CN106866732B - 多齿膦配位银配合物双发射染料、合成方法及其应用 - Google Patents
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Abstract
多齿膦配位银配合物双发射染料、合成方法及其应用，本发明涉及一类多齿膦配位银配合物双发射染料、合成方法及其应用。本发明的是为了解决前存在的磷光和热激发延迟荧光染料激子累积所导致的猝灭效应，导致器件性能和稳定性差的技术问题，该染料以多齿膦配体和AgX配位构成，方法如下：将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的AgX、5～10ml的DCM混合，40℃反应10～36小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物。本材料具有双发射的特点，最大限度的降低激子的累积，提高器件效率，抑制器件的效率滚降。实现在电致发光过程中最大利用。
Description
技术领域
本发明涉及一类多齿膦配位银配合物双发射染料、合成方法及其应用。
背景技术
高效率、低压驱动的有机电致发光为发光二极管的发展带来了革命性的创新。有机发光材料和器件的研究引起了人们的广泛关注和深入研究。有机电致发光二极管被称作第三代平面显示和照明技术，在节能环保等方面具有突出的优势，为了有效的利用电致发光过程中产生的单重态和三重态激子，目前普遍采用的方式是使用磷光染料来构建电致磷光，但是磷光材料种类有限，切猝灭效应严重切需要使用其他的材料加以替代。近期，被称为第三代有机电致发光技术的热激发延迟荧光技术取得了很大的进展，其中热激发延迟荧光染料可以通过自身三线态到单线态的反转隙间窜跃使三线态激子转化为单线态激子，进而利用其发光，从而从理论上实现100％的内量子效率。热激发延迟荧光(Thermallyactivated delayed fluorescenc,TADF)化合物目前正在深入研究，因为这样材料可以通过Cu(I)配合物，以及纯有机分子来实现。关于基于Ag(I)的TADF材料的报道很少。这是因为Ag+离子与Cu+离子相比具有更高氧化电位，因此，d10Ag(I)金属配合物通常不显示TADF。因为d10金属配合物具有完全d轨道，很少有银配合物既具有热激发延迟荧光的性质又具有磷光的双发射的特点，主要的原因就是银配合物中的银离子和配体之间自旋轨道耦合比较弱，所以很难得到有效的磷光发射，但是，目前银配合物仍未开发出双发射的电致发光染料，提供一个非常好的平台。这项工作不仅体现了双发射材料在激子利用率方面令人信服的的优越性，同时也证明了发射比例调制的可行途径是可行的，这为此类发光材料的进一步发展及应用奠定了良好的基础。
发明内容
本发明的目的是为了解决前存在的磷光和热激发延迟荧光染料激子累积所导致的猝灭效应，导致器件性能和稳定性差的技术问题，提供了一种多齿膦配位银配合物双发射染料、合成方法及其应用。
多齿膦配位银配合物双发射染料，该染料以多齿膦配体和AgX配位构成，分子结构通式如下：
该染料合成方法如下：
将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的AgX、5～10ml的DCM混合，40℃反应10～36小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
所述多齿膦配体为DPNAP、DPA、PPADP、PPPADP、DPAP，其中X为Cl、Br或I。
所述的多齿膦配体与AgX的物质的量比为(1～2)﹕1。
所述的DCM(二氯甲烷)和PE(石油醚)的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
所述多齿膦配位银配合物双发射染料作为发光层用于制备电致发光器件。
本发明的多齿膦配位银配合物双发射染料具有双发射的特点，既能够发射热激发延迟荧光也能够发射磷光，因为其单线态和三线态可以同时跃迁，可以同时利用单线态和三线态激子，并在电致发光过程中实现激子的动态分配，从而实现最大限度的降低激子的累积，提高器件效率，抑制器件的效率滚降，实现在电致发光过程中最大利用。在本发明中利用多齿配位增加配体到金属的自旋轨道耦合，通过卤素来调节卤素到配体的电荷转移，从而增强银配合物的磷光发射，最终得到一个热激发延迟荧光和磷光都具备的双发射的性能。同时通过增加苯环来增加配体的共轭程度，来调节银配合物的发光颜色。本发明制备的多齿膦配位银配合物双发射染料电致发光客体材料可以实现超低压驱动的高效热激发延迟荧光器件，其电流效率达到最大值22cd·A-1,外量子效率达到最大值15.2％。
本发明多齿膦配位银配合物双发射染料电致发光客体材料用于电致发光器件包含以下优点：
1、可以作为客体，用于电致发光器件的发光层。
2、提高电致发光器件材料的性能，以多齿膦配位银配合物双发射染料客体材料制备的电致发光器件将电致发光器件的启亮电压降低到3.2V，具有良好的热力学稳定性，裂解温度为383℃-437℃，同时提高了有机电致发光材料的发光效率和亮度，本发明主要应用于有机电致发光二极管器件中。
附图说明
图1是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验十九、实验二十、实验二十一中多齿膦配位银配合物双发射染料的磷光光谱图；图2是表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图；图3是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的磷光光谱图；图4是表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图；图5是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的磷光光谱图；图6是表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图；图7是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的磷光光谱图；图8是表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图；图9是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的紫外荧光光谱谱图，溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图和磷光光谱图，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料在二氯甲烷溶剂中的紫外光谱图，□○△分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料溶于二氯甲烷溶剂中的荧光光谱图，☆★◇分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的磷光光谱图；图10是表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图，■◆▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的热重分析图；图11是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图12是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图13是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图14是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图15是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图16是实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图，■●▲分别表示实验一、实验二、实验三中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图17是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图18是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图19是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图20是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图21是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图22是实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图，■●▲分别表示实验四、实验五、实验六中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图23是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图24是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图25是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图26是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图27是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图28是实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图，■●▲分别表示实验七、实验八、实验九中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图29是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图30是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图31是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图32是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图33是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图34是实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图，■●▲分别表示实验十、实验十一、实验十二中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图35是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线；图36是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电压-亮度关系曲线；图37是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线；图38是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线；图39是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线效率；图40是实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图，■●▲分别表示实验十三、实验十四、实验十五中多齿膦配位银配合物双发射染料的电致发光器件的电致发光光谱图；图41是实验一中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图42是实验二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图43是实验三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图44是实验四中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图45是实验五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图46是实验六中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图47是实验七中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图48是实验八中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图49是实验九中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图50是实验十中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图51是实验十一中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图52是实验十二中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图53是实验十三中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图54是实验十四中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图；图55是实验十五中多齿膦配位铜配合物双发射电致发光染料的80K-300K变温寿命谱图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意组合。
具体实施方式一：本实施方式多齿膦配位银配合物双发射染料，该染料以多齿膦配体和AgX配位构成，分子结构通式如下：
具体实施方式二：具体实施方式一所述多齿膦配位银配合物双发射染料合成方法该染料合成方法如下：
将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的AgX、5～10ml的DCM混合，40℃反应10～36小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
所述多齿膦配体为DPNAP、DPA、PPADP、PPPADP、DPAP，其中X为Cl、Br或I。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式二不同的是所述的多齿膦配体与AgX的物质的量比为(1～2)﹕1。其它与具体实施方式二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式二或三不同的是所述的多齿膦配体与AgX的物质的量比为1﹕1。其它与具体实施方式二或三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式二至四之一不同的是所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。其它与具体实施方式二至四之一相同。
具体实施方式六：具体实施方式一所述多齿膦配位银配合物双发射染料作为发光层用于制备电致发光器件。
本实施方式中所述多齿膦配位银配合物双发射染料作为发光层用于制备电致磷光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的玻璃或塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1～0.3nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为1～100nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为2～10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为20～40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为5～15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为10～80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为1～10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为1～100nm的阴极导电层，得到电致发光器件。
步骤七中所述的金属为钙、镁、银、铝、钙合金、镁合金、银合金或铝合金。
采用下述实验验证本发明效果：
实验一：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgCl、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgCl的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPNAPAgCl。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPAgCl，检测结果如下：
m/z:567.09(100.0％),568.09(92.9％),567.59(73.5％),568.59(68.3％),568.09(32.0％),569.09(29.7％),569.09(24.2％),568.59(23.5％),568.09(22.5％),569.59(21.8％),569.09(8.5％),570.09(7.9％),568.59(6.3％),569.59(5.9％),568.09(4.1％),570.59(1.8％),569.59(1.5％)LDI-TOF:m/z(％):1136(100)[M+]，ElementalAnalysis for C68H52AgClP4:C,71.87；H,4.61；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgCl的裂解温度为407℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPAgCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由此图11可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图12可知该器件的启亮电压为3.8V。由此图13可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值11.3cd·A-1。由图14可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值5.7lm·W-1。由图15可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率12.2％。由图16可知该器件的电致发光峰在608nm处。由图41可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验二：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgBr、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgBr的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPNAPAgBr。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPAgBr，检测结果如下：
m/z:589.06(100.0％),590.06(97.3％),590.06(92.9％),591.06(90.4％),589.56(73.5％),590.56(71.5％),590.56(68.3％),591.56(66.5％),590.07(26.6％),591.07(24.8％),591.07(24.3％),592.07(23.9％),590.57(6.3％),591.57(5.9％),592.57(5.7％),591.57(5.4％),591.07(1.6％),591.07(1.1％),592.07(1.0％)LDI-TOF:m/z(％):1180(100)[M+]，Elemental Analysis for C68H52AgBrP4:C,69.17；H,4.44；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgBr的裂解温度为403℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPAgBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图11可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图12可知该器件的启亮电压为3.8V。由图13可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值8cd·A-1。由图14可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值4.7lm·W-1。由图15可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率12.2％。由图16可知该器件的电致发光峰在608nm处。由此图42可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验三：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgI、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgI的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPNAPAgI。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPNAPAgI，检测结果如下：
m/z:613.06(100.0％),614.06(92.9％),613.56(73.5％),614.56(68.3％),614.06(26.6％),615.06(24.8％),615.56(5.9％),614.56(4.6％),614.56(1.8％),615.06(1.1％),616.06(1.0％)
LDI-TOF:m/z(％):1227(100)[M+]，Elemental Analysis for C68H52AgIP4:C,66.52；H,4.27；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgI的裂解温度为383℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPNAPAgI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图11可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPNAPAgI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图12可知该器件的启亮电压为3.8V。由图13可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值12.8cd·A-1。由图14可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值7lm·W-1。由图15可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率13.2％。由图16可知该器件的电致发光峰在608nm处。由此图43可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验四：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgCl、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgCl的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAAgCl。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAAgCl，检测结果如下：
m/z:1410.14(100.0％),1411.15(84.4％),1412.14(63.9％),1408.14(53.8％),1412.14(46.5％),1413.14(46.3％),1412.15(34.5％),1410.14(34.4％),1413.15(33.7％),1414.14(29.7％),1409.15(24.4％),1414.15(22.5％),1415.14(21.5％),1409.15(21.0％),1410.15(16.8％),1414.15(16.0％),1411.14(15.6％),1411.14(13.4％),1412.15(10.8％),1416.15(10.2％),1414.14(10.2％),1413.15(9.6％),1413.14(7.6％),1415.14(7.4％),1415.15(6.1％),1413.15(5.5％),1412.14(5.5％),1411.15(5.2％),1416.14(4.7％),1415.15(4.5％),1417.14(4.0％),1415.14(3.5％),1416.14(3.5％),1413.15(3.2％),1417.15(2.9％),1413.14(2.5％),1413.14(2.1％),1410.15(2.1％),1414.14(1.7％),1418.14(1.6％),1412.15(1.3％),1415.14(1.2％),1414.16(1.1％)；LDI-TOF:m/z(％):1411(100)[M+]，Elemental Analysis forC78H64Ag2Cl2P4:C,66.35；H,4.57；
本实验得多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgCl的裂解温度为425℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAAgCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图17可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图18可知该器件的启亮电压为3.8V。由图19可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值14.8cd·A-1。由图20可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值7.7lm·W-1。由图21可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率15.2％。由图22可知该器件的电致发光峰在622nm处。由此图44可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验五：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgBr、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgBr的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAAgBr。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAAgBr，检测结果如下：
m/z:1500.04(100.0％),1501.04(84.4％),1498.04(53.8％),1498.04(51.4％),1502.04(48.6％),1502.04(46.5％),1499.05(43.4％),1503.04(39.2％),1502.05(35.1％),1499.04(31.4％),1503.04(27.9％),1496.04(27.7％),1500.04(26.2％),1500.04(23.9％),1497.05(23.3％),1504.04(22.6％),1501.04(22.1％),1501.05(20.1％),1500.05(17.2％),1504.05(16.3％),1504.04(15.4％),1499.04(14.0％),1503.04(13.2％),1505.04(13.0％),1498.05(9.7％),1500.05(9.1％),1500.05(8.9％),1506.04(7.9％),1502.05(7.4％),1503.05(6.5％),1505.04(6.1％),1501.05(5.0％),1505.05(4.5％),1502.05(4.4％),1502.05(4.0％),1503.05(3.1％),1505.05(3.0％),1499.05(2.7％),1501.05(2.4％),1503.05(2.3％),1507.05(2.1％),1502.05(1.8％),1500.05(1.7％),1504.04(1.7％),1501.05(1.5％),1505.05(1.5％),1503.05(1.1％),1501.05(1.0％)；LDI-TOF:m/z(％):1500(100)[M+]，Elemental Analysis forC78H64Ag2Br2P4:C,62.42；H,4.30；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgBr的裂解温度为433℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAAgBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图17可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图18可知该器件的启亮电压为3.8V。由图19可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值16cd·A-1。由图20可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值11.7lm·W-1。由图21可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率14.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图22所示，由此图可知该器件的电致发光峰在622nm处。由此图45可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验六：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgI、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgI的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAAgI。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAAgI，检测结果如下：
m/z:1594.01(100.0％),1595.02(72.5％),1592.01(53.8％),1596.01(46.5％),1597.02(39.2％),1596.02(34.5％),1593.02(24.4％),1593.02(21.0％),1594.02(16.8％),1598.02(16.0％),1595.02(11.9％),1597.02(9.6％),1595.03(5.1％),1599.02(4.5％),1594.02(2.1％),1598.03(1.1％)；LDI-TOF:m/z(％):1594(100)[M+]，Elemental Analysis for C78H64Ag2I2P4:C,58.74；H,4.05；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgI的裂解温度为437℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAAgI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图17可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAAgI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图18可知该器件的启亮电压为3.8V。由图19可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值6.5cd·A-1。由图20可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值3.7lm·W-1。由图21可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率14.2％。由图22可知该器件的电致发光峰在622nm处。由此图46可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验七：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgCl、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgCl的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPADPAgCl。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPADPAgCl，检测结果如下：
m/z:500.07(100.0％),501.07(92.9％),500.58(64.9％),501.58(60.3％),501.07(32.0％),502.07(29.7％),501.57(20.7％),502.57(19.3％),502.08(18.6％),501.08(16.6％),502.08(6.6％),503.08(6.0％),501.08(4.1％),502.58(3.8％),501.58(2.9％),501.58(1.4％),503.58(1.2％)；LDI-TOF:m/z(％):966(100)[M+]，ElementalAnalysis for C60H45AgClP3:C,71.90；H,4.53；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl的裂解温度为421℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPADPAgCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.2V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值21cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值16.7lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率8.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰在605nm处。由此图47可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验八：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgBr、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgBr的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPADPAgBr。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPADPAgBr，检测结果如下：
m/z:522.05(100.0％),523.05(97.3％),523.05(92.9％),524.05(90.4％),522.55(64.9％),523.55(63.1％),523.55(60.3％),524.55(58.6％),524.05(20.1％),524.05(19.2％),525.05(18.7％),523.05(12.2％),523.05(8.5％),523.55(4.3％),524.55(4.0％),525.55(3.9％),524.55(3.6％)；LDI-TOF:m/z(％):1046(100)[M+]，Elemental Analysis for C60H45AgBrP3:C,68.85；H,4.33；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr的裂解温度为419℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPADPAgBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值21cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值16.7lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率7.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰在605nm处。由此图48可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验九：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgI、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgI的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPADPAgI。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPADPAgI，检测结果如下：
mm/z:546.04(100.0％),547.04(92.9％),546.54(64.9％),547.54(60.3％),547.05(20.7％),548.05(19.2％),548.55(3.8％),547.55(2.9％),547.55(1.4％)；LDI-TOF:m/z(％):1092(100)[M+]，Elemental Analysis for C60H45AgIP3:C,65.89；H,4.15；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI的裂解温度为423℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPADPAgI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图23所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图24所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图25所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值22cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图26所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值11.7lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图27所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率8.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPADPAgI制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图28所示，由此图可知该器件的电致发光峰在605nm处。由图49可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgCl、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgCl的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPPADPAgCl。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPPADPAgCl，检测结果如下：
m/z:483.08(100.0％),484.08(92.9％),483.58(61.6％),484.58(57.3％),484.08(32.0％),485.08(29.7％),484.58(19.7％),485.58(18.3％),485.09(16.7％),484.09(14.6％),486.08(5.4％),485.08(4.7％),484.09(4.1％),485.59(3.4％),484.59(2.4％),485.08(1.3％),484.59(1.3％),486.59(1.0％)；LDI-TOF:m/z(％):932(100)[M+]，Elemental Analysis for C57H47AgClP3:C,70.71；H,4.89；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl的裂解温度为388℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPADPAgCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图29所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图30所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图31所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值14.3cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图32所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值7.7lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图33所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率14.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgCl制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图34所示，由此图可知该器件的电致发光峰在622nm处。由图50可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十一：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgBr、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgBr的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPPADPAgBr。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPPADPAgBr，检测结果如下：
m/z:505.06(100.0％),506.06(97.3％),506.06(92.9％),507.06(90.4％),505.56(61.6％),506.56(60.0％),506.56(57.3％),507.56(55.7％),507.06(17.3％),508.06(16.7％),507.06(16.6％),506.06(11.2％),506.06(7.5％),507.56(3.4％),508.56(3.3％),507.56(3.0％),506.56(2.4％),507.06(1.6％),506.56(1.3％)；LDI-TOF:m/z(％):1012(100)[M+]，Elemental Analysis for C57H47AgBrP3:C,67.60；H,4.68；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr的裂解温度为389℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPADPAgBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图29所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.9V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图30所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.9V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图31所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值6.5cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图32所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值3.7lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图33所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率14.8％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图34所示，由此图可知该器件的电致发光峰在624nm处。由图51可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十二：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgI、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgI的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为PPPADPAgI。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的PPPADPAgI，检测结果如下：
m/z:529.05(100.0％),530.05(92.9％),529.55(61.6％),530.55(57.3％),530.05(18.7％),531.05(17.3％),531.55(3.3％),530.55(2.4％),530.55(1.3％)；LDI-TOF:m/z(％):1059(100)[M+]，Elemental Analysis for C57H47AgIP3::C,64.61；H,4.47
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgI的裂解温度为407℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:PPPADPAgI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图29可知多齿膦配位银配合物双发射染料PPPADPAgI材料具有半导体特性，其阀值电压为3.8V。由图30可知该器件的启亮电压为3.9V。由图31可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值6.5cd·A-1。由图32可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值3.7lm·W-1。由图33可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率14.2％。由图34可知该器件的电致发光峰在621nm处。由图52可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十三：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgCl、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgCl的量比为1∶1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAPAgCl。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAPAgCl，检测结果如下：
m/z:642.11(100.0％),643.11(92.9％),642.61(86.5％),643.61(80.4％),643.12(37.0％),644.12(34.3％),643.11(32.0％),644.11(29.7％),643.61(27.7％),644.61(25.7％),644.11(11.8％),645.11(11.0％),644.62(8.3％),643.62(7.1％),643.62(3.3％),645.62(2.7％),644.62(2.3％),645.12(1.5％),644.62(1.4％),644.12(1.2％),644.62(1.1％)；LDI-TOF:m/z(％):1286(100)[M+]，Elemental Analysis forC80H58AgClP4:C,74.69；H,4.54；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgCl的裂解温度为387℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgCl作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAPAgCl(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由此图35可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgCl材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。由图36可知该器件的启亮电压为3.2V。由图37可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值21cd·A-1。由图38可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值21.7lm·W-1。由图39可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率8.2％。由图40可知该器件的电致发光峰在599nm处。由图53可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十四：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgBr、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgBr的量比为1∶1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1∶20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAPAgBr。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAPAgBr，检测结果如下：
m/z:664.09(100.0％),665.09(97.3％),665.09(92.9％),666.09(90.4％),664.59(86.5％),665.59(84.2％),665.59(80.4％),666.59(78.2％),666.09(36.0％),667.09(33.4％),666.09(26.2％),665.09(24.2％),665.09(12.8％),666.09(8.1％),667.59(6.2％),666.59(6.1％),666.59(5.9％),665.59(5.8％),666.59(4.2％),666.59(3.5％),667.59(3.2％),665.59(2.5％),665.59(2.1％),667.09(1.8％),666.09(1.5％),668.09(1.0％)；LDI-TOF:m/z(％):1331(100)[M+]，Elemental Analysis forC80H58AgBrP4:C,72.19；H,4.39；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr的裂解温度为386℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAPAgBr(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的电压-电流密度关系曲线如图35所示，由此图可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的电压-亮度关系曲线如图36所示，由此图可知该器件的启亮电压为3.3V。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的亮度-电流效率关系曲线如图37所示，由此图可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值21.9cd·A-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的亮度-功率效率关系曲线如图38所示，由此图可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值16.3lm·W-1。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的电流密度-外量子效率关系曲线如图39所示，由此图可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率8.2％。本实验以多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr制备的电致发光器件的电致发光光谱图如图40所示，由此图可知该器件的电致发光峰在603nm处。由图54可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
实验十五：本实验多齿膦配位银配合物双发射染料的合成方法按下列步骤实现：
将1mmol多齿膦配体、1mmol的AgI、5ml的DCM混合，40℃反应10小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
其中所述的多齿膦配体与AgI的量比为1﹕1。
所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
本实验得到的多齿膦配位银配合物双发射染料结构式为
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料为DPAPAgI。
采用质谱检测本试验制备的多功能化修饰的DPAPAgI，检测结果如下：
m/z:688.08(100.0％),689.08(92.9％),688.58(86.5％),689.58(80.4％),689.08(37.0％),690.08(34.3％),690.58(8.3％),689.58(7.1％),689.58(3.3％),690.09(2.1％),691.09(1.5％),690.58(1.4％)；LDI-TOF:m/z(％):1376(100)[M+]，Elemental Analysis for C80H58AgIP4:C,69.73；H,4.24；
本实验得到多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgI的裂解温度为405℃。
多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgI作为发光层用于制备电致发光器件的方法如下：
一、将经去离子水清洗的塑料衬底放入真空蒸镀仪，真空度为1×10-6mbar，蒸镀速率设为0.1nm s-1，在玻璃或塑料衬底上蒸镀材料为氧化铟锡(ITO)，厚度为10nm的阳极导电层；
二、在阳极导电层上蒸镀空穴注入层材料MoOx，得厚度为10nm空穴注入层；
三、在空穴注入层上蒸镀空穴传输层材料TAPC，得厚度为40nm空穴传输层；
四、在空穴传输层上蒸镀多齿膦配位银配合物双发射染料与主体材料mCP混合，得厚度为15nm；
五、在发光层上蒸镀电子传输层材料TPBi，厚度为80nm电子传输层；
六、在电子传输层上蒸镀电子注入层材料LiF，厚度为10nm电子注入层；
七、在电子注入层上蒸镀材料为金属，厚度为10nm的阴极导电层，得到电致磷光器件。
步骤七中所述的金属为铝。
本实验电致磷光器件的结构为：ITO/MoOx(10nm)/TAPC(40nm)/mCP:DPAPAgI(15nm)/TPBi(80nm)/LiF(10nm)/Al。
由图35可知多齿膦配位银配合物双发射染料DPAPAgBr材料具有半导体特性，其阀值电压为3.2V。由图36可知该器件的启亮电压为3.2V。由图37可知该器件在亮度为2.5cd·m-2时，电流效率达到最大值20.1cd·A-1。由图38可知该器件在亮度为2.1cd·m-2时，功率效率达到最大值15.7lm·W-1。由图39可知该器件在亮度为6mA·cm-2时，获得最大外量子效率8.2％。由图40可知该器件的电致发光峰在600nm处。由图55可知，随着温度升高，寿命急剧下降，在低温下是磷光发射，随着温度的升高，表现出热激发延迟荧光性质，从而体现出双发射。
Claims (6)
1.多齿膦配位银配合物双发射染料，其特征在于该染料以多齿膦配体和AgX配位构成，分子结构通式如下：
所述多齿膦配体为DPNAP、DPA、PPADP、PPPADP、DPAP，其中X为Cl、Br或I。
2.权利要求1所述多齿膦配位银配合物双发射染料合成方法，其特征在于该染料合成方法如下：
将1mmol多齿膦配体、0.5～1mmol的AgX、5～10ml的DCM混合，40℃反应10～36小时后，旋干，以DCM和PE为淋洗剂柱层析纯化，得到多齿膦配位银配合物；
所述多齿膦配体为DPNAP、DPA、PPADP、PPPADP、DPAP，其中X为Cl、Br或I。
3.根据权利要求2所述多齿膦配位银配合物双发射染料合成方法，其特征在于所述的多齿膦配体与AgX的物质的量比为(1～2)﹕1。
4.根据权利要求2所述多齿膦配位银配合物双发射染料合成方法，其特征在于所述的多齿膦配体与AgX的物质的量比为1﹕1。
5.根据权利要求2所述多齿膦配位银配合物双发射染料合成方法，其特征在于所述的DCM和PE的混合溶剂中DCM与PE的体积比为1﹕20。
6.权利要求1所述多齿膦配位银配合物双发射染料应用，其特征在于所述多齿膦配位银配合物双发射染料作为发光层用于制备电致发光器件。
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