JPS6153163A - 多孔質炭化けい素焼結体の製造方法 - Google Patents

多孔質炭化けい素焼結体の製造方法

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JPS6153163A
JPS6153163A JP59172128A JP17212884A JPS6153163A JP S6153163 A JPS6153163 A JP S6153163A JP 59172128 A JP59172128 A JP 59172128A JP 17212884 A JP17212884 A JP 17212884A JP S6153163 A JPS6153163 A JP S6153163A
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silicon carbide
sintering
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sintered
porous
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高見沢 稔
戸出 孝
本宮 達彦
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は多孔質炭化けい素焼給体、特には各種フィルタ
ー、触媒担持体、各掠薄膜用支持体として有用とされる
多孔質の炭化けい素焼給体(二関するものであるう (従来の技術) 炭化けい素の焼結体は化学的、物理的C:きわめて安定
な性質を有しており、特に高温(二おける耐酸化性、耐
蝕性、熱伝導性1強度C:すぐれ、熱膨張係数も低いと
いうことから、ガスタービン翼、自動車用部材、腐蝕性
流体用部材、耐火材、高温反応炉用部材、電気・電子用
部材、機械的部材などに有用とされているが、これはそ
の使用目的上から高密度山が要求されるためにこの高密
度化焼結法が種々提案されている。
他方、この炭化けい素は化学的、物理的に安定な性質を
もっていることから高密度化していない多孔質焼結体(
二各揮フィルター、触媒担持体、各種薄膜用支持体への
応用が期待されているが、従来の焼結法では均一な孔を
有するものを得ることができなかった。
(発明の構成) 本発明はこのような不利を解決した多孔質炭化けい素焼
粘体(:関するものであり、これは結晶子が50λ以下
のβ型炭化けい素の集合体であり、平均粒径が0.01
〜1μである球状形状の超微粒子状β型多結晶炭化けい
素1:、平均粒径が6μ以下の多結晶炭化けい素微粉末
を混合し、成形体C;成形後焼結炉内(二装入してi、
ooo〜1,750℃までは20℃1昇温速度で加熱し
、ついで1.750〜2,500℃で焼結してなること
を特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らはさきC二分子中C;少
なくとも1個のけい素−水素結合を有する有機けい素化
合物を750℃以上で熱分解させれば粉砕工程を経るこ
となしで超微粒子状の炭化けい素を高純度でしかも収率
よく得ることができることを見出しく特開昭59−39
708号公報、特願昭58−155911号、特願昭5
8−201202号明細書参照)、このようにして得た
炭化けい素は焼結助剤の添加なしでも焼結するし、従来
公知の炭化けい素との混合物も極めて微量の焼結助剤で
焼結できることを見出した(特願昭58−155910
号、特願昭58−213477号明細書参照)、、そし
て、これ1:ついでさらに研究を進めたところ、上記し
た気相熱分解法で得られた超微粒子状のβ型炭化けい素
に市販されている微粉状の炭化けい素を混合して焼結す
ると、両者の焼結特性の相違によってこの焼結体が多孔
質となることを見出すと共に二、超微粒子状β型炭化け
い素C:混合する炭化けい素の同類、これらの配合比を
選択し、さらC:この焼結条件として焼結温度を1,7
50〜1,500℃とするが1,000℃から1、75
0℃までの間の昇温速度を20”C7分以下とすれば割
れのない多孔質炭化けい素焼粘体を高純度で容易に得る
ことができるということを確認して本発明を完成させた
。                     5本発
明の多孔質炭化けい素焼粘体を作るための始発材料上さ
れる超微粒子状β型炭化けい素は有機けい素化合物の気
相熱分解反応C二よって得られるが、この有機けい素化
合物はその分子中に少なくとも1個の5i−H結合を含
むものであり、これは例えば一般式 R6お、(81)
n(ここCRはその少なくとも1個が水素原子であり、
その他はメチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基
、ビニル基などから選ばれる1価の炭化水素基、nは1
〜4の正数〕で示されるシランまたはポリシラン類、お
よび一般式 〔ここにRは前記と同じ、R′はメチレン基、エチレン
基またはフェニレン基、mは五〜2の正数〕で示される
シルアルキレン化合物またはシルフェニレン化合物、あ
るいは同一分子中C:この両者の主骨格をもつ化合物が
あげられる。そして、この有機けい素化合物としては1
次式 %式% C,H80H3CH!(。
0H,、CH,CH3 で示されるシラン、ボリンランが例示され、これらはそ
の1種または2種あるいは2種以上の混合物として使用
されるが、式 れるジメチルポリシランを350℃以上の温度で熱分解
させて得られるジメチルポリシランを主体とするメチル
へイドロジエンシラン類が好ましいものとされる。なお
、これらの有機けい素化合物は従来公知の方法で製造す
ることができるが、これらは蒸留工程で容易C:高純度
化することができ、粉砕工程が不要なために水反応1:
よって得られる炭化けい素は極めて純度の高いものシニ
なるという有利性が与えられる。
この有機けい素化合物の気相熱分解反応はこれを750
〜1.500℃(二加熱した反応帯域に水素ガスまたは
窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスをキャリヤ
ーガスとして導入して熱分解させればよく、この反応に
よれば結晶子が50X以下のβ型炭化けい素の集合体で
、平均粒径が0.01〜1μである球状形状をもつ超微
粒子状のβ型多結晶炭化けい素が得られる。
本発明の多孔質炭化けい素焼給体はこのようにして得た
超微粒子状β型炭化けい素C;通常市販されている微粉
末状の炭化けい素を混合し焼結することl二よって作ら
れるが、これらの配合比は超微粒子状β型炭化けい素あ
るいは微粉末状炭化けい素が1重量部以下では焼結体が
多孔質とならないので超微粒状炭化けい素99〜1重量
部好ましくは97〜3重量部に対し市販の微粉状炭化け
い素を1〜99重量部好ましくは3〜97!量部配合す
ることがよい。
また、ここC:使用される微粉状炭化けい素は一般に市
販されているα型、β型のいずれであってもよく、目的
とする多孔質焼結体の孔径な均一とするためにはできる
だけ平均粒径の細かいものとすることがよいが、これぽ
;は機械的粉砕のためC二限度があるし、6μ以上の成
分が多くなる(粒度分布の広いもの)と、孔径も不均一
になるので平均粒径が6μ以下のものとすることがよい
。このものは結晶子が成長したα、β構造の多結晶体を
粉砕したもののため非球状形状をしており、焼結温度は
前記した超微粉状炭化けい素と異なった値を有している
ここに配合された超微粒子状β型炭化けい素と微粉状炭
化けい素との混合物はついで成形し焼結すればよいが、
この成形はセラミック業界で公知の方法で行えばよく、
これは例えばグイプレス法で行なえばよい。この成形に
は結合剤として、加熱ζ;より分解生成物が残存しない
ような有機化合物、例えばパラフィン、低分子量セルロ
ース誘導体、フェノール樹脂などを単独で、あるいはア
セトンなどC;溶解して使用してもよいがこれら結合剤
を使用せず1:直接加圧、成形してもよい。またこれを
チューブ、ルツボなどの複雑な成形品とするためC二は
ラバープレスなどを用いて成形すればよいが、より精密
な成形品を得るため(二は生の賦形体をその焼結前ζ:
研削するか、あるいはスライスなどの機械加工を施すこ
とがよい。なお、この成形はスリップキャスト法で行な
ってもよいが、この場合C二は炭化けい素粉束にボリエ
tレンゲリコール、低分子量セルロース誘導体、パラフ
ィンなどの可晴剤とポリビニルブチラールなどの結合剤
を添加し、水中に分散させてから焼石こう型内C:流し
込めばよい。またセルロース誘導体などと水との混合物
からなる成形可能なペーストは押出 −成形、射出成形
、ロール成形などを行なってもよい。
このようにして得られた成形体はついで規範すること(
二よって焼結体とされるが、焼結に先立って添加した有
機化合物を揮発させたのち、常圧または真空下のいずれ
かの方法で行えばよい。この加熱温度はこれを1,75
0℃以下とすると焼結不足となって焼結体の強度が低下
するばか得られる多孔質焼結体の孔径が一定ぽ;ならな
いという不利が生じ、2,500℃以上とすると粒子の
成長(:よって多孔質焼結体の孔がみだれたり、一部に
炭化けい素の昇華C:よって粗大孔が発生するので、こ
れは1,750〜2,500℃の範囲とする必要がある
が、好ましくは1,900〜2,300℃の範囲とされ
る。
しかし、この焼結C二当ってはこれが焼結助剤を添加せ
ず、原材料としての2mの炭化けい素の焼結速度の差を
利用して多孔質焼結体とするものであることから、焼結
温度である1、750℃に到達するまでの昇温速度の選
択が重要なものとされる。
すなわち、この昇温速度についでは1,000℃よでは
比較的早い、例えば40℃/分としてもよいが、1,0
00℃以上特CI、 200℃以上での速い昇温は目的
とする多孔質焼結体に割れを発生させるので、1,00
0℃以上C;おける昇温速度は20℃/分以下、好まし
くは15℃/分以下とすることが必要とされる。
また、この焼結は窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活
性雰囲気下あるいは真空下とすることが必要とされるが
、この焼結工程C−先立って前記した成形品1:ついで
の切削加工を実施する場合(:は、これを必要::応じ
仮焼してもよいが、この温度は1.500’C以下とす
ることがよく、この温度はその機械加工(=必要とされ
る強度C:応じて定めればよい。
なお、この焼結時シーはこれが超微粒子状β型炭化けい
素と市販品のような微粉状の炭化けい素と      
   今の焼結速度の差を利用して多孔質焼結体を得る
ものであるということから、特C二焼結助剤を添加する
必要はないが、焼結密度をあげ、孔径な小さくするよう
な目的には焼結助剤としてのほう素を0.03〜1.0
重量部添加してもよい。この焼結助剤の添加により任意
の密度を有する焼結体を得ることができるが、この場合
C二添加するほう素置は前記した量と同一とすればよく
、このほう素としては金属はう素、はう素化合物のいず
れであってもよい。
これを要するC:、本発明は結晶子が50X以下のβ型
炭化けい素集合体で平均粒径が0.01〜1μである球
状形状をもつ超微粒子状β型多結晶炭化けい素と平均粒
径が6A以下の微粉状炭化けい素との混合物を1.75
0〜2,500℃で焼結させて得られる多孔質炭化けい
素焼給体に関するものであるが、このものは多孔性体で
あることから密度は1.70〜1,50 iP/ccと
なるが、その孔径が005〜100μのほぼ均一な孔径
なもつものとされるので各種フィルター、触媒担持体、
各種薄膜用支持体として有用とされる。
つぎt二本発明の実施例をあげる。
実施例1〜8 内径70IIII、長さ1,500−のムライト製炉心
管を備えた縦型管状電気炉な1.400’CC加熱し。
ここにナトラメデルジシラン10容量%を含む水素ガス
を200ノ/時で導入して8時間反応させたところ、炭
化けい素粉末525?(収率85%)が得られた。
このものは電子顕微鏡のβ−8iO(1,1,1)る球
状形状をもつ超微粒子状のβ型多結晶炭化はイ禦テ、元
素分析値が5i67.1%、C!31.8%、BET比
表面積が18.1m”/Pのものであることが!認され
た。
ついで、この超微粒子状β型多結晶炭化けい素と市販の
β型炭化けい素・β−ランダム(イビ電社製商品名、最
大粒径6μ)とを第1表(二示した割合になるように、
パラフィンlt量%を含むヘキサン溶ff50Qc、c
添加して15分間超音波混合を行なったのち、35m+
+X35閤×10園の金型に入れて200 My台で一
次成形し、ラバープレスで1.5トン/dの圧力で2次
成形した。
つぎにこの成形品を常圧焼結用カーボン炉に入れ、アル
ゴンガス雰囲気下で1,000℃までは40℃/分、1
,000℃以上1,100℃までは15℃/分の昇温速
度で昇温させ、1,100℃で1時間焼結したところ、
得られた焼結体の密度、酸素透過量(二ついで第1表C
二併記したとおりの結果が得られた。
なお、冥施例6.7は焼結助剤として金属ホウ素を添加
したものであり、この場合C二は密度増加に効果のある
ことが認められる。また参考例に1.000℃以上焼結
温度までの昇温速度を40℃/分とした場合であり、収
縮が極めて少なく、密度の増加も僅かで、焼結体にはク
ラックが発生していた。
実施例 9 実施例11=おけるテトラメチルジシランをジメチルシ
ランとしたほかは同様C二したところ結晶子が50A以
下のβ型炭化けい泰の集合体であり、平均粒径が01〜
0.7μである球状形状をもつ、元紫分析値がSl 6
7.1%、031,3%でBET比表面積が16.3m
’/gの超微粒子状β型多結晶′ 炭化けい紫が得られ
たので、この5重量部に実施例1で使用した市販の炭化
(すい素95部とメチルセルロース・60SH−400
0(信越化学工業(株〕製商品名〕5重量部、グリセリ
ン8市量部、水19車量部を15〜20℃の温度でヘン
シェルミキサーを用いて混合したのち、三木ロールを1
0回バスさせて均一混合物とした。
つぎ(二、この7昆合物をスクリュー押出(本を用いて
巾5Qy、iさ2uのシートとし、これを50世の長さ
に切断してからラバープレスで1.5t/♂の加圧処理
し、ついで700℃で30分間加熱して有機質物を除去
後、窒累プjス雰囲気中(二おシ1′(1,200℃ま
では40℃/分、1.200〜1,100℃は10℃/
分の昇温速度で昇温させた後、2、100℃で1時間焼
結したところ、密度1,829/CC@’Xlf!過’
a 1,5x 1o−” cc/cm、 seo、mH
gの多孔質炭化けい素焼給体が得られた。
応用例 実施例2で得た30X30X3顛の多孔質炭化(すい素
焼給体を充分に洗滌し乾燥してから、センシタイザ−液
+5n(J、・2H,05!!/j%HCI 401I
t/1)で、ついでアクティパーター液(2%Pd0j
溶液1,5 dll−HOj 1 xi/l )  ζ
;浸漬して表面活性処理を行なった。
つぎC;これを硫tg銀(5水和物)7p/I−エチン
ンジアミン4酢酸ナトリウム309/l、NaOH71
/l、ホ/I/マリン(37%710/1からなる無電
解銅メッキ浴に7時間浸漬したところ、14μの銅メツ
キ力はれた焼結板力iイLドitたか、このものは接着
テープを二よる剥離テストでもメッキ膜の剥離に認めら
れず、260℃の)−ンダ浴(=4分間没潰してもふく
れなどが生じることはなかった。
以上の例から、本発明の多孔質炭化けい素焼給体はガス
透過率(二すぐれており、各種フィルターとして有用と
されること(実施例参照)、またこれはその表面C二微
小孔があるので接着特性に丁ぐれ、各種コーティング用
基板としても使用し得ることか確認された(応用例参照
]。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、結晶子が50Å以下のβ型炭化けい素の集合体であ
    り、平均粒子径が0.01〜1μである球状形状の超微
    粒子状β型多結晶炭化けい素に、平均粒径が6μ以下の
    多結晶炭化けい素微粉末を混合し、成形体に成形後焼結
    炉内に装入して1,000℃から1,750℃までは2
    0℃/分以下の昇温速度で加熱し、ついで1,750〜
    2,500℃で焼結してなることを特徴とする多孔質炭
    化けい素焼結体
JP59172128A 1984-08-18 1984-08-18 多孔質炭化けい素焼結体の製造方法 Granted JPS6153163A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0297472A (ja) * 1988-10-01 1990-04-10 Ibiden Co Ltd 導電性炭化ケイ素焼結多孔体の製造方法
WO2011064854A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 イビデン株式会社 セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法
JP2011226761A (ja) * 2009-11-25 2011-11-10 Ibiden Co Ltd セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法

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JPH0297472A (ja) * 1988-10-01 1990-04-10 Ibiden Co Ltd 導電性炭化ケイ素焼結多孔体の製造方法
WO2011064854A1 (ja) * 2009-11-25 2011-06-03 イビデン株式会社 セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法
JP2011226761A (ja) * 2009-11-25 2011-11-10 Ibiden Co Ltd セラミック焼成体の製造方法及びハニカム構造体の製造方法

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