JP5739408B2 - 自己形成型上部反射防止コーティング組成物、それを含むフォトレジスト混合物およびそれを用いた像形成する方法 - Google Patents
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Description
ポリマ1 x=30モル%、y=30モル%およびz=40モル%、
ポリマ2 x=30モル%、y=40モル%およびz=30モル%、
ポリマ3 x=30モル%、y=50モル%およびz=20モル%
によって例示されるように100モル%を超えない。ポリマ1、2および3のモノマ(y)は、塩基可溶性部分とフルオロアルキル部分との両方を含む。
ポリマ4 x=30モル%、y=30モル%およびz=40モル%
によって例示されるように100モル%を超えない。第4のポリマのモノマ(y)は、酸に不安定な基で保護した塩基可溶性部分とフルオロアルキル部分との両方を含む。
ポリマ5 x=30モル%、y=40モル%およびz=30モル%
によって例示されるように100モル%を超えない。第5のポリマのモノマ(y)は、酸に不安定な基で保護した塩基可溶性部分を含み、酸に不安定な基で保護した塩基可溶性部分は、フッ素原子を含有しない。
2−ビニルナフタレン、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸および1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレートのポリマ(VN/TFMAA/HFIPA(30/30/40))の合成
コンデンサ、温度計、アルゴン送入口および磁気撹拌バーを備えた丸底フラスコに、以下すなわち2−ビニルナフタレン(VN:vinylnaphthalene)モノマ(1.388g、0.009モル)、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸モノマ(TFMAA:2−(trifluoromethyl)acrylic acid)(1.261g、0.009モル)、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレート(HFIPA:1,1,1,3,3,3−hexafluoroisopropyl acrylate)(2.665g、0.012モル)、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN:2,2’−azobisisobutyronitrile)開始剤(0.295g、モノマの全モル数の6%)および約18gのテトラヒドロフラン(THF:tetrahydrofuran)を加えた。反応混合物を室温で撹拌し、アルゴン(Ar)気流を45分間バブリングさせてからマントル・ヒーターの電源を入れた。反応をAr不活性雰囲気下72℃で一夜行った。次に、反応溶液を室温に冷却し、脱イオン(DI:deionized)水中で沈殿させた。ポリマをアセトンに再溶解させ、DI水中で再沈殿させた。固体を集め、真空オーブン中60℃で一夜乾燥させた。ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC:gel permeation chromatography)によって分子量(Mw)を測定したところ8.2Kであった。合成したポリマをPGMEAに溶解させて溶液中3重量%の固体を得た。シリコン・ウエハ上にポリマ溶液をスピン・コートし、ホット・プレート上90℃で60秒間加熱し、次にジェイ・エイ・ウーラム・カンパニー・インク(J.A.Woollam Co.Inc)によって製造されたVB−250 VASEエリプソメータを用いてnおよびkの値を測定した。約193nmの放射について測定された膜の光学特性は、1.322の屈折率(n)および0.134の吸光係数(k)を示した。
異なるモノマ・モル比を有する2−ビニルナフタレン、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸および1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレートのポリマ(VN/TFMAA/HFIPA(30/40/30))および(VN/TFMAA/HFIPA(30/50/20))の合成
実施例2および3のポリマは、実施例1と同じモノマを用いるが、異なるモノマ比率を用い、実施例1において記載されている同じ手順で合成された。下の表に、反応において用いられたモノマの量が示されている。
2−ビニルナフタレン、t−ブチル−2−(トリフルオロメチル)アクリレートおよび1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレートのポリマ(VN/TFtBuMA/HFIPA(30/40/30))の合成
コンデンサ、温度計、アルゴン送入口および磁気撹拌バーを備えた丸底フラスコに以下すなわちVNモノマ(1.39g、0.009モル)、t−ブチル−2−(トリフルオロメチル)アクリレート・モノマ(TFtBuMA:t−butyl−2−(trifluoromethyl) acrylate)(2.35g、0.012モル)、HFIPA(2.0g、0.009モル)、AIBN(0.344g、モノマの全モル数の7%)および約20gのTHFを加えた。反応混合物を室温で撹拌し、Ar流で45分間バブリングさせてからマントル・ヒーターの電源を入れた。反応をAr不活性雰囲気下72℃で一夜行った。次に、反応溶液を室温に冷却し、DI水中で沈殿させた。ポリマをアセトンに再溶解させ、DI水中で再沈殿させた。固体を集め、真空オーブン中60℃で一夜乾燥させた。GPCによって分子量(Mw)を測定したところ3.7Kであった。合成したポリマをPGMEAに溶解させて溶液中8.5重量%の固体を得た。ポリマ溶液をシリコン・ウエハ上にスピン・コートし、ホット・プレート上100℃で60秒間加熱し、次にジェイ・エイ・ウーラム・カンパニー・インクによって製造されたVB−250 VASEエリプソメータによってnおよびkの値を測定した。約193nm放射について測定された膜の光学特性は、1.406のn値および0.0986のk値を示した。
2−ビニルナフタレン、t−ブチルアクリレートおよび1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレートのポリマ(VN/tBuA/HFIPA(30/40/30))の合成
合成手順は、モノマ、開始剤および溶媒の量がVN(1.39g、0.009モル)、t−ブチル・アクリレート・モノマ(tBuA:t−butyl acrylate)(1.54g、0.012モル)、HFIPA(2.0g、0.009モル)、AIBN(0.295g、モノマの全モル数の6%)および約18gのTHFであった以外は実施例1と同じであった。GPCによって分子量(Mw)を測定したところ8.3Kであった。約193nm放射について測定された膜の光学特性は、1.418のn値および0.873のk値を示した。
2−ビニルナフタレン、2−(トリフルオロメチル)アクリル酸および1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピル・アクリレートのポリマ(VN/TFMAA/HFIPA(30/30/40))を市販フォトレジストに加えた新しいフォトレジスト調合物の二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary ion mass spectrometry)測定
実施例1によって合成したポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)を市販のインプラント・レジストEPIC 2520(ローム・アンド・ハース社(Rohm and Hass Inc.)から)と混合した。新たに調合したTARCインサイチュ・レジスト(EPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)は、調合したレジスト溶液の全固体内容物中に9重量%のポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)および91重量%のEPIC 2520を含有する。ポリマ、EPIC 2520およびEPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)を含む3つの試料を1インチ(2.54cm)のシリコン・ウエハ上にスピン・コートし、次に静的SIMSを用いて分析した。定格プローブ深さが約2〜4nmである静的SIMS分析は、混合物EPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)のポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)成分による顕著な上部層形成を示した。混合物の個別の成分に特徴的なさまざまな質量フラグメントの相対強度から、偏析の程度を推定することができた。上部層の成分の正確なモル分率決定は試みなかったが、表面の近くにおいてレジスト組成物中のポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/30/40)成分が90%を超え、非常に濃縮されていることは明らかである。
VN/TFMAA/HFIPA(30/40/30)のポリマを市販レジストに加えて調合した新しいレジストのリソグラフィ評価
実施例2によって合成したポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/40/30)を市販のインプラント・レジストEPIC 2520(ローム・アンド・ハース社)と混合した。新たに調合した混合物(EPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/40/30))は、調合したレジスト溶液の全固体内容物中に10重量%のポリマVN/TFMAA/HFIPA(30/40/30)および90重量%のEPIC 2520を含有する。EPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/40/30)調合物を12インチ(30.48cm)のシリコン・ウエハ上にスピン・コートした。このシリコン・ウエハは、コーティング前にHMDSで前処理(45秒、120℃)された。EPIC−VN/TFMAA/HFIPA(30/40/30)層を塗布後の熱処理として115℃で60秒間処理し、ASMLステッパ(NAが0.85、外σが0.85、内σが0.6、環状照明)上で193nm波長の光に露光させた。次に、ウエハを露光後の熱処理として120℃で60秒間処理した。単一パドル現像プロセスを用いて0.263N TMAH現像液(モーゼス・レーク(Moses Lake)のAD−10)でウエハを30秒間現像した。EPIC 2520の線量(約20mj)より顕著に高い線量(56.5mj)で、125nmハーフ・ピッチの良好な解像度が観測された。EPIC単独フォトレジスト調合物と対比してEPIC−VN/TFMAA/HFIPフォトレジスト調合物で観測されたより高い線量は、光エネルギーを吸収するVN/TFMAA/HFIPAの添加に起因する。EPIC−VN/TFMAA/HFIPAフォトレジスト調合物の感度は、例えば、フォトレジスト調合物中のPAGの量を増加させることによって増加させることができる。
Claims (9)
- 前記ポリマは、193nmの放射波長に対して1.53より小さな屈折率を有する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の組成物。
- フォトレジスト・ポリマ、
少なくとも1つの光酸発生剤、
キャスト用溶媒、および
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の組成物
を含む、フォトレジスト調合物。 - パターン化された材料のフィーチャを形成する方法であって、
(a)基板上の材料の上にフォトレジスト調合物を塗布するステップであって、前記フォトレジスト調合物は、
フォトレジスト・ポリマ、
少なくとも1つの光酸発生剤、
キャスト用溶媒、および
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の組成物
を含み、
(b)ステップ(a)の後に前記フォトレジスト調合物を分離させて上部反射防止コーティングとフォトレジスト層とを形成させるステップであって、前記フォトレジスト層は、前記反射防止コーティングと前記基板との間にあり、
(c)ステップ(b)の後に前記フォトレジスト層をパターンに従って化学線に露光させ、それによって前記フォトレジスト層中に放射露光領域のパターンを作り出すステップ、
(d)ステップ(c)の後に前記反射防止コーティングおよび前記フォトレジスト層中の前記放射露光領域を選択的に除去して前記フォトレジスト層を通る開口部を形成させるステップ、および
(e)ステップ(d)の後に前記開口部を通してエッチングまたはイオン注入して前記パターン化された材料のフィーチャを形成させるステップ
を含む方法。 - 前記フォトレジスト調合物は、3重量%から30重量%の間の前記ポリマを含む、請求項6に記載の方法。
- ステップ(a)の前に、前記材料上に下部反射防止コーティングを形成させるステップをさらに含み、前記フォトレジスト調合物は、前記下部反射防止コーティング上に形成される、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記化学線は、193nmの波長を有する、請求項6乃至8のいずれか1項に記載の方法。
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