JP5746915B2 - 銀錯体を含む膜 - Google Patents
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Description
本発明は、銀錯体を含む膜に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光材料として、イリジウム錯体を代表とする白金族金属を用いた燐光発光錯体が有望視されている。しかし、イリジウムは白金族金属の中でも希少であり、非常に高価である。そのため、コスト面で有利である安価な金属を用いる錯体が、種々検討されている（非特許文献１）。
Ｃｏｏｒｄ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２５０，２０９３−２１２６ （２００６）
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いる発光材料として、膜の形状で安定に発光することが重要である。
しかし、公知の安価な金属の錯体を用いる膜は、発光材料として、酸素存在下における耐久性が十分ではなかった。
そこで、本発明は、白金族金属の錯体と比べて安価であり、発光材料として酸素存在下における耐久性に優れた錯体を使用する膜を提供することを目的とする。
本発明は第一に、下記組成式（１）で表される銀錯体を含む膜を提供する。
（Ａｇ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d （１）
（組成式（１）中、Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。Ｌ2は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ3は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ1はアニオンである。ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。）
本発明は第二に、前記膜を含む発光素子を提供する。
本発明は第三に、下記組成式（３）で表される銀錯体を提供する。
（Ａｇ+）（Ｌ4）e（Ｌ5）f（Ｌ6）g（Ｘ2）h （３）
（組成式（３）中、Ｌ4は、
Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、
Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下である分子である。Ｌ5は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ5が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ6はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ2はアニオンである。ｅは０．５より大きい数であり、ｆ、ｇ及びｈはそれぞれ独立に０以上の数である。）
本発明は第四に、ジアリールホスフィノ基を２つ以上含有し、且つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、及び−Ｓ-から選ばれる基を１つ又は２つ含有し、且つ、後述する式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ’）、（Ｂｂ）、（Ｂｃ）又は（Ｂｄ）で示される分子を提供する。
（Ａｇ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d （１）
（組成式（１）中、Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。Ｌ2は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ3は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ1はアニオンである。ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。）
本発明は第二に、前記膜を含む発光素子を提供する。
本発明は第三に、下記組成式（３）で表される銀錯体を提供する。
（Ａｇ+）（Ｌ4）e（Ｌ5）f（Ｌ6）g（Ｘ2）h （３）
（組成式（３）中、Ｌ4は、
Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、
Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下である分子である。Ｌ5は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ5が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ6はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ2はアニオンである。ｅは０．５より大きい数であり、ｆ、ｇ及びｈはそれぞれ独立に０以上の数である。）
本発明は第四に、ジアリールホスフィノ基を２つ以上含有し、且つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、及び−Ｓ-から選ばれる基を１つ又は２つ含有し、且つ、後述する式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ’）、（Ｂｂ）、（Ｂｃ）又は（Ｂｄ）で示される分子を提供する。
本発明の膜は、白金族金属の錯体を用いる膜に比べて安価であり、発光材料として酸素存在下における耐久性が高い。即ち、本発明の膜は、持続性に優れた発光特性を発現できる。
以下、本発明を説明する。
本明細書において、「置換されていてもよい」とは、その直後に記載された化合物又は基を構成する水素原子が無置換の場合及び水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の双方を含む。置換基によって置換されている場合の置換基としては、特に説明がない限り、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基が挙げられ、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基が更に好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基が特に好ましい。なお、本明細書において、「置換されていてもよい」は、「置換基を有していてもよい」と言い換え得る。
本明細書において、Ｍｅはメチル基を、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を、Ｐｈはフェニル基を、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基をそれぞれ表す。
本明細書において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基と記載されている場合、これらは直鎖状でも分岐構造をとっていてもよく、好ましくは直鎖状である。
本発明の膜は、下記組成式（１）で表される銀錯体を含む。
（Ａｇ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d （１）
（組成式（１）中、
Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子／又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。Ｌ2はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子及び／又はイオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ3はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ1はアニオンである。ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。）
組成式（１）において、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は分子であるが、それぞれ、電荷を帯びた官能基を有し得る。Ｌ1、Ｌ2及びＬ3はそれぞれ、電荷を帯びた官能基を有する場合、イオンの状態であってもよい。
（Ａｇ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d （１）
（組成式（１）中、
Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子／又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。Ｌ2はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子及び／又はイオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ3はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ1はアニオンである。ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。）
組成式（１）において、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は分子であるが、それぞれ、電荷を帯びた官能基を有し得る。Ｌ1、Ｌ2及びＬ3はそれぞれ、電荷を帯びた官能基を有する場合、イオンの状態であってもよい。
組成式（１）においてＬ1は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子である。
Ａｇ+に配位可能なリン原子の例としては、３価のリン原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な窒素原子の例としては、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物中の窒素原子（該窒素原子含有複素環式化合物１つ中に含まれる配位可能な窒素原子は１つと数える。）、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜５つ除いた基中の窒素原子（該窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜５つ除いた基１つ中に含まれる配位可能な窒素原子は１つと数える。）、置換されていてもよいジアルキルアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいジアルキルアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいアリールアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいアルキルアリールアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいイミノ基中の窒素原子、及び、ニトリル基中の窒素原子が挙げられる。配位可能な酸素原子の例としては、水素原子が結合した酸素原子及び第１５族元素が結合した酸素原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な硫黄原子の例としては、水素原子が結合した硫黄原子、アルキルメルカプト基中の硫黄原子、及び、第１５族元素が結合した硫黄原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能なヒ素原子の例としては、３価のヒ素原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な酸素アニオンの例としては、Ｏ-が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な硫黄アニオンの例としては、Ｓ-が挙げられる。
Ａｇ+に配位可能なリン原子の例としては、３価のリン原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な窒素原子の例としては、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物中の窒素原子（該窒素原子含有複素環式化合物１つ中に含まれる配位可能な窒素原子は１つと数える。）、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜５つ除いた基中の窒素原子（該窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜５つ除いた基１つ中に含まれる配位可能な窒素原子は１つと数える。）、置換されていてもよいジアルキルアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいジアルキルアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいアリールアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいアルキルアリールアミノ基中の窒素原子、置換されていてもよいイミノ基中の窒素原子、及び、ニトリル基中の窒素原子が挙げられる。配位可能な酸素原子の例としては、水素原子が結合した酸素原子及び第１５族元素が結合した酸素原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な硫黄原子の例としては、水素原子が結合した硫黄原子、アルキルメルカプト基中の硫黄原子、及び、第１５族元素が結合した硫黄原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能なヒ素原子の例としては、３価のヒ素原子が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な酸素アニオンの例としては、Ｏ-が挙げられる。Ａｇ+に配位可能な硫黄アニオンの例としては、Ｓ-が挙げられる。
Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有する配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。すなわち、Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子として、リン原子のみを３つ以上６つ以下有する分子であってもよいし、Ａｇ+に配位可能なリン原子を１つ以上と、Ａｇ+に配位可能なリン原子以外の原子（窒素原子、酸素原子、硫黄原子、並びにヒ素原子）及びＡｇ+に配位可能なイオン（酸素アニオン及び硫黄アニオン）から選ばれる１つ以上を、合計で３つ以上６つ以下有する分子であってもよい。
前記Ｌ1の好ましい態様の１つとしては、Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子が挙げられる。Ｌ1の別の好ましい態様の１つとしては、Ａｇ+に配位可能なリン原子を１つ以上と、Ａｇ+に配位可能な窒素原子、Ａｇ+に配位可能な酸素原子、Ａｇ+に配位可能な硫黄原子、Ａｇ+に配位可能なヒ素原子、Ａｇ+に配位可能な酸素アニオン及びＡｇ+に配位可能な硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ａｇ+に配位可能な原子及びイオンの合計が３つ以上６つ以下である分子が挙げられる。上述の好ましい２つの例のうちでは、後者がより好ましい。
前記Ｌ1に含まれる、Ａｇ+に配位可能なリン原子の数は、１つ以上であり、好ましくは２つ以上である。Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能なリン原子の数が２つ以上である場合、酸素に対する膜の耐久性がより向上するので、該２つ以上のリン原子のいずれにもｓｐ3炭素原子が結合していないことが好ましい。
Ｌ1が有しうる、Ａｇ+に配位可能なリン原子、Ａｇ+に配位可能な窒素原子、Ａｇ+に配位可能な酸素原子、Ａｇ+に配位可能な硫黄原子、Ａｇ+に配位可能なヒ素原子、Ａｇ+に配位可能な酸素アニオン及びＡｇ+に配位可能な硫黄アニオンのうち、リン原子以外で好ましいものは酸素アニオン及び硫黄アニオンであり、Ｌ1は酸素アニオン又は硫黄アニオンを１つ含有することが好ましい。
Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は、３つ以上６つ以下であり、３つ又は４つであることが好ましい。なお、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの中には、同じ原子及びイオンが複数個含まれていてもよいし、相異なる原子及びイオンの組み合わせが含まれていてもよい。
Ｌ1はＡｇ+に配位していることが好ましく、単座配位子としてＡｇ+に配位しても、二座配位子としてＡｇ+に配位しても、三座以上の配位子としてＡｇ+に配位してもよいが、二座以上の配位子としてＡｇ+に配位していることがより好ましく、三座以上の配位子としてＡｇ+に配位していることが更に好ましい。
Ｌ1の炭素原子数は、通常１２〜３００であり、好ましくは２２〜２５０、より好ましくは２５〜２００であり、更に好ましくは２８〜１５０であり、特に好ましくは３０〜１２５である。
Ｌ1の例としては、下記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子が挙げられ、錯体の成膜性が優れるので、より好ましくは、下記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）で表される分子であり、更に好ましくは、下記式（Ｂａ）、（Ｂｃ）で表される分子であり、特に好ましくは、下記式（Ｂｃ）で表される分子である。
式（Ａａ）中、Ｑ1Aaは、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Aa）（Ｒ14Aa）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Aa）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Aa）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Aa）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Aa）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Aa、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Aa）2である。Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ13Aa、Ｒ15Aa、Ｒ16Aa、Ｒ17Aa、Ｒ18Aa及びＲ21Aaはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Aa及びＲ19Aaはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ13Aa、Ｒ14Aa、Ｒ15Aa、Ｒ16Aa、Ｒ17Aa、Ｒ18Aa、Ｒ19Aa及びＲ21Aaはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Aaは、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Aa）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Aa）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Aa）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Aa）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Aa）−である。Ｒ22Aa、Ｒ23Aa、Ｒ25Aa、Ｒ26Aa、Ｒ27Aa及びＲ28Aaはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Aaは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Aa、Ｒ23Aa、Ｒ24Aa、Ｒ25Aa、Ｒ26Aa、Ｒ27Aa及びＲ28Aaはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Aaは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Aaが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Aaが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ13Aa、Ｒ14Aa、Ｒ15Aa、Ｒ16Aa、Ｒ17Aa、Ｒ18Aa、Ｒ19Aa、Ｒ21Aa、Ｒ22Aa、Ｒ23Aa、Ｒ24Aa、Ｒ25Aa、Ｒ26Aa、Ｒ27Aa、Ｒ28Aa、Ｒ2Aa及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ａａ）で表される分子の各置換基の好ましい態様としては、
Ｑ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ22Aa及びＲ23Aaがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、
式（Ａａ）で表される分子は、１つ以上の−Ｐ（Ｒ11Aa）2、又は、−Ｐ（Ｒ22Aa）−を含む態様が挙げられ、中でも、Ｒ2Aaは、直接結合あるいは置換されていてもよい後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であることが好ましい。
Ｑ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ22Aa及びＲ23Aaがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、
式（Ａａ）で表される分子は、１つ以上の−Ｐ（Ｒ11Aa）2、又は、−Ｐ（Ｒ22Aa）−を含む態様が挙げられ、中でも、Ｒ2Aaは、直接結合あるいは置換されていてもよい後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であることが好ましい。
式（Ａｂ）中、Ｑ1Abは、−Ｐ（Ｒ11Ab）2、−Ａｓ（Ｒ12Ab）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ab）（Ｒ14Ab）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ab）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ab）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ab）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ab）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ab、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ab）2である。Ｒ11Ab、Ｒ12Ab、Ｒ13Ab、Ｒ15Ab、Ｒ16Ab、Ｒ17Ab、Ｒ18Ab及びＲ21Abはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ab及びＲ19Abはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ab、Ｒ12Ab、Ｒ13Ab、Ｒ14Ab、Ｒ15Ab、Ｒ16Ab、Ｒ17Ab、Ｒ18Ab、Ｒ19Ab及びＲ21Abはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ3Abは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Ab、Ｒ12Ab、Ｒ13Ab、Ｒ14Ab、Ｒ15Ab、Ｒ16Ab、Ｒ17Ab、Ｒ18Ab、Ｒ19Ab、Ｒ21Ab、Ｒ3Ab及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｂａ）中、Ｑ1Baは、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、−Ａｓ（Ｒ12Ba）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ba）（Ｒ14Ba）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ba）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ba）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ba）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ba）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ba、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ba）2である。Ｒ11Ba、Ｒ12Ba、Ｒ13Ba、Ｒ15Ba、Ｒ16Ba、Ｒ17Ba、Ｒ18Ba及びＲ21Baはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ba及びＲ19Baはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ba、Ｒ12Ba、Ｒ13Ba、Ｒ14Ba、Ｒ15Ba、Ｒ16Ba、Ｒ17Ba、Ｒ18Ba、Ｒ19Ba及びＲ21Baはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Baは、−Ｐ（Ｒ22Ba）−、−Ａｓ（Ｒ23Ba）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Ba）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Ba）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Ba）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Ba）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Ba）−である。Ｒ22Ba、Ｒ23Ba、Ｒ25Ba、Ｒ26Ba、Ｒ27Ba及びＲ28Baはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Baは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Ba、Ｒ23Ba、Ｒ24Ba、Ｒ25Ba、Ｒ26Ba、Ｒ27Ba及びＲ28Baはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Baは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Baが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Baが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Ba、Ｒ12Ba、Ｒ13Ba、Ｒ14Ba、Ｒ15Ba、Ｒ16Ba、Ｒ17Ba、Ｒ18Ba、Ｒ19Ba、Ｒ21Ba、Ｒ22Ba、Ｒ23Ba、Ｒ24Ba、Ｒ25Ba、Ｒ26Ba、Ｒ27Ba、Ｒ28Ba、Ｒ2Ba及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｂａ）で表される分子の各置換基の好ましい態様としては、
Ｑ1Baが、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Baが、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Ba及びＲ22Baがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、Ｒ2Baが直接結合であるか又は置換されていてもよい、後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である、
態様が挙げられる。
Ｑ1Baが、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Baが、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Ba及びＲ22Baがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、Ｒ2Baが直接結合であるか又は置換されていてもよい、後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である、
態様が挙げられる。
式（Ｂｂ）中、Ｑ1Bbは、−Ｐ（Ｒ11Bb）2、−Ａｓ（Ｒ12Bb）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Bb）（Ｒ14Bb）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Bb）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Bb）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Bb）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Bb）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Bb、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Bb）2である。Ｒ11Bb、Ｒ12Bb、Ｒ13Bb、Ｒ15Bb、Ｒ16Bb、Ｒ17Bb、Ｒ18Bb及びＲ21Bbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Bb及びＲ19Bbはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Bb、Ｒ12Bb、Ｒ13Bb、Ｒ14Bb、Ｒ15Bb、Ｒ16Bb、Ｒ17Bb、Ｒ18Bb、Ｒ19Bb及びＲ21Bbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Bbは、−Ｐ（Ｒ22Bb）−、−Ａｓ（Ｒ23Bb）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Bb）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Bb）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Bb）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Bb）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Bb）−である。Ｒ22Bb、Ｒ23Bb、Ｒ25Bb、Ｒ26Bb、Ｒ27Bb及びＲ28Bbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Bbは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Bb、Ｒ23Bb、Ｒ24Bb、Ｒ25Bb、Ｒ26Bb、Ｒ27Bb及びＲ28Bbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Bbは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Bbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Bbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Bbは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Bb、Ｒ12Bb、Ｒ13Bb、Ｒ14Bb、Ｒ15Bb、Ｒ16Bb、Ｒ17Bb、Ｒ18Bb、Ｒ19Bb、Ｒ21Bb、Ｒ22Bb、Ｒ23Bb、Ｒ24Bb、Ｒ25Bb、Ｒ26Bb、Ｒ27Bb、Ｒ28Bb、Ｒ2Bb、Ｒ3Bb及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｂｃ）中、Ｑ1Bcは、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ａｓ（Ｒ12Bc）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Bc）（Ｒ14Bc）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Bc）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Bc）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Bc）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Bc）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Bc、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Bc）2である。Ｒ11Bc、Ｒ12Bc、Ｒ13Bc、Ｒ15Bc、Ｒ16Bc、Ｒ17Bc、Ｒ18Bc及びＲ21Bcはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Bc及びＲ19Bはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Bc、Ｒ12Bc、Ｒ13Bc、Ｒ14Bc、Ｒ15Bc、Ｒ16Bc、Ｒ17Bc、Ｒ18Bc、Ｒ19Bc及びＲ21Bcはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Bcは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Bcは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Bcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Bcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Bc、Ｒ12Bc、Ｒ13Bc、Ｒ14Bc、Ｒ15Bc、Ｒ16Bc、Ｒ17Bc、Ｒ18Bc、Ｒ19Bc、Ｒ21Bc、Ｒ2Bc及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。
前記式（Ｂｃ）で表される分子の各置換基の好ましい態様としては、
Ｑ1Bcが、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい、後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である、
態様が挙げられる。
Ｑ1Bcが、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい、後述する式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である、
態様が挙げられる。
式（Ｂｄ）中、Ｑ1Bdは、−Ｐ（Ｒ11Bd）2、−Ａｓ（Ｒ12Bd）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Bd）（Ｒ14Bd）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Bd）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Bd）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Bd）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Bd）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Bd、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Bd）2である。Ｒ11Bd、Ｒ12Bd、Ｒ13Bd、Ｒ15Bd、Ｒ16Bd、Ｒ17Bd、Ｒ18Bd及びＲ21Bdはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Bd及びＲ19Bdはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Bd、Ｒ12Bd、Ｒ13Bd、Ｒ14Bd、Ｒ15Bd、Ｒ16Bd、Ｒ17Bd、Ｒ18Bd、Ｒ19Bd及びＲ21Bdはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ4Bdは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Bd、Ｒ12Bd、Ｒ13Bd、Ｒ14Bd、Ｒ15Bd、Ｒ16Bd、Ｒ17Bd、Ｒ18Bd、Ｒ19Bd、Ｒ21Bd、Ｒ4Bd及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃａ）中、Ｑ1Caは、−Ｐ（Ｒ11Ca）2、−Ａｓ（Ｒ12Ca）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ca）（Ｒ14Ca）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ca）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ca）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ca）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ca）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ca、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ca）2である。Ｒ11Ca、Ｒ12Ca、Ｒ13Ca、Ｒ15Ca、Ｒ16Ca、Ｒ17Ca、Ｒ18Ca及びＲ21Caはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ca及びＲ19Caはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ca、Ｒ12Ca、Ｒ13Ca、Ｒ14Ca、Ｒ15Ca、Ｒ16Ca、Ｒ17Ca、Ｒ18Ca、Ｒ19Ca及びＲ21Caはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Caは、−Ｐ（Ｒ22Ca）−、−Ａｓ（Ｒ23Ca）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Ca）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Ca）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Ca）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Ca）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Ca）−である。Ｒ22Ca、Ｒ23Ca、Ｒ25Ca、Ｒ26Ca、Ｒ27Ca及びＲ28Caはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Caは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Ca、Ｒ23Ca、Ｒ24Ca、Ｒ25Ca、Ｒ26Ca、Ｒ27Ca及びＲ28Caはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Caは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Caが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Caが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Ca、Ｒ12Ca、Ｒ13Ca、Ｒ14Ca、Ｒ15Ca、Ｒ16Ca、Ｒ17Ca、Ｒ18Ca、Ｒ19Ca、Ｒ21Ca、Ｒ22Ca、Ｒ23Ca、Ｒ24Ca、Ｒ25Ca、Ｒ26Ca、Ｒ27Ca、Ｒ28Ca、Ｒ2Ca及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｂ）中、Ｑ1Cbは、−Ｐ（Ｒ11Cb）2、−Ａｓ（Ｒ12Cb）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Cb）（Ｒ14Cb）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Cb）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Cb）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Cb）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Cb）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Cb、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Cb）2である。Ｒ11Cb、Ｒ12Cb、Ｒ13Cb、Ｒ15Cb、Ｒ16Cb、Ｒ17Cb、Ｒ18Cb及びＲ21Cbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Cb及びＲ19Cbはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Cb、Ｒ12Cb、Ｒ13Cb、Ｒ14Cb、Ｒ15Cb、Ｒ16Cb、Ｒ17Cb、Ｒ18Cb、Ｒ19Cb及びＲ21Cbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Cbは、−Ｐ（Ｒ22Cb）−、−Ａｓ（Ｒ23Cb）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Cb）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Cb）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Cb）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Cb）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Cb）−である。Ｒ22Cb、Ｒ23Cb、Ｒ25Cb、Ｒ26Cb、Ｒ27Cb及びＲ28Cbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Cbは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Cb、Ｒ23Cb、Ｒ24Cb、Ｒ25Cb、Ｒ26Cb、Ｒ27Cb及びＲ28Cbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Cbは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Cbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Cbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Cbは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Cb、Ｒ12Cb、Ｒ13Cb、Ｒ14Cb、Ｒ15Cb、Ｒ16Cb、Ｒ17Cb、Ｒ18Cb、Ｒ19Cb、Ｒ21Cb、Ｒ22Cb、Ｒ23Cb、Ｒ24Cb、Ｒ25Cb、Ｒ26Cb、Ｒ27Cb、Ｒ28Cb、Ｒ2Cb、Ｒ3Cb及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｃ）中、Ｑ1Ccは、−Ｐ（Ｒ11Cc）2、−Ａｓ（Ｒ12Cc）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Cc）（Ｒ14Cc）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Cc）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Cc）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Cc）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Cc）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Cc、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Cc）2である。Ｒ11Cc、Ｒ12Cc、Ｒ13Cc、Ｒ15Cc、Ｒ16Cc、Ｒ17Cc、Ｒ18Cc及びＲ21Ccはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Cc及びＲ19Ccはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Cc、Ｒ12Cc、Ｒ13Cc、Ｒ14Cc、Ｒ15Cc、Ｒ16Cc、Ｒ17Cc、Ｒ18Cc、Ｒ19Cc及びＲ21Ccはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Ccは、−Ｐ（Ｒ22Cc）−、−Ａｓ（Ｒ23Cc）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Cc）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Cc）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Cc）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Cc）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Cc）−である。Ｒ22Cc、Ｒ23Cc、Ｒ25Cc、Ｒ26Cc、Ｒ27Cc及びＲ28Ccはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Ccは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Cc、Ｒ23Cc、Ｒ24Cc、Ｒ25Cc、Ｒ26Cc、Ｒ27Cc及びＲ28Ccはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Ccは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Ccは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Ccが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Ccが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Ccが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Cc、Ｒ12Cc、Ｒ13Cc、Ｒ14Cc、Ｒ15Cc、Ｒ16Cc、Ｒ17Cc、Ｒ18Cc、Ｒ19Cc、Ｒ21Cc、Ｒ22Cc、Ｒ23Cc、Ｒ24Cc、Ｒ25Cc、Ｒ26Cc、Ｒ27Cc、Ｒ28Cc、Ｒ2Cc及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｄ）中、Ｑ1Cdは、−Ｐ（Ｒ11Cd）2、−Ａｓ（Ｒ12Cd）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Cd）（Ｒ14Cd）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Cd）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Cd）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Cd）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Cd）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Cd、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Cd）2である。Ｒ11Cd、Ｒ12Cd、Ｒ13Cd、Ｒ15Cd、Ｒ16Cd、Ｒ17Cd、Ｒ18Cd及びＲ21Cdはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Cd及びＲ19Cdはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Cd、Ｒ12Cd、Ｒ13Cd、Ｒ14Cd、Ｒ15Cd、Ｒ16Cd、Ｒ17Cd、Ｒ18Cd、Ｒ19Cd及びＲ21Cdはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Cdは、−Ｐ（Ｒ22Cd）−、−Ａｓ（Ｒ23Cd）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Cd）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Cd）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Cd）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Cd）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Cd）−である。Ｒ22Cd、Ｒ23Cd、Ｒ25Cd、Ｒ26Cd、Ｒ27Cd及びＲ28Cdはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Cdは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Cd、Ｒ23Cd、Ｒ24Cd、Ｒ25Cd、Ｒ26Cd、Ｒ27Cd及びＲ28Cdはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Cdは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Cdが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Cdが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Cdは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Cd、Ｒ12Cd、Ｒ13Cd、Ｒ14Cd、Ｒ15Cd、Ｒ16Cd、Ｒ17Cd、Ｒ18Cd、Ｒ19Cd、Ｒ21Cd、Ｒ22Cd、Ｒ23Cd、Ｒ24Cd、Ｒ25Cd、Ｒ26Cd、Ｒ27Cd、Ｒ28Cd、Ｒ2Cd、Ｒ3Cd及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｅ）中、Ｑ1Ceは、−Ｐ（Ｒ11Ce）2、−Ａｓ（Ｒ12Ce）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ce）（Ｒ14Ce）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ce）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ce）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ce）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ce）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ce、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ce）2である。Ｒ11Ce、Ｒ12Ce、Ｒ13Ce、Ｒ15Ce、Ｒ16Ce、Ｒ17Ce、Ｒ18Ce及びＲ21Ceはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ce及びＲ19Ceはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ce、Ｒ12Ce、Ｒ13Ce、Ｒ14Ce、Ｒ15Ce、Ｒ16Ce、Ｒ17Ce、Ｒ18Ce、Ｒ19Ce及びＲ21Ceはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Ceは、−Ｐ（Ｒ22Ce）−、−Ａｓ（Ｒ23Ce）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Ce）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Ce）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Ce）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Ce）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Ce）−である。Ｒ22Ce、Ｒ23Ce、Ｒ25Ce、Ｒ26Ce、Ｒ27Ce及びＲ28Ceはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Ceは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Ce、Ｒ23Ce、Ｒ24Ce、Ｒ25Ce、Ｒ26Ce、Ｒ27Ce及びＲ28Ceはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Ceは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Ceが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Ceが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ4Ceは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Ce、Ｒ12Ce、Ｒ13Ce、Ｒ14Ce、Ｒ15Ce、Ｒ16Ce、Ｒ17Ce、Ｒ18Ce、Ｒ19Ce、Ｒ21Ce、Ｒ22Ce、Ｒ23Ce、Ｒ24Ce、Ｒ25Ce、Ｒ26Ce、Ｒ27Ce、Ｒ28Ce、Ｒ2Ce、Ｒ4Ce及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｆ）中、Ｑ1Cfは、−Ｐ（Ｒ11Cf）2、−Ａｓ（Ｒ12Cf）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Cf）（Ｒ14Cf）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Cf）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Cf）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Cf）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Cf）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Cf、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Cf）2である。Ｒ11Cf、Ｒ12Cf、Ｒ13Cf、Ｒ15Cf、Ｒ16Cf、Ｒ17Cf、Ｒ18Cf及びＲ21Cfはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Cf及びＲ19Cfはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Cf、Ｒ12Cf、Ｒ13Cf、Ｒ14Cf、Ｒ15Cf、Ｒ16Cf、Ｒ17Cf、Ｒ18Cf、Ｒ19Cf及びＲ21Cfはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Cfは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Cfは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Cfが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Cfが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Cfは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Cf、Ｒ12Cf、Ｒ13Cf、Ｒ14Cf、Ｒ15Cf、Ｒ16Cf、Ｒ17Cf、Ｒ18Cf、Ｒ19Cf、Ｒ21Cf、Ｒ2Cf、Ｒ3Cf及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｇ）中、Ｑ1Cgは、−Ｐ（Ｒ11Cg）2、−Ａｓ（Ｒ12Cg）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Cg）（Ｒ14Cg）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Cg）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Cg）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Cg）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Cg）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Cg、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Cg）2である。Ｒ11Cg、Ｒ12Cg、Ｒ13Cg、Ｒ15Cg、Ｒ16Cg、Ｒ17Cg、Ｒ18Cg及びＲ21Cgはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Cg及びＲ19Cgはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Cg、Ｒ12Cg、Ｒ13Cg、Ｒ14Cg、Ｒ15Cg、Ｒ16Cg、Ｒ17Cg、Ｒ18Cg、Ｒ19Cg及びＲ21Cgはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Cgは、−Ｐ（Ｒ22Cg）−、−Ａｓ（Ｒ23Cg）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Cg）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Cg）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Cg）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Cg）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Cg）−である。Ｒ22Cg、Ｒ23Cg、Ｒ25Cg、Ｒ26Cg、Ｒ27Cg及びＲ28Cgはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Cgは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Cg、Ｒ23Cg、Ｒ24Cg、Ｒ25Cg、Ｒ26Cg、Ｒ27Cg及びＲ28Cgはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ3Cgは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Cg、Ｒ12Cg、Ｒ13Cg、Ｒ14Cg、Ｒ15Cg、Ｒ16Cg、Ｒ17Cg、Ｒ18Cg、Ｒ19Cg、Ｒ21Cg、Ｒ22Cg、Ｒ23Cg、Ｒ24Cg、Ｒ25Cg、Ｒ26Cg、Ｒ27Cg、Ｒ28Cg、Ｒ3Cg及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｈ）中、Ｑ1Chは、−Ｐ（Ｒ11Ch）2、−Ａｓ（Ｒ12Ch）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ch）（Ｒ14Ch）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ch）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ch）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ch）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ch）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ch、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ch）2である。Ｒ11Ch、Ｒ12Ch、Ｒ13Ch、Ｒ15Ch、Ｒ16Ch、Ｒ17Ch、Ｒ18Ch及びＲ21Chはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ch及びＲ19Chはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ch、Ｒ12Ch、Ｒ13Ch、Ｒ14Ch、Ｒ15Ch、Ｒ16Ch、Ｒ17Ch、Ｒ18Ch、Ｒ19Ch及びＲ21Chはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ4Chは、Ａｇ+に配位可能な、Ｐ、窒素原子含有複素環式化合物中のＮ、Ｏ-、又は、Ｓ-のうちいずれか１つを含む炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ2Chは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Chが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Ch、Ｒ12Ch、Ｒ13Ch、Ｒ14Ch、Ｒ15Ch、Ｒ16Ch、Ｒ17Ch、Ｒ18Ch、Ｒ19Ch、Ｒ21Ch、Ｒ2Ch、Ｑ4Ch及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｃｉ）中、Ｑ1Ciは、−Ｐ（Ｒ11Ci）2、−Ａｓ（Ｒ12Ci）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ci）（Ｒ14Ci）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ci）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ci）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ci）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ci）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ci、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ci）2である。Ｒ11Ci、Ｒ12Ci、Ｒ13Ci、Ｒ15Ci、Ｒ16Ci、Ｒ17Ci、Ｒ18Ci及びＲ21Ciはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ci及びＲ19Ciは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ci、Ｒ12Ci、Ｒ13Ci、Ｒ14Ci、Ｒ15Ci、Ｒ16Ci、Ｒ17Ci、Ｒ18Ci、Ｒ19Ci及びＲ21Ciはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ5Ciは炭素原子数１００以下の５価の基である。
Ｒ11Ci、Ｒ12Ci、Ｒ13Ci、Ｒ14Ci、Ｒ15Ci、Ｒ16Ci、Ｒ17Ci、Ｒ18Ci、Ｒ19Ci、Ｒ21Ci、Ｒ5Ci及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄａ）中、Ｑ1Daは、−Ｐ（Ｒ11Da）2、−Ａｓ（Ｒ12Da）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Da）（Ｒ14Da）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Da）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Da）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Da）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Da）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Da、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Da）2である。Ｒ11Da、Ｒ12Da、Ｒ13Da、Ｒ15Da、Ｒ16Da、Ｒ17Da、Ｒ18Da及びＲ21Daはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Da及びＲ19Daはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Da、Ｒ12Da、Ｒ13Da、Ｒ14Da、Ｒ15Da、Ｒ16Da、Ｒ17Da、Ｒ18Da、Ｒ20Da及びＲ21Daはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Daは、−Ｐ（Ｒ22Da）−、−Ａｓ（Ｒ23Da）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Da）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Da）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Da）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Da）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Da）−である。Ｒ22Da、Ｒ23Da、Ｒ25Da、Ｒ26Da、Ｒ27Da及びＲ28Daはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Daは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Da、Ｒ23Da、Ｒ24Da、Ｒ25Da、Ｒ26Da、Ｒ27Da及びＲ28Daはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Daは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Daが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Daが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Da、Ｒ12Da、Ｒ13Da、Ｒ14Da、Ｒ15Da、Ｒ16Da、Ｒ17Da、Ｒ18Da、Ｒ19Da、Ｒ21Da、Ｒ22Da、Ｒ23Da、Ｒ24Da、Ｒ25Da、Ｒ26Da、Ｒ27Da、Ｒ28Da、Ｒ2Da及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｂ）中、Ｑ1Dbは、−Ｐ（Ｒ11Db）2、−Ａｓ（Ｒ12Db）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Db）（Ｒ14Db）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Db）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Db）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Db）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Db）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Db、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Db）2である。Ｒ11Db、Ｒ12Db、Ｒ13Db、Ｒ15Db、Ｒ16Db、Ｒ17Db、Ｒ18Db及びＲ21Dbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Db及びＲ19Dbはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Db、Ｒ12Db、Ｒ13Db、Ｒ14Db、Ｒ15Db、Ｒ16Db、Ｒ17Db、Ｒ18Db、Ｒ19Db及びＲ21Dbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dbは、−Ｐ（Ｒ22Db）−、−Ａｓ（Ｒ23Db）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Db）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Db）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Db）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Db）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Db）−である。Ｒ22Db、Ｒ23Db、Ｒ25Db、Ｒ26Db、Ｒ27Db及びＲ28Dbはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dbは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Db、Ｒ23Db、Ｒ24Db、Ｒ25Db、Ｒ26Db、Ｒ27Db及びＲ28Dbはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Dbは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Dbが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dbは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Db、Ｒ12Db、Ｒ13Db、Ｒ14Db、Ｒ15Db、Ｒ16Db、Ｒ17Db、Ｒ18Db、Ｒ19Db、Ｒ21Db、Ｒ22Db、Ｒ23Db、Ｒ24Db、Ｒ25Db、Ｒ26Db、Ｒ27Db、Ｒ28Db、Ｒ2Db、Ｒ3Db及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｃ）中、Ｑ1Dcは、−Ｐ（Ｒ11Dc）2、−Ａｓ（Ｒ12Dc）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dc）（Ｒ14Dc）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dc）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dc）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dc）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dc）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dc、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dc）2である。Ｒ11Dc、Ｒ12Dc、Ｒ13Dc、Ｒ15Dc、Ｒ16Dc、Ｒ17Dc、Ｒ18Dc及びＲ21Dcはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dc及びＲ19Dcはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dc、Ｒ12Dc、Ｒ13Dc、Ｒ14Dc、Ｒ15Dc、Ｒ16Dc、Ｒ17Dc、Ｒ18Dc、Ｒ19Dc及びＲ21Dcはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dcは、−Ｐ（Ｒ22Dc）−、−Ａｓ（Ｒ23Dc）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dc）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dc）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dc）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dc）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dc）−である。Ｒ22Dc、Ｒ23Dc、Ｒ25Dc、Ｒ26Dc、Ｒ27Dc及びＲ28Dcはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dcは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dc、Ｒ23Dc、Ｒ24Dc、Ｒ25Dc、Ｒ26Dc、Ｒ27Dc及びＲ28Dcはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dcは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dcは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Dcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Dc、Ｒ12Dc、Ｒ13Dc、Ｒ14Dc、Ｒ15Dc、Ｒ16Dc、Ｒ17Dc、Ｒ18Dc、Ｒ19Dc、Ｒ21Dc、Ｒ22Dc、Ｒ23Dc、Ｒ24Dc、Ｒ25Dc、Ｒ26Dc、Ｒ27Dc、Ｒ28Dc、Ｒ2Dc及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｄ）中、Ｑ1Ddは、−Ｐ（Ｒ11Dd）2、−Ａｓ（Ｒ12Dd）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dd）（Ｒ14Dd）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dd）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dd）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dd）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dd）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dd、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dd）2である。Ｒ11Dd、Ｒ12Dd、Ｒ13Dd、Ｒ15Dd、Ｒ16Dd、Ｒ17Dd、Ｒ18Dd及びＲ21Ddはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dd及びＲ19Ddはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dd、Ｒ12Dd、Ｒ13Dd、Ｒ14Dd、Ｒ15Dd、Ｒ16Dd、Ｒ17Dd、Ｒ18Dd、Ｒ19Dd及びＲ21Ddはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Ddは、−Ｐ（Ｒ22Dd）−、−Ａｓ（Ｒ23Dd）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dd）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dd）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dd）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dd）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dd）−である。Ｒ22Dd、Ｒ23Dd、Ｒ25Dd、Ｒ26Dd、Ｒ27Dd及びＲ28Ddはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Ddは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dd、Ｒ23Dd、Ｒ24Dd、Ｒ25Dd、Ｒ26Dd、Ｒ27Dd及びＲ28Ddはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Ddは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Ddが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Ddが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ4Ddは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Dd、Ｒ12Dd、Ｒ13Dd、Ｒ14Dd、Ｒ15Dd、Ｒ16Dd、Ｒ17Dd、Ｒ18Dd、Ｒ19Dd、Ｒ21Dd、Ｒ22Dd、Ｒ23Dd、Ｒ24Dd、Ｒ25Dd、Ｒ26Dd、Ｒ27Dd、Ｒ28Dd、Ｒ2Dd、Ｒ4Dd及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｅ）中、Ｑ1Deは、−Ｐ（Ｒ11De）2、−Ａｓ（Ｒ12De）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13De）（Ｒ14De）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15De）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16De）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17De）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18De）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19De、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21De）2である。Ｒ11De、Ｒ12De、Ｒ13De、Ｒ15De、Ｒ16De、Ｒ17De、Ｒ18De及びＲ21Deはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14De及びＲ19Deはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11De及びＲ12De、Ｒ13De、Ｒ14De、Ｒ15De、Ｒ16De、Ｒ17De、Ｒ18De、Ｒ19De及びＲ21Deはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Deは、−Ｐ（Ｒ22De）−、−Ａｓ（Ｒ23De）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24De）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25De）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26De）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27De）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28De）−である。Ｒ22De、Ｒ23De、Ｒ25De、Ｒ26De、Ｒ27De及びＲ28Deはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Deは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22De、Ｒ23De、Ｒ24De、Ｒ25De、Ｒ26De、Ｒ27De及びＲ28Deはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Deは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Deが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Deが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Deは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11De、Ｒ12De、Ｒ13De、Ｒ14De、Ｒ15De、Ｒ16De、Ｒ17De、Ｒ18De、Ｒ19De、Ｒ21De、Ｒ22De、Ｒ23De、Ｒ24De、Ｒ25De、Ｒ26De、Ｒ27De、Ｒ28De、Ｒ2De、Ｒ3De及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｆ）中、Ｑ1Dfは、−Ｐ（Ｒ11Df）2、−Ａｓ（Ｒ12Df）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Df）（Ｒ14Df）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Df）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Df）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Df）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Df）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Df、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Df）2である。Ｒ11Df、Ｒ12Df、Ｒ13Df、Ｒ15Df、Ｒ16Df、Ｒ17Df、Ｒ18Df及びＲ21Dfはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Df及びＲ19Dfはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Df、Ｒ12Df、Ｒ13Df、Ｒ14Df、Ｒ15Df、Ｒ16Df、Ｒ17Df、Ｒ18Df、Ｒ19Df及びＲ21Dfはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dfは、−Ｐ（Ｒ22Df）−、−Ａｓ（Ｒ23Df）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Df）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Df）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Df）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Df）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Df）−である。Ｒ22Df、Ｒ23Df、Ｒ25Df、Ｒ26Df、Ｒ27Df及びＲ28Dfはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dfは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Df、Ｒ23Df、Ｒ24Df、Ｒ25Df、Ｒ26Df、Ｒ27Df及びＲ28Dfはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dfは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dfは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dfが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Dfが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dfが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Df、Ｒ12Df、Ｒ13Df、Ｒ14Df、Ｒ15Df、Ｒ16Df、Ｒ17Df、Ｒ18Df、Ｒ19Df、Ｒ21Df、Ｒ22Df、Ｒ23Df、Ｒ24Df、Ｒ25Df、Ｒ26Df、Ｒ27Df、Ｒ28Df、Ｒ2Df及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｇ）中、Ｑ1Dgは、−Ｐ（Ｒ11Dg）2、−Ａｓ（Ｒ12Dg）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dg）（Ｒ14Dg）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dg）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dg）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dg）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dg）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dg、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dg）2である。Ｒ11Dg、Ｒ12Dg、Ｒ13Dg、Ｒ15Dg、Ｒ16Dg、Ｒ17Dg、Ｒ18Dg及びＲ21Dgはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dg及びＲ19Dgは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dg、Ｒ12Dg、Ｒ13Dg、Ｒ14Dg、Ｒ15Dg、Ｒ16Dg、Ｒ17Dg、Ｒ18Dg、Ｒ19Dg及びＲ21Dgはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dgは、−Ｐ（Ｒ22Dg）−、−Ａｓ（Ｒ23Dg）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dg）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dg）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dg）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dg）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dg）−である。Ｒ22Dg、Ｒ23Dg、Ｒ25Dg、Ｒ26Dg、Ｒ27Dg及びＲ28Dgはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dgは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dg、Ｒ23Dg、Ｒ24Dg、Ｒ25Dg、Ｒ26Dg、Ｒ27Dg及びＲ28Dgはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dgは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dgは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dgが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Dgが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dgが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dgは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dg、Ｒ12Dg、Ｒ13Dg、Ｒ14Dg、Ｒ15Dg、Ｒ16Dg、Ｒ17Dg、Ｒ18Dg、Ｒ19Dg、Ｒ21Dg、Ｒ22Dg、Ｒ23Dg、Ｒ24Dg、Ｒ25Dg、Ｒ26Dg、Ｒ27Dg、Ｒ28Dg、Ｒ2Dg、Ｒ3Dg及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｈ）中、Ｑ1Dhは、−Ｐ（Ｒ11Dh）2、−Ａｓ（Ｒ12Dh）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dh）（Ｒ14Dh）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dh）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dh）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dh）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dh）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dh、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dh）2である。Ｒ11Dh、Ｒ12Dh、Ｒ13Dh、Ｒ15Dh、Ｒ16Dh、Ｒ17Dh、Ｒ18Dh及びＲ21Dhはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dh及びＲ19Dhはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dh、Ｒ12Dh、Ｒ13Dh、Ｒ14Dh、Ｒ15Dh、Ｒ16Dh、Ｒ17Dh、Ｒ18Dh、Ｒ19Dh及びＲ21Dhはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dhは、−Ｐ（Ｒ22Dh）−、−Ａｓ（Ｒ23Dh）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dh）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dh）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dh）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dh）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dh）−である。Ｒ22Dh、Ｒ23Dh、Ｒ25Dh、Ｒ26Dh、Ｒ27Dh及びＲ28Dhはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dhは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dh、Ｒ23Dh、Ｒ24Dh、Ｒ25Dh、Ｒ26Dh、Ｒ27Dh及びＲ28Dhはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dhは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dhは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dhが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Dhが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dhが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dhは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dh、Ｒ12Dh、Ｒ13Dh、Ｒ14Dh、Ｒ15Dh、Ｒ16Dh、Ｒ17Dh、Ｒ18Dh、Ｒ19Dh、Ｒ21Dh、Ｒ22Dh、Ｒ23Dh、Ｒ24Dh、Ｒ25Dh、Ｒ26Dh、Ｒ27Dh、Ｒ28Dh、Ｒ2Dh、Ｒ3Dh及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｉ）中、Ｑ1Diは、−Ｐ（Ｒ11Di）2、−Ａｓ（Ｒ12Di）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Di）（Ｒ14Di）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Di）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Di）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Di）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Di）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Di、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Di）2である。Ｒ11Di、Ｒ12Di、Ｒ13Di、Ｒ15Di、Ｒ16Di、Ｒ17Di、Ｒ18Di及びＲ21Diはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Di及びＲ19Diはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Di、Ｒ12Di、Ｒ13Di、Ｒ14Di、Ｒ15Di、Ｒ16Di、Ｒ17Di、Ｒ18Di、Ｒ19Di及びＲ21Diはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Diは、−Ｐ（Ｒ22Di）−、−Ａｓ（Ｒ23Di）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Di）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Di）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Di）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Di）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Di）−である。Ｒ22Di、Ｒ23Di、Ｒ25Di、Ｒ26Di、Ｒ27Di及びＲ28Diはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Diは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Di、Ｒ23Di、Ｒ24Di、Ｒ25Di、Ｒ26Di、Ｒ27Di及びＲ28Diはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Diは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Diが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Diが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ4Diは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Di、Ｒ12Di、Ｒ13Di、Ｒ14Di、Ｒ15Di、Ｒ16Di、Ｒ17Di、Ｒ18Di、Ｒ19Di、Ｒ21Di、Ｒ22Di、Ｒ23Di、Ｒ24Di、Ｒ25Di、Ｒ26Di、Ｒ27Di、Ｒ28Di、Ｒ2Di、Ｒ4Di及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｊ）中、Ｑ1Djは、−Ｐ（Ｒ11Dj）2、−Ａｓ（Ｒ12Dj）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dj）（Ｒ14Dj）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dj）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dj）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dj）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dj）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dj、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dj）2である。Ｒ11Dj、Ｒ12Dj、Ｒ13Dj、Ｒ15Dj、Ｒ16Dj、Ｒ17Dj、Ｒ18Dj及びＲ21Djはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dj及びＲ19Djはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dj、Ｒ12Dj、Ｒ13Dj、Ｒ14Dj、Ｒ15Dj、Ｒ16Dj、Ｒ17Dj、Ｒ18Dj、Ｒ19Dj及びＲ21Djはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Djは、−Ｐ（Ｒ22Dj）−、−Ａｓ（Ｒ23Dj）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dj）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dj）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dj）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dj）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dj）−である。Ｒ22Dj、Ｒ23Dj、Ｒ25Dj、Ｒ26Dj、Ｒ27Dj及びＲ28Djはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Djは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dj、Ｒ23Dj、Ｒ24Dj、Ｒ25Dj、Ｒ26Dj、Ｒ27Dj及びＲ28Djはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Djは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Djが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Djが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Djは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dj、Ｒ12Dj、Ｒ13Dj、Ｒ14Dj、Ｒ15Dj、Ｒ16Dj、Ｒ17Dj、Ｒ18Dj、Ｒ19Dj、Ｒ21Dj、Ｒ22Dj、Ｒ23Dj、Ｒ24Dj、Ｒ25Dj、Ｒ26Dj、Ｒ27Dj、Ｒ28Dj、Ｒ2Dj、Ｒ3Dj及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｋ）中、Ｑ1Dkは、−Ｐ（Ｒ11Dk）2、−Ａｓ（Ｒ12Dk）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dk）（Ｒ14Dk）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dk）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dk）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dk）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dk）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dk、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dk）2である。Ｒ11Dk、Ｒ12Dk、Ｒ13Dk、Ｒ15Dk、Ｒ16Dk、Ｒ17Dk、Ｒ18Dk及びＲ21Dkはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dk及びＲ19Dkはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dk、Ｒ12Dk、Ｒ13Dk、Ｒ14Dk、Ｒ15Dk、Ｒ16Dk、Ｒ17Dk、Ｒ18Dk、Ｒ19Dk及びＲ21Dkはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dkは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dkは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dkが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dkが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Dk、Ｒ12Dk、Ｒ13Dk、Ｒ14Dk、Ｒ15Dk、Ｒ16Dk、Ｒ17Dk、Ｒ18Dk、Ｒ19Dk、Ｒ21Dk、Ｒ2Dk及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｌ）中、Ｑ1Dlは、−Ｐ（Ｒ11Dl）2、−Ａｓ（Ｒ12Dl）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dl）（Ｒ14Dl）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dl）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dl）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dl）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dl）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dl、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dl）2である。Ｒ11Dl、Ｒ12Dl、Ｒ13Dl、Ｒ15Dl、Ｒ16Dl、Ｒ17Dl、Ｒ18Dl及びＲ21Dlはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dl及びＲ19Dlはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dl、Ｒ12Dl、Ｒ13Dl、Ｒ14Dl、Ｒ15Dl、Ｒ16Dl、Ｒ17Dl、Ｒ18Dl、Ｒ19Dl及びＲ21Dlはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dlは、−Ｐ（Ｒ22Dl）−、−Ａｓ（Ｒ23Dl）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dl）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dl）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dl）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dl）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dl）−である。Ｒ22Dl、Ｒ23Dl、Ｒ25Dl、Ｒ26Dl、Ｒ27Dl及びＲ28Dlはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dlは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dl、Ｒ23Dl、Ｒ24Dl、Ｒ25Dl、Ｒ26Dl、Ｒ27Dl及びＲ28Dlはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dlは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dlは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dlが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、結合したＱ2Dlが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dlが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dlは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dl、Ｒ12Dl、Ｒ13Dl、Ｒ14Dl、Ｒ15Dl、Ｒ16Dl、Ｒ17Dl、Ｒ18Dl、Ｒ19Dl、Ｒ21Dl、Ｒ22Dl、Ｒ23Dl、Ｒ24Dl、Ｒ25Dl、Ｒ26Dl、Ｒ27Dl、Ｒ28Dl、Ｒ2Dl、Ｒ3Dl及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｍ）中、Ｑ1Dmは、−Ｐ（Ｒ11Dm）2、−Ａｓ（Ｒ12Dm）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dm）（Ｒ14Dm）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dm）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dm）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dm）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dm）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dm、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dm）2である。Ｒ11Dm、Ｒ12Dm、Ｒ13Dm、Ｒ15Dm、Ｒ16Dm、Ｒ17Dm、Ｒ18Dm及びＲ21Dmはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dm及びＲ19Dmはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dm、Ｒ12Dm、Ｒ13Dm、Ｒ14Dm、Ｒ15Dm、Ｒ16Dm、Ｒ17Dm、Ｒ18Dm、Ｒ19Dm及びＲ21Dmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dmは、−Ｐ（Ｒ22Dm）−、−Ａｓ（Ｒ23Dm）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dm）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dm）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dm）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dm）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dm）−である。Ｒ22Dm、Ｒ23Dm、Ｒ25Dm、Ｒ26Dm、Ｒ27Dm及びＲ28Dmはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dmは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dm、Ｒ23Dm、Ｒ24Dm、Ｒ25Dm、Ｒ26Dm、Ｒ27Dm及びＲ28Dmはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ4Dmは、Ａｇ+に配位可能な、Ｐ、窒素原子含有複素環式化合物中のＮ、Ｏ-、又は、Ｓ-のうちいずれか１つを含む炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ2Dmは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dmが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Dmが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Dm、Ｒ12Dm、Ｒ13Dm、Ｒ14Dm、Ｒ15Dm、Ｒ16Dm、Ｒ17Dm、Ｒ18Dm、Ｒ19Dm、Ｒ21Dm、Ｒ22Dm、Ｒ23Dm、Ｒ24Dm、Ｒ25Dm、Ｒ26Dm、Ｒ27Dm、Ｒ28Dm、Ｒ2Dm、Ｑ4Dm及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｎ）中、Ｑ1Dnは、−Ｐ（Ｒ11Dn）2、−Ａｓ（Ｒ12Dn）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dn）（Ｒ14Dn）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dn）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dn）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dn）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dn）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dn、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dn）2である。Ｒ11Dn、Ｒ12Dn、Ｒ13Dn、Ｒ15Dn、Ｒ16Dn、Ｒ17Dn、Ｒ18Dn及びＲ21Dnはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dn及びＲ19Dnはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dn、Ｒ12Dn、Ｒ13Dn、Ｒ14Dn、Ｒ15Dn、Ｒ16Dn、Ｒ17Dn、Ｒ18Dn、Ｒ19Dn及びＲ21Dnはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Dnは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Dnは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dnが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Dnが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dnは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dn、Ｒ12Dn、Ｒ13Dn、Ｒ14Dn、Ｒ15Dn、Ｒ16Dn、Ｒ17Dn、Ｒ18Dn、Ｒ19Dn、Ｒ21Dn、Ｒ2Dn、Ｒ3Dn及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｏ）中、Ｑ1Doは、−Ｐ（Ｒ11Do）2、−Ａｓ（Ｒ12Do）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Do）（Ｒ14Do）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Do）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Do）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Do）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Do）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Do、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Do）2である。Ｒ11Do、Ｒ12Do、Ｒ13Do、Ｒ15Do、Ｒ16Do、Ｒ17Do、Ｒ18Do及びＲ21Doはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Do及びＲ19Doはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Do、Ｒ12Do、Ｒ13Do、Ｒ14Do、Ｒ15Do、Ｒ16Do、Ｒ17Do、Ｒ18Do、Ｒ19Do及びＲ21Doはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ3Doは、Ｐ、Ａｓ、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基、Ｎ、Ｐ（＝Ｏ）、Ａｓ（＝Ｏ）、Ｐ（＝Ｓ）、又は、Ａｓ（＝Ｓ）である。
Ｒ2Doは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Doが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Doが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ4Doは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Do、Ｒ12Do、Ｒ13Do、Ｒ14Do、Ｒ15Do、Ｒ16Do、Ｒ17Do、Ｒ18Do、Ｒ19Do、Ｒ21Do、Ｒ2Do、Ｒ4Do及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｐ）中、Ｑ1Dpは、−Ｐ（Ｒ11Dp）2、−Ａｓ（Ｒ12Dp）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dp）（Ｒ14Dp）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dp）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dp）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dp）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dp）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dp、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dp）2である。Ｒ11Dp、Ｒ12Dp、Ｒ13Dp、Ｒ15Dp、Ｒ16Dp、Ｒ17Dp、Ｒ18Dp及びＲ21Dpはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dp及びＲ19Dpはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dp、Ｒ12Dp、Ｒ13Dp、Ｒ14Dp、Ｒ15Dp、Ｒ16Dp、Ｒ17Dp、Ｒ18Dp、Ｒ19Dp及びＲ21Dpはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dpは、−Ｐ（Ｒ22Dp）−、−Ａｓ（Ｒ23Dp）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Dp）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Dp）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Dp）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Dp）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Dp）−である。Ｒ22Dp、Ｒ23Dp、Ｒ25Dp、Ｒ26Dp、Ｒ27Dp及びＲ28Dpはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dpは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Dp、Ｒ23Dp、Ｒ24Dp、Ｒ25Dp、Ｒ26Dp、Ｒ27Dp及びＲ28Dpはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ3Dpは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ4Dpは炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ11Dp、Ｒ12Dp、Ｒ13Dp、Ｒ14Dp、Ｒ15Dp、Ｒ16Dp、Ｒ17Dp、Ｒ18Dp、Ｒ19Dp、Ｒ21Dp、Ｒ22Dp、Ｒ23Dp、Ｒ24Dp、Ｒ25Dp、Ｒ26Dp、Ｒ27Dp、Ｒ28Dp、Ｒ3Dp、Ｒ4Dp及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｑ）中、Ｑ1Dqは、−Ｐ（Ｒ11Dq）2、−Ａｓ（Ｒ12Dq）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dq）（Ｒ14Dq）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dq）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dq）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dq）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dq）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dq、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dq）2である。Ｒ11Dq、Ｒ12Dq、Ｒ13Dq、Ｒ15Dq、Ｒ16Dq、Ｒ17Dq、Ｒ18Dq及びＲ21Dqはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dq及びＲ19Dqはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dq、Ｒ12Dq、Ｒ13Dq、Ｒ14Dq、Ｒ15Dq、Ｒ16Dq、Ｒ17Dq、Ｒ18Dq、Ｒ19Dq及びＲ21Dqはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ4Dqは、Ａｇ+に配位可能な、Ｐ、窒素原子含有複素環式化合物中のＮ、Ｏ-、又は、Ｓ-のうちいずれか１つを含む炭素原子数７０以下の４価の基である。
Ｒ2Dqは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dqが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ3Dqは炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Dq、Ｒ12Dq、Ｒ13Dq、Ｒ14Dq、Ｒ15Dq、Ｒ16Dq、Ｒ17Dq、Ｒ18Dq、Ｒ19Dq、Ｒ21Dq、Ｒ2Dq、Ｒ2Dq、Ｒ3Dq、Ｑ4Dq及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｒ）中、Ｑ1Drは、−Ｐ（Ｒ11Dr）2、−Ａｓ（Ｒ12Dr）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dr）（Ｒ14Dr）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dr）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dr）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dr）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dr）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dr、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dr）2である。Ｒ11Dr、Ｒ12Dr、Ｒ13Dr、Ｒ15Dr、Ｒ16Dr、Ｒ17Dr、Ｒ18Dr及びＲ21Drはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dr及びＲ19Drはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dr、Ｒ12Dr、Ｒ13Dr、Ｒ14Dr、Ｒ15Dr、Ｒ16Dr、Ｒ17Dr、Ｒ18Dr、Ｒ19Dr及びＲ21Drはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ5Drは、Ａｇ+に配位可能な、Ｐ、窒素原子含有複素環式化合物中のＮ、Ｏ-、又は、Ｓ-のうちいずれか１つを含む炭素原子数１００以下の５価の基である。
Ｒ2Drは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Drが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Dr、Ｒ12Dr、Ｒ13Dr、Ｒ14Dr、Ｒ15Dr、Ｒ16Dr、Ｒ17Dr、Ｒ18Dr、Ｒ19Dr、Ｒ21Dr、Ｒ2Dr、Ｑ5Dr及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｓ）中、Ｑ1Dsは、−Ｐ（Ｒ11Ds）2、−Ａｓ（Ｒ12Ds）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Ds）（Ｒ14Ds）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Ds）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Ds）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Ds）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Ds）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Ds、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Ds）2である。Ｒ11Ds、Ｒ12Ds、Ｒ13Ds、Ｒ15Ds、Ｒ16Ds、Ｒ17Ds、Ｒ18Ds及びＲ21Dsはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Ds及びＲ19Dsはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Ds、Ｒ12Ds、Ｒ13Ds、Ｒ14Ds、Ｒ15Ds、Ｒ16Ds、Ｒ17Ds、Ｒ18Ds、Ｒ19Ds及びＲ21Dsはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｑ2Dsは、−Ｐ（Ｒ22Ds）−、−Ａｓ（Ｒ23Ds）−、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基、−Ｎ（Ｒ24Ds）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ25Ds）−、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ26Ds）−、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ27Ds）−、又は、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ28Ds）−である。Ｒ22Ds、Ｒ23Ds、Ｒ25Ds、Ｒ26Ds、Ｒ27Ds及びＲ28Dsはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ24Dsは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ22Ds、Ｒ23Ds、Ｒ24Ds、Ｒ25Ds、Ｒ26Ds、Ｒ27Ds及びＲ28Dsはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Dsは炭素原子数５０以下の２価の基であり、但し、結合したＱ1Dsが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Dsが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ5Dsは炭素原子数１００以下の５価の基である。
Ｒ11Ds、Ｒ12Ds、Ｒ13Ds、Ｒ14Ds、Ｒ15Ds、Ｒ16Ds、Ｒ17Ds、Ｒ18Ds、Ｒ19Ds、Ｒ21Ds、Ｒ22Ds、Ｒ23Ds、Ｒ24Ds、Ｒ25Ds、Ｒ26Ds、Ｒ27Ds、Ｒ28Ds、Ｒ2Ds、Ｒ5Ds及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
式（Ｄｔ）中、Ｑ1Dtは、−Ｐ（Ｒ11Dt）2、−Ａｓ（Ｒ12Dt）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｎ（Ｒ13Dt）（Ｒ14Dt）、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ15Dt）2、−Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ16Dt）2、−Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ17Dt）2、−Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ18Dt）2、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＳＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）2ＯＨ、−ＳＲ19Dt、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ21Dt）2である。Ｒ11Dt、Ｒ12Dt、Ｒ13Dt、Ｒ15Dt、Ｒ16Dt、Ｒ17Dt、Ｒ18Dt及びＲ21Dtはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ14Dt及びＲ19Dtはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、Ｒ11Dt、Ｒ12Dt、Ｒ13Dt、Ｒ14Dt、Ｒ15Dt、Ｒ16Dt、Ｒ17Dt、Ｒ18Dt、Ｒ19Dt及びＲ21Dtはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。
Ｒ6Dtは炭素原子数１５０以下の６価の基である。
Ｒ11Dt、Ｒ12Dt、Ｒ13Dt、Ｒ14Dt、Ｒ15Dt、Ｒ16Dt、Ｒ17Dt、Ｒ18Dt、Ｒ19Dt、Ｒ21Dt、Ｒ6Dt及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基から選ばれる基は、任意に結合して環を形成してもよい。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子は、Ａｇ+に配位可能なリン原子を２つ以上含有することが好ましい。酸素に対する膜の耐久性が向上するので、該リン原子はｓｐ3炭素原子が結合していないことが好ましい。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子のそれぞれについて以下説明する。
上記式（Ａａ）及び（Ａｂ）で表される分子の構造は、
リン原子を３つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を２つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を２つと硫黄アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を１つ有する構造
が好ましく、
リン原子を２つと窒素原子を１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと酸素アニオンを１つ有する構造
がより好ましい。
上記式（Ａａ）及び（Ａｂ）で表される分子の構造は、
リン原子を３つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を２つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を２つと硫黄アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を１つ有する構造
が好ましく、
リン原子を２つと窒素原子を１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと酸素アニオンを１つ有する構造
がより好ましい。
上記式（Ｂａ）〜（Ｂｄ）で表される分子の構造は、
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を２つ有する構造
が好ましく、
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
が特に好ましい。
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を２つ有する構造
が好ましく、
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を４つ有する構造、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を３つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を２つ有する構造
が特に好ましい。
上記式（Ｃａ）〜（Ｃｉ）で表される分子の構造は、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと酸素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を２つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を３つ有する構造
が好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素アニオンを２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
が特に好ましく、
リン原子を５つ有する構造、又は、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造
がとりわけ好ましい。
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと酸素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を２つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を３つ有する構造
が好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素アニオンを２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を５つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を３つ有する構造
が特に好ましく、
リン原子を５つ有する構造、又は、
リン原子を４つと酸素アニオンを１つ有する構造
がとりわけ好ましい。
上記式（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子の構造は、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つとヒ素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を３つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を４つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を４つ有する構造
が好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を４つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造
が特に好ましい。
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つとヒ素原子を１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つとヒ素原子を２つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造、
リン原子を３つとヒ素原子を３つ有する構造、
リン原子を２つと窒素原子を４つ有する構造、又は、
リン原子を２つとヒ素原子を４つ有する構造
が好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと窒素原子を１つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、
リン原子を４つと酸素アニオンを２つ有する構造、
リン原子を４つと硫黄アニオンを２つ有する構造、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造、又は、
リン原子を２つと窒素原子を４つ有する構造
がより好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、
リン原子を５つと硫黄アニオンを１つ有する構造、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造、又は、
リン原子を３つと窒素原子を３つ有する構造
が更に好ましく、
リン原子を６つ有する構造、
リン原子を５つと酸素アニオンを１つ有する構造、又は、
リン原子を４つと窒素原子を２つ有する構造
が特に好ましい。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子において、Ａｇ+に配位可能な酸素アニオン又は硫黄アニオンを１つ含有することが好ましい。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における窒素原子含有複素環式化合物の例としては、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アザジアゾール及びアクリジンが挙げられる。成膜性の良い錯体を形成しやすいので、好ましくはピリジン、イミダゾール、キノリン及びイソキノリンであり、より好ましくはピリジン、イミダゾール及びキノリンであり、更に好ましくはイミダゾール及びキノリンである。
該窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基の例としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されている炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基及び炭素原子数１〜２４のジアリールアミノ基が挙げられる。このうち、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ドコシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ジナフチルアミノ基が好ましく、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、エテニル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基及びビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基がより好ましく、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、エテニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基及びフェノキシ基、が更に好ましく、フッ素原子、塩素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、及びフェノキシ基が特に好ましい。
窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基の数は、０個〜４個が好ましく、０個〜３個がより好ましく、０個〜２個が更に好ましく、特に好ましくは１個〜２個である。
置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物が有し得る該置換基同士が縮合して環構造を形成してもよい。例えば、イミダゾールの４，５−位にエテニル基が結合し、該エテニル基同士が縮合してベンゼン環となり、ベンズイミダゾール骨格を形成してもよい。
置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物が有し得る該置換基同士が縮合して環構造を形成してもよい。例えば、イミダゾールの４，５−位にエテニル基が結合し、該エテニル基同士が縮合してベンゼン環となり、ベンズイミダゾール骨格を形成してもよい。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例を以下に示す：
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜５０の環状飽和ヒドロカルビル基；
エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素原子数２〜５０のアルケニル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基；
フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数７〜５０のアラルキル基。
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜５０の環状飽和ヒドロカルビル基；
エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素原子数２〜５０のアルケニル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基；
フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数７〜５０のアラルキル基。
個々の事例について特に記載が無い場合、上記ヒドロカルビル基は、好ましくはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、ドデシル基、シクロへキシル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基であり、より好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基、シクロへキシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基であり、更に好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基であり、特に好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基である。
該ヒドロカルビル基が有し得る置換基の例は、前記窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基と同様にハロゲン原子、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基及び炭素原子数１〜２４のジアリールアミノ基である。好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ドコシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基及びジナフチルアミノ基であり、より好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基及びジナフチルアミノ基であり、更に好ましくはフッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、及びフェノキシ基であり、特に好ましくはフッ素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、及びメトキシ基である。
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の、炭素原子数１〜３０の直鎖状ヒドロカルビル基が挙げられるが、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及び２−エチルヘキシル基のように分岐構造を有するアルキル基でもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基及びアダマンチル基のように環状構造を有するアルキル基でもよい。好ましくはメチル基、エチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基及びシクロへキシル基であり、より好ましくはメチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基の例としては、前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例のうち水素原子を２つ以上持つ化合物の構造から２つの水素原子を除いた基と同様のものが挙げられる。前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基の例としては、前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例のうち水素原子を３つ以上持つ化合物の構造から３つの水素原子を除いた基と同様のものが挙げられる。前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を４つ除いた４価の基の例としては、前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例のうち水素原子を４つ以上持つ化合物の構造から４つの水素原子を除いた基と同様のものが挙げられる。前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を５つ除いた５価の基の例としては、前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例のうち水素原子を５つ以上持つ化合物の構造から５つの水素原子を除いた基と同様のものが挙げられる。前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を６つ除いた６価の基の例としては、前記置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例のうち水素原子を６つ以上持つ化合物の構造から６つの水素原子を除いた基と同様のものが挙げられる。
前記Ｒ2Aa、Ｒ2Ba、Ｒ2Bb、Ｒ2Bc、Ｒ2Ca、Ｒ2Cb、Ｒ2Cc、Ｒ2Cd、Ｒ2Ce、Ｒ2Cf、Ｒ2Ch、Ｒ2Da、Ｒ2Db、Ｒ2Dc、Ｒ2Dd、Ｒ2De、Ｒ2Df、Ｒ2Dg、Ｒ2Dh、Ｒ2Di、Ｒ2Dj、Ｒ2Dk、Ｒ2Dl、Ｒ2Dm、Ｒ2Dn、Ｒ2Do、Ｒ2Dq、Ｒ2Dr及びＲ2Dsで表される基（以下、Ｒ2Xxで表される基と記す）の例としては、以下のものが挙げられる。
置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルカンジイル基；炭素原子数２〜３０のアルケンジイル基；置換されていてもよい主鎖炭素原子数２〜３０のアルキンジイル基；置換されていてもよい炭素原子数４〜３０のシクロアルカンジイル基；置換されていてもよい炭素原子数６〜３０のアレーンジイル基、などのヒドロカルビレン基、すなわち２価のヒドロカルビル基。
置換されていてもよいヒドロカルビレン基と−Ｏ−及び／又は−Ｓ−とを組み合わせてできる基。
置換されていてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基（例えば下記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基）。
（式中、Ｙ1は、−（ＣＨ2）n−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ50）−、−Ｓｉ（Ｒ51）2−、−Ｏ（ＣＨ2）n−、又は、−Ｏ（ＣＨ2）nＯ−で表される基である。Ｙ2は、−（ＣＨ2）n−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ51）2−で表される基である。ｎは１〜３の整数である。Ｒ50は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のアリール基であり、Ｒ51は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。）
置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルカンジイル基；炭素原子数２〜３０のアルケンジイル基；置換されていてもよい主鎖炭素原子数２〜３０のアルキンジイル基；置換されていてもよい炭素原子数４〜３０のシクロアルカンジイル基；置換されていてもよい炭素原子数６〜３０のアレーンジイル基、などのヒドロカルビレン基、すなわち２価のヒドロカルビル基。
置換されていてもよいヒドロカルビレン基と−Ｏ−及び／又は−Ｓ−とを組み合わせてできる基。
置換されていてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基（例えば下記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基）。
上記Ｒ50で表される置換されていてもよいアリール基の、アリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基及び９−フルオレニル基が挙げられる。好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基及び４−ヘキシルフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基及び４−ヘキシルフェニル基であり、更に好ましくはフェニル基である。
上記Ｒ51で表される置換されていてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例は、前記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例と同様である。
好ましくは、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜５０の環状飽和ヒドロカルビル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基である。より好ましくは、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；
フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等の炭素原子数６〜２４のアリール基である。更に好ましくは、炭素原子数１〜８のアルキル基及びフェニル基である。
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜５０の環状飽和ヒドロカルビル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基である。より好ましくは、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；
フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等の炭素原子数６〜２４のアリール基である。更に好ましくは、炭素原子数１〜８のアルキル基及びフェニル基である。
前記置換されていてもよい式ｒ１〜ｒ１２で表される基の例である置換されていてもよい式ｒ１’〜ｒ１２’で表される基を以下に示す。
（式中、Ｙ3は、−ＣＨ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ52）−、又は、−Ｓｉ（Ｒ53）2−で表される基である。Ｒ52は置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアリール基であり、Ｒ53は置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基である。）
上記Ｒ52で表される置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアリール基の例と好ましい構造は、前記Ｒ50で表される置換されていてもよいアリール基の例及び好ましい例のうち、炭素原子数が１〜１８のものと同様である。
上記Ｒ53で表される置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基の例及び好ましい構造は、前記Ｒ51で表されるヒドロカルビル基の例及び好ましい構造のうち、炭素原子数が１〜１８のものと同様である。
前記Ｒ2Xxで表される基としては、置換されていてもよい前記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基が好ましく、置換されていてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ５、ｒ６、ｒ８及びｒ９のいずれかで表される基、前記式ｒ１０で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ50）−である基、前記式ｒ１１で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−又は−Ｓ−である基、前記式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−であり、Ｙ2が−ＣＨ2−である基、前記式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−であり、Ｙ2が−Ｓｉ（Ｒ51）2−である基がより好ましく、置換されていてもよい前記式ｒ１'、ｒ５'、ｒ６'及びｒ１０'のいずれかで表される基、前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が−ＣＨ2−である基、前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が−Ｓｉ（ＣＨ3）2−である基が更に好ましい。
前記Ｒ2Xxで表される基が有し得る置換基の例は、前記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基と同様にハロゲン原子、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基及び炭素原子数１〜２４のジアリールアミノ基である。好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロへキシル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２−フェニルフェニル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基であり、より好ましくはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロへキシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、メトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基であり、更に好ましくはフッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、メトキシ基であり、特に好ましくはフッ素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
前記Ｒ2Xxで表される基が有し得る置換基の数は、０〜４個が好ましく、０〜３個がより好ましく、０〜２個が更に好ましい。Ｒ2Xxで表される基が前記ｒ１’〜ｒ１２’で表される基である場合、前記置換基の位置は以下に示す位置が望ましい。
ｒ１’：好ましくは、２’及び３’から選ばれる１箇所以上；
ｒ２’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所、又は、３’及び４’の２箇所；
ｒ３’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び８’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、４’のみの１箇所、２’及び６’の２箇所、３’及び５’の２箇所、２’、４’及び６’の３箇所、又は、３’、４’及び５’の３箇所；
ｒ４’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、３’及び６’の２箇所、又は、４’及び５’の２箇所；
ｒ５’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは２’及び７’の２箇所；
ｒ６’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、８’、９’、１０’及び１１’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び１１’の２箇所、３’及び１０’の２箇所、又は、４’及び９’の２箇所；
ｒ７’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ８’：好ましくは、２’、３’、５’、６’、７’、８’、９’及び１０’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び６’の２箇所、又は、３’及び５’の２箇所；
ｒ９’：好ましくは、２’及び５’から選ばれる１箇所以上；
ｒ１０’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ１１’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−である場合：２’、３’、４’、５’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上の合計３箇所以上、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる２箇所以上の合計４箇所以上、更に好ましくは、７’における２箇所と、２’及び５’の２箇所との合計４箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−以外の場合：２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる２箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所。
ｒ１’：好ましくは、２’及び３’から選ばれる１箇所以上；
ｒ２’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所、又は、３’及び４’の２箇所；
ｒ３’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び８’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、４’のみの１箇所、２’及び６’の２箇所、３’及び５’の２箇所、２’、４’及び６’の３箇所、又は、３’、４’及び５’の３箇所；
ｒ４’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、３’及び６’の２箇所、又は、４’及び５’の２箇所；
ｒ５’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは２’及び７’の２箇所；
ｒ６’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、８’、９’、１０’及び１１’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び１１’の２箇所、３’及び１０’の２箇所、又は、４’及び９’の２箇所；
ｒ７’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ８’：好ましくは、２’、３’、５’、６’、７’、８’、９’及び１０’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び６’の２箇所、又は、３’及び５’の２箇所；
ｒ９’：好ましくは、２’及び５’から選ばれる１箇所以上；
ｒ１０’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ１１’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−である場合：２’、３’、４’、５’及び７’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上の合計３箇所以上、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる２箇所以上の合計４箇所以上、更に好ましくは、７’における２箇所と、２’及び５’の２箇所との合計４箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−以外の場合：２’、３’、４’及び５’から選ばれる１箇所以上、より好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる２箇所以上、より好ましくは、２’及び５’の２箇所。
前記Ｒ2Xxで表される基が複数ある場合、安定な錯体を構築できるので、複数あるＲ2Xxで表される基のうち１つ以上のＲ2Xxで表される基は直接結合ではないことが好ましい。例えば、前記式（Ｂａ）における３つのＲ2Baのうち１つ以上のＲ2Baは、直接結合ではないことが好ましく、この場合の前記式（Ｂａ）で表される分子は下記式（Ｂａ’）で表される分子である。
（式（Ｂａ’）中、Ｑ1Ba及びＱ2Baの定義は、前記式（Ｂａ）におけるＱ1Ba及びＱ2Baと同様である。
Ｒ2Ba’の定義、例及び好ましい例は、３つあるＲ2Ba’のうち少なくとも１つは直接結合ではないことを除き、前記式（Ｂａ）におけるＲ2Baと同様である。）
Ｒ2Ba’の定義、例及び好ましい例は、３つあるＲ2Ba’のうち少なくとも１つは直接結合ではないことを除き、前記式（Ｂａ）におけるＲ2Baと同様である。）
前記Ｒ3Ab、Ｒ3Bb、Ｒ3Cb、Ｒ3Cd、Ｒ3Cf、Ｒ3Cg、Ｒ3Db、Ｒ3De、Ｒ3Dg、Ｒ3Dh、Ｒ3Dj、Ｒ3Dl、Ｒ3Dn、Ｒ3Dp及びＲ3Dq（以下、これらの基をＲ3Xxと総称する）で表される基の例としては、置換されていてもよい下記式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基が挙げられる。
（式ｒ３１、ｒ３２中、Ｙ4はＣ、Ｓｉ、又は、Ｂ−である。Ｙ5、Ｙ6及びＹ7はそれぞれ独立に、直接結合、又は置換されていてもよい−（ＣＨ2）nｍ−であり、該ＣＨ2は隣同士でない限り任意の数だけＯに置き換わってもよく、ｎｍは１〜８の整数である。複数のＹ5、Ｙ6、Ｙ7はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Ｒ31は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。Ｒ32は直接結合又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である。Ｒ33は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である。複数のＲ32、Ｒ33はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33から選ばれる２以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。）
上記Ｒ31における置換されていてもよいヒドロカルビル基のヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同様である。該ヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
上記Ｒ32及びＲ33は、それぞれ独立に、直接結合又は置換されていてもよい前記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である。好ましくは置換されていてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ４、ｒ５、ｒ８及びｒ１０のいずれかで表される基であり、より好ましくは置換されていてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ５及びｒ１０のいずれかで表される基である。上記Ｒ32及びＲ33が前記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である場合に、前記式ｒ１〜ｒ１２で表される基が有し得る置換基の例及び好ましい例は前記Ｒ2Xxで表される基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
前記Ｒ4Bd、Ｒ4Ce、Ｒ4Dd、Ｒ4Di、Ｒ4Do及びＲ4Dp（以下、これらの基をＲ4Xxと総称する）で表される４価の基の例としては、置換されていてもよい下記式ｒ４１で表される基が挙げられる。
（式中、Ｙ8はＣ、Ｓｉ、又は、Ｂ-であり、Ｙ9は直接結合であるか、又は−（ＣＨ2）nn−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ60）−、若しくは−Ｓｉ（Ｒ61）2−で表される基である。ｎｎは１〜３の整数である。２つのＹ9は同じでも異なっていてもよい。Ｒ60は置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のアリール基であり、Ｒ61は置換されていてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基である。）
ｒ４１が有し得る置換基の例及び好ましい例は、前記Ｒ2Xxで表される基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ60で表されるアリール基の例及び好ましい例は、それぞれ、前記Ｒ52で表されるアリール基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ61で表されるヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、それぞれ、前記Ｒ53で表されるヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同様である。
ｒ４１のＹ8とＹ9の組み合わせとして、好ましくは、Ｙ8がＣであり２つのＹ9が共に−Ｏ−である組み合わせ、Ｙ8がＳｉであり２つのＹ9が共に−Ｏ−である組み合わせ、Ｙ8がＣであり２つのＹ9が共に−Ｓ−である組み合わせ、Ｙ8がＳｉであり２つのＹ9が共に−Ｓ−である組み合わせ、及びＹ8がＢ−であり２つのＹ9が共に−Ｏ−である組み合わせが挙げられる。より好ましい組み合わせは、Ｙ8がＳｉであり２つのＹ9が共に−Ｏ−である。
前記式（Ａａ）、（Ａｂ）及び（Ｂａ）〜（Ｂｄ）における各基の組み合わせの好ましい例は、以下のとおりである。
前記式（Ａａ）におけるＱ1AaとＱ2Aaの好ましい組み合わせは、
（１）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ22Aa及びＲ23Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ；
（２）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
である。
（３）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ−、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ23Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ；
であり、より好ましくは、
１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ−、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
であり、更に好ましくは、
１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、ピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
もう１つのＱ1Aaがピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
である。
（１）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa、Ｒ22Aa及びＲ23Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ；
（２）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
である。
（３）１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ−、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ23Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ；
であり、より好ましくは、
１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ−、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
もう１つのＱ1Aaが、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
であり、更に好ましくは、
１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2、ピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
もう１つのＱ1Aaがピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基であり、
Ｑ2Aaが、−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、
Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基である組み合わせ
である。
前記式（Ａａ）におけるＱ1AaとＱ2Aaのそれぞれの組み合わせに対する好ましいＲ2Aaの構造は前述Ｒ2Xxで表される基について説明した通りである。
前記式（Ａｂ）におけるＱ1Ab及びＲ3Abの好ましい組み合わせは、
２つのＱ1Abが、−Ｐ（Ｒ11Ab）2であり、
もう１つのＱ1Abが置換されていてもよいピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｒ11Abが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ3Abが上記置換されていてもよい式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
２つのＱ1Abが、−Ｐ（Ｒ11Ab）2であり、
もう１つのＱ1Abが置換されていてもよいピリジン若しくはイミダゾールから水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｒ11Abが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ3Abが上記置換されていてもよい式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
前記式（Ｂａ）におけるＱ1Ba、Ｑ2Ba及びＲ2Baの好ましい組み合わせは、
１つのＱ1Baが、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、もう１つのＱ1Baが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Baが、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Ba及びＲ22Baが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Baが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
１つのＱ1Baが、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、もう１つのＱ1Baが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Baが、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Ba及びＲ22Baが、それぞれ独立に、置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Baが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
前記式（Ｂｂ）におけるＱ1Bb、Ｑ2Bb、Ｒ2Bb及びＲ3Bbの好ましい組み合わせは、
２つのＱ1Bbがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bb）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bbが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Bbが、−Ｐ（Ｒ22Bb）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Bb及びＲ22Bbがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bbが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であり、
Ｒ3Bbが置換されていてもよい上記式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
２つのＱ1Bbがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bb）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bbが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ2Bbが、−Ｐ（Ｒ22Bb）−、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ11Bb及びＲ22Bbがそれぞれ独立に置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bbが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であり、
Ｒ3Bbが置換されていてもよい上記式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
前記式（Ｂｃ）におけるＱ1Bc、Ｑ3Bc及びＲ2Bcの好ましい組み合わせは、
２つのＱ1Bcがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ａｓ（Ｒ12Bc）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bcが−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bc及びＲ12Bcが置換されていてもよいアリール基である組み合わせ
であり、より好ましくは、
２つのＱ1Bcがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bcが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ
であり、更に好ましくは、
２つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、１つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせであり、特に好ましくは、
Ｑ1Bcのうち１つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ1Bcの残り２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが置換されていてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２ ’のいずれかで表される基である組み合わせ
であり、とりわけ好ましくは、
Ｑ1Bcのうち１つが−Ｏ-又は−Ｓ-であり、
Ｑ1Bcの残り２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよい２，４，６−トリメチルフェニル基であり、
Ｒ2Bcが置換されていてもよい上記式ｒ１’、ｒ５’、ｒ１０’及びｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
２つのＱ1Bcがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ａｓ（Ｒ12Bc）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bcが−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bc及びＲ12Bcが置換されていてもよいアリール基である組み合わせ
であり、より好ましくは、
２つのＱ1Bcがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bc）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bcが−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3Bcが、Ｐ又は置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ
であり、更に好ましくは、
２つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、１つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが直接結合であるか又は置換されていてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせであり、特に好ましくは、
Ｑ1Bcのうち１つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2、−Ｏ-、又は、−Ｓ-であり、
Ｑ1Bcの残り２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcが置換されていてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２ ’のいずれかで表される基である組み合わせ
であり、とりわけ好ましくは、
Ｑ1Bcのうち１つが−Ｏ-又は−Ｓ-であり、
Ｑ1Bcの残り２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、
Ｑ3BcがＰであり、
Ｒ11Bcが置換されていてもよい２，４，６−トリメチルフェニル基であり、
Ｒ2Bcが置換されていてもよい上記式ｒ１’、ｒ５’、ｒ１０’及びｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせ
である。
前記式（Ｂｄ）におけるＱ1BdとＲ4Bdの好ましい組み合わせは、
３つのＱ1Bdがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bd）2、−Ａｓ（Ｒ12Bd）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bdが−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
（Ｒ11Bd）及び（Ｒ12Bd）が置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ4Bdが置換されていてもよい上記式ｒ４１である組み合わせ
である。より好ましくは、
３つのＱ1Bdがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bd）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bdが−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｏ-であり、
（Ｒ11Bd）が置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ4Bdが置換されていてもよい上記式ｒ４１で表される基であって該ｒ４１中のＹ8がＳｉである組み合わせ
である。
３つのＱ1Bdがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bd）2、−Ａｓ（Ｒ12Bd）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bdが−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
（Ｒ11Bd）及び（Ｒ12Bd）が置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ4Bdが置換されていてもよい上記式ｒ４１である組み合わせ
である。より好ましくは、
３つのＱ1Bdがそれぞれ独立に、−Ｐ（Ｒ11Bd）2、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、１つのＱ1Bdが−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｏ-であり、
（Ｒ11Bd）が置換されていてもよいフェニル基であり、
Ｒ4Bdが置換されていてもよい上記式ｒ４１で表される基であって該ｒ４１中のＹ8がＳｉである組み合わせ
である。
Ｌ1の例としては、下記式Ａａ１〜９４、Ａｂ１〜４、Ｂａ１〜２０、Ｂｂ１、Ｂｃ１〜２３、Ｂｄ１〜３、Ｃａ１〜８、Ｃｃ１〜３、Ｃｆ１、Ｄａ１〜４及びＤｋ１で表される分子が挙げられる。
式中、Ｒ70は水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、又は、フェニルオキシ基である。Ｒ71は水素原子又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基である。Ｒ72は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、又は、ジフェニルアミノ基である。Ｒ73の例はＲ70の例と同様であるが、Ｒ73が直接結合となってＲ74と連結してもよい。Ｒ74は−ＣＨ2−であり、該ＣＨ2が隣同士でない限り任意の数だけＯに置き換わってもよい。ｍは１〜１２の整数である。複数のＲ70〜Ｒ74は同じでも異なっていてもよい。
Ａｒ1は置換されていてもよいフェニル基であり、複数のＡｒ1は同じでも異なっていてもよい。Ａｒ2は置換されていてもよいフェニレン基である。
Ｙ10は−ＣＨ2−、−Ｏ−、又は、−Ｓ−で表される基である。Ｙ11は、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−、−Ｓｉ（ｎ−Ｃ6Ｈ13）2−、又は、−Ｓｉ（Ｐｈ）2−で表される基である。Ｐｈはフェニル基である。複数のＹ10とＹ11は同じでも異なっていてもよい。
上記Ｒ70は、好ましくは水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、又は、フェニルオキシ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、又は、フェニルオキシ基であり、更に好ましくは水素原子、フッ素原子、塩素原子、メトキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、又は、フェニルオキシ基であり、特に好ましくはフッ素原子又は塩素原子である。
上記Ｒ71は、好ましくは水素原子、フェニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、又は、ドデシル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、又は、ドデシル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、又はヘキシル基であり、特に好ましくはメチル基である。
上記Ｒ72は、好ましくは水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、又は、ジフェニルアミノ基であり、より好ましくは水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクチル基、又は、メトキシ基であり、更に好ましくは水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ73の好ましい例は上記Ｒ70の好ましい例と同様である。Ｒ73は直接結合でＲ74と連結していてもよい。
ｍは、好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは３〜１０の整数であり、更に好ましくは４〜９の整数であり、特に好ましくは５〜８の整数である。
Ａｒ1は、好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−ジフェニルアミノフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、３−ビス（２−メチルフェニル）アミノフェニル基、３−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、２，６−ジメトキシ基、３，４，５−トリメトキシ基、３，５−ジメトキシ基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基又は３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、より好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−ジフェニルアミノフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、３−ビス（２−メチルフェニル）アミノフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、２，６−ジメトキシ基、３，５−ジメトキシ基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、更に好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−フルオロフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、特に好ましくはフェニル基である。
Ａｒ2は、好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、３−メチル−１，２−フェニレン基、４−メチル−１，２−フェニレン基、５−メチル−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，２−フェニレン基、６−エチル−１，２−フェニレン基、６−プロピル−１，２−フェニレン基、６−メトキシ−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基、６−メチル−１，４−フェニレン基、６−メトキシ−１，３−フェニレン基又は６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、より好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、６−メチル−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基、６−メチル−１，４−フェニレン基、６−メトキシ−１，３−フェニレン基又は６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、更に好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基又は６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、特に好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基又は１，４−フェニレン基である。
Ｙ10は、好ましくは−ＣＨ2−又は−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。Ｙ11は、好ましくは−Ｃ（ＣＨ3）2−、−（ＣＨ2）2−、−Ｏ−、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−、−Ｓｉ（ｎ−Ｃ6Ｈ13）2−、又は、−Ｓｉ（Ｐｈ）2−であり、更に好ましくは−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−、又は、−Ｓｉ（Ｐｈ）2−であり、特に好ましくは−Ｃ（ＣＨ3）2−及び−Ｓｉ（ＣＨ3）2−である。
Ｚ1は−Ｏ-又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、好ましくは−Ｏ-である。
Ｚ2は−Ｓ-又は−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-であり、好ましくは−Ｓ-である。
Ｚ1は−Ｏ-又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、好ましくは−Ｏ-である。
Ｚ2は−Ｓ-又は−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ-であり、好ましくは−Ｓ-である。
上記の例のうちＬ1として、好ましくは、上記式Ａａ１〜９４、Ａｂ１〜４、Ｂａ１〜２０、Ｂｂ１、Ｂｃ１〜２３、Ｂｄ１〜３で表される分子であり、より好ましくは式Ａａ１〜４０、Ａａ６０〜６６、Ａａ７７〜８０、Ａａ９１〜９４、Ａｂ１〜４、Ｂａ１〜１６、Ｂａ１８〜２０、Ｂｂ１、Ｂｃ１〜２１、及びＢｄ１〜３で表される分子であり、更に好ましくは式Ａａ１、Ａａ３、Ａａ５、Ａａ１３、Ａａ１５、Ａａ２３、Ａａ２４、Ａａ３３、Ａａ３５、Ｂａ１、Ｂａ２、Ｂａ３、Ｂａ６、Ｂａ７、Ｂａ９、Ｂａ１１、Ｂａ１２、Ｂａ１３、Ｂａ１４、Ｂａ１５、Ｂａ１６、Ｂｃ１、Ｂｃ３、Ｂｃ４、Ｂｃ５、Ｂｃ６、Ｂｃ７、Ｂｃ８、Ｂｃ９、Ｂｃ１０、Ｂｃ１４、Ｂｃ１５、Ｂｃ１８、Ｂｃ１９、Ｂｃ２１、及びＢｄ１で表される分子であり、特に好ましくは、Ｂａ３、Ｂａ６、Ｂａ１１、Ｂａ１２、Ｂａ１６、Ｂｃ４、Ｂｃ５、及びＢｃ９で表される分子である。
Ｌ1の好ましい例としては、下記式Ａａ１’、Ａａ１’−２、Ａａ３’、Ａａ５’、Ａａ１５’、Ａａ２３’、Ａａ３５’、Ａａ６０’、Ｂａ１’、Ｂａ３’、Ｂａ６’、Ｂａ１１’、Ｂａ１３’、Ｂａ１６’、Ｂａ１９’、Ｂｃ１’、Ｂｃ４’、Ｂｃ９’、Ｂｃ１５’、Ｂｃ２１’及びＢｄ１’で表される分子が挙げられる。
Ｌ1は、上記の構造例のうち、好ましくは式Ａａ１’、Ａａ１’−２、Ａａ３’、Ａａ２３’、Ｂａ１’、Ｂａ３’、Ｂａ６’、Ｂａ１１’、Ｂａ１６’、Ｂａ１３’、Ｂｃ４’、Ｂｃ１５’、又はＢｃ２１’で表される分子であり、より好ましくは式Ｂａ３’、Ｂａ６’、Ｂａ１１’、Ｂａ１６’、Ｂｃ４’、又はＢｃ２１’で表される分子である。
組成式（１）におけるＬ2は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
組成式（１）で表される錯体において、Ｌ2はＡｇ+に配位していることが好ましく、単座配位子としてＡｇ+に配位しても、二座配位子としてＡｇ+に配位してもよいが、二座配位子としてＡｇ+に配位していることがより好ましい。
Ｌ2の炭素原子数は、通常２〜２５０であり、好ましくは３〜２００であり、より好ましくは４〜１５０であり、更に好ましくは６〜１００であり、特に好ましくは１０〜８０である。
Ｌ2としては、下記式（Ｅ）で表される分子が好ましい。
Ｑ1E−Ｒ2E−Ｑ1E （Ｅ）
（式（Ｅ）中、Ｑ1Eは、−Ｐ（Ｒ11E）2、−（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ12E）2、−（Ｐ＝Ｓ）（Ｒ13E）2、−Ａｓ（Ｒ14E）2、−ＯＨ、−Ｏ-、−ＣＯ2Ｈ、−ＣＯ2 -、−ＳＨ、−Ｓ-、−ＳＲ16E、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ3 -、−Ｎ（Ｒ18E）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、２つのＱ1Eは同じでも異なっていてもよく、２つのＱ1Eが結合して環を形成してもよい。Ｒ11E〜Ｒ14Eはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ16E及びＲ18Eはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、２つのＲ11E、２つのＲ12E、２つのＲ13E、２つのＲ14E、Ｒ16E、及び、２つのＲ18Eは同じでも異なっていてもよい。Ｒ2Eは２価の基であり、但し、２つのＱ1Eのいずれか一方が置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合は直接結合でもよい。Ｒ11E、Ｒ12E、Ｒ13E、Ｒ14E、Ｒ16E、Ｒ18E、Ｒ2E及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｑ1E−Ｒ2E−Ｑ1E （Ｅ）
（式（Ｅ）中、Ｑ1Eは、−Ｐ（Ｒ11E）2、−（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ12E）2、−（Ｐ＝Ｓ）（Ｒ13E）2、−Ａｓ（Ｒ14E）2、−ＯＨ、−Ｏ-、−ＣＯ2Ｈ、−ＣＯ2 -、−ＳＨ、−Ｓ-、−ＳＲ16E、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ3 -、−Ｎ（Ｒ18E）2、又は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、２つのＱ1Eは同じでも異なっていてもよく、２つのＱ1Eが結合して環を形成してもよい。Ｒ11E〜Ｒ14Eはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ16E及びＲ18Eはそれぞれ独立に置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、２つのＲ11E、２つのＲ12E、２つのＲ13E、２つのＲ14E、Ｒ16E、及び、２つのＲ18Eは同じでも異なっていてもよい。Ｒ2Eは２価の基であり、但し、２つのＱ1Eのいずれか一方が置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合は直接結合でもよい。Ｒ11E、Ｒ12E、Ｒ13E、Ｒ14E、Ｒ16E、Ｒ18E、Ｒ2E及び置換されていてもよい窒素原子含有複素環から水素原子を１つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｒ11E〜Ｒ14Eにおける置換されていてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ16E及びＲ18Eにおける置換されていてもよいアルキル基及び該アルキル基が有し得る置換基の例並びに好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいアルキル基及び該アルキル基が有し得る置換基の例と同様である。
Ｑ1Eにおける置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物及び該窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ2Eにおける２価の基の例及び好ましい例は、前記Ｒ2Xxで表される基の例及び好ましい例と同様である。
２つのＱ1Eの組み合わせは、好ましくは−Ｐ（Ｒ11E）2２つ、−Ａｓ（Ｒ14E）2２つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基２つ、−Ｏ-と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつ、−ＣＯ2 -と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつ、又は、−Ｓ-と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつであり、より好ましくは−Ｐ（Ｒ11E）2２つ、又は、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基２つである。
前記Ｌ2の例としては、置換されていてもよい下記式ａ１〜ａ３７、ｂ１〜ｂ１１、ｃ１〜ｃ４１、ｄ１〜ｄ３０で表される分子が挙げられる。
上記式ａ１〜ａ３７、ｂ１〜ｂ１１、ｃ１〜ｃ４１、及びｄ１〜ｄ３０で表される分子のうち、Ｌ2は、好ましくは式ａ１〜ａ１６、ａ２５〜ａ３７、ｃ１〜ｃ６、ｃ１２〜ｃ４１、ｄ２２〜ｄ２４、又はｄ２６で表される分子であり、より好ましくは式ａ１〜ａ２、ａ４〜ａ８、ａ１０〜ａ１２、ａ１５〜ａ１６、ａ２５〜ａ３２、ｃ１４〜ｃ４１、ｄ２２、ｄ２３、又はｄ２６で表される分子であり、更に好ましくは式ａ２、ａ４〜ａ７、ａ１０、ａ１５、ａ２５〜ａ２６、ａ３０〜ａ３２、ｃ１５、ｃ１７〜ｃ２５、ｃ２８〜ｃ４１、ｄ２２、ｄ２３、又はｄ２６で表される分子であり、特に好ましくは式ａ６、ａ７、ａ２５、ａ２６、ａ３１、ｃ１５、ｃ２２、又はｃ２３で表される分子である。
組成式（１）においてＬ3は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。
Ｌ3の炭素原子数は通常２〜１５０であり、好ましくは３〜１００、より好ましくは４〜７５であり、更に好ましくは５〜６０であり、特に好ましくは６〜５０である。
Ｌ3は、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物、Ｐ（Ｒ11F）3、（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ12F）3、（Ｐ＝Ｓ）（Ｒ13F）3、Ａｓ（Ｒ14F）3、Ｒ15F−ＯＨ、Ｒ16F−Ｏ−、Ｒ17F−ＣＯ2Ｈ、Ｒ18F−ＣＯ2 -、Ｒ19F−ＳＨ、Ｒ20F−Ｓ-、Ｒ21F−ＳＯ3Ｈ、Ｒ22F−ＳＯ3 -、又は、Ｎ（Ｒ24F）3で表される分子であることが好ましい。
ここで、Ｒ11F〜Ｒ22Fはそれぞれ独立に水素原子又は置換されていてもよいヒドロカルビル基であり、Ｒ24Fは置換されていてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、３つのＲ11F、３つのＲ12F、３つのＲ13F、３つのＲ14F、Ｒ15F、Ｒ16F、Ｒ17F、Ｒ18F、Ｒ19F、Ｒ20F、Ｒ21F、Ｒ22F、及び、３つのＲ24Fは同じでも異なっていてもよい。
３つのＲ11Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ12Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ13Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ14Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ24Fは結合して環を形成してもよい。
Ｌ3としての、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例及び好ましい例と同様である。
Ｒ11F〜Ｒ22Fにおける置換されていてもよいヒドロカルビル基及び該ヒドロアルキル基が有し得る置換基の例並びに好ましい例は、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいヒドロカルビル基及び該ヒドロアルキル基が有し得る置換基の例並びに好ましい例と同様である。
Ｒ24Fにおける置換されていてもよいアルキル基及び該アルキル基が有し得る置換基の例並びに好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）〜（Ｂｄ）、（Ｃａ）〜（Ｃｉ）、及び（Ｄａ）〜（Ｄｔ）で表される分子中における置換されていてもよいアルキル基及び該アルキル基が有し得る置換基の例並びに好ましい例と同様である。
Ｌ3は、好ましくは置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物、Ｐ（Ｒ11F）3、Ｒ16F−Ｏ-、Ｒ18F−ＣＯ2 -、Ｒ20F−Ｓ-、又は、Ｒ22F−ＳＯ3 -で表される分子であり、より好ましくは置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物、Ｐ（Ｒ11F）3、Ｒ18F−ＣＯ2 -、又は、Ｒ20F−Ｓ-で表される分子であり、更に好ましくは窒素原子含有複素環式化合物、又は、Ｐ（Ｒ11F）3で表される分子である。
前記Ｌ3の例としては、置換されていてもよい下記式ｅ１〜ｅ３５で表される分子が挙げられる。
上記式で表される分子及びイオンのうち、Ｌ3は、好ましくは式ｅ１〜ｅ１３、ｅ１６〜ｅ２０、ｅ２５、ｅ２６、ｅ２８、ｅ３２、ｅ３３、及びｅ３４のいずれかで表される分子であり、より好ましくは式ｅ１〜ｅ１３、ｅ１６〜ｅ２０、ｅ２８、及びｅ３３のいずれかで表される分子である。
組成式（１）で表される銀錯体においてＸ1は、アニオンであり、例えば、ハロゲン化物イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン）、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン）のほか、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、及びこれらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられ、錯体への配位力が良好であるので、好ましくは、ハロゲン化物イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン）、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、及びテトラフェニルボレートイオンであり、より好ましくは、ハロゲン化物イオンであり、更に好ましくは、臭化物イオン、ヨウ化物イオンであり、特に好ましくは、ヨウ化物イオンである。
組成式（１）において、ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。
ここで前記ａ、ｂ、ｃ及びｄを数式（ｚ×ａ）＋（２×ｂ）＋ｃ＋ｄに代入して求められる値を、前記組成式（１）における平均配位数と定義する。式中、ｚはＬ1におけるＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数である。該平均配位数は、２．０より大きく７．０以下であることが好ましい。すなわち、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄは、下記数式（２）を満たすことが好ましい。
７．０ ≧ （ｚ×ａ）＋（２×ｂ）＋ｃ＋ｄ ＞ ２．０ （２）
（数式（２）中、ｚはＬ1におけるＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数である。）
７．０ ≧ （ｚ×ａ）＋（２×ｂ）＋ｃ＋ｄ ＞ ２．０ （２）
（数式（２）中、ｚはＬ1におけるＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数である。）
前記組成式（１）における平均配位数は、３．０以上６．０以下であることがより好ましく、３．５以上５．５以下であることが更に好ましく、４．０以上５．０以下であることが特に好ましい。
ａは、好ましくは０．５より大きく１．５以下の数であり、より好ましくは０．６〜１．４の数であり、更に好ましくは０．７〜１．３の数であり、特に好ましくは０．８〜１．２の数である。
ｂは、好ましくは０〜１．５の数であり、より好ましくは０〜１．０の数であり、更に好ましくは０〜０．３又は１．０の数であり、特に好ましくは０である。
ｃは、好ましくは０〜１．５の数であり、より好ましくは０〜１．０の数であり、更に好ましくは０〜０．３又は１．０の数であり、特に好ましくは０である。
ｄの好ましい態様は、２つある。１つの態様として好ましくは０〜０．３の数であり、より好ましくは０〜０．２の数であり、更に好ましくは０〜０．１の数であり、特に好ましくは０である。もう１つの態様として好ましくは０．５〜１．５の数であり、より好ましくは０．６〜１．５の数であり、更に好ましくは０．７〜１．３の数であり、特に好ましくは０．８〜１．２の数である。好ましい２つの態様のうち、前述の態様がより好ましい。
本発明の膜における発光性銀錯体は、単核錯体、２核錯体、３核錯体、４核錯体、５核錯体、６核錯体、及び７核以上の錯体のいずれであってもよく、これらの混合物であってもよいが、好ましくは単核錯体、２核錯体、又は３核錯体であり、より好ましくは単核錯体又は２核錯体であり、更に好ましくは単核錯体である。
本発明の膜における銀錯体の例を表１−１及び表１−２に示す。なお、前記組成式（１）におけるａ、ｂ、ｃ及びｄを省略しているが、各化合物番号のそれぞれについて、前記記載の適切な数をとることができる。
表１−１及び表１−２中「−」は、は含まれない旨を示す。
表１−１及び表１−２に示される組み合わせのうち、化合物番号１〜１３、２２〜２５、及び３１〜１０８、及び１２４〜１５４で示される組み合わせが好ましく、化合物番号１〜９、３１〜４１、７２〜１０８、及び１２４〜１５４で示される組み合わせがより好ましく、化合物番号１〜９、３１〜４１、７２〜７５、９４〜１００、及び１２４〜１５４で示される組み合わせが更に好ましく、１〜９、３１〜４１、９４〜１００、１２４〜１３７、及び１４８−１５４で示される組み合わせが特に好ましい。
本発明の膜における銀錯体の代表例を以下に示す。式１０’、３２’、６８’、９４’、及び９５’で表される銀錯体は、それぞれ前記化合物番号１０、３２、６８、９４、９５で示される組み合わせを有する代表的な銀錯体である。
本発明の膜における銀錯体は、通常は発光性を示す。銀錯体の発光寿命は長い方が好ましい。そのためにはＳ１エネルギーとＴ１エネルギーとの差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがより好ましく、三重項が発光に寄与しやすいので、０．１ｅＶ以下であることが更に好ましい。Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．３ｅＶ以下であれば、２００ｎｓ以上の発光寿命を発現し得る。
ここで、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーとの差の求め方を、以下に一例を挙げて説明する。まず密度汎関数法により銀錯体の初期構造について構造最適化計算を行う。構造最適化計算の際、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として銀原子（又はＡｇ+）及びハロゲン原子にはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子には６−３１Ｇ（ｄ）を用い得る。計算プログラムはＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）を用い得る。
前記銀錯体の初期構造としては、前記組成式（１）におけるＬ1、Ｌ2及びＬ3のいずれもがＡｇ+に配位可能なアニオンを有さず、かつ、Ｘ1がＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-及びＩ-のいずれかでない場合は、総電荷を＋１として、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3のいずれか１つ以上がＡｇ+に配位可能なアニオンを有するか、又はＸ1がＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-及びＩ-のいずれかである場合は、総電荷を０として、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3の各配位原子が銀原子（又はＡｇ+）から３．０Å以下になるよう配置したものを用いることが好ましい。Ｘ1がハロゲン化物イオンの場合は、Ｘ1も銀原子（又はＡｇ+）から３．０Å以下になるよう配置したものを用いることが好ましい。
ここでいうＳ１エネルギーとは、１電子励起状態において、基底状態を基準としたときの最低励起１重項状態のエネルギーであり、Ｔ１エネルギーとは１電子励起状態において、基底状態を基準としたときの最低励起３重項状態のエネルギーである。Ｓ１エネルギー及びＴ１エネルギーは、前記の構造最適化計算により得られる最適化された構造に対して、時間依存密度汎関数法を適用し、一電子励起状態を計算することにより求めることができる。時間依存密度汎関数法に用いる計算手法は、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数としてＡｇ+及びハロゲン原子にはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子には６−３１Ｇ（ｄ）を用い得る。計算プログラムはＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）を用い得る。
本発明の膜における銀錯体は、Ｌ1が、Ａｇ+に配位可能な窒素原子として、置換されていてもよい窒素原子含有複素環式化合物中の窒素原子を１つ以上有する場合に、Ｌ1中のＡｇ+に配位可能な全ての窒素原子について、Ｌ1中のＡｇ+に配位可能な窒素原子とＡｇ+との距離は、２．００Å以上３．５０Å以下であることが好ましい。より好ましくは２．１０Å以上３．４０Å以下であり、更に好ましくは２．２０Å以上３．３０Å以下であり、特に好ましくは２．３０Å以上３．２０Å以下であり、とりわけ好ましくは２．３０Å以上２．７０Å以下である。
Ａｇ+に配位可能な窒素原子とＡｇ+との距離は、例えば、上述の密度汎関数法により銀構造最適化計算を行う手法によって求めることができる。
本発明の膜における銀錯体は、例えば、溶媒中で銀塩と銀錯体を構成する分子とを混合する方法によって製造できる。
本発明の膜における銀錯体の製造方法の例について、前記式３２’で表される錯体を例に挙げて説明すると、１ｍｍｏｌの臭化銀（Ｉ）と、１ｍｍｏｌの式Ａａ６０’で表される分子と、溶媒（例えば、アセトニトリル、ジクロロメタン）５０ｍＬとを混合し、３０分時間程度加熱し還流させる。反応液をろ過し、ろ液の溶媒をゆっくりと留去して再結晶することにより、前記式３２’で表される錯体を製造することができる。
本発明が提供する膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜５０μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜５μｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３μｍであり、特に好ましくは、発光素子に使用する際に電荷を流しやすいので、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。膜はピンホール又は凹凸を含んでいてもよいが、ピンホール及び凹凸を含んでいないことが好ましい。
本発明の膜は、例えば、銀錯体と他の成分とを任意の割合で基板上に蒸着する工程を含む方法、又は、銀錯体と他の成分とを任意の割合で溶媒中に懸濁又は溶解させ、塗布する工程を含む方法によって製造することができる。好ましくは銀錯体と他の成分とを任意の割合で溶媒中に懸濁又は溶解させ、塗布する工程を含む方法によって製造される。
前記塗布する工程に使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、シクロヘキサン、及びこれらの混合物が挙げられる。
溶媒を乾燥させる方法の例としては、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、及び窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾、又は加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法及びオフセット印刷法が挙げられ、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット法及びオフセット印刷法が好ましい。
本発明の膜は、その他の成分を含んでいてもよい。該成分には、低分子有機材料、高分子有機材料、有機無機複合材料、無機材料及びそれらの混合物が使用でき、用途に応じて任意に選択できる。該成分としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物、アリールシラン骨格を有する化合物、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有してもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）及びこれらの混合物が挙げられ、
好ましくは、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ジフェニルキノン誘導体、芳香環（ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物であり、
より好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物であり、
更に好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、アリールアミン誘導体有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物である。
その他の成分は１種類であってもよいし、２種類以上の組み合わせであってもよい。
好ましくは、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ジフェニルキノン誘導体、芳香環（ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物であり、
より好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物であり、
更に好ましくは、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、アリールアミン誘導体有機シラン誘導体、フルオレン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物である。
その他の成分は１種類であってもよいし、２種類以上の組み合わせであってもよい。
膜中の銀錯体の含量は、膜全体の重量に対して、通常、０．０１〜１００重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
本発明の膜は、膜を形成するための成分として高分子化合物を用いることが好ましい。該高分子化合物としては、例えば以下のものが挙げられる。
カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物、アミノ置換カルコン誘導体等の正孔輸送材料の残基を含む重合体；
ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリシラン誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）誘導体、アニリン系共重合体、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、などの高分子正孔輸送材料；
トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環カルボン酸無水物誘導体（ナフタレン、ペリレン）、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニレンジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体、フタロシアニン誘導体、金属ポルフィリン誘導体等の電子輸送材料の残基を含む重合体、ポリトリアジン誘導体、ポリオキサゾール誘導体、ポリナフタレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の電子輸送材料；
ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリブチルメタクリレート及びその誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリエステル及びその誘導体、ポリスルホン及びその誘導体、ポリフェニレンオキシド誘導体、ポリブタジエン誘導体、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエチレンオキシド及びその誘導体、ポリアクリルニトリル及びその誘導体、フッ化ビニリデンと６フッ化プロピレンの共重合体等の高分子マトリックス。
カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物、アミノ置換カルコン誘導体等の正孔輸送材料の残基を含む重合体；
ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリシラン誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）誘導体、アニリン系共重合体、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、などの高分子正孔輸送材料；
トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環カルボン酸無水物誘導体（ナフタレン、ペリレン）、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニレンジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体、フタロシアニン誘導体、金属ポルフィリン誘導体等の電子輸送材料の残基を含む重合体、ポリトリアジン誘導体、ポリオキサゾール誘導体、ポリナフタレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の電子輸送材料；
ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリブチルメタクリレート及びその誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリエステル及びその誘導体、ポリスルホン及びその誘導体、ポリフェニレンオキシド誘導体、ポリブタジエン誘導体、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリエチレンオキシド及びその誘導体、ポリアクリルニトリル及びその誘導体、フッ化ビニリデンと６フッ化プロピレンの共重合体等の高分子マトリックス。
好ましくは、ポリカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリヒドラゾン誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリシラン誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）誘導体、アニリン系共重合体、ポリトリアゾール誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、ポリイミダゾール誘導体、８−ヒドロキシキノリン誘導体の残基を含む重合体、ポリフタロシアニン誘導体、金属ポルフィリン誘導体の残基を含む重合体、ポリトリアジン誘導体、ポリオキサゾール誘導体、ポリナフタレン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンオキシド誘導体、炭化水素樹脂、ポリアミド、ポリエチレンオキシド及びその誘導体であり、
より好ましくは、ポリカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリシラン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、金属ポルフィリン誘導体の残基を含む重合体、ポリトリアジン誘導体、ポリオキサゾール誘導体、ポリナフタレン誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンオキシド誘導体であり、
更に好ましくは、ポリカルバゾール誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、ポリトリアジン誘導体、ポリフルオレン誘導体である。
高分子化合物は１種類であってもよいし、２種類以上の組み合わせであってもよい。
より好ましくは、ポリカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリシラン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、金属ポルフィリン誘導体の残基を含む重合体、ポリトリアジン誘導体、ポリオキサゾール誘導体、ポリナフタレン誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンオキシド誘導体であり、
更に好ましくは、ポリカルバゾール誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、ポリトリアジン誘導体、ポリフルオレン誘導体である。
高分子化合物は１種類であってもよいし、２種類以上の組み合わせであってもよい。
前記高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、１×１０3〜１×１０8であり、好ましくは１×１０3〜１×１０7であり、より好ましくは２×１０3〜１×１０6であり、更に好ましくは３×１０3〜５×１０5であり、特に好ましくは５×１０3〜１×１０5である。
本発明の膜が前記高分子化合物を含有する場合、膜における銀錯体の含有量は、膜全体の重量に対して、通常、０．０１〜９９．９９重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
本発明は、上記本発明の膜を含有する発光素子を提供する。該発光素子は、通常、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられた発光層を有する１層又は複数層からなる層（薄膜層）とが挟持されている発光素子であり、該層の１層以上が、本発明の膜である発光素子である。
本発明の発光素子において、本発明の膜を含む膜中の該銀錯体の含有量は、該層全体の重量に対し、通常０．０１〜１００重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
本発明の発光素子としては、例えば、単層型の発光素子（陽極／発光層／陰極）及び多層型の発光素子が挙げられる。多層型の発光素子の層構成としては、例えば、以下の層構成が挙げられる。
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
本発明の発光素子において、該素子を構成するいずれかの層が本発明の膜であればよく、その層は限定されないが、発光層であることが好ましい。
前記（ａ）〜（ｅ）において、（正孔輸送層）及び（電子輸送層）は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを表す。
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料には、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができ、好ましくは、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；前記導電性金属酸化物と前記金属との混合物及び積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン類、ポリチオフェン類〔ポリエチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料及びこれらとＩＴＯとの組み合わせ、が挙げられる。
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。陰極の材料には、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができ、好ましくは、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕；希土類金属〔イッテルビウム等〕；インジウム；これらの組み合わせを用いることができる。
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料の例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料の例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）及び有機シラン誘導体が挙げられる。電子注入層及び電子輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体、半導体等の無機化合物も使用できる。電子注入層及び電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体の例としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる１種以上の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが好ましい。半導体の例としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の、酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。
本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。前記還元性ドーパントの例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体が挙げられる。
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入することができる機能、注入した電荷を電界の力で移動させる機能、及び、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。発光層に本発明の膜を含有させる場合、本発明の膜に含まれる銀錯体をゲスト材料として発光層に含有させ、さらにホスト材料を発光層に含有させてもよい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料のＴ１は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。ホスト材料は更に電解質を含有してもよく、該電解質としては、例えば、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有してもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）及び該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、フッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体等）が挙げられる。ホスト材料と銀錯体とを混合して塗布する、又は共蒸着することにより、発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。
本発明の発光素子において、各層の形成方法の例としては、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法及び塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法及びグラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法等）が挙げられるが、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。前記塗布法では、各層の材料である、前記銀錯体、前記高分子化合物、それらの混合物等を、溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥させることによって形成することができる。塗布液中にはホスト材料及び／又はバインダーとして樹脂を含有させてもよい。この樹脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。
樹脂としては、例えば、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、ポリオレフィン系高分子等の共役系高分子を使用することができ、好ましくは、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂が挙げられる。樹脂の溶液は、更に、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。前記溶液に用いられる溶媒としては、膜の成分を均一に溶解するもの又は安定な分散液を与える溶媒が好ましく、例えば、アルコール類（メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、塩素化炭化水素類（クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、脂肪族炭化水素類（ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド等）及びそれらの混合物が挙げられる。
インクジェット法においては、例えば、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒（アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等）を用いることができる。溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓが好ましい。
本発明の発光素子の各層の厚さは、０．５ｎｍ〜１００μｍが好ましく、１ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
本発明の発光素子は、例えば、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等に用いることができる。ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグメント型、ドットマトリクス型等の構成とした装置が挙げられる。
本発明は、下記組成式（３）で表される銀錯体を提供する。
（Ａｇ+）（Ｌ4）e（Ｌ5）f（Ｌ6）g（Ｘ2）h （３）
（組成式（３）中、Ｌ4は、Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下である分子である。Ｌ5は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ5が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ6は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ2はアニオンである。ｅは０．５より大きい数であり、ｆ、ｇ及びｈはそれぞれ独立に０以上の数である。）
（Ａｇ+）（Ｌ4）e（Ｌ5）f（Ｌ6）g（Ｘ2）h （３）
（組成式（３）中、Ｌ4は、Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下である分子である。Ｌ5は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ5が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。Ｌ6は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。Ｘ2はアニオンである。ｅは０．５より大きい数であり、ｆ、ｇ及びｈはそれぞれ独立に０以上の数である。）
Ｌ4の好ましい例及び例は、上記Ｌ1のうちの好ましい例及び例のうち、
Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有するもの、又は、
Ａｇ＋に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であるもの
と同様である。
Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有するもの、又は、
Ａｇ＋に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であるもの
と同様である。
Ｌ5、Ｌ6、Ｘ2、ｅ、ｆ、ｇ及びｈの定義は、それぞれ上記組成式（１）におけるＬ2、Ｌ3、Ｘ1、ａ、ｂ、ｃ、ｄと同様である。Ｌ5、Ｌ6、Ｘ2、ｅ、ｆ、ｇ及びｈの好ましい例及び例は、それぞれ上記組成式（１）におけるＬ2、Ｌ3、Ｘ1、ａ、ｂ、ｃ、ｄの好ましい例及び例と同様である。
本発明は、ジアリールホスフィノ基を２つ以上含有し、且つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基、−Ｏ-、及び−Ｓ-から選ばれる基を１つ又は２つ含有し、且つ、前記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ’）、（Ｂｂ）、（Ｂｃ）又は（Ｂｄ）で示される分子を提供する。本発明の分子は、例えば、金属錯体の配位子や、反応触媒などに用いることができるため、有用である。好ましくは上記本発明の膜に含まれる銀錯体、又は、銀錯体中の配位子として、有用である。
該ジアリールホスフィノ基及び該窒素原子含有複素環式化合物の例並びに好ましい例は、それぞれ、前記式Ａａ中の−Ｐ（Ｒ11Aa）2、及び該窒素原子含有複素環式化合物の例並びに好ましい例と同様である。
本発明の分子は、ジアリールホスフィノ基を２つ以上含有し、且つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基、−Ｏ-、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、又は、−Ｓ-から選ばれる基を１つ又は２つ含有する。
好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｓ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｓ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｓ-を１つ含有し、
より好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ含有し、
更に好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ含有し、
特に好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ含有する化合物である。
好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと−Ｓ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つと−Ｓ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｓ-を１つ含有し、
より好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ含有し、
更に好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を１つ、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-を１つ含有し、
特に好ましくは、
ジアリールホスフィノ基を２つと窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基を２つ、又は、
ジアリールホスフィノ基を３つと−Ｏ-を１つ含有する化合物である。
本発明の分子は、前記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ’）、（Ｂｂ）、（Ｂｃ）又は（Ｂｄ）で示される分子である。本発明の分子の好ましい例としては、前記式Ａａ１〜Ａａ４０、Ａａ７７〜Ａａ８０、Ａａ９１〜Ａａ９４、Ｂａ４〜Ｂａ１６、Ｂｂ１、及びＢｃ６〜Ｂｃ２１が挙げられる。より好ましくは前記式Ａａ１〜Ａａ４０、Ｂａ４〜Ｂａ１５、Ｂａ２１、及びＢｃ６〜Ｂｃ１８のいずれかであり、更に好ましくは前記式Ｂａ４〜Ｂａ１６、及びＢｃ６〜Ｂｃ１８のいずれかであり、特に好ましくはＢａ４、Ｂａ６、Ｂａ８、Ｂａ９、Ｂａ１６、及びＢｃ６〜Ｂｃ１０のいずれかである。
本発明の分子は、好ましくは、前記式Ａａ１’、Ａａ１’−２、Ａａ３’、Ａａ５’、Ａａ１５’、Ａａ２３’、Ａａ３５’、Ｂａ６’ 、Ｂａ１１’、Ｂａ１３’、Ｂａ１６’、Ｂｃ９’、又はＢｃ１５’で表される分子である。この中から更に好ましくは、Ｂａ６’、Ｂａ１１’、Ｂａ１３’、Ｂａ１６’、Ｂｃ９’、及びＢｃ１５’であり、特に好ましくは式Ｂａ６’、Ｂａ１６’、及びＢｃ９’である。
次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下、ＮＭＲ測定にはＶａｒｉａｎ社製３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメーターあるいはＢｕｒｋｅｒ社製４００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメーターを、ＤＡＲＴ−ＭＳ測定には日本電子製のＴｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ（ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ）を用いた。分取用ＧＰＣには展開溶媒をクロロホルムとして、日本分析工業社製ＬＣ９０８−Ｃ６０、同社製カラムＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ−４０及びＪＡＩＧＥＬ−２Ｈ−４０を用いた。
ＣＨＮの元素分析には自動分析法を、Ｃｌの元素分析にはフラスコ燃焼−電位差滴定法を、Ｂｒの元素分析にはフラスコ燃焼−イオンクロマトグラフ法を、それぞれ用いた。
合成例１（表１−１における化合物番号３３）
ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（Ａａ６０’）を、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３９３０−３９３６（１９６３）に記載の方法で合成した。
ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（Ａａ６０’）を、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３９３０−３９３６（１９６３）に記載の方法で合成した。
アルゴン雰囲気下、ヨウ化銀（Ｉ）（８０．７ｍｇ，０．３４４ｍｍｏｌ）のアセトニトリル５ｍＬ溶液に、Ａａ６０’（２１７ｍｇ，０．３４４ｍｍｏｌ）を加え４５℃で３０分撹拌し、ジクロロメタン１５ｍＬを追加して、撹拌しながら１時間還流した。反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を乾燥させて淡黄色結晶の錯体を２９７ｍｇ得た。
得られた錯体のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．６８−７．６０（ｍ，４Ｈ），７．２８−６．９８（ｍ，２５Ｈ），６．９５−６．８９（ｍ，４Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ（ｐｐｍ）＝−６．８−−１１．１（ｍ），−２５．４−−２９．６（ｍ）
得られた錯体の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ42Ｈ33ＩＰ3Ａｇ・Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，５７．１０；Ｈ，３．９９；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，５６．７４；Ｈ，３．７３；Ｎ＜０．３．
錯体のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；７３７．０９．Ｃａｌｃｄ；７３７．０８（Ｍ−Ｉ）+．
ＤＡＲＴ−ＭＳより、下記組成の錯体を確認した。
得られた錯体の組成比は、収量、1Ｈ ＮＭＲ、31Ｐ ＮＭＲ、収量、ＤＡＲＴ−ＭＳ測定、及び、元素分析値から決定した。
合成例２（表１−１における化合物番号３２）
アルゴン雰囲気下、臭化銀（Ｉ）（５３．０ｍｇ，０．２８２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル５ｍＬ溶液に、Ａａ６０’（１７８ｍｇ，０．２８２ｍｍｏｌ）を加え４５℃で３０分撹拌し、ジクロロメタン１５ｍＬを追加して、撹拌しながら１時間加熱還流した。反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を乾燥させて淡黄色結晶の錯体を２２３ｍｇ得た。
アルゴン雰囲気下、臭化銀（Ｉ）（５３．０ｍｇ，０．２８２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル５ｍＬ溶液に、Ａａ６０’（１７８ｍｇ，０．２８２ｍｍｏｌ）を加え４５℃で３０分撹拌し、ジクロロメタン１５ｍＬを追加して、撹拌しながら１時間加熱還流した。反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を乾燥させて淡黄色結晶の錯体を２２３ｍｇ得た。
得られた錯体のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．６８−７．６２（ｍ，４Ｈ），７．２９−７．００（ｍ，２５Ｈ），６．９３−６．８６（ｍ，４Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝−５．１−−９．６（ｍ），−２４．７−−２９．５（ｍ）
得られた錯体の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ42Ｈ33ＢｒＰ3Ａｇ・Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，６０．３１；Ｈ，４．２２；Ｎ，０．００；Ｂｒ，９．５５．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６０．５３；Ｈ，３．９８；Ｎ＜０．３；Ｂｒ，９．１０．
得られた錯体のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；８１６．０４．ｃａｌｃｄ；８１６．００（Ｍ）+．
ＤＡＲＴ−ＭＳより、下記組成の錯体を確認した。
得られた錯体の組成比は、1Ｈ ＮＭＲ、31Ｐ ＮＭＲ、収量、ＤＡＲＴ−ＭＳ測定、及び、元素分析値から決定した。
合成例３（表１−１における化合物番号３１）
アルゴン雰囲気下、塩化銀（Ｉ）（５６．８ｍｇ，０．３９６ｍｍｏｌ）のアセトニトリル６ｍＬ溶液に、Ａａ６０’（２５０ｍｇ，０．３９６ｍｍｏｌ）を加え、４５℃で３０分撹拌し、ジクロロメタン１８ｍＬを追加して、撹拌しながら１．５時間加熱還流した。反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を乾燥させて淡黄色錯体を２８４ｍｇ得た。
アルゴン雰囲気下、塩化銀（Ｉ）（５６．８ｍｇ，０．３９６ｍｍｏｌ）のアセトニトリル６ｍＬ溶液に、Ａａ６０’（２５０ｍｇ，０．３９６ｍｍｏｌ）を加え、４５℃で３０分撹拌し、ジクロロメタン１８ｍＬを追加して、撹拌しながら１．５時間加熱還流した。反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を乾燥させて淡黄色錯体を２８４ｍｇ得た。
得られた錯体のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．６９−７．６１（ｍ，４Ｈ），７．３１−６．９８（ｍ，２５Ｈ），６．９２−６．８６（ｍ，４Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝−４．４−−８．９（ｍ），−２４．３−−２８．９（ｍ）
得られた錯体の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ42Ｈ33ＣｌＰ3Ａｇ（％）：Ｃ，６５．１８；Ｈ，４．３０；Ｎ，０．００；Ｃｌ，４．５８．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６５．３７；Ｈ，４．２８；Ｎ＜０．３；Ｃｌ，４．５９．
得られた錯体のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；７７２．０６．ｃａｌｃｄ；７７２．０５（Ｍ）+．
ＤＡＲＴ−ＭＳより、下記組成の錯体を確認した。
得られた錯体の組成比は、1Ｈ ＮＭＲ、31Ｐ ＮＭＲ、収量、ＤＡＲＴ−ＭＳ測定、及び、元素分析値から決定した。
合成例４（表１−１における化合物番号３７）
合成例３で得られた錯体１３．６ｍｇのジクロロメタン１．５ｍＬ溶液に１，２，４，５−テトラメチルイミダゾール２．１７ｍｇ（０．０１７５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン０．５ｍＬ溶液を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を１５．８ｍｇ得た。
合成例３で得られた錯体１３．６ｍｇのジクロロメタン１．５ｍＬ溶液に１，２，４，５−テトラメチルイミダゾール２．１７ｍｇ（０．０１７５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン０．５ｍＬ溶液を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を１５．８ｍｇ得た。
得られた錯体の組成比は混合比から決定した。
合成例５（表１−１における化合物番号３６）
合成例３で得られた錯体９．８５ｍｇのジクロロメタン１．５ｍＬ溶液に２，６−ルチジン１．３６ｍｇ（０．０１２７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン０．５ｍＬ溶液を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を１１．２ｍｇ得た。
合成例３で得られた錯体９．８５ｍｇのジクロロメタン１．５ｍＬ溶液に２，６−ルチジン１．３６ｍｇ（０．０１２７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン０．５ｍＬ溶液を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を１１．２ｍｇ得た。
得られた錯体の組成比は混合比から決定した。
実施例１（Ａａ１’の合成）
８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリン（Ａａ１’）を、以下の方法で合成した。
８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリン（Ａａ１’）を、以下の方法で合成した。
５０ｍＬシュレンク管に１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（３．１２ｇ，９．１４ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦ １５ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下した。赤色に変色した反応液を、−３０℃まで昇温して２時間撹拌した（反応液Ａ）。５０ｍＬ４つ口ナス形フラスコに、フェニルジクロロホスフィン（１．５８ｇ，８．８３ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ８ｍＬを入れ、−５０℃に冷却し、反応液Ａをカヌラ送液により混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温し、１２時間撹拌した。反応液は白濁化した（反応液Ｂ）。２００ｍＬ４つ口ナス形フラスコに８−ブロモキノリン（１．８５ｇ，８．８９ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦ９０ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６Ｍ，５．５ｍＬ，８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、−４０℃まで昇温して２時間撹拌した。赤色に変色した反応液を−６０℃に再冷却した（反応液Ｃ）。上記反応液Ｂを−６０℃に冷却してカヌラ送液により反応液Ｃへ混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温し、１８時間撹拌した。反応液に塩化アンモニウム水溶液、クロロホルムを加え、クロロホルムで抽出を行い、得られた有機層を、無水硫酸ナトリウムで乾燥、ろ過、濃縮後、展開溶媒としてクロロホルムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を２回行い、乾燥させて黄色固体のＡａ１’を３３５ｍｇ（収率７．６４％）得た。
Ａａ１’のＮＭＲ、ＤＡＲＴ−ＭＳデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝８．７７（ｂｒｄ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３６−７．０９（ｍ，２１Ｈ），６．９０（ｂｒ，１Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝−１２．５（ｄ，Ｊ＝１６７Ｈｚ），−２０．１（ｄ，Ｊ＝１６７Ｈｚ）；ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；４９８．１５．ｃａｌｃｄ；４９８．１５（Ｍ＋Ｈ）+．
Ａａ１’の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ33Ｈ25ＮＰ2０．５Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，７８．２５；Ｈ，５．１７；Ｎ，２．７７．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７８．１２；Ｈ，５．１４；Ｎ，２．８３．
実施例２（表１−１における化合物番号６）
ヘキサフルオロリン酸銀（Ｉ）（４．２０ｍｇ，０．０１６６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、Ａａ１’（８．２６ｍｇ，０．０１６６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて橙色固体の錯体を１２．５ｍｇ得た。
ヘキサフルオロリン酸銀（Ｉ）（４．２０ｍｇ，０．０１６６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、Ａａ１’（８．２６ｍｇ，０．０１６６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて橙色固体の錯体を１２．５ｍｇ得た。
得られた錯体の組成比は、混合比より決定した。
実施例３（表１−１における化合物番号１）
フッ化銀（Ｉ）（３．１２ｍｇ，０．０２４６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、Ａａ１’（１２．２ｍｇ，０．０２４６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて橙色固体の錯体を１５．３ｍｇ得た。
フッ化銀（Ｉ）（３．１２ｍｇ，０．０２４６ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、Ａａ１’（１２．２ｍｇ，０．０２４６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて橙色固体の錯体を１５．３ｍｇ得た。
得られた錯体の組成比は、混合比より決定した。
実施例４（Ｂｃ９’の合成）
２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）ベンズアルデヒドを、以下の方法で合成した。
２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）ベンズアルデヒドを、以下の方法で合成した。
２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール（２０．０g，８７．３ｍｍｏｌ）、２−フルオロベンズアルデヒド（１０．８ｇ，８７．３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（９．６０ｇ，８７．３ｍｍｏｌ）及びジメチルアセトアミド１２０ｍＬの混合物を１９０℃で２時間撹拌した。放冷後、反応液に水とクロロホルムを加え、クロロホルムで抽出を行い、得られた有機層を１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液と水で洗浄した。有機層を濃縮後、展開溶媒 クロロホルム：ヘキサン＝１：１（体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、溶出液を濃縮後、クロロホルム−ヘキサンで再結晶を行い、乾燥させて無色結晶の２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）ベンズアルデヒドを２２．０ｇ（収率７５．６％）得た。
２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）フェノールを、以下の方法で合成した。
３０重量％過酸化水素（１０ｍＬ，９０ｍｍｏｌ）とジクロロメタン２０ｍＬの混合物を０℃で撹拌しながら、トリフルオロ酢酸無水物（９４．５ｇ，４５０ｍｍｏｌ）を３０分かけて加え、０℃で１時間撹拌し、ＴＦＰＡ溶液を調製した。２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）ベンズアルデヒド（２０．０ｇ，６０．０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン３００ｍＬ溶液に、リン酸二水素カリウム（１６３ｇ，１２００ｍｍｏｌ）を加え、０℃に氷冷し、撹拌しながら前記ＴＦＰＡ溶液を３０分間かけて滴下した。０℃で２時間撹拌後、反応液に２０重量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンで抽出を行い、得られた有機層を飽和重曹水と水で洗浄した。有機層を濃縮後、残渣をメタノール３００ｍＬに溶かし、濃塩酸１滴を加え、室温（２３℃）で３日間静置した。反応混合物を濃縮後、展開溶媒 酢酸エチル：ヘキサン＝１：４（体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、乾燥させて無色結晶の２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）フェノールを１９．０ｇ（収率９８．６％）得た。
２−［２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）フェニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼンを、以下の方法で合成した。
窒素下、２−（２−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルオキシ）フェノール（１９．６ｇ，６１．０ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液に、イミダゾール（１０．０ｇ，１４６．４ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロライド（１１．０ｇ，７３．２ｍｍｏｌ）を加えて室温（２３℃）で１８時間撹拌した。反応液に水を加え、ヘキサンで抽出を行い、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を濃縮後、展開溶媒として酢酸ヘキサンを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、乾燥させて無色油状の２−［２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）フェニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼンを２５．０ｇ（収率９４．１％）得た。
２−［２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）フェニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼンのＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ（ｐｐｍ）＝７．５７（ｄ，Ｊ=２．３Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｄｄ，Ｊ＝８．６，２．３Ｈｚ，１Ｈ），７．０７−７．０３（ｍ，１Ｈ），６．９６−６．９０（ｍ，３Ｈ），１．１２（ｓ，９Ｈ），０．８４（ｓ，９Ｈ），０．１６（ｓ，６Ｈ）．
（４−ブロモ−２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９，９−ジメチル−５−ジフェニルホスフィノキサンテンを、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．３３３−３３４（２０００）に記載の方法で合成した。
ＴＢＳ−Ｂｃ９’とＢｃ９’（ＯＨ体）を以下の方法で合成した。
アルゴン雰囲気下、（４−ブロモ−２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９，９−ジメチル−５−ジフェニルホスフィノキサンテン（３．５０ｇ，６．８３ｍｍｏｌ）とＴＨＦ ２５ｍＬの混合物を−６５℃に冷却し、撹拌しながら２．７６ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液（２．５０ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして６．８３ｍｍｏｌ）を滴下し、−６５℃で１時間撹拌してリチオ体１を調製した。別容器にて、アルゴン雰囲気下、三塩化リン（４７０ｍｇ，３．４２ｍｍｏｌ）とＴＨＦの混合物を−６５℃で撹拌し、これに前記リチオ体１をカヌラで移送した。−６５℃で２時間撹拌した後、冷浴を外して０℃まで昇温させた。これを−４５℃に冷却して、更に２時間撹拌し、クロロホスフィン中間体を調製した。別容器にて、アルゴン雰囲気下、２−［２−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）フェニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼン（４．４６ｇ，１０．２ｍｍｏｌ）とＴＨＦ ２５ｍＬの混合物を−６５℃に冷却し、撹拌しながら２．７６ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液（３．７０ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして１０．２ｍｍｏｌ）を滴下し、−６５℃で１時間撹拌してリチオ体２を調製した。クロロホスフィン中間体にリチオ体２をカヌラで移送した。−６５℃で２時間撹拌した後、冷浴を外して一晩撹拌し室温（２３℃）まで昇温させた。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出を行い、得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、展開溶媒 酢酸ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１（体積比）、後に、ヘキサン：酢酸エチル＝５：２（体積比）でシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。カラム中でｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基の脱離反応が進行した。溶出液を濃縮して無色固体のＴＢＳ−Ｂｃ９’を３２０ｍｇ（収率６．６９％）と、無色粘性体のＢｃ９’（ＯＨ体）を２．３１ｇ（収率５２．６％）得た。
ＴＢＳ−Ｂｃ９’のＮＭＲデータを下記に示す。
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ（ｐｐｍ）＝−１５．０（ｄ，Ｊ＝３０Ｈｚ），−２０．３（ｄ，Ｊ=２４Ｈｚ），−３０．６−−３１．１（ｍ）．
ＴＢＳ−Ｂｃ９’のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；１３９７．６．ｃａｌｃｄ；１３９７．７（Ｍ＋Ｈ）+．
Ｂｃ９’（ＯＨ体）のＮＭＲデータを下記に示す。
31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ（ｐｐｍ）＝−１５．０−−１７．０（ｂｒｄ），−１６．８（ｄｄ，Ｊ＝３，３４Ｈｚ），−３４．２−−３４．８（ｂｒ）．
Ｂｃ９’（ＯＨ体）のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；１２８３．５．ｃａｌｃｄ；１２８３．６（Ｍ＋Ｈ）+．
Ｂｃ９’（ＯＨ体）の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ86Ｈ93Ｏ4Ｐ3・０．３Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，７９．９１；Ｈ，７．３３；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８０．１３；Ｈ，７．３２；Ｎ，＜０．３．
実施例５（表１−２における化合物番号９７）
臭化銀（Ｉ）（１．９０ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル１ｍＬ溶液に、Ｂｃ９’（ＯＨ体）（１３．０ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏl）を加え４５℃で１５分撹拌し、カリウムメトキシド（０．７１ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏl）のメタノール溶液０．４５ｍＬを加え４５℃で１５分撹拌し、反応液を濃縮し、乾燥させて固化した後、水を加え懸濁ろ過し、真空乾燥により無色固体の錯体を１４．１ｍｇ得た。
臭化銀（Ｉ）（１．９０ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏｌ）のアセトニトリル１ｍＬ溶液に、Ｂｃ９’（ＯＨ体）（１３．０ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏl）を加え４５℃で１５分撹拌し、カリウムメトキシド（０．７１ｍｇ，０．０１０１ｍｍｏl）のメタノール溶液０．４５ｍＬを加え４５℃で１５分撹拌し、反応液を濃縮し、乾燥させて固化した後、水を加え懸濁ろ過し、真空乾燥により無色固体の錯体を１４．１ｍｇ得た。
得られた錯体の組成比はＣＨＮ元素分析値より決定した。元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ86Ｈ92Ｏ4Ｐ3Ａｇ・０．６７ＡｇＢｒ・１１Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，６０．１７；Ｈ，６．７１；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６０．１２；Ｈ，６．６１；Ｎ，＜０．３．
実施例６（表１−１における化合物番号７２）
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（３．７２ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、２，２’−６，６'−テトラメトキシ−４，４’−ビス（ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−３，３’−ビピリジン（Ｂａ１９’）（１４．５ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏｌ）を加え、室温（２３℃）で１０分撹拌した。反応液に２，９−ジクロロ−１，１０−フェナントロリン（４．７６ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏl）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を２２．９ｍｇ得た。
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（３．７２ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ溶液に、２，２’−６，６'−テトラメトキシ−４，４’−ビス（ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−３，３’−ビピリジン（Ｂａ１９’）（１４．５ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏｌ）を加え、室温（２３℃）で１０分撹拌した。反応液に２，９−ジクロロ−１，１０−フェナントロリン（４．７６ｍｇ，０．０１９１ｍｍｏl）を加え、４０℃で１０分撹拌した。反応液を濃縮後、真空乾燥して淡黄色結晶の錯体を２２．９ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
実施例２１（Ａａ３’の合成）
Ａａ３’を、以下の方法で合成した。
Ｎ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾールを、Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．３２９７−３３０２（２００６）に記載の方法で合成した。
５０ｍＬシュレンク管に１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（２．９３ｇ，８．５９ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１５ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下した。赤色に変化した反応液を、−３５℃まで昇温して１時間撹拌した（反応液Ｄ）。５０ｍＬナス形フラスコにフェニルジクロロホスフィン（１．５７ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ８ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、反応液Ｄをカヌラ送液により混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら、１２時間撹拌したところ、反応液は白濁化した（反応液Ｅ）。２００ｍＬ４つ口ナス形フラスコにＮ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾール（２．５２ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１３０ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、−４０℃まで昇温して２時間撹拌した。赤色に変色した反応液を−６０℃に冷却した（反応液Ｆ）。上記反応液Ｅを−６０℃に冷却し、カヌラ送液により反応液Ｆに混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら終夜撹拌後、５０℃で１時間撹拌した。反応液に塩化アンモニウム水溶液、及び、クロロホルムを加えた後、クロロホルムで抽出を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過し、濃縮した後、分取用ＧＰＣにより、無色固体のダイホスフィン２酸化物を６７５ｍｇ（収率１２．９％）得た。
Ａａ３’を、以下の方法で合成した。
Ｎ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾールを、Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．３２９７−３３０２（２００６）に記載の方法で合成した。
５０ｍＬシュレンク管に１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（２．９３ｇ，８．５９ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１５ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下した。赤色に変化した反応液を、−３５℃まで昇温して１時間撹拌した（反応液Ｄ）。５０ｍＬナス形フラスコにフェニルジクロロホスフィン（１．５７ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ８ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、反応液Ｄをカヌラ送液により混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら、１２時間撹拌したところ、反応液は白濁化した（反応液Ｅ）。２００ｍＬ４つ口ナス形フラスコにＮ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾール（２．５２ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１３０ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、−４０℃まで昇温して２時間撹拌した。赤色に変色した反応液を−６０℃に冷却した（反応液Ｆ）。上記反応液Ｅを−６０℃に冷却し、カヌラ送液により反応液Ｆに混合した。反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら終夜撹拌後、５０℃で１時間撹拌した。反応液に塩化アンモニウム水溶液、及び、クロロホルムを加えた後、クロロホルムで抽出を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過し、濃縮した後、分取用ＧＰＣにより、無色固体のダイホスフィン２酸化物を６７５ｍｇ（収率１２．９％）得た。
得られたダイホスフィン２酸化物のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．５７−６．９８（ｍ，２７Ｈ），３．４３（ｓ，３Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝３２．８（ｄｄ，Ｊ＝９０，７Ｈｚ）．
得られたダイホスフィン２酸化物のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；６０９．２４．ｃａｌｃｄ；６０９．１８（Ｍ＋Ｈ）+．
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬ４つ口フラスコに上記で合成したダイホスフィン２酸化物（５００ｍｇ，０．８２２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３．９４ｇ、及び、脱水キシレン１０ｍＬを加え、０℃に冷却して、トリクロロシラン（５．００ｇ，３７．０ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。自然昇温により室温（２３℃）に戻した後、１３０℃で１２時間撹拌した。反応液を室温（２３℃）に戻し、３０重量％水酸化ナトリウム水溶液５ｍＬを滴下した後、キシレンを加えて抽出し、有機層を濃縮し、乾燥させて固化した。残渣を展開溶媒クロロホルムのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、無色固体のＡａ３’を２０２ｍｇ（収率４７．３％）得た。
Ａａ３’のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．６２−６．８０（ｍ，２７Ｈ），３．６７（ｓ，３Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝−１２．７（ｄ，Ｊ＝１５６Ｈｚ），−１５．１（ｄ，Ｊ＝１５６Ｈｚ）．
Ａａ３’のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；５７７．１７．ｃａｌｃｄ；５７７．１９（Ｍ＋Ｈ）＋．
Ａａ３’元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ38Ｈ30Ｎ2Ｐ2・０．３３Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，７９．１５；Ｈ，５．２４；Ｎ，４．８６．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７８．１６；Ｈ，５．４３；Ｎ，４．６９．
実施例２２（表１−１における化合物番号１３）
ヨウ化銀（Ｉ）（２．７０ｍｇ，０．０１１５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（６．６３ｍｇ，０．０１１５ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン１ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を９．３３ｍｇ得た。
ヨウ化銀（Ｉ）（２．７０ｍｇ，０．０１１５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（６．６３ｍｇ，０．０１１５ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン１ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を９．３３ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
実施例２３（表１−１における化合物番号１１）
塩化銀（Ｉ）（２．１０ｍｇ，０．０１４７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（８．４５ｍｇ，０．０１４７ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン１ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を１０．６ｍｇ得た。
塩化銀（Ｉ）（２．１０ｍｇ，０．０１４７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（８．４５ｍｇ，０．０１４７ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン１ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を１０．６ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
実施例２４（表１−３における化合物番号１２４）
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（２．２０ｍｇ，０．０１１３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（６．５２ｍｇ，０．０１１３ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を８．７２ｍｇ得た。
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（２．２０ｍｇ，０．０１１３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１．５ｍＬ懸濁液に、Ａａ３’（６．５２ｍｇ，０．０１１３ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を８．７２ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
実施例２５（Ａａ１’−２及びＢａ１６’の合成）
Ｂａ１６’を含む粗製物を以下の方法で合成し、８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−２−メチルキノリン（Ａａ１’−２）を、以下の方法で合成した。
Ｂａ１６’を含む粗製物を以下の方法で合成し、８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−２−メチルキノリン（Ａａ１’−２）を、以下の方法で合成した。
窒素雰囲気下、８−ブロモ−２−メチルキノリン（１．６２ｇ，７．２９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ １１ｍＬ溶液を−７０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．５７ｍｏｌ／Ｌ，５．６ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして７．２９ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、−７０℃で２時間撹拌して、リチウム塩溶液を調製した。別容器にアルゴン雰囲気下、ｏ−ビス（ジクロロホスフィノ）ベンゼン（１．０１ｇ，３．６１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ ２５ｍＬ溶液を仕込み、−７０℃に冷却して、先に調製したリチウム塩溶液を１５分かけて滴下した。−７０℃でさらに３５分間撹拌した後、２時間かけて室温（２３℃）まで昇温した。室温（２３℃）で更に４５分撹拌した後、−６５℃に冷却し、フェニルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．０６ｍｏｌ／Ｌ，７．２ｍＬ，フェニルリチウムとして７．５８ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下し、−６５℃でさらに１０分間撹拌した。室温（２３℃）まで自然昇温した後、２．５日間撹拌した。反応液を０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌの塩化アンモニウム水溶液３０ｍＬを滴下した。減圧下濃縮し、クロロホルム１２５ｍＬを加えて抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、減圧濃縮して粗生成物を２．３３ｇ得た。粗生成物をＤＡＲＴ−ＭＳにより測定したところ、（Ｍ／Ｚ）＝５７７．１７の強いピークを観測した。Ｂａ１６’は（Ｍ＋Ｈ）+の状態で（Ｍ／Ｚ）＝５７７．２０であることから、粗生成物には多くのＢａ１６’が含有されていた。
上記粗生成物を展開溶媒としてクロロホルムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、乾燥させて無色固体のＡａ１’−２を１２０ｍｇ（収率６．５０％）得た。
Ａａ１’−２のＮＭＲ、ＤＡＲＴ−ＭＳデータを下記に示す。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），７．６７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），７．４３−７．４０（ｍ，１Ｈ），７．３３−７．００（ｍ，２０Ｈ），６．８９−６．８１（ｍ，１Ｈ），２．５０（ｓ，３Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝−１２．７（ｄ，Ｊ＝１６８Ｈｚ），−１９．３（ｄ，Ｊ＝１６８Ｈｚ）；ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；５１２．１７．ｃａｌｃｄ；５１２．１７（Ｍ＋Ｈ）+．
実施例２６（表１−３における化合物番号１３２）
ヨウ化銀（Ｉ）（７．３０ｍｇ，０．０３１１ｍｍｏｌ）のクロロホルム２．０ｍＬ懸濁液に、Ａａ１’−２（１５．９ｍｇ，０．０３１１ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を２３．２ｍｇ得た。
ヨウ化銀（Ｉ）（７．３０ｍｇ，０．０３１１ｍｍｏｌ）のクロロホルム２．０ｍＬ懸濁液に、Ａａ１’−２（１５．９ｍｇ，０．０３１１ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を２３．２ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
実施例２７（表１−３における化合物番号１３３）
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（５．６０ｍｇ，０．０２８８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン２ｍＬ懸濁液に、Ａａ１’−２（１４．７ｍｇ，０．０２８８ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を２０．３ｍｇ得た。
テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（５．６０ｍｇ，０．０２８８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン２ｍＬ懸濁液に、Ａａ１’−２（１４．７ｍｇ，０．０２８８ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、乾燥させて固体の錯体を２０．３ｍｇ得た。
得られた錯体の組成は混合比から決定した。
＜比較例１＞
アルゴン雰囲気下、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（２７．０ｍｇ，０．１３９ｍｍｏｌ）にＴＨＦ４ｍＬ、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（６１．９ｍｇ，０．１３９ｍｍｏｌ)を加え、１時間加熱し還流後、反応液を−６０℃に冷却した。別に、アルゴン雰囲気下、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２６，２３００−２３０１（２００４）記載の方法で合成した１０−ブロモベンゾ［ｈ］キノリン（２８．２ｍｇ，０．０４８７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４ｍＬに溶かし、−６０℃にて１．６６Ｍ ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（８３．７μＬ，０．１３９ｍｍｏｌ)を加え、３０分撹拌後、前記−６０℃に冷却した反応液を滴下し、室温に戻して２時間撹拌した。反応液を濃（２３℃）縮し、クロロホルムに懸濁してろ過し、ろ液を濃縮して、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を真空乾燥して無色固体の錯体を６１．５ｍｇ得た。
アルゴン雰囲気下、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（２７．０ｍｇ，０．１３９ｍｍｏｌ）にＴＨＦ４ｍＬ、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン（６１．９ｍｇ，０．１３９ｍｍｏｌ)を加え、１時間加熱し還流後、反応液を−６０℃に冷却した。別に、アルゴン雰囲気下、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２６，２３００−２３０１（２００４）記載の方法で合成した１０−ブロモベンゾ［ｈ］キノリン（２８．２ｍｇ，０．０４８７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４ｍＬに溶かし、−６０℃にて１．６６Ｍ ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（８３．７μＬ，０．１３９ｍｍｏｌ)を加え、３０分撹拌後、前記−６０℃に冷却した反応液を滴下し、室温に戻して２時間撹拌した。反応液を濃（２３℃）縮し、クロロホルムに懸濁してろ過し、ろ液を濃縮して、クロロホルム−エーテルでスローディフュージョンによる再結晶を行い、結晶を真空乾燥して無色固体の錯体を６１．５ｍｇ得た。
錯体のＮＭＲデータを以下に示す。ＮＭＲスペクトルが、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．６３８４−６３８６（２００８）記載の錯体と同様のパターンであったことから、上記に示す構造の錯体であった。
1Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝７．５７（ｂｒ，８Ｈ），７．３９−７．３４（ｍ，８Ｈ），７．１４−７．１２（ｍ，３２Ｈ）；31Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3） δ（ｐｐｍ）＝１．２５（ｄ，Ｊ（31Ｐ−107Ａｇ，109Ａｇ）＝２３１，２６７Ｈｚ）.
［錯体の固体状態での発光特性］
固体発光量子効率：室温（２３℃）空気下での固体発光量子効率を以下のようにして、量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）にて測定した。
サンプル調製は以下の通りで行った。室温（２３℃）空気下、１８ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍの２枚の石英板に、上記実施例及び比較例で合成した錯体のみからなる試料およそ１．５ｍｇを挟み込み、圧迫して１０ｍｍ×５ｍｍ程度の楕円形に引き伸ばし、四辺をテープで止め、密封した。
固体発光量子効率：室温（２３℃）空気下での固体発光量子効率を以下のようにして、量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）にて測定した。
サンプル調製は以下の通りで行った。室温（２３℃）空気下、１８ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍの２枚の石英板に、上記実施例及び比較例で合成した錯体のみからなる試料およそ１．５ｍｇを挟み込み、圧迫して１０ｍｍ×５ｍｍ程度の楕円形に引き伸ばし、四辺をテープで止め、密封した。
該機器構成は以下の通りである。光源はＫｉｍｍｏｎ社製クラス３ＢのＨｅ−Ｃｄ式ＣＷレーザーを用いた。出射部にＯＦＲ社製のＮＤフィルターＦＤＵ０．５を挿入し、光ファイバーで積分球へ導いた。住友重機械メカトロニクス社製のオプテル部の積分球、ポリクロメータ、及びＣＣＤマルチチャンネル検出器を介し、ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製の型式２４００ソースメーターを連結して、ノート型ＰＣでデータを取り込んだ。
該測定の手順は以下の通りとした。室温（２３℃）空気中、積分球内に前記条件で調製したサンプルを配置し、レーザー励起光を３２５ｎｍとし、ＣＷ光で、積分時間を３００ｍｓ、励起光積分範囲を３１５〜３３５ｎｍ、ＰＬ波長積分範囲を３９０〜８００ｎｍとした。そして、住友重機械メカトロニクス社製の測定・解析ソフトの手順に従って、量子効率を算出した。
固体発光波長：前記固体発光量子効率測定と同様の方法で調製した試料を、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３）のサンプル固定場所にセットし、励起波長を３５０ｎｍとして固体発光波長を測定した。
固体発光寿命：測定・解析は以下の通りで行った。
前記固体発光量子効率測定と同様の方法で調製した試料を、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３）の未知試料用サンプル固定場所にセットし、参照サンプル固定場所には発光寿命０ｎｓのＬＵＤＯＸ（Ａｌｄｒｉｃｈ製、ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ｓｉｌｉｃａ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ ｉｎ ｗａｔｅｒ）を含む純水をセットした。前記ＬＵＤＯＸの発光寿命を０と設定し、同装置で予め測定した銀錯体の最大発光波長及び最大励起波長において、周波数変調法による寿命測定を行った。測定結果は、Ａｎａｌ． Ｃｈｅｍ． ６８， ９-１７（１９９６）に記載の理論式に従って解析した。
固体発光寿命：測定・解析は以下の通りで行った。
前記固体発光量子効率測定と同様の方法で調製した試料を、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３）の未知試料用サンプル固定場所にセットし、参照サンプル固定場所には発光寿命０ｎｓのＬＵＤＯＸ（Ａｌｄｒｉｃｈ製、ｃｏｌｌｏｉｄａｌ ｓｉｌｉｃａ ｓｕｓｐｅｎｓｉｏｎ ｉｎ ｗａｔｅｒ）を含む純水をセットした。前記ＬＵＤＯＸの発光寿命を０と設定し、同装置で予め測定した銀錯体の最大発光波長及び最大励起波長において、周波数変調法による寿命測定を行った。測定結果は、Ａｎａｌ． Ｃｈｅｍ． ６８， ９-１７（１９９６）に記載の理論式に従って解析した。
合成例１〜５、実施例２、３、５、６、２２、２３、２４、２６、並びに２７、及び比較例１の錯体の固体発光量子効率、固体発光波長、固体発光寿命の値を表２に示す。
［錯体のＳ１−Ｔ１エネルギー］
＜計算例１＞
合成例１で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（Ａａ６０’）１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子３つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが３．０７ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが３．０１ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０６ｅＶとなった。
＜計算例１＞
合成例１で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（Ａａ６０’）１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子３つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが３．０７ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが３．０１ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０６ｅＶとなった。
＜計算例２＞
実施例５で得られた錯体のモデルとして、銀原子を１原子、Ｂｃ９’を１分子用いた。初期配置としてＢｃ９’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子３つ、及び、酸素アニオン１つを全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し（化合物９５’の構造）、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び1電子励起状態の計算いずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．６１ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．００ｅＶとなった。
実施例５で得られた錯体のモデルとして、銀原子を１原子、Ｂｃ９’を１分子用いた。初期配置としてＢｃ９’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子３つ、及び、酸素アニオン１つを全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し（化合物９５’の構造）、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び1電子励起状態の計算いずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．６１ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．６１ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．００ｅＶとなった。
＜計算例３＞
実施例６で得られた錯体のモデルとして、銀原子を１原子、Ｂａ１９’を１分子、２，９−ジクロロ−１，１０−フェナントロリンを１分子を用い、カウンターイオンは除いた構造を用いた。初期配置としてＢａ１９’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、及び、２，９-ジクロロ-１，１０-フェナントロリン中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子２つを全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び1電子励起状態の計算いずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．２９ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．２９ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．００ｅＶとなった。
実施例６で得られた錯体のモデルとして、銀原子を１原子、Ｂａ１９’を１分子、２，９−ジクロロ−１，１０−フェナントロリンを１分子を用い、カウンターイオンは除いた構造を用いた。初期配置としてＢａ１９’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、及び、２，９-ジクロロ-１，１０-フェナントロリン中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子２つを全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び1電子励起状態の計算いずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．２９ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．２９ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．００ｅＶとなった。
＜計算例４＞
実施例２２で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、Ａａ３’１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてＡａ３’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、Ａａ３’中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子１つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．８１ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．７８ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０３ｅＶであった。銀と、銀に配位する窒素原子間の距離は２．５４Åであった。
実施例２２で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、Ａａ３’１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてＡａ３’中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、Ａａ３’中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子１つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数はＡｇ+及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．８１ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．７８ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０３ｅＶであった。銀と、銀に配位する窒素原子間の距離は２．５４Åであった。
＜計算例５＞
実施例２６で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−２−メチルキノリン（Ａａ１’−２）１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてＡａ１’−２中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、Ａａ１’−２中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子１つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数は銀原子及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．５４ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．４７ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０７ｅＶとなった。銀と、銀に配位する窒素原子間の距離は３．１２Åであった。
実施例２６で得られた錯体のモデルとして、銀原子１原子、８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−２−メチルキノリン（Ａａ１’−２）１分子、ヨウ素原子１原子を用いた。初期配置としてＡａ１’−２中に含まれるＡｇ+に配位可能なリン原子２つ、Ａａ１’−２中に含まれるＡｇ+に配位可能な窒素原子１つ、及び、ヨウ素原子１原子を全て銀原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０３プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用い１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算及び１電子励起状態の計算のいずれも、計算手法として汎関数はＢ３ＬＹＰ、基底関数は銀原子及びハロゲン原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。計算の結果、錯体はＳ１エネルギーが２．５４ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが２．４７ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．０７ｅＶとなった。銀と、銀に配位する窒素原子間の距離は３．１２Åであった。
＜実施例７＞
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を１重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ７０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。なお、薄膜の厚さは、高精度微細形状測定機（株式会社小坂研究所、ＳＵＲＦＣＯＲＤＥＲ ＥＴ３０００）を用いて測定し、以下の実施例８〜１４及び比較例１でも同様とした。
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を１重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ７０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。なお、薄膜の厚さは、高精度微細形状測定機（株式会社小坂研究所、ＳＵＲＦＣＯＲＤＥＲ ＥＴ３０００）を用いて測定し、以下の実施例８〜１４及び比較例１でも同様とした。
＜実施例８＞
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１６重量％、１，３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼンを０．７８重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１６重量％、１，３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼンを０．７８重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
＜実施例９＞
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１４重量％、１，３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼンを０．６９重量％、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジンを０．１４重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１４重量％、１，３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼンを０．６９重量％、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジンを０．１４重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
＜実施例１０＞
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１２重量％、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、カタログ記載のＭｎ＝３５０００，Ｍｗ＜７００００）を０．５８重量％、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジンを０．１５重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶媒に、合成例２の錯体を０．１２重量％、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、カタログ記載のＭｎ＝３５０００，Ｍｗ＜７００００）を０．５８重量％、２，４，６−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，５−トリアジンを０．１５重量％溶かした溶液約２００ｍｇを２ｃｍ角のガラス基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートしたところ、厚さ８０ｎｍの薄膜を得た。ＵＶランプを当てたところ、発光が観測された。
＜実施例１１〜１９、実施例２８〜３２、比較例２＞
合成例１、２、３、４及び５、実施例２，３，５、６、２２、２３、２４、２６及び２７並びに比較例１の錯体をそれぞれ１重量％、ＰＭＭＡ６．２重量％のクロロホルム溶液約１５０ｍｇを１ｃｍ×２ｃｍ角の石英基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして薄膜を得た。実施例２、３、５、６、２６、及び２７の錯体を用いた薄膜の厚さはそれぞれ、０．９８μｍ、１．２μｍ、２．８μｍ、２．３μｍ、１．７μｍ、及び１．７μｍであった。
合成例１、２、３、４及び５、実施例２，３，５、６、２２、２３、２４、２６及び２７並びに比較例１の錯体をそれぞれ１重量％、ＰＭＭＡ６．２重量％のクロロホルム溶液約１５０ｍｇを１ｃｍ×２ｃｍ角の石英基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして薄膜を得た。実施例２、３、５、６、２６、及び２７の錯体を用いた薄膜の厚さはそれぞれ、０．９８μｍ、１．２μｍ、２．８μｍ、２．３μｍ、１．７μｍ、及び１．７μｍであった。
［錯体とポリマーの組成物の薄膜状態での発光特性］
薄膜を量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）の積分球内に設置し、前記固体発光量子効率の測定と同様の条件にて、レーザー光照射後約５秒と約１５秒における発光量子効率を測定し、レーザー光照射の前後における発光量子効率の減衰率の差を経過時間で除した値を酸素劣化速度として求めた。窒素雰囲気下で同様にレーザー光照射後約５秒における発光量子効率を測定した値を、薄膜発光量子効率とした。結果を表３に記す。
薄膜を量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）の積分球内に設置し、前記固体発光量子効率の測定と同様の条件にて、レーザー光照射後約５秒と約１５秒における発光量子効率を測定し、レーザー光照射の前後における発光量子効率の減衰率の差を経過時間で除した値を酸素劣化速度として求めた。窒素雰囲気下で同様にレーザー光照射後約５秒における発光量子効率を測定した値を、薄膜発光量子効率とした。結果を表３に記す。
＜実施例２０＞
１５０ｎｍのＩＴＯ膜が付着したガラス基板上に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、商品名：Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ４０８３）の懸濁液をスピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。この上に、合成例２の錯体をクロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶液で錯体を０．９０重量％の濃度に調製した溶液をスピンコートにより１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートにより成膜し、１３０℃、１０分間乾燥させた。続いて、陰極として、フッ化リチウムを約３ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子を作製した。得られた素子に１８Ｖの電圧をかけることにより、輝度４２ｃｄ／ｍ2、効率１．０ｃｄ／Ａの黄色発光を確認した。
１５０ｎｍのＩＴＯ膜が付着したガラス基板上に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、商品名：Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ４０８３）の懸濁液をスピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。この上に、合成例２の錯体をクロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１重量比の溶液で錯体を０．９０重量％の濃度に調製した溶液をスピンコートにより１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートにより成膜し、１３０℃、１０分間乾燥させた。続いて、陰極として、フッ化リチウムを約３ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子を作製した。得られた素子に１８Ｖの電圧をかけることにより、輝度４２ｃｄ／ｍ2、効率１．０ｃｄ／Ａの黄色発光を確認した。
Claims (14)
- 下記組成式（１）で表される銀錯体を含む膜。
（Ａｇ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d （１）
（組成式（１）中、
Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、下記式（Ａａ）、（Ｂａ）、及び（Ｂｃ）のいずれかで表される分子であり、３座以上の配位子である。Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下であり、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子のうち１つ以上はリン原子である。
Ｑ 1Aa は、−Ｐ（Ｒ 11Aa ） 2 、−Ａｓ（Ｒ 12Aa ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｓ - 、−Ｓ（＝Ｏ） 2 Ｏ - 、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - であり、
Ｑ 2Aa は、−Ｐ（Ｒ 22Aa ）−、−Ａｓ（Ｒ 23Aa ）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Aa 、Ｒ 12Aa 、Ｒ 22Aa 及びＲ 23Aa は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Aa は、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Aa が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 2Aa が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよく、
Ｒ 11Aa 、Ｒ 12Aa 、Ｒ 22Aa 、Ｒ 23Aa 、Ｒ 2Aa 及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよく、
式（Ａａ）で表される分子は、１つ以上の−Ｐ（Ｒ 11Aa ） 2 、又は、−Ｐ（Ｒ 22Aa ）−を含む。）
Ｑ 1Ba は、−Ｐ（Ｒ 11Ba ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - 、又は、−Ｓ - であり、
Ｑ 2Ba は、−Ｐ（Ｒ 22Ba ）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Ba 及びＲ 22Ba は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Ba は、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Ba が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 2Ba が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ 11Ba 、Ｒ 22Ba 、Ｒ 2Ba 及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｑ 1Bc は、−Ｐ（Ｒ 11Bc ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - 、又は、−Ｓ - であり、
Ｑ 3Bc は、Ｐ、又は置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ 11Bc は、置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Bc は、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Bc が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 3Bc が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ 11Bc 、Ｒ 2Bc 及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｌ2は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ2が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
Ｌ3は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。
Ｘ1はアニオンである。
ａは０．５より大きい数であり、ｂ、ｃ及びｄはそれぞれ独立に０以上の数である。） - 上記組成式（１）において、
Ｌ1が、
Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、
Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有する分子である、
請求項１に記載の膜。 - 前記組成式（１）において、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数が、３つ又は４つである、請求項１に記載の膜。
- 前記組成式（１）において、Ｌ1が有するＡｇ+に配位可能なリン原子の数が２つ以上であり、該リン原子はｓｐ3炭素原子が結合していない、請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜。
- 前記組成式（１）において、
Ｌ1は、Ａｇ+に配位可能な酸素アニオン又は硫黄アニオンを１つ有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜。 - 前記組成式（１）におけるＸ1がハロゲン化物イオンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の膜。
- 前記組成式（１）におけるａ、ｂ、ｃ及びｄが下記数式（２）を満たす、請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜。
７．０ ≧ （ｚ×ａ）＋（２×ｂ）＋ｃ＋ｄ ＞ ２．０ （２）
（数式（２）中、ｚはＬ1におけるＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数である。） - 前記銀錯体のＳ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．３ｅＶ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の膜。
- 前記銀錯体の含量は、膜全体の重量に対して０．０１〜１００重量％である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の膜。
- 更に、高分子化合物を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の膜。
- 前記高分子化合物が、ポリカルバゾール誘導体、ポリ芳香族三級アミン化合物の残基を含む重合体、ポリアリールアルカン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリオキサジアゾール誘導体、ポリトリアジン誘導体、ポリフルオレン誘導体、又はこれらの組み合わせである、請求項１０に記載の膜。
- 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の膜を含む発光素子。
- 下記組成式（３）で表される銀錯体。
（Ａｇ+）（Ｌ4）e（Ｌ5）f（Ｌ6）g（Ｘ2）h （３）
（組成式（３）中、
Ｌ4は、Ａｇ+に配位可能なリン原子を４つ以上６つ以下有する分子であるか、又は、
Ａｇ+に配位可能な原子として、又は原子及びイオンとして、リン原子を１つ以上と、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる１つ以上とを有し、Ｌ4が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は３つ以上６つ以下である分子であり、且つ
Ｌ 4 は、下記式（Ａａ）、（Ｂａ）、及び（Ｂｃ）のいずれかで表される分子である。
Ｑ 1Aa は、−Ｐ（Ｒ 11Aa ） 2 、−Ａｓ（Ｒ 12Aa ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｓ - 、−Ｓ（＝Ｏ） 2 Ｏ - 、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - であり、
Ｑ 2Aa は、−Ｐ（Ｒ 22Aa ）−、−Ａｓ（Ｒ 23Aa ）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Aa 、Ｒ 12Aa 、Ｒ 22Aa 及びＲ 23Aa は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Aa は、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Aa が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 2Aa が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよく、
Ｒ 11Aa 、Ｒ 12Aa 、Ｒ 22Aa 、Ｒ 23Aa 、Ｒ 2Aa 及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよく、
式（Ａａ）で表される分子は、１つ以上の−Ｐ（Ｒ 11Aa ） 2 、又は、−Ｐ（Ｒ 22Aa ）−を含む。）
Ｑ 1Ba は、−Ｐ（Ｒ 11Ba ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - 、又は、−Ｓ - であり、
Ｑ 2Ba は、−Ｐ（Ｒ 22Ba ）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Ba 及びＲ 22Ba は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Ba は、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Ba が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 2Ba が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ 11Ba 、Ｒ 22Ba 、Ｒ 2Ba 及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｑ 1Bc が、−Ｐ（Ｒ 11Bc ） 2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ - 、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ - 、又は、−Ｓ - であり、
Ｑ 3Bc が、Ｐ、又は置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ 11Bc が置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ 2Bc は、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ 1Bc が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ 3Bc が窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ 11Bc 、Ｒ 2Bc 及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｌ5は、Ａｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを有する分子であり、Ｌ5が有するＡｇ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
Ｌ6はＡｇ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンから選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。
Ｘ2はアニオンである。
ｅは０．５より大きい数であり、ｆ、ｇ及びｈはそれぞれ独立に０以上の数である。） - ジアリールホスフィノ基を２つ以上含有し、且つ、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜３つ除いた基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-、及び−Ｓ-から選ばれる基を１つ又は２つ含有し、且つ、下記式（Ａａ）、（Ｂａ’）、又は（Ｂｃ）で示される分子。
Ｑ1Aaは、−Ｐ（Ｒ11Aa）2、−Ａｓ（Ｒ12Aa）2、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、−Ｓ（＝Ｏ）2Ｏ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ− であり、
Ｑ2Aaは、−Ｐ（Ｒ22Aa）−、−Ａｓ（Ｒ23Aa）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Aa 、Ｒ 12Aa 、Ｒ 22Aa 及びＲ 23Aa は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Aaは、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ1Aaが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Aaが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Aa、Ｒ12Aa 、Ｒ 22Aa、Ｒ23Aa 、Ｒ 2Aa及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよく、
式（Ａａ）で表される分子は、１つ以上の−Ｐ（Ｒ 11Aa ） 2 、又は、−Ｐ（Ｒ 22Aa ）−を含む。）
Ｑ1Baは、−Ｐ（Ｒ11Ba）2、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-であり、
Ｑ2Baは、−Ｐ（Ｒ22Ba）−、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基であり、
Ｒ 11Ba 及びＲ 22Ba は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Ba’は、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ1Baが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ2Baが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を２つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。３つあるＲ2Ba’のうち１つ以上は直接結合ではない。
Ｒ11Ba 、Ｒ 22Ba 、Ｒ 2Ba’及び置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｑ1Bcは、−Ｐ（Ｒ11Bc）2 、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基、−Ｏ-、−Ｓ-、又は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ- であり、
Ｑ3Bcは、Ｐ、又は置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基であり、
Ｒ 11Bc は、置換基を有していてもよいフェニル基であり、
Ｒ2Bcは、置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される炭素原子数５０以下の基であり、但し、結合したＱ1Bcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基である場合、又は、結合したＱ3Bcが窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を３つ除いた基である場合は、直接結合でもよい。
Ｒ11Bc 、Ｒ 2Bc及び窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基から選ばれる２以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。）
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