JP5797078B2 - 燐光発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、燐光発光素子に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子の作製に用いる発光材料としては、イリジウム錯体等の白金族金属錯体が有望視されている。しかし、白金族金属は高価であるため、コスト面で有利である安価な金属を用いた金属錯体が、検討されている。そして、安価な金属を用いた金属錯体を発光材料とした発光素子としては、遅延蛍光性の銅錯体又は銀錯体を発光材料とした発光素子が報告されている（特許文献１、非特許文献１）。

特開２０１０−９３１８１号公報

Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，１９９２−２００１（２００７）．

しかし、上述の発光素子は、発光時の色純度が不十分である。

そこで、本発明は、白金族金属と比べて安価な金属の錯体を発光材料として用いた発光素子であって、かつ、発光時の色純度が優れた発光素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明者らは鋭意検討した結果、本発明を完成させるに至った。

本発明は、下記〔１〕〜〔７〕の発光素子、〔８〕の錯体及び〔９〕の化合物を提供する。
〔１〕組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する発光素子。
（Ｍ⁺）（Ｌ¹）_a（Ｘ¹）_b （１）
（式中、Ｍ⁺はＣｕ⁺又はＡｇ⁺である。Ｌ¹はＭ⁺に配位可能な原子として、リン原子を２つ有する配位子である。Ｘ¹はアニオンである。ａ及びｂはそれぞれ独立に正の数である。錯体が複数個のＬ¹を含む場合、各々のＬ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。錯体が複数個のＸ¹を含む場合、各々のＸ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。）
〔２〕Ｌ¹が、式（２）で表される配位子である、上記〔１〕に記載の発光素子。

（式中、Ｒ¹はハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。各々のＲ¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
〔３〕Ｒ¹が、フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である、上記〔２〕に記載の発光素子。
〔４〕Ｒ²が、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である、上記〔２〕又は〔３〕に記載の発光素子。
〔５〕Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵が、水素原子である、上記〔２〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の発光素子。
〔６〕Ｘ¹が、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンである、上記〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の発光素子。
〔７〕一対の電極と、一対の電極間に挟持されている１又は２以上の層とを備え、上記層のうちには、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する発光層を含む１又は２以上の有機層が含まれ、前記有機層のすべてが塗布法により形成される層である、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の発光素子。
〔８〕組成式（３）で表される錯体。
（Ｍ⁺）（Ｌ²）_a（Ｘ¹）_b （３）
（式中、Ｍ⁺はＣｕ⁺又はＡｇ⁺である。Ｌ²は式（４）で表される配位子である。Ｘ¹はアニオンである。ａ及びｂはそれぞれ独立に正の数である。錯体が複数個のＬ²を含む場合、各々のＬ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。錯体が複数個のＸ¹を含む場合、各々のＸ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。）

（式中、Ｒ¹はハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。各々のＲ¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
〔９〕組成式（５）で表される化合物。

（式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ⁶は塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であり、Ｒ²が全て水素原子である場合、Ｒ⁶は塩素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である。各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁶は、互いに同一でも異なっていてもよい。）

本発明の発光素子は、白金族金属と比べて安価な金属の錯体を発光材料として用いているにもかかわらず、発光時の色純度が優れている。本発明の発光素子は、好ましい実施形態において、発光効率も優れている。

以下、本発明を説明する。

本発明において、「燐光発光性を示す」とは、ある物質（材料、錯体等）が以下の（Ｉ）及び（ＩＩ）のうちの一方又は両方を満たすことを意味する。
（Ｉ）発光強度の、温度低下に伴う変動が小さいこと
（ＩＩ）最大発光波長の、温度変化に伴う変動が小さいこと
ここで最大発光波長とは、ある物質の発光強度が最大となる（最大発光強度を示す）発光波長を意味する。

（Ｉ）ある物質の発光強度の「温度低下に伴う変動が小さい」とは、低温（約−１９５℃であり、以下、同様である。）における最大発光波長の発光強度が、室温（約２５℃であり、以下、同様である。）における最大発光波長の発光強度の、通常、０．７倍以上であることであり、好ましくは０．８倍以上であることであり、より好ましくは０．９倍以上であることであり、更に好ましくは１．０倍以上であることである。特に好ましくは、低温における最大発光波長の発光強度が、室温における最大発光波長の発光強度の、１．０倍以上であり、かつ、約０℃における最大発光波長の発光強度が、約２５℃における最大発光波長の発光強度の１．０倍以上である。

（ＩＩ）ある物質の最大発光波長の「温度変化に伴う変動が小さい」とは、低温における最大発光波長と、室温における最大発光波長との差が、通常、２０ｎｍ以下であることであり、好ましくは１５ｎｍ以下であることであり、より好ましくは１０ｎｍ以下であることであり、更に好ましくは５ｎｍ以下であることである。

本発明において、発光強度及び最大発光波長は、例えば、実施例に示す条件で粉体状態でのＰＬスペクトルの測定により確認し得る。

本発明の発光素子は、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有していればよく、前記錯体以外の燐光発光性を示す材料を更に含有していてもよい。以下、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体と、前記錯体以外の燐光発光性を示す材料とを総称して、「燐光発光性を示す材料」と言う。

前記燐光発光性を示す材料は、発光スペクトルにおいて、最大発光波長以外にも発光ピークを有していてもよい。複数の発光ピークを有する場合は、通常、室温又は０℃において最大発光強度を示す発光成分が、上記（Ｉ）及び（ＩＩ）のうちの一方又は両方を満たし、好ましくは室温において最大発光強度を示す発光成分が、上記（Ｉ）及び（ＩＩ）のうちの一方又は両方を満たす。

前記燐光発光性を示す材料は、通常、上記（Ｉ）及び（ＩＩ）のうちの一方又は両方を満たし、好ましくは、上記（Ｉ）及び（ＩＩ）の両方を満たす。

本発明の発光素子は、燐光発光性を示す材料以外の発光材料を含有していてもよい。本発明の発光素子は、駆動時に発光スペクトルにおいて複数の発光成分が認められる場合、発光スペクトルにおいて、それぞれの発光成分の積分値として、燐光発光性を示す発光成分の積分値の占める割合が、燐光発光性を示す発光成分以外の発光成分の積分値の占める割合よりも大きいことが好ましい。ここで、燐光発光性を示す発光成分とは、上記（Ｉ）及び（ＩＩ）のうちの一方又は両方の性質を満たす発光成分を指す。

本発明において、ある物質が燐光発光性を示す場合、その物質の室温での励起寿命は、通常、１００ｎｓ以上である。

本発明の発光素子は、典型的には、発光色が青色〜青緑色である。そのため、本発明において、「発光時の色純度が優れている」とは、発光色が青色〜青緑色であることを意味する。本発明では、発光素子に含まれる組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体、又は、発光素子は、粉体状態において、室温で最大発光波長５００ｎｍ未満の発光を示すことが好ましく、４９０ｎｍ未満の発光を示すことがより好ましい。また、本発明では、発光素子に含まれる組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体、又は、発光素子は、粉体状態において、室温で最大発光波長４３０ｎｍ以上の発光を示すことが好ましく、４４０ｎｍ以上の発光を示すことがより好ましい。

本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。前記置換基は、特に説明されていない場合は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルメルカプト基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルカルボニル基、及び、炭素原子数１２〜３０のジアリールアミノ基が例示され、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基又は炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルメルカプト基であることが好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であることがより好ましく、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であることが更に好ましく、炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であることが特に好ましい。置換基の数は、１個であっても複数個であってもよいが、１個であることが好ましい。置換基が複数個ある場合には、各々の置換基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに同一であることが好ましい。

本明細書において、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはノルマルプロピル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｎ−Ｂｕはノルマルブチル基、ｉ−Ｂｕはイソブチル基、ｓ−Ｂｕはセカンダリブチル基、ｔ−Ｂｕはターシャリブチル基、ｎ−Ｈｅｘはノルマルヘキシル基、ｎ−Ｏｃｔはノルマルオクチル基、Ｐｈはフェニル基を、それぞれ表す。

本明細書において、「置換基を有していてもよい炭素原子数ｍ〜ｎの△△基」の「炭素原子数「ｍ〜ｎ」とは、通常、置換基部位を除く△△基の炭素原子数を意味し、置換基を含む△△基全体の炭素原子数がｎ個より多くてもよい。好ましくは、置換基を含む△△基全体の炭素原子数が、ｍ〜ｎ個である。

本発明の発光素子は、上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する。

組成式（１）において、Ｌ¹は、Ｍ^＋に配位可能な原子として、リン原子を２つ有する配位子である。Ｌ¹は、単座配位子としてＭ⁺に配位しても、二座配位子としてＭ⁺に配位してもよく、二座配位子としてＭ⁺に配位していることが好ましい。Ｌ¹の炭素原子数は、通常、１０〜２００であり、好ましくは１５〜１５０であり、より好ましくは２０〜１００であり、更に好ましくは２５〜８０であり、特に好ましくは３０〜６０である。

Ｌ¹は、下記式（Ａ）で表される配位子であることが好ましい。
（Ｒ¹¹）₂Ｐ−Ｒ¹²−Ｐ（Ｒ¹¹）₂ （Ａ）
（式中、Ｒ¹¹は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、各々のＲ¹¹は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ¹²は２価の基である。Ｒ¹²とＲ¹¹のうちから選ばれる２つ以上の基が互いに結合して環を形成してもよい。）

Ｒ¹¹におけるヒドロカルビル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数４〜５０の環状飽和炭化水素基；エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素原子数２〜５０のアルケニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、２−イソブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基；フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数７〜５０のアラルキル基が挙げられる。

Ｒ¹¹は、好ましくは置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基である。

Ｒ¹²で表される２価の基の例としては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルカンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０のアルケンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０のアルキンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数４〜３０のシクロアルカンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアレーンジイル基；置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基と−Ｏ−及び−Ｓ−の両方又は一方とを組み合わせてできる２価の基；置換基を有していてもよい式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基（好ましくは、置換基を有していてもよい後述の式ｒ１'〜ｒ１２'のいずれかで表される基）が挙げられる。

（式中、Ｙ¹は、−（ＣＨ₂）_n−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ⁵⁰）−、−Ｓｉ（Ｒ⁵¹）₂−、−Ｏ（ＣＨ₂）_n−、又は、−Ｏ（ＣＨ₂）_nＯ−で表される２価の基である。Ｙ²は、−（ＣＨ₂）_n−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ⁵¹）₂−で表される２価の基である。ｎは１〜３の整数である。Ｒ⁵⁰は炭素原子数６〜３０のアリール基であり、Ｒ⁵¹は炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基である。Ｙ¹が複数個の場合、各々のＹ¹は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ⁵¹が複数個の場合、各々のＲ⁵¹は互いに同一でも異なっていてもよい。）

上記Ｒ⁵⁰で表されるアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び９−フルオレニル基が挙げられる。好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、又は４−ヘキシルフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、又は４−ヘキシルフェニル基であり、更に好ましくはフェニル基である。

上記Ｒ⁵¹で表されるヒドロカルビル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜３０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数４〜３０の環状飽和炭化水素基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等の炭素原子数６〜２４のアリール基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素原子数１〜８のアルキル基、又はフェニル基であり、更に好ましくはメチル基である。

Ｒ⁵¹が複数個の場合、各々のＲ⁵¹は互いに同一でも異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。

（式中、Ｙ³は、−（ＣＨ₂）_m−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ⁵²）−、又は、−Ｓｉ（Ｒ⁵³）₂−で表される２価の基である。ｍは１又は２である。Ｒ⁵²は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１８のアリール基であり、Ｒ⁵³は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基である。各々のＲ⁵³は互いに同一でも異なっていてもよい。）

上記Ｒ⁵²で表されるアリール基の例と好ましい例は、前記Ｒ⁵⁰の例と好ましい例のうち炭素原子数が６〜１８である基と同じである。

上記Ｒ⁵³で表されるヒドロカルビル基の例と好ましい例は、前記Ｒ⁵¹の例と好ましい例のうち炭素原子数が１〜１８である基と同じである。

Ｒ¹²は、置換基を有していてもよい前記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であることが好ましく、置換基を有していてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ５、ｒ６、ｒ８及びｒ９のいずれかで表される基；前記式ｒ１０で表される基であって式中のＹ¹が−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ⁵⁰）−である基；前記式ｒ１１で表される基であって式中のＹ¹が−Ｏ−又は−Ｓ−である基；前記式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ¹が−Ｏ−であり、Ｙ²が−ＣＨ₂−である基、前記式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ¹が−Ｏ−であり、Ｙ²が−Ｓｉ（Ｒ⁵¹）₂−である基のいずれかであることがより好ましく、置換基を有していてもよい前記式ｒ１'、ｒ５'及びｒ１０'のいずれかで表される基；前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ³が−ＣＨ₂−である基；前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ³が−Ｓｉ（ＣＨ₃）₂−である基のいずれかであることが更に好ましく、置換基を有していてもよい前記式ｒ１'で表される基であることが特に好ましい。

Ｌ¹の具体例としては、下記式ａ１〜ａ４１で表される配位子が挙げられる。下記式ａ１〜ａ４１で表される配位子は、置換基を有していてもよい。

式ａ１〜ａ４１中、好ましくは式ａ９〜ａ４１のいずれかであり、より好ましくは式ａ９、ａ１１〜ａ１６、ａ２５〜ａ２８、ａ３１、ａ３３〜ａ３８、ａ４０、及びａ４１のいずれかであり、更に好ましくは式ａ１３、ａ２５、ａ３１、及びａ３３〜ａ３８のいずれかであり、特に好ましくは式ａ１３である。

Ｌ¹は、嵩高い構造を有することが好ましい。これにより、より発光波長が短波長となり、色純度が特に優れた発光素子を実現させることができる。更に、より顕著な燐光発光性を実現できる。こうした観点から、Ｌ¹は、上記式（２）で表される配位子であることがより好ましい。

式（２）中、Ｒ¹の例としては、ハロゲン原子及び上記Ｒ¹¹における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の例のうち炭素原子数が１〜１８の基と同じ基、置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよいヒドロカルビルチオ基（置換基を含めたヒドロカルビルチオ基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよいジアリールアミノ基（置換基を含めたジアリールアミノ基の炭素原子数が６〜１８）が挙げられ、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルチオ基（置換基を含めたヒドロカルビルチオ基の炭素原子数が１〜１８）、及び置換基を有していてもよいジアリールアミノ基（置換基を含めたジアリールアミノ基の炭素原子数が１２〜１８）が好ましく、
フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）及び置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）がより好ましい。

Ｒ¹として、フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）及び置換基を有していてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）が更に好ましく、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）及び置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）が特に好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、及びｔｅｒｔ−ブトキシ基がとりわけ好ましい。

式（２）中、Ｒ²の例としては、水素原子、並びに上記Ｒ¹の例と同じであるが、
水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルチオ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）、及び置換基を有していてもよいジアリールアミノ基（置換基を含めたジアリールアミノ基の炭素原子数が１２〜１８）が好ましく、
水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基（置換基を含めたヒドロカルビル基の炭素原子数が１〜１８）、及び置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基（置換基を含めたヒドロカルビルオキシ基の炭素原子数が１〜１８）がより好ましく、
水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロへキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、及びフェノキシ基が更に好ましく、
水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、及びドデシル基が特に好ましく、
水素原子及びメチル基がとりわけ好ましく、
水素原子が殊更に好ましい。

式（２）中、Ｒ³の例としては、上記Ｒ²の例と同じであるが、
水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エテニル基、１−プロペニル基、３−ブテニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、フェニルチオ基、及びジフェニルアミノ基が好ましく、
水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、及びジフェニルアミノ基がより好ましく、
水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、及びフェノキシ基が更に好ましく、
水素原子、メチル基、エチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、及びメトキシ基が特に好ましく、
水素原子がとりわけ好ましい。

式（２）中、Ｒ⁴の例としては、上記Ｒ²の例と同じであるが、
水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、及びフェニルチオ基が好ましく、
水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、及びｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、
水素原子及びフッ素原子が更に好ましく、
水素原子が特に好ましい。

式（２）中、Ｒ⁵の例としては、上記Ｒ²の例と同じであるが、
水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、及びフェノキシ基が好ましく、
水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、及びｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、
水素原子、メチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、及びメトキシ基が更に好ましく、
水素原子が特に好ましい。

各々のＲ¹は、互いに同一でも異なっていてもよく、各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよく、各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよく、各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよく、各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵が互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。好ましくは、Ｒ¹が４つとも同一であり、かつＲ²が４つとも同一であり、かつＲ³が４つとも同一であり、かつＲ⁴が４つとも同一であり、かつＲ⁵が８つとも同一である。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵のうち、Ｒ⁵が水素原子であることが好ましく、Ｒ⁴とＲ⁵が水素原子であることがより好ましく、Ｒ³とＲ⁴とＲ⁵が水素原子であることが更に好ましい。

Ｌ¹のより好ましい具体例としては、下記式ａ５０〜ａ８１、ａ５５１、ａ６１１、ａ６２１及びａ６３１で表される配位子が挙げられる。

式ａ５０〜ａ８１、ａ５５１、ａ６１１、ａ６２１及びａ６３１のうち、好ましくは式ａ５０〜ａ６７、ａ７０、ａ７１、ａ７３、ａ７５〜ａ８１、及びａ５５１であり、より好ましくは式ａ５０〜ａ６７、ａ７０、ａ７３、ａ７５、ａ７６、ａ８０、ａ８１及びａ５５１であり、更に好ましくは式ａ５０〜ａ５８、ａ６１〜ａ６４、及びａ５５１であり、特に好ましくは式ａ５０〜ａ５７、及びａ５５１である。

前記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体は、複数個のＬ¹を含んでいてもよい。複数個のＬ¹を含む場合、各々のＬ¹は互いに同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

組成式（１）において、Ｘ¹はアニオンである。具体的には、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等のハロゲン化物イオン；硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートイオン、及び、これらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。Ｘ¹としては、例えば、フェノール及びパラフルオロフェノール等の、水酸基を有する有機基から、該水酸基の水素原子を除いてなるアニオン；チオフェノール及びトリフェニルメタンチオール等の、メルカプト基を有する有機基から、該メルカプト基の水素原子を除いてなるアニオン；パラ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸及びトリフェニル酢酸等の、カルボン酸を有する有機基から、該カルボン酸の水素原子を除いてなるアニオン；ベンゼンスルホン酸及びパラ−ｎ−ブチルベンゼンスルホン酸等の、スルホン酸を有する有機基から、該スルホン酸の水素原子を除いてなるアニオン；ジフェニルホスフィン酸及びビス（４−メトキシフェニル）ホスフィン酸等の、ホスフィン酸を有する有機基から、該ホスフィン酸の水素原子を除いてなるアニオンも挙げられる。
Ｘ¹は、好ましくはフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートイオン、又は、これらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物であり、
より好ましくはフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、又はテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、
更に好ましくは、優れた発光効率を示す素子が得られるため、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、又はヨウ化物イオンであり、
特に好ましくは塩化物イオン、臭化物イオン、又はヨウ化物イオンであり、
とりわけ好ましくはヨウ化物イオンである。

前記組成式（１）で表される錯体が複数個のＸ¹を含む場合、各々のＸ¹は互いに同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。

Ｘ¹は１価のアニオンでも２価以上のアニオンでもよいが、１価のアニオンであることが好ましい。

組成式（１）において、ａは、正の数である。ａは、組成式（１）において（Ｍ⁺）の係数を１とした相対値である。即ち、組成式（１）で表される錯体においては、１個のＭ⁺に対し、ａ個のＬ¹を有する。ａの値として、好ましい態様が２つある。一つの態様としては、Ｍ⁺とＸ¹が結合する構造上の観点から、好ましくは０．５〜１．５の数であり、より好ましくは０．６〜１．４の数であり、更に好ましくは０．７〜１．３の数であり、特に好ましくは０．８〜１．２の数である。もう一つの態様としては、Ｍ⁺とＸ¹が結合しない構造上の観点から、好ましくは１．０〜３．０の数であり、より好ましくは１．２〜２．８の数であり、更に好ましくは１．４〜２．６の数であり、特に好ましくは１．６〜２．４の数である。Ｍ⁺とＸ¹は結合する方が安定な構造をとり得るので、ａの値としては、好ましい２つの態様のうち前者の態様がより好ましい。

組成式（１）において、ｂは、正の数である。ｂは、通常、組成式（１）で表される錯体が全体で中性になるように決定される。ｂは、通常、０．０１〜２．０の数であり、好ましくは０．１〜１．５の数であり、より好ましくは０．３〜１．３の数であり、更に好ましくは０．５〜１．２の数であり、特に好ましくは０．９〜１．１の数である。
組成式（１）において、ａ及びｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。

組成式（１）において、Ｍ⁺はＣｕ⁺又はＡｇ⁺である。Ｍ⁺は、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の発光効率が良好になる点で、Ｃｕ⁺であることが好ましい。Ｍ⁺は、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を発光素子の作製に用いた場合の色純度がより良好になる点で、Ａｇ⁺であることが好ましい。本発明の発光素子は、組成式（１）においてＭ⁺がＡｇ⁺である錯体と、組成式（１）においてＭ⁺がＣｕ⁺である錯体との両方を含有していてもよいし、どちらか片方のみを含有していてもよいが、どちらか片方のみを含有していることが好ましい。

本発明の発光素子が含有する組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体の例を＜表１−１＞〜＜表１−６＞に示す。なお、＜表１−１＞〜＜表１−６＞において前記組成式（１）におけるａ、ｂを省略しているが、各化合物番号のそれぞれについて、前記記載の適切な数をとることができる。

＜表１−１＞〜＜表１−６＞に示される化合物のうち、化合物番号１〜１６２、１８１〜１８９、２０８〜２１６、２２６〜２４３、２７１〜４５０、４６９〜４７７、４９６〜５０４、５１４〜５３１、５５９〜５７６、５７７〜５８５、６１３〜６２１のうちいずれかで示される錯体が好ましく、化合物番号１〜７２、２８９〜３６０、５７７〜５８５、６１３〜６２１のうちいずれかで示される錯体がより好ましく、化合物番号１〜４、１０〜１３、１９〜２２、２８〜３１、３７〜４０、４６〜４９、５５〜５８、６４〜６７、２８９〜２９２、２９８〜３０１、３０７〜３１０、３１６〜３１９、３２５〜３２８、３３４〜３３７、３４３〜３４６、３５２〜３５５、５７７〜５８０、６１３〜６１６のうちいずれかで示される錯体が更に好ましい。

本発明の発光素子が含有する組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体の代表例を以下に示す。式４’、３１’、２９２’、３１９’、３０’、２９’、２８’、３２’、５’、２９３’、３２０’、１０４’、３９２’、１３１’、３７’、１９８’、３２１’及び４２７’で表される錯体は、それぞれ、前記＜表１−１＞〜＜表１−６＞における化合物番号４、３１、２９２、３１９、３０、２９、２８、３２、５、２９３、３２０、１０４、３９２、１３１、３７、１９８、３２１及び４２７の代表的な錯体である。

組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体は、単核錯体、２核錯体、３核以上の錯体のいずれであってもよく、これらの混合物であってもよいが、色純度が優れた発光素子を実現させることができるので、好ましくは単核錯体である。

組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体は、銀の塩又は銅の塩と配位子とを溶媒中で混合する等の常法に従って製造できる。

組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体の製造方法について、式３０’で表される錯体を例に挙げて説明する。空気中又は不活性ガス雰囲気下（好ましくは不活性ガス下）、臭化銀（例えば、約１ｍｍｏｌ）と、ほぼ同モル量（例えば、約１ｍｍｏｌ）の前記式ａ５３で表される化合物と、溶媒（例えば、ジクロロメタン又はアセトニトリル）（溶媒量は、例えば、臭化銀１ｍｍｏｌに対して約３０ｍＬ）との混合物を撹拌する。撹拌は室温下で行ってもよいが、好ましくは加熱下（例えば４０〜７０℃）で行う。室温で撹拌を行う場合の撹拌時間は、通常、約３０分である。加熱下（例えば４０℃〜７０℃）撹拌を行う場合の撹拌時間は、約１５分である。撹拌後に得られる反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、残渣から再結晶等の精製を行う。精製の方法は、例えば、ジクロロメタンに溶かして、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行う方法、ジクロロメタンとアセトニトリルとの混合溶媒に溶かして、溶媒をゆっくり留去することによる再結晶を行う方法、及び、昇華精製を行う方法が挙げられる。以上の操作により、式３０’で表される錯体を製造することができる。

組成式（１）で表される錯体は、反応時に使用した中性の低分子化合物を含有していてもよい。例えば、反応液としてジクロロメタン又はメタノールを用いた場合は、若干のジクロロメタン又はメタノールを含有していてもよく、一方、例えば、原料の銅塩としてテトラフルオロホウ酸テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）を用いた場合は、若干のアセトニトリルを含有していてもよい。ジクロロメタン、メタノール及びアセトニトリル等の低分子は、上記組成式（１）で表される錯体のＭ^＋に配位して、錯体と結合していてもよい。

本発明の発光素子は、上記組成式（１）で表される錯体を含有する。以下、発光素子について説明する。

本発明の発光素子は、上記組成式（１）で表される錯体を含有していればよい。例えば、該錯体の粉体をそのまま含有していてもよいし、該錯体の粉体を単独で或いは担体との組成物の状態で成型したものを含有していてもよい。このうち、該錯体の粉体を単独で或いは担体との組成物の状態で成型したものを含有することが好ましく、中でも、該錯体を単独で、或いは担体との組成物の状態で膜状態に成型したものを含有することが好ましい。

本発明の発光素子は、通常、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に挟持されている１又は２以上の層とを有する。該層のうち１層以上が、上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する。上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する層は、有機層であることが好ましい。有機層の定義については後述する。

本発明の発光素子において、本発明の上記組成式（１）で表される錯体の含有量は、発光素子を構成する層全体の重量（即ち、発光素子の重量から一対の電極の重量を除く重量）に対し、通常、０．０１〜１００重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは０．５〜７０重量％であり、更に好ましくは１〜５０重量％であり、特に好ましくは２〜２５重量％である。

本発明の発光素子の層構成としては、例えば、単層型（陽極／発光層／陰極）、及び多層型が挙げられる。多層型の発光素子の層構成としては、例えば、
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極が挙げられる。

前記層構成（ａ）〜（ｅ）において、「（正孔輸送層）」及び「（電子輸送層）」は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを表す。

本発明の発光素子において、層構成が単層型か多層型かを問わず、上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体が含まれる層は、発光層であることが好ましい。この組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体が含まれる発光層は、該錯体と有機化合物とが混合してなる層であることが好ましい。

陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給する。陽極の材料は、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する材料であることが好ましい。陽極の材料には、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができる。具体的には、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの導電性金属酸化物と金属との混合物及び積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体〔ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料；これらの各材料とＩＴＯとの組み合わせを用いることができる。

陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等の層に電子を供給する。陰極の材料には、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができる。具体的には、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物並びに酸化物、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等）及びそのフッ化物並びに酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕、希土類金属〔イッテルビウム等〕を用いることができる。

正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、カルバゾール及びカルバゾール誘導体、トリアゾール及びトリアゾール誘導体、オキサゾール及びオキサゾール誘導体、オキサジアゾール及びオキサジアゾール誘導体、イミダゾール及びイミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン及びポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン及びピラゾリン誘導体、ピラゾロン及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン及びフェニレンジアミン誘導体、アリールアミン及びアリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン及びアミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン及びスチリルアントラセン誘導体、フルオレノン及びフルオレノン誘導体、ヒドラゾン及びヒドラゾン誘導体、スチルベン及びスチルベン誘導体、シラザン及びシラザン誘導体、芳香族第三級アミン及び芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン及びスチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン及び芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン及びポルフィリン誘導体、ポリシラン及びポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）及びポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン及び有機シラン誘導体、並びにこれらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子が挙げられる。前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、それぞれが、これらの材料のうち１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン並びにペリレン等の芳香環のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、有機シラン誘導体、及び、アンモニウム塩並びにカルボン酸塩等のイオン性基を有する化合物が挙げられる。電子注入層及び電子輸送層は、それぞれ、これらの１種又は２種以上の材料からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。電子注入層及び電子輸送層は、それぞれ、フラーレン、フラーレンの誘導体、カーボンナノチューブ、及びカーボンナノチューブの誘導体から選ばれる１種以上を含有していてもよい。

電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体、半導体等の無機化合物も使用できる。電子注入層及び電子輸送層が、絶縁体、半導体等の無機化合物で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる１種以上の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ又はＣａＳｅであることが好ましい。電子注入層及び電子輸送層を構成する半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物、窒化物、及び、酸化窒化物が挙げられる。

本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する膜（層）との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。前記還元性ドーパントとしては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体が挙げられる。

発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入することができる機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。
発光層は、上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体等の発光層中にあって電子と正孔の再結合により発光する化合物（発光材料）を含有する。組成物（１）で表される燐光発光性を示す錯体以外の発光材料としては、例えば、白金族元素を有する金属錯体（例えば、フェニルピリジン誘導体が配位したイリジウム錯体）、希土類元素を有する金属錯体（例えば、フェナントロリン誘導体が配位したユーロピウム錯体）、８−キノリノール誘導体が配位したアルミニウム錯体、ナフタセン骨格を有する化合物、ジシアノエチレン骨格を有する化合物、クマリン骨格を有する化合物、キナクリドン骨格を有する化合物、アントラセン骨格を有する化合物、ペリレン骨格を有する化合物、フェニレンビニレン骨格を有する化合物、フルオレン骨格を有する化合物、ナフタレン骨格を有する化合物が挙げられる。発光層は、上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有することが好ましく、発光材料としては上記組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体のみを含有することがより好ましい。
発光層は更に、上記組成式（１）で表される錯体をゲスト材料とするホスト材料を含有していてもよい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、トリアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。また、ホスト材料として、ホスト材料及びバインダーの説明にて後述する樹脂を用いてもよい。ホスト材料のＴ１は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよいが、塗布工程による成膜性が良好になるので、高分子化合物であることが好ましく、数平均分子量が２０００以上の高分子化合物であることがより好ましい。ホスト材料は更に電解質を含有してもよく、該電解質は、例えば、支持塩（支持塩の例：トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、及びテトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）を含有している溶媒（溶媒の例：プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、及び水）、及び該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ゲル状の高分子の例：ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、フッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体）が挙げられる。ホスト材料と上記組成式（１）で表される錯体とを混合して塗布する、又は共蒸着することにより、発光材料が前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。

本発明の発光素子において、各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法〔抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等〕、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法が挙げられる。これらのうち、製造プロセスを簡略化できるので、塗布法が好ましい。

塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びインクジェット法が挙げられ、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法又はインクジェット法であることが好ましく、ロールコート法、スプレーコート法又はフレキソ印刷法であることがより好ましい。

本発明の発光素子においては、一対の電極間に挟持される層のうち、有機層としての発光層を塗布法によって形成することが好ましく、有機層としての発光層、及び、発光層以外の有機層の一部又はすべての有機層を、塗布法によって形成することがより好ましく、有機層（即ち、有機層としての発光層、及び、発光層以外の有機層）のすべてを塗布法によって形成することが更に好ましい。

前記有機層とは、有機化合物を含有する層のことである。通常、発光素子を構成する層のうち、上述の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等の層が有機化合物を含有する。

塗布法により各層を形成する手順の一例を挙げると、上記組成式（１）で表される錯体、又は、前述した各層の材料を、溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を、任意の層（又は電極）上に、塗布し乾燥させることによって形成することができる。

該塗布液を作製するための溶媒には、水又は有機溶媒を使用することができる。

前記有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、シクロヘキサン、及びそれらから選ばれる２種以上の混合物が挙げられる。

塗布液中にはホスト材料及びバインダーのいずれか又は両方として、樹脂を含有させてもよい。この樹脂は溶媒に溶解させて溶液としてもよいし、分散媒に分散（懸濁）させて分散液（懸濁液）としてもよいが、溶液とすることが好ましい。

樹脂としては、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、及び、ポリ（フェニレンビニレン）等の共役系高分子を使用することができる。樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、及びシリコン樹脂が挙げられる。樹脂の溶液は、更に、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。前記溶液又は分散液に用いられる溶媒又は分散媒としては、膜の成分を均一に溶解する溶媒又は安定な分散液を与える溶媒が好ましく、アルコール〔メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等〕、ケトン〔アセトン、メチルエチルケトン等〕、塩素化炭化水素〔クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等〕、芳香族炭化水素〔ベンゼン、トルエン、キシレン等〕、脂肪族炭化水素〔ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等〕、アミド〔ジメチルホルムアミド等〕、スルホキシド〔ジメチルスルホキシド等〕、又はそれらの混合物がより好ましい。

インクジェット法においては、例えば、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒〔アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等〕を用いることができる。溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

本発明の発光素子の各層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍであり、２ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、３ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。

塗布後に溶媒を乾燥させることにより膜（層）が得られる。乾燥としては、例えば、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥及び窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾又は加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。

本発明の発光素子は、例えば、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッドに用いることができる。ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術及び公知の駆動回路の両方又は一方を用い、セグメント型、ドットマトリクス型等の構成とすることができる。

本発明はまた、上記組成式（３）で表される錯体を提供する。

組成式（３）中、Ｍ⁺、Ｌ²、Ｘ¹、ａ、及びｂの例及び好ましい例は、それぞれ、前記組成式（１）中のＭ⁺、Ｌ¹、Ｘ¹、ａ、及びｂの例及び好ましい例と同じである。

式（４）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵の例及び好ましい例は、それぞれ、前記式（２）中のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵の例及び好ましい例と同じである。

組成式（３）で表される錯体の例は、前記＜表１−１＞〜＜表１−６＞に示す構造と同じであり、組成式（３）で表される錯体の代表例は、前記式４’、３１’、２９２’、３１９’、３０’、２９’、２８’、３２’、５’、２９３’、３２０’、１０４’、３９２’、１３１’、３７’、１９８’、３２１’及び４２７’で表される錯体と同じである。

組成式（３）で表される錯体は、単核錯体、２核以上の錯体のいずれであってもよいし、これらの混合物であってもよいが、好ましくは単核錯体である。

組成式（３）で表される錯体は、Ｍ⁺が２座配位型であっても、３座配位型であっても、４座配位型であっても、５座以上であってもよいし、これらの混合物であってもよいが、色純度が優れるので、３座配位型、及び、４座配位型が好ましく、３座配位型がより好ましい。

本発明はまた、上記式（５）で表される化合物を提供する。

式（５）中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵の例及び好ましい例は、それぞれ、前記式（２）中のＲ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵の例及び好ましい例と同じである。

式（５）中、Ｒ⁶は塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であり、４つのＲ²が全て水素原子である場合、Ｒ⁶は塩素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である。４つのＲ²が全て水素原子である場合、Ｒ⁶は、好ましくは炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、より好ましくは炭素原子数１〜６のヒドロカルビルオキシ基であり、更に好ましくは炭素原子数１〜４のヒドロカルビルオキシ基であり、特に好ましくはメトキシ基である。

４つのＲ²のうちいずれか１つ以上が水素原子以外の基であるとき、Ｒ⁶は、好ましくは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、及び置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であり、より好ましくは炭素原子数１〜８のヒドロカルビルオキシ基、及び炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、更に好ましくは炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、及びｔｅｒｔ−ブチル基である。

本発明の式（５）で表される化合物の好ましい例は、前記式ａ５９、ａ６１〜ａ６８、ａ７１、ａ７３〜ａ７５、ａ７７、ａ７９、ａ８１であり、より好ましくは式ａ６１〜ａ６８、ａ７３〜ａ７５、ａ７７、ａ７９、ａ８１であり、更に好ましくは式ａ６１〜ａ６５、ａ６７、ａ６８、ａ７３、ａ７５、ａ７７、ａ７９、ａ８１であり、特に好ましくは式ａ６１〜ａ６６である。

本発明の式（５）で表される化合物の製造は、一般に知られているトリアリールホスフィン誘導体を合成するための反応の組み合わせによることができ、限定されないが、例えば、次の方法によることが好ましい。

上記式（５）で表される化合物の合成例の１つの好ましい形態は、不活性ガス雰囲気下、下記式（６）で示される化合物へ、下記式（７）で表される化合物を、０℃以下で滴下して混合する方法である。

（式中、Ｒ⁴の定義は、上述と同じである。Ｙは、求核性の試薬と反応させることにより置換可能な基である。）

（式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵及びＲ⁶の定義は、上述のそれらと同じである。Ｚは、Ｚが結合する炭素原子が求核性を有する基である。）

式（６）中、Ｙで表される「求核性の試薬と反応させることにより置換可能な基」は、例えば、塩素原子、エトキシ基である。

式（７）中、Ｚで表される「Ｚが結合する炭素原子が求核性を有する基」は、例えば、Ｌｉ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩである。

式（７）で示される化合物は、例えば、式（７）中のＺに対応する部分がハロゲン原子である化合物に、１当量のマグネシウム、ｎ−ブチルリチウム等の試薬を加えて反応することで合成することができる。

上記式（５）で示される化合物の合成例のもう１つの好ましい形態は、不活性ガス雰囲気下、下記式（８）で示される化合物へ、下記式（９）で表される化合物を、０℃以下で滴下して混合する方法である。

（式中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁵、Ｒ⁶及びＹの定義は、上述のそれらと同じである。）

（式中、Ｒ⁴及びＺの定義は、上述のそれらと同じである。２つのＺは同じ構造である。）

ここで、式（９）で示される化合物は、例えば、式（９）のＺ部位が臭素原子又はヨウ素原子等である化合物に、２当量のマグネシウム、ｎ−ブチルリチウム等の試薬を加えて反応することで合成することができる。

こうして得られる上記式（５）で示される化合物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製、再結晶、再沈殿等を行うことによって、単離精製することができる。

次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

ＮＭＲ測定には、Ｖａｒｉａｎ社製、３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメーターを用いた。ＤＡＲＴ−ＭＳ測定には、日本電子製のＴｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ（ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ）を用いた。

得られた錯体の各温度条件での発光強度及び最大発光波長を確認するため、錯体のＰＬスペクトルを測定した。測定対象である錯体は、およそ１ｍｇを２枚の石英板の間に挟み、粒子径１〜３０μｍの粉体とした。ＰＬスペクトルの測定には、ＰＬ測定装置としてＪＡＳＣＯ社製ＦＰ−６５００を、温度制御装置とセル室として、それぞれＵＮＩＳＯＫＵ社製のＵｎｉｓｐｅＫｓ、ＵＳＰ−２０３型を用いた。

励起寿命の測定及び解析は、以下の通りで行った。前記ＰＬスペクトルの測定と同様の方法で調製した試料をＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製のＦｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３の未知試料用サンプル位置にセットし、Ａｌｄｒｉｃｈ社製ＬＵＤＯＸ含純水を参照サンプル位置にセットした。前記ＬＵＤＯＸの励起寿命を０と設定し、同装置で予め測定した試料の最大発光波長及び最大励起波長において、室温にて周波数変調法による寿命測定を行った。測定結果は、Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．６８，９−１７（１９９６）に記載の理論式に従って解析した。

実施例１（表１−１における化合物番号４）
１，２−ビス［ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼンを、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２３，６０７７−６０７９（２００４）に記載の方法で合成した。

ヨウ化銀（Ｉ）（５０．０ｍｇ、０．２１３ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（５ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス［ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼン（１０７ｍｇ、０．２１３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１０分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン２０ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が５ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（１０５ｍｇ、収率６６．９％）。

実施例１で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５０−７．４７（ｍ、２Ｈ）、７．３３−６．５５（ｍ、１８Ｈ）、２．４７（ｓ、１２Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２３．６（ｂｒｄ、Ｊ＝２９１Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₄Ｈ₃₂ＩＰ₂Ａｇ：Ｃ，５５．３８；Ｈ，４．３７；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，５４．９１；Ｈ，４．３１；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例１で得られた錯体の励起寿命は９μｓであった。

実施例１で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２５℃における発光強度を１とすると、０℃では１．０、−１９５℃では１．１であった。最大発光波長は、２５℃では４７５ｎｍ、０℃では４７４ｎｍ、−１９５℃では４８３ｎｍであった。これらの結果から、実施例１で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例２（表１−１における化合物番号３１）
１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼンを、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２３，６０７７−６０７９（２００４）に記載の方法で合成した。

ヨウ化銀（Ｉ）（３８．７ｍｇ、０．１６５ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（４ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（１０１ｍｇ、０．１６５ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１０分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン５ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が５ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（７２．０ｍｇ、収率５１．４％）。

実施例２で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．４９−７．０９（ｍ、１４Ｈ）、６．８１−６．７４（ｍ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．６０（ｂｒｓ、４Ｈ）、１．５１（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）、１．１７（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、６Ｈ）、０．９２（ｄ、Ｊ＝６．３Ｈｚ、６Ｈ）、０．８２（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２７．６（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝２６９、３１１Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈ＩＰ₂Ａｇ：Ｃ，５９．３８；Ｈ，５．６９；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，５９．６１；Ｈ，５．６７；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例２で得られた錯体の励起寿命は１０μｓであった。

実施例２で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．１、−１９５℃では１．１であった。最大発光波長は、２５℃では４６９ｎｍ、０℃では４６９ｎｍ、−１９５℃では４７７ｎｍであった。なお、前記錯体は室温において４５５ｎｍにも発光ピークを示したが、４６９ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。これらの結果から、実施例２で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例３（表１−３における化合物番号２９２）
ヨウ化銅（Ｉ）（１３．７ｍｇ、０．０７１７ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（４ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス［ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼン（３６．１ｍｇ、０．０７１７ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で５分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン４ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、溶媒を徐々に蒸発させる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（３５．３ｍｇ、収率７１．０％）。

実施例３で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５０−７．４７（ｍ、２Ｈ）、７．３１−６．７０（ｍ、１８Ｈ）、２．５３（ｓ、１２Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２１．６（ｂｒｓ、ｗ_1/2＝７３Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₄Ｈ₃₂ＩＰ₂Ｃｕ・０．２ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｃ，５７．８５；Ｈ，４．６０；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，５７．８８；Ｈ，４．５２；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例３で得られた錯体の励起寿命は４μｓであった。

実施例３で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．１、−１９５℃では２．０であった。最大発光波長は、２５℃では４７６ｎｍ、０℃では４７６ｎｍ、−１９５℃では４６７ｎｍであった。これらの結果から、実施例３で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例４（表１−３における化合物番号３１９）
ヨウ化銅（Ｉ）（３０．９ｍｇ、０．１６２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（４ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス[ビス[２−（１−メチルエチル）フェニル]ホスフィノ]ベンゼン（９９．７ｍｇ、０．１６２ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１０分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン５ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、溶媒を徐々に拡散させる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（１１１ｍｇ、収率８５．３％）。

実施例４で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．４６−７．４３（ｍ、６Ｈ）、７．２９−７．２６（ｍ、２Ｈ）、７．１５−７．０８（ｍ、６Ｈ）、６．８０−６．７３（ｍ、４Ｈ）、６．４８（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．８０（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．６９（ｂｒｓ、２Ｈ）、１．５１（ｄ、Ｊ＝５．８Ｈｚ、６Ｈ）、１．１６（ｄ、Ｊ＝５．９Ｈｚ、６Ｈ）、０．８７（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）、０．７８（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２５．９（ｂｒｓ、ｗ_1/2＝２２Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈ＩＰ₂Ｃｕ：Ｃ，６２．６５；Ｈ，６．０１；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６２．６２；Ｈ，５．９６；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例４で得られた錯体の励起寿命は５μｓであった。

実施例４で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．０、−１９５℃では１．２であった。最大発光波長は、２５℃では４７３ｎｍ、０℃では４７３ｎｍ、−１９５℃では４６８ｎｍであった。これらの結果から、実施例４で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例５（表１−１における化合物番号３０）
臭化銀（Ｉ）（３３．７ｍｇ、０．１７９ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（１１０ｍｇ、０．１７９ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で５分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン５ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が２ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（２９．２ｍｇ、収率２０．３％）。

実施例５で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．４９−７．１０（ｍ、１４Ｈ）、６．８０−６．７３（ｍ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．５６（ｂｒｓ、４Ｈ）、１．５１（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、６Ｈ）、１．１８（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、６Ｈ）、０．９４（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、６Ｈ）、０．８４（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２８．６（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝２８９、３３３Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈ＢｒＰ₂Ａｇ：Ｃ，６２．８６；Ｈ，６．０３；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６２．５８；Ｈ，６．００；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例５で得られた錯体の励起寿命は１３μｓであった。

実施例５で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２５℃における発光強度を１とすると、０℃では１．０、−１９５℃では０．７であった。最大発光波長は、２５℃では４７０ｎｍ、０℃では４６９ｎｍ、−１９５℃では４７６ｎｍであった。なお、前記錯体は室温（２５℃）において、４５５ｎｍにも発光ピークを示したが、４７０ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。これらの結果から、実施例５で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例６（表１−１における化合物番号２９）
塩化銀（Ｉ）（３２．０ｍｇ、０．２２３ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３ｍＬ）懸濁液に１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（１３７ｍｇ、０．２２３ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で５分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン５ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が１ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（３０．７ｍｇ、収率１８．１％）。

実施例６で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．４９−７．０９（ｍ、１４Ｈ）、６．８１−６．７４（ｍ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．５３（ｂｒｓ、４Ｈ）、１．５１（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）、１．１８（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、６Ｈ）、０．９６（ｄ、Ｊ＝６．３Ｈｚ、６Ｈ）、０．８５（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２９．１（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝２９８、３４４Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈ＣｌＰ₂Ａｇ：Ｃ，６６．５４；Ｈ，６．３８；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６６．４６；Ｈ，６．３６；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例６で得られた錯体の励起寿命は１３μｓであった。

実施例６で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２５℃における発光強度を１とすると、０℃では１．１、−１９５℃では１．２であった。最大発光波長は、２５℃では４７０ｎｍ、０℃では４７０ｎｍ、−１９５℃では４７７ｎｍであった。なお、前記錯体は室温（２５℃）において、４５６ｎｍにも発光ピークを示したが、４７０ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。これらの結果から、実施例６で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例７（表１−１における化合物番号２８）
フッ化銀（Ｉ）（１８．１ｍｇ、０．１４３ｍｍｏｌ）のアセトニトリル（３ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（８７．７ｍｇ、０．１４３ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で５分間撹拌した。そこに、ジクロロメタン５ｍＬを加え、室温で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が１ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（３２．４ｍｇ、収率２９．５％）。

実施例７で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５１−７．１１（ｍ、１４Ｈ）、６．８１−６．７６（ｍ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒｓ、２Ｈ）、３．４７（ｂｒｓ、４Ｈ）、１．５２−１．４９（ｂｒ、６Ｈ）、１．２０−１．１７（ｂｒ、６Ｈ）、０．９７（ｄ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、６Ｈ）、０．８９−０．８７（ｂｒ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −３０．８（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝３５４、４１０Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈ＦＰ₂Ａｇ・０．３３ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｃ，６６．０４；Ｈ，６．３７；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６６．００；Ｈ，６．４７；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例７で得られた錯体の励起寿命は８μｓであった。

実施例７で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．１、−１９５℃では０．９４であった。最大発光波長は、２５℃では４７６ｎｍ、０℃では４７６ｎｍ、−１９５℃では４８６ｎｍであった。これらの結果から、実施例７で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例８（表１−１における化合物番号３２）
テトラフルオロホウ酸化銀（Ｉ）（１６．７ｍｇ、０．０８５８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（５ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（１０５ｍｇ、０．１７２ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で５分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が１ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（５９．０ｍｇ、収率８５．３％）。

実施例８で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ及び³¹Ｐ−ＮＭＲデータを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ） ７．５７−７．１４（ｍ、１４Ｈ）、６．８２（ｂｒ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒ、２Ｈ）、３．３１（ｂｒｓ、４Ｈ）、１．４４（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）、１．１１（ｄ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、６Ｈ）、１．００（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ、６Ｈ）、０．９０（ｄ、Ｊ＝６．１Ｈｚ、６Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２９．２（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝３５５、３８８Ｈｚ）．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び³¹Ｐ−ＮＭＲにより決定した。実施例８で得られた錯体の励起寿命は１０μｓであった。

実施例８で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、最大発光波長は２５℃において４６７ｎｍであった。４５４ｎｍにも発光ピークを示したが、４６７ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。

実施例９（表１−１における化合物番号５）
テトラフルオロホウ酸化銀（Ｉ）（７７．５ｍｇ、０．３９８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス[ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（４００ｍｇ、０．７９６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液を溶媒量が約４ｍＬになるまで濃縮し、ジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（４０９ｍｇ、収率８５．７％）。

実施例９で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５４−６．８４（ｍ、４０Ｈ）、１．６６−１．６３（ｍ、２４Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −１１．４（ｂｒｄ、Ｊ（³¹Ｐ−Ａｇ）＝２４９Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₆₈Ｈ₆₄Ｆ₄ＢＰ₄Ａｇ・１．３３ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｃ，６３．４２；Ｈ，５．１２；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６３．５０；Ｈ，５．５１；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例９で得られた錯体の励起寿命は３μｓであった。

実施例９で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２５℃における発光強度を１とすると、０℃では１．５、−１９５℃では５．４であった。最大発光波長は、２５℃では４７６ｎｍ、０℃では４７４ｎｍ、−１９５℃では４７５ｎｍであった。これらの結果から、実施例９で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例１０（表１−３における化合物番号２９３）
テトラフルオロホウ酸テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）（２７６ｍｇ、０．８７７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス[ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（８８２ｍｇ、１．７５ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液からジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（３１５ｍｇ、収率４８．９％）。

実施例１０で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５５−７．５２（ｍ、２Ｈ）、７．３１−７．０７（ｍ、１４Ｈ）、６．７４（ｂｒ、４Ｈ）、２．３５（ｓ、１２Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２０．４（ｂｒ、Ｗ_1/2＝２４６Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₄Ｈ₃₂Ｆ₄ＢＰ₂Ｃｕ・２ＣＨ₃ＣＮ：Ｃ，６２．０９；Ｈ，５．２１；Ｎ，３．８１．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６２．０７；Ｈ，５．２１；Ｎ，３．５１．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例１０で得られた錯体の励起寿命は５μｓであった。

実施例１０で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２５℃における発光強度を１とすると、０℃では１．３、−１９５℃では２．３であった。最大発光波長は、２５℃では４５０ｎｍ、０℃では４４４ｎｍ、−１９５℃では４５０ｎｍであった。なお、前記錯体は室温（２５℃）において、４６７ｎｍにも発光ピークを示したが、４５０ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。これらの結果から、実施例１０で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例１１（表１−３における化合物番号３２０）
テトラフルオロホウ酸テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）（１１１ｍｇ、０．３５３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス［ビス［２−（１−メチルエチル）フェニル］ホスフィノ］ベンゼン（４３４ｍｇ、０．７０６ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液からジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（２７７ｍｇ、収率１００％）。

実施例１１で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．５５−７．４９（ｍ、６Ｈ）、７．２７−７．２１（ｍ、８Ｈ）、６．８２（ｂｒ、４Ｈ）、６．４９（ｂｒ、２Ｈ）、３．５０−３．４５（ｍ、２Ｈ）、３．２６（ｂｒ、２Ｈ）、１．４４（ｂｒ、６Ｈ）、１．２８（ｂｒ、６Ｈ）、０．９４（ｂｒ、１２Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２８．６（ｂｒ、Ｗ_1/2＝３３Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₄₂Ｈ₄₈Ｆ₄ＢＰ₂Ｃｕ・ＣＨ₃ＣＮ：Ｃ，６５．５５；Ｈ；６．３８，Ｎ，１．７４．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６５．４２；Ｈ，６．３４；Ｎ，１．５９．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例１１で得られた錯体の励起寿命は７μｓであった。

実施例１１で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．１、−１９５℃では１．３であった。最大発光波長は、２５℃では４５０ｎｍ、０℃では４４８ｎｍ、−１９５℃では４５２ｎｍであった。なお、前記錯体は室温（２５℃）において、４６５ｎｍにも発光ピークを示したが、４５０ｎｍにおける発光ピークよりも低い強度であった。これらの結果から、実施例１１で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例１２（１，２−ビス[ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（前記式ａ６１）の合成）
アルゴン雰囲気下、ｏ−ビス（ジクロロホスフィノ）ベンゼン（２．０８ｇ、７．４３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）溶液に、２−メトキシフェニルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、６０．２ｍＬ、６０．２ｍｍｏｌ）を−１２℃〜−５℃で１５分間かけて滴下した。室温まで自然に昇温させながら終夜撹拌し、その後、５０℃で３時間撹拌した。反応液を冷却し、１ｍｏｌ／Ｌ塩化アンモニウム水溶液（７５ｍＬ）を−１０℃で滴下した。こうして得られた反応液を減圧濃縮し、クロロホルムを加え、抽出により水で洗浄した。有機層に無水硫酸ナトリウムを加え乾燥させた後にろ過し、減圧濃縮して得られた残渣をクロロホルムとヘキサンで懸濁ろ過することにより、無色結晶を得た（２．５３ｇ、収率６０．１％）。

得られた化合物の^１Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ、ＤＡＲＴ−ＭＳの測定結果を下記に示す。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．３０−７．２５（ｍ、４Ｈ）、７．２１−７．１８（ｍ、２Ｈ）、６．９４−６．８９（ｍ、２Ｈ）、６．８６−６．８０（ｍ、８Ｈ）、６．７４−６．７１（ｍ、４Ｈ）、３．６１（ｓ、１２Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −３１．６（ｓ）．

ＤＡＲＴ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：ｆｏｕｄ．５６７．１９、ｃａｌｃｄ．５６７．１９［Ｍ＋Ｈ］⁺．

実施例１３（表１−１における化合物番号１０４）
テトラフルオロホウ酸化銀（Ｉ）（１７．５ｍｇ、０．０８９９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス[ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（１０２ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液からジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（１１９ｍｇ、収率１００％）。

実施例１３で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．２９−７．２４（ｂｒ、１６Ｈ）、６．６７（ｂｒ、２４Ｈ）、２．９９（ｂｒ、２４Ｈ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₆₈Ｈ₆₄Ｆ₄ＢＯ₈Ｐ₄Ａｇ・ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｃ，５８．６６；Ｈ，４．７１；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，５８．６４；Ｈ，４．７９；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び反応収率により決定した。実施例１３で得られた錯体の励起寿命は０．５μｓであった。

実施例１３で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２つの発光ピークを示した。発光強度を、２５℃における発光強度が最大のピークの強度を１とすると、２５℃での発光強度は１と１．０であり、発光ピークはそれぞれ４５０ｎｍと４６９ｎｍであった。０℃での発光強度は１．０と１．０であり、発光ピークはそれぞれ４５３ｎｍと４７０ｎｍであった。−１９５℃での発光強度は１２と１２であり、発光ピークはそれぞれ４５４ｎｍと４６５ｎｍであった。これらの結果から、実施例１３で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例１４（表１−４における化合物番号３９２）
テトラフルオロホウ酸テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）（１６．７ｍｇ、０．０５３１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス[ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（６０．２ｍｇ、０．１０６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液からジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、淡黄色固体の錯体を得た（５９．５ｍｇ、収率８７．３％）。

実施例１４で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．２８−７．２２（ｂｒ、１６Ｈ）、６．６１（ｂｒ、２４Ｈ）、３．０４（ｂｒ、２４Ｈ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₆₈Ｈ₆₄Ｆ₄ＢＯ₈Ｐ₄Ｃｕ・０．２ＣＨ₂Ｃｌ₂：Ｃ，６２．９９；Ｈ，４．９９；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６２．８９；Ｈ，５．２１；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ及び反応収率により決定した。実施例１４で得られた錯体の励起寿命は１μｓであった。

実施例１４で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、発光強度は、２５℃における強度を１とすると、０℃では１．０、−１９５℃では２．２であった。最大発光波長は、２５℃では４８２ｎｍ、０℃では４８１ｎｍ、−１９５℃では４７７ｎｍであった。これらの結果から、実施例１４で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

実施例１５（１，２−ビス[ビス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（前記式ａ６４）の合成）
窒素雰囲気下、室温で、２−ブロモ−１，３−ジメチルベンゼン（４２．７ｇ、２３１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（２４０ｍＬ）溶液を、マグネシウム（５．６２ｇ、２３１ｍｍｏｌ）に２時間かけて滴下し、同温度で終夜撹拌後、更に２−ブロモ−１，３−ジメチルベンゼン（０．８５ｇ、４．５９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（４．８ｍＬ）溶液を滴下し、６時間撹拌した。この溶液を、ｏ−ビス（ジクロロホスフィノ）ベンゼン（８．００ｇ、２８．６ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）溶液に、−５℃で１時間かけて滴下した。その後、１時間かけて室温まで自然昇温させた後、室温で３．５日間撹拌し、更に５０℃で３時間撹拌した。反応液を０℃に氷冷し、１ｍｏｌ／Ｌの塩化アンモニウム水溶液（３００ｍＬ）を滴下した。減圧下で有機溶媒を濃縮後、クロロホルムを加え抽出を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮した。残渣を展開溶媒としてヘキサンと酢酸エチルとをへキサン：酢酸エチル＝１００：１の割合となるように調製した混合液によるシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、得られた残渣を酢酸エチルで再結晶し、得られた結晶をメタノールと酢酸エチルで懸濁ろ過することにより、淡黄色結晶を得た（５００ｍｇ、収率２．３４％）。

得られた化合物の¹Ｈ−ＮＭＲ、³¹Ｐ−ＮＭＲ、及び、ＤＡＲＴ−ＭＳの測定結果を下記に示す。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．２５−７．２２（ｍ、２Ｈ）、７．１２−７．０３（ｍ、６Ｈ）、６．９０−６．８７（ｍ、８Ｈ）、２．０３（ｓ、２４Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −２１．５（ｓ）．

ＤＡＲＴ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：Ｆｏｕｎｄ．５５９．３０、Ｃａｌｃｄ．５５９．２７［Ｍ＋Ｈ］⁺．

実施例１６（表１−２における化合物番号１３１）
テトラフルオロホウ酸化銀（Ｉ）（８．７ｍｇ、０．０４５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１ｍＬ）懸濁液に、１，２−ビス[ビス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィノ]ベンゼン（５０．０ｍｇ、０．８９５ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。反応液をろ過し、ろ液をジエチルエーテルを貧溶媒とするスローディフュージョンによる再結晶を行い、無色固体の錯体を得た（２５．０ｍｇ、収率７４．２％）。

実施例１６で得られた錯体の¹Ｈ−ＮＭＲデータ、³¹Ｐ−ＮＭＲデータ及び元素分析データを下記に示す。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） ７．６９−７．６１（ｍ、２Ｈ）、７．３５−７．６１（ｍ、２Ｈ）、７．１４（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、４Ｈ）、６．８７（ｄ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、８Ｈ）、２．１０（ｓ、２４Ｈ）．

³¹Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ（ｐｐｍ） −３１．６（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝３８１、４３９Ｈｚ）．

Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₃₈Ｈ₄₀Ｆ₄ＢＰ₂Ａｇ：Ｃ，６０．５８；Ｈ，５．３５；Ｎ，０．００．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６０．６７；Ｈ，５．３９；Ｎ，＜０．３．

錯体の組成比は、¹Ｈ−ＮＭＲ、^３１Ｐ−ＮＭＲ及び元素分析により決定した。実施例１６で得られた錯体の励起寿命は０．７μｓであった。

実施例１６で得られた錯体（粉体状態）のＰＬスペクトルを測定した。その結果、２つの発光ピークを示した。発光強度を、２５℃における発光強度が最大のピークの強度を１とすると、２５℃での発光強度は１と０．８であり、発光ピークはそれぞれ４３８ｎｍと４６８ｎｍであった。０℃での発光強度は１．５と１．６であり、発光ピークはそれぞれ４５２ｎｍと４７０ｎｍであった。−１９５℃での発光強度は２０と２５であり、発光ピークはそれぞれ４５６ｎｍ（ショルダーピーク）と４７３ｎｍであった。これらの結果から、実施例１６で得られた錯体は燐光発光性であると認められた。

比較例１
テトラフルオロホウ酸テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）（４．５０ｍｇ、０．０１４３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１ｍＬ）懸濁液に、トリ−ｏ−トリルホスフィン（１７．４ｍｇ、０．０５７２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、無色固体の錯体を得た。得られた錯体に３６５ｎｍの紫外線を照射したが、発光は観測されなかった。

比較例２
テトラフルオロホウ酸化銀（Ｉ）（６．４５ｍｇ、０．０３３１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１ｍＬ）懸濁液に、トリ−ｏ−トリルホスフィン（４０．３ｍｇ、０．１３２ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間撹拌した。反応液を濃縮し、無色固体の錯体を得た。得られた錯体に３６５ｎｍの紫外線を照射したが、発光は観測されなかった。

実施例１７（発光素子１）
１５０ｎｍのＩＴＯ膜が付着したガラス基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、商品名Ｂｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ４０８３）の懸濁液を１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間のスピンコートにより６０ｎｍの厚さとなるように成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。その後、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。

次に、正孔輸送性高分子材料の０．７重量％キシレン溶液を調製した。ここで、正孔輸送高分子材料は、以下の方法で合成した。

還流冷却器及びオーバーヘッドスターラを装備した１Ｌの三つ口丸底フラスコに、２，７−ビス（１，３，２−ジオキシボロール）−９，９−ジ（１−オクチル）フルオレン（３．８６ｇ、７．２８ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−（ブタン−２−イル）フェニル）アミン（３．１８ｇ、６．９２ｍｍｏｌ）及びジ（４−ブロモフェニル）ベンゾシクロブタンアミン（１５６ｍｇ、０．３６４ｍｍｏｌ）を添加した。次いで、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（２．２９ｇ）、トルエン５０ｍＬを順番に添加した。そこに、ＰｄＣｌ₂（ＰＰｈ₃）₂（４．９０ｍｇ）を添加した後、得られた混合物を１０５℃の油浴中で１５分間撹拌した。炭酸ナトリウム水溶液（２．０Ｍ、１４ｍＬ）を添加し、得られた混合物を１０５℃の油浴中、１６．５時間撹拌した。次いで、フェニルボロン酸（５００ｍｇ）を添加し、得られた混合物を７時間撹拌した。反応液から水層を除去し、有機層を水５０ｍＬで洗浄した。こうして得られた有機層をフラスコに戻し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム０．７５０ｇ及び水５０ｍＬを添加した。得られた混合物を８５℃の油浴中、１６時間撹拌した。反応液から水層を除去し、有機層を１００ｍＬの水で３回洗浄し、次いでシリカゲル及び塩基性アルミナのカラムに通した。溶離剤としてトルエンを用い、溶出してきたポリマーを含むトルエン溶液を得た。こうして得られたトルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを再度トルエンに溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを再び沈殿させた。沈殿したポリマーを６０℃で真空乾燥し、正孔輸送性高分子材料４．２０ｇを得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによれば、得られた正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は１．２４×１０⁵であり、分子量分布指数［重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）］は２．８であった。

上記で得た正孔注入層が形成された基板の上に、正孔輸送性高分子材料の０．７重量％キシレン溶液を１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間のスピンコート法により塗布し、厚さ２５ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、２００℃で１５分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。

この上に、実施例５で得られた錯体と、ポリスチレン（Ａｌｄｒｉｃｈ社製、数平均分子量４．７５×１０⁴、重量平均分子量４．８１×１０⁴）と、２，４，６−トリス（４−メチルフェニル）−１，３，５−トリアジン（住商ファーマインターナショナル社製）との２：５：１（重量比）の混合物が、０．６０重量％の濃度になるようにクロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１（重量比）の溶液に溶かして調製した溶液を、スピンコートにより１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間かけて６５ｎｍの厚さに成膜し、５０℃で２０分間乾燥させることにより、発光層が形成された基板を作製した。

この発光層が形成された基板の上に、陰極として、フッ化リチウムを１ｎｍ、続いてアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着により成膜して、発光素子１を作製した。

発光素子１に１２Ｖの電圧をかけることにより、輝度７６ｃｄ／ｍ²、発光効率０．８ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８４ｎｍの発光を確認した。発光素子１は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

実施例１８（発光素子２）
実施例１７において、実施例５で得られた錯体の代わりに実施例４で得られた錯体を用いた以外は、実施例１７と同様にして、発光素子２を作製した。発光素子２に１１Ｖの電圧をかけることにより、輝度４３０ｃｄ／ｍ²、発光効率８．６ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８０ｎｍの発光を確認した。更に、発光素子２に１５Ｖの電圧をかけることにより、輝度２５００ｃｄ／ｍ²の発光を確認した。発光素子２は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

実施例１９（発光素子３）
実施例１７において、正孔輸送層を形成しない以外は、実施例１７と同様にして、発光素子３を作製した。発光素子３に１２Ｖの電圧をかけることにより、輝度６０ｃｄ／ｍ²、発光効率０．５ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８２ｎｍの発光を確認した。発光素子３は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

実施例２０（発光素子４）
実施例１９において、実施例５で得られた錯体の代わりに実施例４で得られた錯体を用いた以外は、実施例１９と同様にして、発光素子４を作製した。発光素子４に１１Ｖの電圧をかけることにより、輝度６８０ｃｄ／ｍ²、発光効率５．４ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８８ｎｍの発光を確認した。発光素子４は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

実施例２１（発光素子５）
実施例１７において、実施例５で得られた錯体の代わりに実施例１３で得られた錯体を用いた以外は、実施例１７と同様にして、発光素子５を作製した。発光素子５に９Ｖの電圧をかけることにより、輝度２３ｃｄ／ｍ²、発光効率２．４ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８２ｎｍの発光を確認した。発光素子５は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

実施例２２（発光素子６）
実施例１７において、実施例５で得られた錯体の代わりに実施例１４で得られた錯体を用いた以外は、実施例１７と同様にして、発光素子６を作製した。発光素子６に９Ｖの電圧をかけることにより、輝度１５ｃｄ／ｍ²、発光効率２．３ｃｄ／Ａ、最大発光波長４８８ｎｍの発光を確認した。発光素子６は、色純度が良好であり、強い青色発光を示すことが明らかとなった。

Claims (7)

1. 組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する発光素子。
   （Ｍ⁺）（Ｌ¹）_a（Ｘ¹）_b （１）
   （式中、Ｍ⁺はＣｕ⁺又はＡｇ⁺である。Ｌ¹は式（２）で表される配位子である。Ｘ¹はアニオンである。ａ及びｂはそれぞれ独立に正の数である。錯体が複数個のＬ¹を含む場合、各々のＬ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。錯体が複数個のＸ¹を含む場合、各々のＸ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。）
   

   

   （式中、Ｒ¹はハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基であるが、Ｍ ⁺ がＣｕ ⁺ である場合、Ｒ ² は水素原子である。各々のＲ¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
2. Ｒ¹が、フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である、請求項１に記載の発光素子。
3. Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵が、水素原子である、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. Ｘ¹が、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
5. 一対の電極と、
   一対の電極間に挟持されている１又は２以上の層とを備え、
   上記層のうちには、組成式（１）で表される燐光発光性を示す錯体を含有する発光層を含む１又は２以上の有機層が含まれ、
   前記有機層のすべてが塗布法により形成される層である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
6. 組成式（３）で表される錯体。
   （Ｍ⁺）（Ｌ²）_a（Ｘ¹）_b （３）
   （式中、Ｍ⁺はＣｕ⁺又はＡｇ⁺である。Ｌ²は式（４）で表される配位子である。Ｘ¹はアニオンである。ａ及びｂはそれぞれ独立に正の数である。錯体が複数個のＬ²を含む場合、各々のＬ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。錯体が複数個のＸ¹を含む場合、各々のＸ¹は互いに同一でも異なっていてもよい。）
   

   

   （式中、Ｒ¹はハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基であるが、Ｍ ⁺ がＣｕ ⁺ である場合、Ｒ ² は水素原子である。各々のＲ¹は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ²は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。）
7. 組成式（５）で表される化合物。
   

   

   （式中、Ｒ² は水素原子である。Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１８の有機基である。Ｒ ⁶ は塩素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基である。各々のＲ³は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁴は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁵は、互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ⁶は、互いに同一でも異なっていてもよい。）