JP5749473B2 - セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法に関する。
バス、トラック等の車両や建設機械等の内燃機関から排出される排ガス中のスス等のパティキュレートが、環境や人体に害を及ぼすことが近年問題となっている。そこで、多孔質セラミックからなるハニカム構造体を用いることにより、排ガス中のパティキュレートを捕集し、排ガスを浄化するパティキュレートフィルタが種々提案されている。
このようなハニカム構造体としては、例えば、炭化珪素等のセラミック材料等を含む混合物に押出成形、脱脂、焼成等の処理を行うことによって作製される角柱形状のハニカム焼成体が接着剤層を介して複数個結束されたものが用いられている。
ハニカム焼成体は、セラミック原料を成形、脱脂して作製されたハニカム脱脂体を焼成炉内で焼成することにより製造される。
特許文献１及び特許文献２には、脱脂後の炭化珪素成形体の焼成方法が記載されている。
特許文献１及び特許文献２には、脱脂後の炭化珪素成形体の焼成方法が記載されている。
特許文献１には、炭化珪素粉末とバインダーと分散媒液を含む柱状の炭化珪素成形体を脱脂した後、焼成用治具上に載置して焼成する炭化珪素成形体の焼成方法が記載されている。
特に、脱脂後の炭化珪素成形体を載置した焼成用治具を複数段に積み重ねて積層体を形成するとともに、上記積層体の上下方向にヒーターを配置して、上記ヒーターを用いて上記積層体を加熱することが記載されている。
特に、脱脂後の炭化珪素成形体を載置した焼成用治具を複数段に積み重ねて積層体を形成するとともに、上記積層体の上下方向にヒーターを配置して、上記ヒーターを用いて上記積層体を加熱することが記載されている。
特許文献２には、脱脂後の炭化珪素成形体の焼成に用いる焼成炉が開示されている。この焼成炉では、焼成室の内側にマッフルが配設され、マッフルを上下から矜持するように電極が配置されており、マッフルに電力が供給されるとマッフルが抵抗加熱で加熱されてマッフル内に収容された被焼成体が焼成されることが記載されている。
また、導電性を有する材料で形成された蓋部を有する有底箱状の焼成用治具内に、下駄材を配置し、下駄材の上に被焼成体を載置して収容し、焼成用治具及び被焼成体に通電して加熱する方法が記載されている。通電加熱による加熱方法の具体例としては、マッフルを上下から挟持するように電極を配置して、マッフルと焼成用治具の間に通電補助部材を配置して焼成用治具に通電する方法、及び、複数列並べられた焼成用治具の左右に電極を配置して、複数列の焼成用治具の間に通電補助部材を配置して焼成用治具に通電する方法が開示されている。
また、導電性を有する材料で形成された蓋部を有する有底箱状の焼成用治具内に、下駄材を配置し、下駄材の上に被焼成体を載置して収容し、焼成用治具及び被焼成体に通電して加熱する方法が記載されている。通電加熱による加熱方法の具体例としては、マッフルを上下から挟持するように電極を配置して、マッフルと焼成用治具の間に通電補助部材を配置して焼成用治具に通電する方法、及び、複数列並べられた焼成用治具の左右に電極を配置して、複数列の焼成用治具の間に通電補助部材を配置して焼成用治具に通電する方法が開示されている。
セラミック原料を成形、脱脂してなるセラミック脱脂体の焼成は、いわゆる連続焼成炉と呼ばれる焼成炉を用いて行うことができる。
連続焼成炉を用いた焼成では、セラミック脱脂体が収容された焼成用治具を搬入口から焼成炉内に投入し、ベルトコンベア等の搬送機構を用いて、セラミック脱脂体を焼成炉内で移動させる。
セラミック脱脂体の温度は、焼成炉内を移動するに従って上昇し、所定の焼成温度（例えば２２００℃）に達したらその温度でしばらくの間保持される。その後、焼成炉の搬出口から搬出される。
連続焼成炉を用いた焼成では、セラミック脱脂体が収容された焼成用治具を搬入口から焼成炉内に投入し、ベルトコンベア等の搬送機構を用いて、セラミック脱脂体を焼成炉内で移動させる。
セラミック脱脂体の温度は、焼成炉内を移動するに従って上昇し、所定の焼成温度（例えば２２００℃）に達したらその温度でしばらくの間保持される。その後、焼成炉の搬出口から搬出される。
連続焼成炉を用いた焼成方法においては、生産効率の向上のために、短い時間でセラミック脱脂体の温度を焼成温度まで昇温させることが望まれている。
このような連続焼成炉において、特許文献１に記載されたように、焼成用治具内にセラミック脱脂体を載置し、上下方向からヒーターを用いて加熱する方法を用いた場合には、セラミック脱脂体の温度上昇が遅いという問題点があった。
特に、周囲からの輻射伝熱によりセラミック脱脂体を昇温させるため、ヒーターから遠い焼成用治具の中心付近で昇温に時間を要するという問題があった。
特に、周囲からの輻射伝熱によりセラミック脱脂体を昇温させるため、ヒーターから遠い焼成用治具の中心付近で昇温に時間を要するという問題があった。
一方、特許文献２に記載されたように、焼成用治具及びセラミック脱脂体に通電して加熱する方法を用いた場合であっても、セラミック脱脂体の温度上昇が遅く、さらに短い時間でセラミック脱脂体の温度を焼成温度まで昇温させることが望まれていた。
本発明者らは、昇温速度を速くするために、特許文献１に記載されたようなヒーターを用いた抵抗加熱と特許文献２に記載されたような直接通電加熱とを併用して焼成温度までの昇温を短時間で行うことを試みた。
しかしながら、このような方法で急速にセラミック脱脂体の昇温を行うと、熱衝撃によりセラミック脱脂体に割れが発生することがあり、良好な焼成ができないことが判明した。
しかしながら、このような方法で急速にセラミック脱脂体の昇温を行うと、熱衝撃によりセラミック脱脂体に割れが発生することがあり、良好な焼成ができないことが判明した。
このことから、焼成温度までの昇温を短時間で行うことができ、かつ、セラミック脱脂体に生じる割れを防止することができる焼成方法を開発する必要があった。
本発明者らは、上記問題点を解決するためにさらに検討を行った結果、２０００℃までの温度領域において昇温速度を速くし過ぎた場合にセラミック脱脂体に割れが発生することを見出した。さらに、２０００℃から焼成温度（例えば、２０００℃〜２３００℃）までの昇温に特に時間がかかっていることを見出した。
そこで、本発明者らは、２０００℃までの温度領域においては昇温速度が速くなり過ぎないようにし、かつ、２０００℃から焼成温度（例えば、２０００℃〜２３００℃）までの昇温時間を短縮することを試みた。そして、２０００℃までは昇温速度が速くなり過ぎないように抵抗加熱のみを用いた予備加熱を行い、２０００℃から焼成温度に達するまでは直接通電加熱と抵抗加熱を併用して加熱を行うことによって、昇温に要する時間を短縮し、かつ、セラミック脱脂体に割れが発生しない焼成工程とすることができることを見出した。
また、焼成用治具及び下駄材を使用せずに、セラミック脱脂体の底面に下板を配置し、上面に上板を配置して、下板と上板に電圧をかけることによって効率よく直接通電加熱を行うことができることを見出した。
そして、上記知見を元に本発明に想到した。
そして、上記知見を元に本発明に想到した。
すなわち、請求項１に記載のセラミック焼成体の製造方法は、セラミック原料を成形、脱脂してセラミック脱脂体を作製する工程と、
上記セラミック脱脂体を連続焼成炉内で焼成する焼成工程とを含むセラミック焼成体の製造方法であって、
上記連続焼成炉内に、上記セラミック脱脂体の底面に下板を、上記セラミック脱脂体の上面に上板を配置し、上記上板及び上記下板に通電用電極をそれぞれ接触させて配置し、上記上板の上方及び上記下板の下方に抵抗加熱機構をそれぞれ配置し、
上記焼成工程では、
上記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により、上記セラミック脱脂体を１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行い、
上記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱と上記下板及び上記上板に電圧をかけることによって上記セラミック脱脂体に通電して加熱する直接通電加熱とを併用することにより、上記セラミック脱脂体を上記予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させ、さらに、上記セラミック脱脂体の温度を上記焼成温度で保持する高温焼成工程を行うことを特徴とする。
上記セラミック脱脂体を連続焼成炉内で焼成する焼成工程とを含むセラミック焼成体の製造方法であって、
上記連続焼成炉内に、上記セラミック脱脂体の底面に下板を、上記セラミック脱脂体の上面に上板を配置し、上記上板及び上記下板に通電用電極をそれぞれ接触させて配置し、上記上板の上方及び上記下板の下方に抵抗加熱機構をそれぞれ配置し、
上記焼成工程では、
上記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により、上記セラミック脱脂体を１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行い、
上記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱と上記下板及び上記上板に電圧をかけることによって上記セラミック脱脂体に通電して加熱する直接通電加熱とを併用することにより、上記セラミック脱脂体を上記予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させ、さらに、上記セラミック脱脂体の温度を上記焼成温度で保持する高温焼成工程を行うことを特徴とする。
請求項１に記載のセラミック焼成体の製造方法では、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う。予備加熱を抵抗加熱機構のみで行うと、昇温速度が速くなり過ぎることがなく、セラミック脱脂体に割れが発生することを防止することができる。
また、予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度までの昇温を、抵抗加熱と直接通電加熱を併用して行う。２つの加熱方法を併用して加熱することにより、この温度範囲での昇温に要する時間を短縮することができる。
このように、連続焼成炉内において抵抗加熱と直接通電加熱を温度範囲に応じて使い分けることにより、昇温に要する時間を短縮し、かつ、セラミック脱脂体に割れが発生しないようにしてセラミック脱脂体の焼成を行うことができる。
また、予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度までの昇温を、抵抗加熱と直接通電加熱を併用して行う。２つの加熱方法を併用して加熱することにより、この温度範囲での昇温に要する時間を短縮することができる。
このように、連続焼成炉内において抵抗加熱と直接通電加熱を温度範囲に応じて使い分けることにより、昇温に要する時間を短縮し、かつ、セラミック脱脂体に割れが発生しないようにしてセラミック脱脂体の焼成を行うことができる。
請求項２に記載のセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、上記下板と上記第２の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、２層からなるセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
このようにすると、２層からなるセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
請求項３に記載のセラミック焼成体の製造方法では、
第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、
上記第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体３層以上を有する積層体を作製し、
上記下板と最上段の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、多数のセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、
上記第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体３層以上を有する積層体を作製し、
上記下板と最上段の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、多数のセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
請求項４に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記連続焼成炉内に、複数列の上記セラミック脱脂体を並べ、上記通電用電極を上記複数列のセラミック脱脂体に合わせて複数列配置して、上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、複数列のセラミック脱脂体のそれぞれに均等に電流を流すことができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
このようにすると、複数列のセラミック脱脂体のそれぞれに均等に電流を流すことができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
請求項５に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記下板の面積及び上記上板の面積は、上記セラミック脱脂体の側面の面積よりも大きい。
このように面積の大きい面から直接通電加熱を行うと、複数列のセラミック焼成体を均一に加熱することができる。
このように面積の大きい面から直接通電加熱を行うと、複数列のセラミック焼成体を均一に加熱することができる。
請求項６に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記下板及び上記上板はカーボン製である。
カーボンは導電性を有するため、下板及び上板を介してセラミック脱脂体に好適に通電することができる。また、カーボンは耐熱性を有するため焼成炉内での使用に適している。
カーボンは導電性を有するため、下板及び上板を介してセラミック脱脂体に好適に通電することができる。また、カーボンは耐熱性を有するため焼成炉内での使用に適している。
請求項７に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記予備加熱工程における昇温速度は２〜８℃／分である。
このような昇温速度とすると、予備加熱工程においてセラミック焼成体に割れが発生することを好適に防止することができる。
このような昇温速度とすると、予備加熱工程においてセラミック焼成体に割れが発生することを好適に防止することができる。
請求項８に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記高温焼成工程における昇温速度は６〜１２℃／分である。
このような昇温速度とすると、高温焼成工程における昇温時間を短縮することができる。
このような昇温速度とすると、高温焼成工程における昇温時間を短縮することができる。
請求項９に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記セラミック焼成体は、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルを有する多孔質炭化珪素である。
このような形状の多孔質炭化珪素を製造した場合には、抵抗加熱のみを用いて焼成された多孔質炭化珪素に比べてその気孔径のばらつきを小さくすることができる。
このような形状の多孔質炭化珪素を製造した場合には、抵抗加熱のみを用いて焼成された多孔質炭化珪素に比べてその気孔径のばらつきを小さくすることができる。
請求項１０に記載のセラミック焼成体の製造方法では、上記多数のセルは、そのいずれかの端部が交互に封止されている。
請求項１１に記載のハニカム構造体の製造方法は、請求項１〜１０のいずれかに記載のセラミック焼成体の製造方法で製造されたセラミック焼成体を接着剤層を介して複数個接合させてハニカム構造体を製造することを特徴とする。
このような方法では、セラミック焼成体を効率よく製造することができるため、ハニカム構造体の製造を効率よく行うことができる。
このような方法では、セラミック焼成体を効率よく製造することができるため、ハニカム構造体の製造を効率よく行うことができる。
（第一実施形態）
以下、本発明のセラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法の一実施形態である第一実施形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本実施形態の焼成工程において使用する連続焼成炉について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係わる連続焼成炉の一例を模式的に示す正面図である。
以下、本発明のセラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法の一実施形態である第一実施形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本実施形態の焼成工程において使用する連続焼成炉について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係わる連続焼成炉の一例を模式的に示す正面図である。
図１に示す連続焼成炉２０を構成する横長の本体フレーム２２には、その搬入部２５及び搬出部２７を除く大部分に、管状であって耐熱材料からなるマッフル２３が横向きに支持されており、マッフル２３の入口部２３ａ付近には入口パージ室２４が設けられている。そして、搬入部２５は、入口パージ室２４よりも前段側、即ち図１における左側に設けられている。マッフル２３の後端部２３ｃには、冷却手段である冷却ジャケット２９が設けられている。マッフル２３の出口部２３ｂ付近には出口パージ室２６が設けられている。そして、搬出部２７は、出口パージ室２６よりも後段側、即ち図１における右側に設けられている。
また、マッフル２３の内部には、焼成対象物を搬送する搬送機構が敷設されており、搬送機構を駆動させることによって焼成対象物を入口部２３ａから出口部２３ｂに向かって、即ち図１の左側から右側に向かって移動させることができるようになっている。
連続焼成炉２０の、マッフル２３が敷設されている領域は、図１の左から順に予備加熱部Ｐ、高温焼成部Ｈ、冷却部Ｃに区画されている。
予備加熱部Ｐは、抵抗加熱によりセラミック脱脂体を室温から１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う部位である。
高温焼成部Ｈは、抵抗加熱と直接通電加熱とを併用することにより、セラミック脱脂体を予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させ、さらに、セラミック脱脂体の温度を焼成温度で維持する高温焼成工程を行う部位である。
冷却部Ｃは、高温焼成工程を経たセラミック脱脂体を室温まで冷却させる冷却工程を行う部位である。
以下、連続焼成炉２０の予備加熱部Ｐ、高温焼成部Ｈ、冷却部Ｃについてそれぞれ説明する。
予備加熱部Ｐは、抵抗加熱によりセラミック脱脂体を室温から１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う部位である。
高温焼成部Ｈは、抵抗加熱と直接通電加熱とを併用することにより、セラミック脱脂体を予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させ、さらに、セラミック脱脂体の温度を焼成温度で維持する高温焼成工程を行う部位である。
冷却部Ｃは、高温焼成工程を経たセラミック脱脂体を室温まで冷却させる冷却工程を行う部位である。
以下、連続焼成炉２０の予備加熱部Ｐ、高温焼成部Ｈ、冷却部Ｃについてそれぞれ説明する。
図２は、図１に示した連続焼成炉の予備加熱部ＰのＡ−Ａ線断面図である。
図２に示す予備加熱部Ｐでは、その断面の中央にマッフル２３が設けられ、マッフル２３内の底部には搬送機構であるローラー２８が２列設けられている。
ローラー２８の上には、下板３０が載置され、下板３０の上に焼成対象物であるセラミック脱脂体１０が載置され、セラミック脱脂体１０の上には上板３１が載置されている。
ローラー２８は連続焼成炉の長手方向（図１に示す横方向）に多数設けられており、ローラー２８を駆動させることによって下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１をマッフル２３内でまとめて搬送できるようになっている。以後、下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１をまとめて搬送対象物（搬送対象物３２）と呼ぶこととする。
図２に示す予備加熱部Ｐでは、その断面の中央にマッフル２３が設けられ、マッフル２３内の底部には搬送機構であるローラー２８が２列設けられている。
ローラー２８の上には、下板３０が載置され、下板３０の上に焼成対象物であるセラミック脱脂体１０が載置され、セラミック脱脂体１０の上には上板３１が載置されている。
ローラー２８は連続焼成炉の長手方向（図１に示す横方向）に多数設けられており、ローラー２８を駆動させることによって下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１をマッフル２３内でまとめて搬送できるようになっている。以後、下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１をまとめて搬送対象物（搬送対象物３２）と呼ぶこととする。
下板３０及び上板３１の材質は特に限定されるものではないが、カーボン製であることが望ましい。カーボンは導電性及び耐熱性を共に有するためである。
マッフル２３の上下には、抵抗加熱機構４０が設けられている。抵抗加熱機構としてはグラファイトヒーター等を好適に使用することができる。
抵抗加熱機構４０に通電することで抵抗加熱機構が発熱し、その熱でマッフル２３を加熱することによってマッフル２３内の焼成対象物であるセラミック脱脂体１０を加熱することができる。
抵抗加熱機構４０の外側には断熱層４１が設けられている。
抵抗加熱機構４０に通電することで抵抗加熱機構が発熱し、その熱でマッフル２３を加熱することによってマッフル２３内の焼成対象物であるセラミック脱脂体１０を加熱することができる。
抵抗加熱機構４０の外側には断熱層４１が設けられている。
図３（ａ）は、図１に示した連続焼成炉の高温焼成部ＨのＢ−Ｂ線断面図であり、通電用電極を上板及び下板に接触させた状態を示している。
図３（ｂ）は、図３（ａ）において通電用電極を上板及び下板から離れるように移動させた状態を示している。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す高温焼成部Ｈでは、予備加熱部Ｐの構成に加えて通電用電極が設けられている。
通電用電極は、下板３０の下に配置された下側電極５０と上板３１上に配置された上側電極５１からなる。下側電極５０及び上側電極５１はそれぞれマッフル２３を貫通している。
下側電極５０はローラー２８と接触しないようにローラー２８の間に配置されている。
図３（ｂ）は、図３（ａ）において通電用電極を上板及び下板から離れるように移動させた状態を示している。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す高温焼成部Ｈでは、予備加熱部Ｐの構成に加えて通電用電極が設けられている。
通電用電極は、下板３０の下に配置された下側電極５０と上板３１上に配置された上側電極５１からなる。下側電極５０及び上側電極５１はそれぞれマッフル２３を貫通している。
下側電極５０はローラー２８と接触しないようにローラー２８の間に配置されている。
下側電極５０及び上側電極５１はそれぞれ上下に移動することができる。
高温焼成工程においては、図３（ａ）に示すように下側電極５０を上方に移動させて下板３０に接触させ、上側電極５１を下方に移動させて上板３１に接触させる。そして、下側電極５０及び上側電極５１に電圧をかけることによって下板３０及び上板３１の間のセラミック脱脂体１０に通電させて、セラミック脱脂体１０を直接通電加熱する。
また、直接通電加熱を行わないときには、図３（ｂ）に示すように下側電極５０及び上側電極５１をそれぞれ下板３０又は上板３１から離れるように上下方向に移動させる。
高温焼成工程においては、図３（ａ）に示すように下側電極５０を上方に移動させて下板３０に接触させ、上側電極５１を下方に移動させて上板３１に接触させる。そして、下側電極５０及び上側電極５１に電圧をかけることによって下板３０及び上板３１の間のセラミック脱脂体１０に通電させて、セラミック脱脂体１０を直接通電加熱する。
また、直接通電加熱を行わないときには、図３（ｂ）に示すように下側電極５０及び上側電極５１をそれぞれ下板３０又は上板３１から離れるように上下方向に移動させる。
高温焼成部Ｈにおいては、予備加熱部Ｐと同様にマッフル２３の上下に抵抗加熱機構４０が設けられている。そして、直接通電加熱と抵抗加熱を併用することによってセラミック脱脂体１０を焼成温度まで昇温させ、焼成温度で保持することができる。
冷却部Ｃの断面図の図示は省略するが、抵抗加熱機構、並びに、上側電極及び下側電極のいずれの加熱機構も設けられていない他は図２に示した予備加熱部Ｐの構成とほぼ同様である。
加熱機構が設けられていないため、冷却部Ｃを通過する焼成対象物の温度は徐々に低下することとなる。
そして、マッフルの出口部付近において焼成対象物の温度がほぼ室温（例えば、２５℃）になるように冷却部Ｃの温度、及び長さ、並びに、冷却部Ｃにおける搬送速度が調整される。
冷却部Ｃには、焼成対象物に風を吹きつけることによって焼成対象物の冷却を促進するブロア等の冷却機構が設けられていても良い。
加熱機構が設けられていないため、冷却部Ｃを通過する焼成対象物の温度は徐々に低下することとなる。
そして、マッフルの出口部付近において焼成対象物の温度がほぼ室温（例えば、２５℃）になるように冷却部Ｃの温度、及び長さ、並びに、冷却部Ｃにおける搬送速度が調整される。
冷却部Ｃには、焼成対象物に風を吹きつけることによって焼成対象物の冷却を促進するブロア等の冷却機構が設けられていても良い。
次に、このような連続焼成炉を用いてセラミック焼成体を製造する本実施形態のセラミック焼成体の製造方法について説明する。
まず、焼成対象物であるセラミック脱脂体を作製する。
セラミック脱脂体は、例えば、多孔質炭化珪素からなるセラミック粉末とバインダとを含む湿潤混合物を成形することによってセラミック成形体を作製し、乾燥させた後に所定の温度で脱脂して成形体中の有機物を加熱除去することによって作製する。
本実施形態では、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルを有する多孔質炭化珪素からなる角柱状のセラミック焼成体を製造する場合を例にして以後の工程を説明する。
セラミック焼成体の形状の一例は、ハニカム構造体の製造方法の説明において後述する。
まず、焼成対象物であるセラミック脱脂体を作製する。
セラミック脱脂体は、例えば、多孔質炭化珪素からなるセラミック粉末とバインダとを含む湿潤混合物を成形することによってセラミック成形体を作製し、乾燥させた後に所定の温度で脱脂して成形体中の有機物を加熱除去することによって作製する。
本実施形態では、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルを有する多孔質炭化珪素からなる角柱状のセラミック焼成体を製造する場合を例にして以後の工程を説明する。
セラミック焼成体の形状の一例は、ハニカム構造体の製造方法の説明において後述する。
次に、このようなセラミック脱脂体を、図１に示す連続焼成炉に投入して焼成工程を行うが、連続焼成炉にセラミック脱脂体を投入する前に、セラミック脱脂体の底面に下板を、セラミック脱脂体の上面に上板を配置する。
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、本発明の実施形態に係わるセラミック脱脂体の底面に下板を、セラミック脱脂体の上面に上板を配置する手順の一例を模式的に示す斜視図である。
まず、図４（ａ）に示すようにカーボン製の下板３０を準備する。
そして、図４（ｂ）に示すように角柱状のセラミック脱脂体１０を下板３０の上に並べて配置する。セラミック脱脂体１０を並べる数は特に限定されるものではなく、１つでも良く、複数であっても良い。
そして、図４（ｃ）に示すようにカーボン製の上板３１をセラミック脱脂体１０の上面に配置する。
このようにして下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１を配置し搬送対象物３２を作製する。
なお、下板３０と上板３１はその配置する位置が異なるだけで材料としては同じカーボン製の平板を使用することができる。
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、本発明の実施形態に係わるセラミック脱脂体の底面に下板を、セラミック脱脂体の上面に上板を配置する手順の一例を模式的に示す斜視図である。
まず、図４（ａ）に示すようにカーボン製の下板３０を準備する。
そして、図４（ｂ）に示すように角柱状のセラミック脱脂体１０を下板３０の上に並べて配置する。セラミック脱脂体１０を並べる数は特に限定されるものではなく、１つでも良く、複数であっても良い。
そして、図４（ｃ）に示すようにカーボン製の上板３１をセラミック脱脂体１０の上面に配置する。
このようにして下板３０、セラミック脱脂体１０、上板３１を配置し搬送対象物３２を作製する。
なお、下板３０と上板３１はその配置する位置が異なるだけで材料としては同じカーボン製の平板を使用することができる。
本実施形態では、下板の面積及び上板の面積は、セラミック脱脂体の側面の面積よりも大きくなっている。セラミック脱脂体の側面の面積は図４（ｂ）で符号１１で示す面の面積又は符号１２で示す面の面積、すなわち上板又は下板と接触しない面の面積を意味する。
また、下板の面積及び上板の面積とは下板及び上板の主面（最も広い面）の面積を意味する。
また、下板の面積及び上板の面積とは下板及び上板の主面（最も広い面）の面積を意味する。
作製した搬送対象物３２を、図１に示す連続焼成炉２０の搬入部２５に配置し、連続焼成炉２０のローラー２８（図２参照）を駆動させて、入口パージ室２４に向かって移動させる。入口パージ室２４では、必要に応じて炉内雰囲気を空気雰囲気からアルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気に調整する。さらに、搬送対象物３２をマッフル２３の入口部２３ａに向かって移動させる。
搬送対象物３２は、連続焼成炉２０のマッフル２３内の予備加熱部Ｐに搬送される。
予備焼成部Ｐにおいては、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により、セラミック脱脂体を加熱して室温（例えば、２５℃）から１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う。
本実施形態においては予備加熱工程における昇温速度を２〜８℃／分とするが、昇温速度は特に限定されるものではない。
また、本実施形態では予備加熱部における気体の雰囲気はアルゴン雰囲気とするが、気体の雰囲気はセラミック脱脂体の種類、形状等に応じて任意に設定すればよい。
予備焼成部Ｐにおいては、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により、セラミック脱脂体を加熱して室温（例えば、２５℃）から１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う。
本実施形態においては予備加熱工程における昇温速度を２〜８℃／分とするが、昇温速度は特に限定されるものではない。
また、本実施形態では予備加熱部における気体の雰囲気はアルゴン雰囲気とするが、気体の雰囲気はセラミック脱脂体の種類、形状等に応じて任意に設定すればよい。
予備加熱工程を経た搬送対象物３２は、マッフル２３内の高温焼成部Ｈに搬送される。
高温焼成部Ｈにおいては、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱と下板及び上板に電圧をかけることによってセラミック脱脂体に通電して加熱する直接通電加熱とを併用することにより、セラミック脱脂体を予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させる。
本実施形態においては予備加熱温度から焼成温度までの昇温速度を６〜１２℃／分とするが、昇温速度は特に限定されるものではない。
高温焼成部Ｈにおいては、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱と下板及び上板に電圧をかけることによってセラミック脱脂体に通電して加熱する直接通電加熱とを併用することにより、セラミック脱脂体を予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させる。
本実施形態においては予備加熱温度から焼成温度までの昇温速度を６〜１２℃／分とするが、昇温速度は特に限定されるものではない。
以下、直接通電加熱について図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して詳しく説明する。
搬送対象物３２が高温焼成部Ｈに搬送される前には、図３（ｂ）に示すように下側電極５０は下方に、上側電極５１は上方に位置するようにしておく。
そして、搬送対象物３２が高温焼成部Ｈ内の所定の位置、すなわち、下側電極５０と上側電極５１に挟まれる位置にまで搬送されてきたら、搬送機構であるローラー２８の駆動を停止する。
次に、図３（ａ）に示すように下側電極５０を上方に移動させて下板３０に接触させ、上側電極５１を下方に移動させて上板３１に接触させる。
次に、下側電極５０及び上側電極５１に電圧をかけることによって下板３０及び上板３１の間のセラミック脱脂体１０に通電して、セラミック脱脂体１０の直接通電加熱を行う。
搬送対象物３２が高温焼成部Ｈに搬送される前には、図３（ｂ）に示すように下側電極５０は下方に、上側電極５１は上方に位置するようにしておく。
そして、搬送対象物３２が高温焼成部Ｈ内の所定の位置、すなわち、下側電極５０と上側電極５１に挟まれる位置にまで搬送されてきたら、搬送機構であるローラー２８の駆動を停止する。
次に、図３（ａ）に示すように下側電極５０を上方に移動させて下板３０に接触させ、上側電極５１を下方に移動させて上板３１に接触させる。
次に、下側電極５０及び上側電極５１に電圧をかけることによって下板３０及び上板３１の間のセラミック脱脂体１０に通電して、セラミック脱脂体１０の直接通電加熱を行う。
直接通電加熱を行う場合には、電極と上板及び下板との接触を確保するために、上側電極から上板に向かって力を加え、下側電極から下板に向かって力を加えることが望ましい。
加える力の大きさは上板及び下板の強度等に応じて設定する必要があるが、例えば上板及び下板が厚さ１６ｍｍのカーボン製の平板である場合、４００〜８００ｋｇｆであることが望ましい。
加える力の大きさは上板及び下板の強度等に応じて設定する必要があるが、例えば上板及び下板が厚さ１６ｍｍのカーボン製の平板である場合、４００〜８００ｋｇｆであることが望ましい。
また、直接通電加熱における印加電圧は、設定する昇温速度及びセラミック脱脂体の材質等によって任意に設定することができる。
例えば、電圧は３〜１００Ｖ、電流は５０〜５０００Ａとすることが望ましい。
例えば、電圧は３〜１００Ｖ、電流は５０〜５０００Ａとすることが望ましい。
高温焼成部では、直接通電加熱と抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱を併用する。直接通電加熱により加える熱量と抵抗加熱により加える熱量の割合は特に限定されるものではなく、所定の昇温速度になるように割合を調整すればよい。直接通電加熱により加えられる熱量の割合を相対的に大きくすると、同じ熱量をセラミック脱脂体に加える際に使用する電力量を少なくすることができる。
高温焼成部では、セラミック脱脂体を２０００〜２３００℃の焼成温度まで昇温させた後に、さらに、セラミック脱脂体の温度を焼成温度で保持する。
セラミック脱脂体を焼成温度で保持する際においても直接通電加熱と抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱を併用する。この場合も、直接通電加熱と抵抗加熱により加える熱量を適宜調整して、セラミック脱脂体の温度を所定の焼成温度で保持するようにする。
なお、本実施形態では高温焼成部における気体の雰囲気はアルゴン雰囲気とするが、気体の雰囲気はセラミック脱脂体の種類、形状等に応じて任意に設定すればよい。
セラミック脱脂体を焼成温度で保持する際においても直接通電加熱と抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱を併用する。この場合も、直接通電加熱と抵抗加熱により加える熱量を適宜調整して、セラミック脱脂体の温度を所定の焼成温度で保持するようにする。
なお、本実施形態では高温焼成部における気体の雰囲気はアルゴン雰囲気とするが、気体の雰囲気はセラミック脱脂体の種類、形状等に応じて任意に設定すればよい。
なお、高温焼成部で行う高温焼成工程は、予備加熱温度から焼成温度までの昇温と焼成温度での保持を合わせた工程を意味する。この高温焼成工程を経て、セラミック脱脂体は焼成されてセラミック焼成体となる。高温焼成工程においては、搬送機構の駆動を停止させておき、下側電極を下板に接触させ、上側電極を上板に接触させた状態を維持して、焼成温度までの昇温と焼成温度での保持を連続的に行うことができる。
高温焼成工程が終了したら、搬送機構を駆動させ、高温焼成工程を経て焼成されたセラミック焼成体をマッフル２３内の冷却部Ｃ（図１参照）に搬送する。
冷却部Ｃではセラミック焼成体の温度を徐々に低下させ、セラミック焼成体の温度がほぼ室温程度（例えば、２５℃）になったところでマッフル２３の出口部２３ｂ（図１参照）から搬送対象物３２を搬出させ、出口パージ室２６（図１参照）に向かって移動させる。
出口パージ室２６では、必要に応じて炉内雰囲気をアルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気から空気雰囲気に調整する。
そして、連続焼成炉２０の搬出部２７から搬送対象物３２を搬出し、焼成工程を終了する。
冷却部Ｃではセラミック焼成体の温度を徐々に低下させ、セラミック焼成体の温度がほぼ室温程度（例えば、２５℃）になったところでマッフル２３の出口部２３ｂ（図１参照）から搬送対象物３２を搬出させ、出口パージ室２６（図１参照）に向かって移動させる。
出口パージ室２６では、必要に応じて炉内雰囲気をアルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気から空気雰囲気に調整する。
そして、連続焼成炉２０の搬出部２７から搬送対象物３２を搬出し、焼成工程を終了する。
次に、本実施形態のハニカム構造体の製造方法について説明する。
本実施形態では、焼成対象物であるセラミック脱脂体が、ハニカム形状のハニカム脱脂体であり、ハニカム脱脂体を焼成することによってハニカム焼成体を作製する。そして、ハニカム焼成体を複数個接合させてハニカム構造体を製造する。
まず、本実施形態で製造するハニカム構造体及びハニカム焼成体について以下に説明する。
本実施形態では、焼成対象物であるセラミック脱脂体が、ハニカム形状のハニカム脱脂体であり、ハニカム脱脂体を焼成することによってハニカム焼成体を作製する。そして、ハニカム焼成体を複数個接合させてハニカム構造体を製造する。
まず、本実施形態で製造するハニカム構造体及びハニカム焼成体について以下に説明する。
図５は、本発明の第一実施形態で製造するハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ａ）は、本発明の実施形態に係わるハニカム焼成体の一例を模式的に示した斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
図５に示すハニカム構造体１００では、多孔質炭化ケイ素からなる、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すような形状のハニカム焼成体１１０がシール材層（接着剤層）１０１を介して複数個結束されてセラミックブロック１０３を構成し、さらに、このセラミックブロック１０３の外周にシール材層（コート層）１０２が形成されている。
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すハニカム焼成体１１０には、多数のセル１１１がセル壁１１３を隔てて長手方向（図６（ａ）中、ａの方向）に並設されており、セル１１１のいずれかの端部が封止材１１２で封止されている。従って、一方の端面が開口したセル１１１に流入した排ガスＧは、必ずセル１１１を隔てるセル壁１１３を通過した後、他方の端面が開口した他のセル１１１から流出するようになっている。
従って、セル壁１１３がＰＭ等を捕集するためのフィルタとして機能する。
従って、セル壁１１３がＰＭ等を捕集するためのフィルタとして機能する。
以下、本実施形態のハニカム構造体の製造方法について説明する。
まず、セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを混合して混合粉末を調製し、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合し、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
まず、セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを混合して混合粉末を調製し、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合し、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
続いて、上記湿潤混合物を押出成形機に投入して押出成形する成形工程を行い、所定の形状のハニカム成形体を作製する。
次に、ハニカム成形体の両端を切断装置を用いて切断する切断工程を行い、ハニカム成形体を所定の長さに切断し、切断したハニカム成形体を乾燥機を用いて乾燥する。
次いで、セルのいずれか一方の端部に、封止材となる封止材ペーストを所定量充填し、セルを目封じする。このような工程を経て、セル封止ハニカム成形体を作製する。
次いで、セルのいずれか一方の端部に、封止材となる封止材ペーストを所定量充填し、セルを目封じする。このような工程を経て、セル封止ハニカム成形体を作製する。
次に、セル封止ハニカム成形体中の有機物を脱脂炉中で加熱する脱脂工程を行い、ハニカム脱脂体を作製する。このハニカム脱脂体の形状は図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すハニカム焼成体の形状とほぼ同様である。
そして、ハニカム脱脂体を焼成炉に搬送し、本実施形態のセラミック焼成体の製造方法における焼成工程を行うことによって、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す形状のハニカム焼成体を作製する。
続いて、ハニカム焼成体間に接着剤ペースト層を形成し、接着剤ペースト層を加熱固化して接着剤層とし、接着剤層を介して複数のハニカム焼成体を結束させてセラミックブロックとする結束工程を行う。
その後、ダイヤモンドカッターを用いてセラミックブロックの外周を研削して略円柱状のセラミックブロックとする外周研削工程を行う。
さらに、略円柱状のセラミックブロックの外周面にシール材ペーストを塗布し、シール材ペーストを乾燥固化させてシール材層を形成するシール材層形成工程を行う。
なお、上記シール材ペーストとしては、上記接着剤ペースト層を形成するための接着剤ペーストと同様のペーストを使用することができる。
以上の工程によって、ハニカム構造体を製造する。
さらに、略円柱状のセラミックブロックの外周面にシール材ペーストを塗布し、シール材ペーストを乾燥固化させてシール材層を形成するシール材層形成工程を行う。
なお、上記シール材ペーストとしては、上記接着剤ペースト層を形成するための接着剤ペーストと同様のペーストを使用することができる。
以上の工程によって、ハニカム構造体を製造する。
以下、本実施形態のセラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法の作用効果について列挙する。
（１）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う。予備加熱を抵抗加熱機構のみで行うと、昇温速度が速くなり過ぎることがなく、セラミック脱脂体に割れが発生することを防止することができる。
（１）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで昇温させる予備加熱工程を行う。予備加熱を抵抗加熱機構のみで行うと、昇温速度が速くなり過ぎることがなく、セラミック脱脂体に割れが発生することを防止することができる。
（２）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度までの昇温を、抵抗加熱と直接通電加熱を併用して行う。２つの加熱方法を併用して加熱することにより、この温度範囲での昇温に要する時間を短縮することができる。
（３）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、下板の面積及び上板の面積は、セラミック脱脂体の側面の面積よりも大きい。
このように面積の大きい面から直接通電加熱を行うと、複数列のセラミック焼成体を均一に加熱することができる。
このように面積の大きい面から直接通電加熱を行うと、複数列のセラミック焼成体を均一に加熱することができる。
（４）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、下板及び上板はカーボン製である。
カーボンは導電性を有するため、下板及び上板を介してセラミック脱脂体に好適に通電することができる。また、カーボンは耐熱性を有するため焼成炉内での使用に適している。
カーボンは導電性を有するため、下板及び上板を介してセラミック脱脂体に好適に通電することができる。また、カーボンは耐熱性を有するため焼成炉内での使用に適している。
（５）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、予備加熱工程における昇温速度は２〜８℃／分である。このような昇温速度とすると、予備加熱工程においてセラミック焼成体に割れが発生することを好適に防止することができる。
（６）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、高温焼成工程における昇温速度は６〜１２℃／分である。
このような昇温速度とすると、高温焼成工程における昇温時間を短縮することができる。
このような昇温速度とすると、高温焼成工程における昇温時間を短縮することができる。
（７）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、セラミック焼成体は、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルを有する多孔質炭化珪素からなる。このような形状の多孔質炭化珪素を製造した場合には、抵抗加熱のみを用いて焼成された多孔質炭化珪素に比べてその気孔径のばらつきを小さくすることができる。
（８）本実施形態のハニカム構造体の製造方法では、本実施形態のセラミック焼成体の製造方法で製造されたセラミック焼成体を接着剤層を介して複数個接合させてハニカム構造体を製造する。
このような方法では、セラミック焼成体を効率よく製造することができるため、ハニカム構造体の製造を効率よく行うことができる。
このような方法では、セラミック焼成体を効率よく製造することができるため、ハニカム構造体の製造を効率よく行うことができる。
以下、本発明の第一実施形態をより具体的に開示した実施例を示すが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
なお、以下の実施例及び比較例では、セラミック焼成体として図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すような形状のハニカム焼成体を製造し、その製造に要した時間及び品質を評価した。
なお、以下の実施例及び比較例では、セラミック焼成体として図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すような形状のハニカム焼成体を製造し、その製造に要した時間及び品質を評価した。
（実施例１）
（ハニカム脱脂体の作製工程）
平均粒子径２２μｍを有する炭化ケイ素の粗粉末５２．８重量％と、平均粒子径０．５μｍの炭化ケイ素の微粉末２２．６重量％とを混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂２．１重量％、有機バインダ（メチルセルロース）４．６重量％、潤滑剤（日油社製 ユニルーブ）２．８重量％、グリセリン１．３重量％、及び、水１３．８重量％を加えて混練して混合組成物を得た後、押出成形する押出成形工程を行い、所定の長さに切断して図６（ａ）に示した形状と略同様の形状であって、セルの目封じをしていない生のハニカム成形体を作製した。
（ハニカム脱脂体の作製工程）
平均粒子径２２μｍを有する炭化ケイ素の粗粉末５２．８重量％と、平均粒子径０．５μｍの炭化ケイ素の微粉末２２．６重量％とを混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂２．１重量％、有機バインダ（メチルセルロース）４．６重量％、潤滑剤（日油社製 ユニルーブ）２．８重量％、グリセリン１．３重量％、及び、水１３．８重量％を加えて混練して混合組成物を得た後、押出成形する押出成形工程を行い、所定の長さに切断して図６（ａ）に示した形状と略同様の形状であって、セルの目封じをしていない生のハニカム成形体を作製した。
次いで、マイクロ波乾燥機を用いて生のハニカム成形体を乾燥させ、その大きさが３４．３ｍｍ×３４．３ｍｍ×１５０ｍｍ、セルの数（セル密度）が４６．５個／ｃｍ２、セル壁の厚さが０．２５ｍｍ（１０ｍｉｌ）の炭化ケイ素成形体からなるハニカム成形体の乾燥体とした後、上記生のハニカム成形体と同様の組成のペースト（混合組成物）を所定のセルに充填し、再び乾燥機を用いて乾燥させた。
さらに、ハニカム成形体の乾燥体を４００℃で脱脂する脱脂工程を行い、図６（ａ）に示した形状と略同様の形状のハニカム脱脂体を作製した。
さらに、ハニカム成形体の乾燥体を４００℃で脱脂する脱脂工程を行い、図６（ａ）に示した形状と略同様の形状のハニカム脱脂体を作製した。
（焼成工程）
作製したハニカム脱脂体を、図１、図２及び図３に示したような連続焼成炉を用いて焼成する焼成工程を以下の手順で行った。
まず、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示したような手順で下板の上にハニカム脱脂体を配置し、ハニカム脱脂体の上に上板を配置して搬送対象物を作製した。
搬送対象物は、下板の上にハニカム脱脂体が６本並べられ、その上に上板が配置された構成とした。
下板及び上板としては、厚さ１６ｍｍ、主面の大きさが３００ｍｍ×３００ｍｍであるカーボン製の平板を用いた。
作製したハニカム脱脂体を、図１、図２及び図３に示したような連続焼成炉を用いて焼成する焼成工程を以下の手順で行った。
まず、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示したような手順で下板の上にハニカム脱脂体を配置し、ハニカム脱脂体の上に上板を配置して搬送対象物を作製した。
搬送対象物は、下板の上にハニカム脱脂体が６本並べられ、その上に上板が配置された構成とした。
下板及び上板としては、厚さ１６ｍｍ、主面の大きさが３００ｍｍ×３００ｍｍであるカーボン製の平板を用いた。
そして、搬送対象物を連続焼成炉のローラー上に載置し、ローラーを駆動させて搬送対象物を順次マッフル内に搬送した。マッフル内にはアルゴンガスを流してアルゴン雰囲気とした。
まず、搬送対象物をマッフル内の予備加熱部に搬送した。そして、搬送対象物を搬送しながら抵抗加熱機構（カーボンヒーター）を用いて抵抗加熱を行い、ハニカム脱脂体の温度が２０００℃になるまで昇温させる予備加熱工程を行った。加熱開始から２０００℃までの昇温に要した時間は３２５分であった。
まず、搬送対象物をマッフル内の予備加熱部に搬送した。そして、搬送対象物を搬送しながら抵抗加熱機構（カーボンヒーター）を用いて抵抗加熱を行い、ハニカム脱脂体の温度が２０００℃になるまで昇温させる予備加熱工程を行った。加熱開始から２０００℃までの昇温に要した時間は３２５分であった。
続いて、搬送対象物をマッフル内の高温焼成部に搬送した。そして、搬送対象物の下板に下側電極を、上板に上側電極をそれぞれ接触させて、下側電極及び上側電極に電圧をかけることによって下板と上板の間のハニカム脱脂体に通電して、ハニカム脱脂体の直接通電加熱を行った。
また、マッフルの上下に設けられた抵抗加熱機構（カーボンヒーター）を用いて抵抗加熱を併せて行った。そして、直接通電加熱と抵抗加熱を併用することによってハニカム脱脂体を予備加熱温度である２０００℃から焼成温度の２２００℃まで昇温させた。２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は３０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３５５分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３５５分であった。
その後、直接通電加熱と抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱を併用してハニカム脱脂体を焼成温度の２２００℃で６０分保持して、高温焼成工程を完了した。
高温焼成工程を経てハニカム脱脂体は焼成されてハニカム焼成体となった。
高温焼成工程を経てハニカム脱脂体は焼成されてハニカム焼成体となった。
続いて、搬送対象物をマッフル内の冷却部に搬送し、冷却部内でハニカム焼成体の温度を徐々に低下させ、セラミック焼成体の温度がほぼ室温程度になったところでマッフルから搬送対象物を搬出させた。
続いて、出口パージ室で炉内雰囲気を空気雰囲気にして、連続焼成炉の搬出部から搬送対象物を搬出して焼成工程を終了した。
上記工程を経て、気孔率が４５％、平均気孔径が１５μｍ、大きさが３４．３ｍｍ×３４．３ｍｍ×１５０ｍｍ、セルの数（セル密度）が４６．５個／ｃｍ２、セル壁の厚さが０．２５ｍｍ（１０ｍｉｌ）の炭化ケイ素焼結体からなるハニカム焼成体を製造した。
続いて、出口パージ室で炉内雰囲気を空気雰囲気にして、連続焼成炉の搬出部から搬送対象物を搬出して焼成工程を終了した。
上記工程を経て、気孔率が４５％、平均気孔径が１５μｍ、大きさが３４．３ｍｍ×３４．３ｍｍ×１５０ｍｍ、セルの数（セル密度）が４６．５個／ｃｍ２、セル壁の厚さが０．２５ｍｍ（１０ｍｉｌ）の炭化ケイ素焼結体からなるハニカム焼成体を製造した。
（比較例１）
予備加熱工程までは実施例１と同様にして、高温焼成工程において直接通電加熱を行わず、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱のみによってハニカム脱脂体を予備加熱温度である２０００℃から焼成温度の２２００℃まで昇温させた。２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は５０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３７５分であった。
予備加熱工程までは実施例１と同様にして、高温焼成工程において直接通電加熱を行わず、抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱のみによってハニカム脱脂体を予備加熱温度である２０００℃から焼成温度の２２００℃まで昇温させた。２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は５０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３７５分であった。
（比較例２）
予備加熱工程までは実施例１と同様にして、高温焼成工程において抵抗加熱を行わず、直接通電加熱のみを行ってハニカム焼成体の製造を行った。２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は６０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３８５分であった。
予備加熱工程までは実施例１と同様にして、高温焼成工程において抵抗加熱を行わず、直接通電加熱のみを行ってハニカム焼成体の製造を行った。２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は６０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は３８５分であった。
（比較例３）
予備加熱部にも高温焼成部と同様の通電加熱機構を備えた実施例１で使用した装置と同じ連続焼成炉を用いて、予備加熱工程及び高温焼成工程の両方において抵抗加熱と直接通電加熱を併用してハニカム焼成体の製造を行った。
予備加熱温度である２０００℃までの昇温に要した時間は１２０分であり、２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は３０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は１５０分であった。
比較例３では、製造した６個のハニカム焼成体のうち２個に割れが生じていた。
予備加熱部にも高温焼成部と同様の通電加熱機構を備えた実施例１で使用した装置と同じ連続焼成炉を用いて、予備加熱工程及び高温焼成工程の両方において抵抗加熱と直接通電加熱を併用してハニカム焼成体の製造を行った。
予備加熱温度である２０００℃までの昇温に要した時間は１２０分であり、２０００℃から２２００℃までの昇温に要した時間は３０分であった。
すなわち、加熱開始から２２００℃までの昇温に要した時間は１５０分であった。
比較例３では、製造した６個のハニカム焼成体のうち２個に割れが生じていた。
（ハニカム焼成体の評価）
実施例１及び比較例１で製造したハニカム焼成体（各６本）について、以下の手順によりその気孔径分布、圧力損失、曲げ強度の評価を行った。
実施例１及び比較例１で製造したハニカム焼成体（各６本）について、以下の手順によりその気孔径分布、圧力損失、曲げ強度の評価を行った。
（気孔径分布の評価）
ハニカム焼成体のセル壁の一部を切り出して、水銀圧入法によるポロシメーター（島津製作所社製、オートポアＩＩＩ ９４２０）を用い、細孔直径０．１〜３６０μｍの範囲でセル壁の細孔分布を測定した。その結果から平均気孔径及び気孔径分布のばらつき（σ）を算出した。
ハニカム焼成体のセル壁の一部を切り出して、水銀圧入法によるポロシメーター（島津製作所社製、オートポアＩＩＩ ９４２０）を用い、細孔直径０．１〜３６０μｍの範囲でセル壁の細孔分布を測定した。その結果から平均気孔径及び気孔径分布のばらつき（σ）を算出した。
（圧力損失の測定）
送風機の排気ガス管に、ハニカム焼成体を金属ケーシング内に固定して配置し、ハニカム焼成体の前後の圧力を検出可能になるように圧力計を取り付けた圧力損失測定装置を作製した。
そして、送風機を排気ガスの流通量が７５０ｍ３／ｈになるように運転し、運転開始から５分後の差圧（圧力損失）を測定した。複数個のハニカム焼成体について圧力損失を測定し、その平均値とばらつき（σ）を算出した。
送風機の排気ガス管に、ハニカム焼成体を金属ケーシング内に固定して配置し、ハニカム焼成体の前後の圧力を検出可能になるように圧力計を取り付けた圧力損失測定装置を作製した。
そして、送風機を排気ガスの流通量が７５０ｍ３／ｈになるように運転し、運転開始から５分後の差圧（圧力損失）を測定した。複数個のハニカム焼成体について圧力損失を測定し、その平均値とばらつき（σ）を算出した。
（曲げ強度の測定）
各ハニカム焼成体について、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じて３点曲げ試験を行い、ハニカム焼成体の曲げ強度（荷重）を測定した。
曲げ強度の測定の際には、インストロン試験機を用いて３点曲げ試験を行い、破断時の荷重（ＭＰａ）を測定した。なお、支点間距離は１３５ｍｍとした。
複数個のハニカム焼成体について曲げ強度を測定し、その平均値とばらつき（σ）を算出した。
各ハニカム焼成体について、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準じて３点曲げ試験を行い、ハニカム焼成体の曲げ強度（荷重）を測定した。
曲げ強度の測定の際には、インストロン試験機を用いて３点曲げ試験を行い、破断時の荷重（ＭＰａ）を測定した。なお、支点間距離は１３５ｍｍとした。
複数個のハニカム焼成体について曲げ強度を測定し、その平均値とばらつき（σ）を算出した。
各実施例及び比較例の焼成工程における加熱方法及び昇温所要時間、並びに、実施例１及び比較例１で製造したハニカム焼成体の気孔径分布、圧力損失及び曲げ強度の測定結果を表１にまとめて示した。
実施例１では高温焼成工程において抵抗加熱と直接通電加熱と抵抗加熱を併用しているため、２０００℃〜２２００℃の昇温所要時間が３０分であり、高温焼成工程において抵抗加熱のみを用いた比較例１に比べて２０分短くなっていた。
また、実施例１及び比較例１で製造したハニカム焼成体の特性を比較すると、気孔径、圧力損失、曲げ強度の平均値は同等であったが、実施例１では各測定値のばらつきが少なくなっていた。
このことから、実施例１のセラミック焼成体の製造方法では、気孔径、圧力損失、曲げ強度の値のばらつきを小さくして、かつ、短時間でセラミック焼成体を製造できることが判った。
また、実施例１及び比較例１で製造したハニカム焼成体の特性を比較すると、気孔径、圧力損失、曲げ強度の平均値は同等であったが、実施例１では各測定値のばらつきが少なくなっていた。
このことから、実施例１のセラミック焼成体の製造方法では、気孔径、圧力損失、曲げ強度の値のばらつきを小さくして、かつ、短時間でセラミック焼成体を製造できることが判った。
比較例２では高温焼成工程において直接通電加熱のみを用いており、２０００℃〜２２００℃の昇温所要時間が６０分と長くなっていた。
比較例３では、加熱開始から２２００℃までの昇温所要時間は１５０分と短かったものの、予備加熱工程における昇温速度が速すぎたことからハニカム焼成体に割れが発生していた。
比較例３では、加熱開始から２２００℃までの昇温所要時間は１５０分と短かったものの、予備加熱工程における昇温速度が速すぎたことからハニカム焼成体に割れが発生していた。
（第二実施形態）
以下、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本実施形態では、第一実施形態のセラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法において、連続焼成炉内に、複数のセラミック脱脂体を並べ、通電用電極を複数列のセラミック脱脂体に併せて複数列配置して直接通電加熱を行う。
以下、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本実施形態では、第一実施形態のセラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法において、連続焼成炉内に、複数のセラミック脱脂体を並べ、通電用電極を複数列のセラミック脱脂体に併せて複数列配置して直接通電加熱を行う。
図７は、本発明の第二実施形態で用いる連続焼成炉の高温焼成部の内部の一部分の一例を模式的に示す斜視図である。
図７において、１組の下板３０と上板３１の間には２本のセラミック脱脂体１０が配置されている。
１組の下板３０と上板３１の上下には、２本のセラミック脱脂体１０のそれぞれの位置に対応するように２組の下側電極５０及び上側電極５１が配置されている。
また、ローラー２８は下側電極５０と接触しないように３列設けられている。
図７において、１組の下板３０と上板３１の間には２本のセラミック脱脂体１０が配置されている。
１組の下板３０と上板３１の上下には、２本のセラミック脱脂体１０のそれぞれの位置に対応するように２組の下側電極５０及び上側電極５１が配置されている。
また、ローラー２８は下側電極５０と接触しないように３列設けられている。
連続焼成炉内には、１組の下板３０と上板３１及び２本のセラミック脱脂体１０からなる搬送対象物３２が複数個配置されて、各搬送対象物３２の上下に下側電極５０及び上側電極５１が配置されている。このように搬送対象物及び通電用電極が配置されていると、多数のセラミック脱脂体に対して一度に直接通電加熱を行うことができる。
本実施形態では第一実施形態において説明した効果（１）〜（８）を発揮することができるとともに、以下の効果を発揮することができる。
（９）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、連続焼成炉内に、複数のセラミック脱脂体を並べ、通電用電極を複数列のセラミック脱脂体に併せて複数列配置して直接通電加熱を行う。
このようにすると、複数列のセラミック脱脂体のそれぞれに均等に電流を流すことができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（９）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、連続焼成炉内に、複数のセラミック脱脂体を並べ、通電用電極を複数列のセラミック脱脂体に併せて複数列配置して直接通電加熱を行う。
このようにすると、複数列のセラミック脱脂体のそれぞれに均等に電流を流すことができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（第三実施形態）
以下、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態では、セラミック脱脂体とカーボン板が交互に配置されることによってセラミック脱脂体が多層に積層された積層体を作製し、最下板のカーボン板と最上段のカーボン板に電圧をかけることによって直接通電加熱を行う。
以下、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態では、セラミック脱脂体とカーボン板が交互に配置されることによってセラミック脱脂体が多層に積層された積層体を作製し、最下板のカーボン板と最上段のカーボン板に電圧をかけることによって直接通電加熱を行う。
図８は、本発明の実施形態に係わるセラミック脱脂体を３層積層した積層体及び通電用電極の一例を模式的に示した斜視図である。なお、積層体及び通電用電極以外の部材については省略して示している。
図８では、下板３０の上に第１層のセラミック脱脂体１０ａが配置され、第１層のセラミック脱脂体１０ａの上に第１の上板３１ａが配置されている。
さらに、第１の上板３１ａの上に第２層のセラミック脱脂体１０ｂ、第２の上板３１ｂ、第３層のセラミック脱脂体１０ｃ、第３の上板３１ｃが順番に配置されて、積層体３３が形成されている。
そして、下板３０には下側電極５０が、最上段の第３の上板３１ｃには上側電極５１がそれぞれ接触して直接通電加熱を行うことができるようになっている。
図８では、下板３０の上に第１層のセラミック脱脂体１０ａが配置され、第１層のセラミック脱脂体１０ａの上に第１の上板３１ａが配置されている。
さらに、第１の上板３１ａの上に第２層のセラミック脱脂体１０ｂ、第２の上板３１ｂ、第３層のセラミック脱脂体１０ｃ、第３の上板３１ｃが順番に配置されて、積層体３３が形成されている。
そして、下板３０には下側電極５０が、最上段の第３の上板３１ｃには上側電極５１がそれぞれ接触して直接通電加熱を行うことができるようになっている。
なお、図８にはセラミック脱脂体を３層積層した積層体の例を示したが、セラミック脱脂体を積層する層数は３層に限定されるものではなく、２層や４層、又は、５層以上の多層であってもよい。
セラミック脱脂体を２層積層する場合には、以下のような実施態様で加熱を行う。
すなわち、請求項２に係わるセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、
上記下板と上記第２の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
すなわち、請求項２に係わるセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、
上記下板と上記第２の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
また、セラミック脱脂体を３層以上積層する場合には、以下のような実施態様で加熱を行う。
すなわち、請求項３に係わるセラミック焼成体の製造方法では、
第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、
上記第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体３層以上を有する積層体を作製し、
上記下板と最上段の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
すなわち、請求項３に係わるセラミック焼成体の製造方法では、
第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、
上記第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体３層以上を有する積層体を作製し、
上記下板と最上段の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
本実施形態では第一実施形態において説明した効果（１）〜（８）を発揮することができるとともに、以下の効果を発揮することができる。
（１０）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、上記下板と上記第２の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、２層からなるセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（１１）また、本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体と上板が３層に積層された積層体を作製し、下板と最上段の上板に電圧をかけることによって直接通電加熱を行う。
このようにすると多数のセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（１０）本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、上記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、上記下板と上記第２の上板に電圧をかけることによって上記直接通電加熱を行う。
このようにすると、２層からなるセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（１１）また、本実施形態のセラミック焼成体の製造方法では、第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体と上板が３層に積層された積層体を作製し、下板と最上段の上板に電圧をかけることによって直接通電加熱を行う。
このようにすると多数のセラミック脱脂体に上下方向から同時に通電することができ、多くのハニカム焼成体を効率よく製造することができる。
（その他の実施形態）
第一実施形態で説明した連続焼成炉は、予備加熱部、高温焼成部、冷却部が一体化した焼成炉であるが、冷却部は予備加熱部及び高温焼成部と一体化していなくてもよく、焼成炉とは別の冷却装置であっても良い。この場合、高温焼成部からの出口側に冷却装置を配置して、高温焼成部から搬出された搬送対象物が順次冷却装置に導入されるようにする。
第一実施形態で説明した連続焼成炉は、予備加熱部、高温焼成部、冷却部が一体化した焼成炉であるが、冷却部は予備加熱部及び高温焼成部と一体化していなくてもよく、焼成炉とは別の冷却装置であっても良い。この場合、高温焼成部からの出口側に冷却装置を配置して、高温焼成部から搬出された搬送対象物が順次冷却装置に導入されるようにする。
本発明のセラミック焼成体の製造方法において抵抗加熱を行うために用いることのできる抵抗加熱機構としては、グラファイトヒーターの他に、ＳｉＣヒーター、Ｃ／Ｃコンポジットヒーター等が挙げられる。
下板及び上板は、セラミック脱脂体を挟んで直接通電加熱を行うことができる材質、形状であればよく、カーボン製の平板に限定されるものではない。
下板及び上板として使用することのできる材質として、カーボンの他には、ＳｉＣ、Ｃ／Ｃコンポジット等が挙げられる。
下板及び上板として使用することのできる材質として、カーボンの他には、ＳｉＣ、Ｃ／Ｃコンポジット等が挙げられる。
セラミック脱脂体及びセラミック焼成体の構成材料の主成分は、炭化ケイ素に限定されるわけではなく、他のセラミック原料として、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等の窒化物セラミック、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の炭化物セラミック、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト、チタン酸アルミニウム等の酸化物セラミック等のセラミック粉末が挙げられる。
これらのなかでは、非酸化物セラミックが好ましく、炭化ケイ素が特に好ましい。耐熱性、機械強度、熱伝導率等に優れるからである。なお、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料として挙げられ、これらのなかでは、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたもの（ケイ素含有炭化ケイ素）が望ましい。
これらのなかでは、非酸化物セラミックが好ましく、炭化ケイ素が特に好ましい。耐熱性、機械強度、熱伝導率等に優れるからである。なお、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料として挙げられ、これらのなかでは、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたもの（ケイ素含有炭化ケイ素）が望ましい。
本発明のハニカム構造体の製造方法において製造されるハニカム構造体は、そのセルの一方が封止されたハニカム構造体に限定されるものではない。セルの一方が封止されたハニカム構造体は、ハニカムフィルタとして好適に使用することができ、また、セルが封止されていないハニカム構造体は、触媒担体として好適に使用することができる。
従って、本実施形態のハニカム構造体の製造方法においては、必ずしも封止材ペーストの充填を行う必要はなく、必要に応じて充填を行えばよい。
従って、本実施形態のハニカム構造体の製造方法においては、必ずしも封止材ペーストの充填を行う必要はなく、必要に応じて充填を行えばよい。
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ セラミック脱脂体
２０ 連続焼成炉
３０ 下板
３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ 上板
３３ 積層体
４０ 抵抗加熱機構
５０ 下側電極（通電用電極）
５１ 上側電極（通電用電極）
１００ ハニカム構造体
１０１ 接着剤層
１１０ セラミック焼成体（ハニカム焼成体）
１１１ セル
１１２ 封止材
１１３ セル壁
２０ 連続焼成炉
３０ 下板
３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ 上板
３３ 積層体
４０ 抵抗加熱機構
５０ 下側電極（通電用電極）
５１ 上側電極（通電用電極）
１００ ハニカム構造体
１０１ 接着剤層
１１０ セラミック焼成体（ハニカム焼成体）
１１１ セル
１１２ 封止材
１１３ セル壁
Claims (8)
- 平均粒子径の異なる炭化珪素粉末と有機バインダとを混合したセラミック原料を成形、脱脂してセラミック脱脂体を作製する工程と、
前記セラミック脱脂体を連続焼成炉内で焼成する焼成工程とを含む、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルを有し、排ガスがセルを隔てる前記セル壁を通過することができる多孔質炭化珪素であるセラミック焼成体の製造方法であって、
前記連続焼成炉内に、前記セラミック脱脂体の底面に下板を、前記セラミック脱脂体の上面に上板を配置し、前記上板及び前記下板に通電用電極をそれぞれ接触させて配置し、前記上板の上方及び前記下板の下方に抵抗加熱機構をそれぞれ配置し、
前記焼成工程では、
前記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱により、前記セラミック脱脂体を１５００〜２０００℃の予備加熱温度まで、昇温速度は２〜８℃／分で昇温させる予備加熱工程を行い、
前記抵抗加熱機構を用いた抵抗加熱と前記下板及び前記上板に電圧をかけることによって前記セラミック脱脂体に通電して加熱する直接通電加熱とを併用することにより、前記セラミック脱脂体を前記予備加熱温度から２０００〜２３００℃の焼成温度まで、昇温速度は６〜１２℃／分で昇温させ、さらに、前記セラミック脱脂体の温度を前記焼成温度で保持する高温焼成工程を行うことを特徴とするセラミック焼成体の製造方法。 - 第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
前記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、さらに第２のセラミック脱脂体の上に第２の上板を配置してセラミック脱脂体２層を有する積層体を作製し、
前記下板と前記第２の上板に電圧をかけることによって前記直接通電加熱を行う請求項１に記載のセラミック焼成体の製造方法。 - 第１のセラミック脱脂体の底面に下板を、上面に第１の上板を配置し、
前記第１の上板の上面に第２のセラミック脱脂体を配置し、
前記第２のセラミック脱脂体の上面に第２の上板を配置し、以後、別のセラミック脱脂体と別の上板とを交互に配置することによってセラミック脱脂体３層以上を有する積層体を作製し、
前記下板と最上段の上板に電圧をかけることによって前記直接通電加熱を行う請求項１又は２に記載のセラミック焼成体の製造方法。 - 前記連続焼成炉内に、複数列の前記セラミック脱脂体を並べ、前記通電用電極を前記複数列のセラミック脱脂体に合わせて複数列配置して、前記直接通電加熱を行う請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック焼成体の製造方法。
- 前記下板の面積及び前記上板の面積は、前記セラミック脱脂体の側面の面積よりも大きい請求項４に記載のセラミック焼成体の製造方法。
- 前記下板及び前記上板はカーボン製である請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック焼成体の製造方法。
- 前記多数のセルは、そのいずれかの端部が交互に封止されている請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック焼成体の製造方法。
- 請求項１〜７のいずれかに記載のセラミック焼成体の製造方法で製造されたセラミック焼成体を接着剤層を介して複数個接合させてハニカム構造体を製造することを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
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