JP5742172B2 - Memsデバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1Aは、本発明の一実施形態に係る加速度センサデバイス100の一例を上から見た透過図である。図1Bは、本発明の実施形態1に係る加速度センサデバイスの別の一例である加速度センサデバイス100´を上から見た透過図である。。図2A及び図2Bはセンサを覆うパッケージキャップを使用した場合の加速度センサデバイス100aの全体構成を示す断面図であり、図3A及び図3Bはセンサを樹脂封止した場合の加速度センサデバイス100bの全体構成を示す断面図である。図2A及び図3Aは、図1Aに示した加速度センサデバイス100のA−A線に沿った断面図であり、図2B及び図3Bは、図1Aに示した加速度センサデバイス100のB−B線に沿った断面図である。
図2A及び図2Bに示した加速度センサデバイス100a及び図3A及び図3Bに示した加速度センサデバイス100bの製造方法について図4A乃至図4Jを参照して説明する。図4A乃至図4Jにおいて、図2A及び図2Bに示した加速度センサデバイス100a、図3A及び図3Bに示した加速度センサデバイス100bと同一又は類似の構成要素には同一の参照番号を付与し、重複する説明は省略する。
次に、本発明の実施形態2に係る加速度センサデバイス300を説明する。図5は、本発明の実施形態2に係る加速度センサデバイス300の一例を上から見た透過図である。加速度センサデバイス300は、センサを覆うパッケージキャップを使用した場合のフリップチップ(Flip Chip)実装の加速度センサデバイスである。図6A及び図6Bは、センサを覆うパッケージキャップを使用した場合の加速度センサデバイス300aの全体構成を示す断面図であり、図7A及び図7Bはセンサを樹脂封止した場合の加速度センサデバイス300bの全体構成を示す断面図である。図6A及び図7Aは、図5に示した加速度センサデバイス300のA´−A´線に沿った断面図であり、図6B及び図7Bは、図5に示した加速度センサデバイス300のB´−B´線に沿った断面図である。
102 配線基板
110 IC
114 センサ
113 樹脂
Claims (9)
- 開口を有する配線基板と、
前記配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、
前記制御素子の一方の面上に配置された少なくとも1つのMEMS素子と、
前記配線基板上に配置され、前記MEMS素子を覆うパッケージキャップを具備し、前記制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して前記配線基板に固定されており、
前記パッケージキャップの内側は、中空であることを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記MEMS素子は、前記パッケージキャップ、前記配線基板、前記制御素子、及び前記樹脂によって囲まれた空間内で中空封止されていることを特徴とする請求項1記載のMEMSデバイス。
- 開口を有する配線基板と、
前記配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、
前記制御素子の一方の面上に配置された少なくとも1つのMEMS素子と、を具備し、
前記制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して前記配線基板に固定されており、
前記配線基板は、絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層と、導電材料からなる導電層とを含み、
前記樹脂は、前記絶縁性樹脂層の絶縁性材料よりも曲げ弾性率が低いことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記制御素子と前記MEMS素子とを電気的に接続するバンプをさらに具備することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のMEMSデバイス。
- 前記制御素子と前記MEMS素子は、樹脂封止されていることを特徴とする請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 前記MEMS素子は、外力に応じて変位する変位部を有する力学量センサであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のMEMSデバイス。
- 配線基板に開口を形成し、
前記開口を塞ぐように支持部材を前記配線基板の片側に配置し、
前記開口内における前記支持部材上に制御素子を配置し、
前記制御素子上に少なくとも1つのMEMS素子を配置し、
前記制御素子及び前記MEMS素子と前記配線基板とを電気的に接続し、
前記開口内における前記配線基板と前記制御素子との間の空間に樹脂を充填し、
前記支持部材を前記配線基板、前記制御素子及び前記樹脂から剥離し、
前記配線基板上に前記MEMS素子を覆うパッケージキャップを配置することを含み、
前記パッケージキャップの内側は、中空であることを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。 - 前記制御素子と前記MEMS素子とは、バンプを介して電気的に接続することを特徴とする請求項7に記載のMEMSデバイスの製造方法。
- 配線基板に開口を形成し、
前記開口を塞ぐように支持部材を前記配線基板の片側に配置し、
前記開口内における前記支持部材上に制御素子を配置し、
前記制御素子上に少なくとも1つのMEMS素子を配置し、
前記制御素子及び前記MEMS素子と前記配線基板とを電気的に接続し、
前記開口内における前記配線基板と前記制御素子との間の空間に樹脂を充填し、
前記支持部材を前記配線基板、前記制御素子及び前記樹脂から剥離し、
前記配線基板と前記制御素子と前記MEMS素子と前記樹脂とを樹脂封止することを含むMEMSデバイスの製造方法。
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