the first side 31a. Deform. As shown in FIG. 6 (a), the curvature of the upper first side 31a, between the fixed point 33 and the ends or the second side 31b of the first side 31a is, [Delta] Z 1 only high You can make a difference. Further, as shown in FIG. 6 (b), between the central portion of the opposite ends and the second side 31b of the first side 31a by swelling deformation of the second side 31b, the height difference [Delta] Z 2 Can do. Furthermore, as shown in FIG. 6 (b), between the central transfer plates 32 mounted with the second side 31b center the shaft 12 of the raised deformation of the footplate 32, only a height of [Delta] Z 3 There is a difference. The sum of the height differences ΔZ 1 , ΔZ 2 , ΔZ 3 is the height ΔZ 0 . That is, ΔZ 1 + ΔZ 2 + ΔZ 3 = ΔZ 0 .

このように、上平板リンク30は、固定点33から延びる第1の辺31aの曲げ変形と、第2の辺31bの盛り上がり変形と、第2の辺31bとの間に渡された渡り板32の盛り上がり変形とによってシャフト12をボンディングヘッド50に対して高さΔZだけZ方向に移動させる。また、第1の辺31aと渡り板32の第2の辺31bに接続する端部はその幅が小さくなっているので、第2の辺31bの両端、及び渡り板32の両端にそれぞれリンクを形成し、各リンクの回転によってシャフト12をZ方向に移動させる。
このため、シャフト12のZ方向の移動に対する抵抗がほとんど発生しない。また、本実施形態のダイボンディング装置100は、下平板リンク20と上平板リンク30の2つの平板リンクを平行に配置し、これによってシャフト12がZ方向に移動可能に支持するので、シャフト12が半導体チップ90の表面に対して垂直方向にスムーズに移動することができる。さらに、図4に示す様に、レバー40は十字板ばね45によって回転支持されているので、回転軸受けなどのような摩擦抵抗がなく、回転に対する抵抗がほとんど発生しない。
Thus, the upper flat plate link 30 is formed by the bending plate 32 passed between the bending deformation of the first side 31a extending from the fixed point 33, the rising deformation of the second side 31b, and the second side 31b. The shaft 12 is moved in the Z direction by a height ΔZ 0 with respect to the bonding head 50 by the rising deformation. In addition, since the width of the end connected to the first side 31a and the second side 31b of the jumper plate 32 is small, links are formed at both ends of the second side 31b and both ends of the jumper plate 32, respectively. The shaft 12 is moved in the Z direction by the rotation of each link.
For this reason, the resistance with respect to the movement of the shaft 12 in the Z direction hardly occurs. Moreover, the die bonding apparatus 100 of this embodiment arrange | positions two flat plate links, the lower flat plate link 20 and the upper flat plate link 30, in parallel, and, thereby, the shaft 12 supports so that a movement to a Z direction is possible. The semiconductor chip 90 can move smoothly in a direction perpendicular to the surface. Further, as shown in FIG. 4, since the lever 40 is rotatably supported by the cross leaf spring 45, there is no frictional resistance as in the case of a rotary bearing, and almost no resistance to rotation is generated.

このため、ボンディングツール11が半導体チップ90の表面に接した後、ボンディングヘッド50が高さΔZだけ沈み込んだ際に半導体チップ90の表面に掛かる力は、図7に示す様に、沈み込み高さΔZに対して正比例するようになる。つまり、F=K×ΔZ、となる。これにより制御部は、ボンディングヘッド50の沈み込み量ΔZを制御することによって、半導体チップ90に加わる押圧荷重を正確に制御することができる。このため、薄い或いは脆い半導体チップ90をピックアップする際に、より小さな押圧荷重を正確に制御することができ、薄く強度の低い或いは脆い半導体チップ90損傷させずに適切にピックアップすることできる。また、本実施形態のダイボンディング装置100は、従来のボンディング装置の様にシャフト12をZ方向にスライドさせたり、レバー40を回転支持したりする部分のような摺動部が無いことから、磨耗がなく長寿命であり、かつ、摩擦抵抗の変化による押圧荷重が変化することもなく、長期間に渡り安定した動作をすることができる。   Therefore, after the bonding tool 11 comes into contact with the surface of the semiconductor chip 90, the force applied to the surface of the semiconductor chip 90 when the bonding head 50 sinks by the height ΔZ is, as shown in FIG. Is directly proportional to ΔZ. That is, F = K × ΔZ. Accordingly, the control unit can accurately control the pressing load applied to the semiconductor chip 90 by controlling the sinking amount ΔZ of the bonding head 50. For this reason, when picking up a thin or fragile semiconductor chip 90, a smaller pressing load can be accurately controlled, and the thin and low strength or fragile semiconductor chip 90 can be picked up appropriately without damaging it. In addition, the die bonding apparatus 100 according to the present embodiment is worn out because there is no sliding part such as a part that slides the shaft 12 in the Z direction or supports the lever 40 in a rotational manner as in the conventional bonding apparatus. It has a long life and does not change the pressing load due to a change in frictional resistance, and can operate stably over a long period of time.

以上、本実施形態のダイボンディング装置100によって半導体チップ90をピックアップする際の動作について説明したが、半導体チップ90を基板或いはリードフレーム等の上に接合する際の動作も同様で、半導体チップ90に掛かる小さな押圧力を正確に制御できるので、薄く強度の低い或いは脆い半導体チップ90を損傷させずに基板或いはリードフレーム等の上に適切にボンディングすることができる。また、半導体チップの上に更に半導体チップをボンディングする際にも同様に半導体チップ90を損傷させずに適切にボンディングを行うことができる。   The operation when picking up the semiconductor chip 90 by the die bonding apparatus 100 of the present embodiment has been described above. However, the operation when the semiconductor chip 90 is bonded onto a substrate or a lead frame is the same. Since the small pressing force applied can be accurately controlled, the thin, low-strength or brittle semiconductor chip 90 can be appropriately bonded onto the substrate or the lead frame without damaging it. Similarly, when further bonding a semiconductor chip on the semiconductor chip, the bonding can be appropriately performed without damaging the semiconductor chip 90.

図8、図9を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図1から図7を参照して説明した部分には同様の符号を付して説明は省略する。図8に示す上平板リンク130は、図1から7を参照して説明した実施形態の上平板リンク30の略四角環状の環状板31を楕円形状の環状板131とし、その長円側に固定点133を設け、対向する短円を渡るように渡り板132を設けたものである。また、図9に示す実施形態は、図1から図7を参照して説明した実施形態の第1の辺31aの中央の外側にラグ35を設け、このラグ35を上アーム53に固定するように構成したものである。図8、図9に示すいずれの実施形態も図1から図7を参照して説明した実施形態と同様の効果を奏する。   Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The parts described with reference to FIG. 1 to FIG. An upper flat plate link 130 shown in FIG. 8 is formed by replacing the substantially square annular plate 31 of the upper flat plate link 30 of the embodiment described with reference to FIGS. A point 133 is provided, and a jumper plate 132 is provided so as to cross the opposing short circle. In the embodiment shown in FIG. 9, a lug 35 is provided outside the center of the first side 31 a of the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 7, and the lug 35 is fixed to the upper arm 53. It is configured. Each of the embodiments shown in FIGS. 8 and 9 has the same effect as the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 7.

11 ボンディングツール、12 シャフト、13 エンドブロック、14 リング、20 下平板リンク、21,31,131 環状板、22,32,132 渡り板、24,34 中空部分、30,130 上平板リンク、31a 第1の辺、31b 第2の辺、33,133 固定点、35 ラグ、40 レバー、41 先端部、42 ボルト、43 後端部、44 中央ブロック、45 十字板ばね、46 水平ばね板、47 垂直ばね板、48 バランスウェイト、49 連結板、50 ボンディングヘッド、51 本体、52 下アーム、53 上アーム、54 ボルト、55 ブッシュ、56 ストッパ、57 穴、58 スプリング、61 スライダ、62 リニアガイド、71,72 中心線、73 直線、81 ピックアップステージ、83 ダイシングテープ、90 半導体チップ、100 ダイボンディング装置。   11 Bonding tool, 12 Shaft, 13 End block, 14 Ring, 20 Lower plate link, 21, 31, 131 Ring plate, 22, 32, 132 Cross plate, 24, 34 Hollow part, 30, 130 Upper plate link, 31a First Side, 31b second side, 33, 133 fixing point, 35 lug, 40 lever, 41 tip, 42 bolt, 43 rear end, 44 center block, 45 cross leaf spring, 46 horizontal spring plate, 47 vertical spring Plate, 48 Balance weight, 49 Connecting plate, 50 Bonding head, 51 Main body, 52 Lower arm, 53 Upper arm, 54 Bolt, 55 Bush, 56 Stopper, 57 Hole, 58 Spring, 61 Slider, 62 Linear guide, 71, 72 Center line, 73 straight lines, 81 pickup stage, 83 dies Thing tape, 90 semiconductor chips, 100 die bonding equipment.

Claims (7)

ダイボンディング装置であって、
半導体チップをピックアップしてボンディングするボンディングツールが先端に取り付けられるシャフトと、
少なくとも1つの平板リンクを介して前記シャフトが取り付けられ、前記シャフトの延びる方向に沿って直線移動するボンディングヘッドと、
前記平板リンクは、前記シャフトの延びる方向と交差する面に沿って延び、外縁の対向する2つ固定点で前記ボンディングヘッドに固定される環状板と、
前記環状板と同一面に配置され、前記環状板の前記各固定点を結ぶ方向と直交する方向に延びて前記環状板の内側にある中空部分を渡り、その中央に前記シャフトが取り付けられる渡り板と、を含み、
前記環状板は前記渡り板を挟んで対向する2つの半環状板で構成され、前記各固定点は前記各半環状板の中央にそれぞれ配置されていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
A die bonding apparatus,
A shaft on which a bonding tool for picking up and bonding a semiconductor chip is attached to the tip;
A bonding head that is attached to the shaft via at least one flat plate link and moves linearly along the direction in which the shaft extends;
The flat plate link extends along a plane that intersects the direction in which the shaft extends, and an annular plate that is fixed to the bonding head at two opposing fixing points on the outer edge ;
Is disposed in the annular plate in the same plane, Ri hollow portion of extending in a direction perpendicular to the direction connecting the respective fixing points of the annular plate to the inside of the annular plate pass, that the shaft is mounted in the center A transition board, and
The annular plate is composed of two semi-annular plates facing each other with the connecting plate interposed therebetween, and the fixing points are respectively arranged at the centers of the semi-annular plates;
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項1に記載のダイボンディング装置であって
前記渡り板は、前記シャフトが接続される中央から前記環状板に接続される両端に向かって幅が小さくなること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 1 ,
The footplate is the width from the center of pre-Symbol shaft is connected toward both ends connected to the annular plate is reduced,
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項1または2に記載のダイボンディング装置であって、
前記環状板は、前記各固定点から前記渡り板に接続される両端に向かって幅が小さくなっていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 1 or 2,
The annular plate has a width that decreases from each fixed point toward both ends connected to the crossover plate,
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項1からのいずれか1項に記載のダイボンディング装置であって、
前記環状板は、略四角環状で、前記各固定点が対向する2辺の中央にそれぞれ配置されていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The annular plate is a substantially rectangular ring, and each of the fixed points is disposed at the center of two sides facing each other;
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項1から4のいずれか1項に記載のダイボンディング装置であって、
前記シャフトは、離間して平行に配置された2つの平板リンクによって前記ボンディングヘッドに取り付けられていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The shaft is attached to the bonding head by two flat link links spaced apart in parallel;
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項1から5のいずれか1項に記載のダイボンディング装置であって、
回転ガイドによって前記ボンディングヘッドに回転自在に取り付けられ、一端が前記シャフトに接続され、他端に前記ボンディングツールを前記半導体チップに押し付ける押圧荷重を付与するスプリングが接続されるレバーを含み、
前記回転ガイドは、2枚の板ばねを十字型に交差させた十字板ばねであること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A lever that is rotatably attached to the bonding head by a rotation guide, one end is connected to the shaft, and the other end is connected to a spring that applies a pressing load that presses the bonding tool against the semiconductor chip;
The rotation guide is a cross leaf spring in which two leaf springs are crossed in a cross shape;
A die bonding apparatus characterized by the above.
請求項6に記載のダイボンディング装置であって、
前記十字板ばねは、4つの端点を有し、そのうちの隣接する2つの端点は、前記レバーに接続され、他の2つの端点は、それぞれ前記ボンディングヘッドに取り付けられていること、
を特徴とするダイボンディング装置。
The die bonding apparatus according to claim 6, wherein
The cross leaf spring has four end points, of which two adjacent end points are connected to the lever, and the other two end points are respectively attached to the bonding head;
A die bonding apparatus characterized by the above.
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